專利名稱：三芳基胺衍生物及其在有機(jī)電致發(fā)光與電子攝影設(shè)備中的用途的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種新的含有特殊空間填滿翼基團(tuán)(space-filling winggroups)的三芳基胺衍生物，及其在電子攝影與電致發(fā)光設(shè)備中作為空穴傳輸材料的用途。
電子攝影與電致發(fā)光設(shè)備及三芳基胺衍生物如三芳基胺二聚物、三芳基胺四聚物的用途已久為公知。
目前，優(yōu)選的發(fā)光材料是三(-8-羥基喹啉)鋁，而其電致發(fā)光作用自1965年起就被發(fā)現(xiàn)。這種在某些情況下可摻雜香豆素的金屬螯合物可發(fā)出綠光，所用的金屬可以是鈹或鎵。
雖然在開(kāi)始時(shí)需要高于10伏特相對(duì)較高的起始電壓，但是經(jīng)由在陽(yáng)極與發(fā)光層之間配置額外的空穴傳輸層，所需要的電壓可降低至10伏特以下。
除了酞菁與聯(lián)苯基噁二唑衍生物之外，優(yōu)選使用的空穴傳輸材料是N，N’-二苯基-N，N’-雙(間甲苯基)-聯(lián)苯胺(TPD)及N，N’-二苯基-N，N’-二萘-1-基-聯(lián)苯胺(α-NPD)。
由于其具有良好的電荷轉(zhuǎn)移特性，所以三芳基胺衍生物尤其是三芳基胺二聚物已長(zhǎng)期應(yīng)用在電子攝影與電致發(fā)光中。尤其是N，N’-雙(-4’-N，N-二苯氨基-聯(lián)苯基))-N，N’-二苯基-聯(lián)苯胺(EP0650955A1)以及N，N’-雙(-4’(-N-苯基-N-萘-1-基-氨基-聯(lián)苯基))-N，N’-二苯基-聯(lián)苯胺(JP2000260572)，它們可單獨(dú)使用，或在雙層結(jié)構(gòu)中與TDP或α-NPD結(jié)合使用。
一般而言，已知的電致發(fā)光設(shè)備的使用壽命與效率、或是其隨時(shí)間的發(fā)展進(jìn)度都不足以滿足實(shí)用需求，因而必須加以改良。所使用的電荷轉(zhuǎn)移材料的薄膜形成特性及其在接合層內(nèi)的形態(tài)穩(wěn)定性也都無(wú)法令人滿意。特別地，在電致發(fā)光設(shè)備或裝置的使用壽命期間，含有上述電荷轉(zhuǎn)移材料的層在所述層內(nèi)形成結(jié)晶中心的傾向很大程度地取決于所用材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。一般而言，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度愈高，在給定溫度下再結(jié)晶傾向就愈低，而同時(shí)在低于玻璃化轉(zhuǎn)變溫度下的結(jié)晶速度將會(huì)非常低。因此，可預(yù)期到使用玻璃化轉(zhuǎn)變溫度較高的化合物制造的裝置其將有較高可允許的工作溫度。
能填滿空間的、需要空間的官能團(tuán)的存在有助于得到較高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。
本發(fā)明的目的在于提供適合作為電荷轉(zhuǎn)移材料的新化合物，其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為100℃～250℃，優(yōu)選為150℃～250℃，因此擴(kuò)大了使用上述化合物制造的電致發(fā)光裝置的操作范圍，其溫度范圍為100℃到約200℃。
依照本發(fā)明，新的三芳基胺衍生物相應(yīng)于下面的通式1 其中n是1至10中的整數(shù)；R1、R2、R3和R4可以相同或不同，并且是苯基、聯(lián)苯基、甲苯基、萘基、菲基、蒽基、芴基、三芳基甲基-芳基或三芳基甲硅烷基-芳基，基團(tuán)R1至R4中至少有一個(gè)是如下通式4所示的三芳基甲基-芳基或者三芳基甲硅烷基-芳基， 其中芳香族或雜芳香族單元X1至X4可以相同或不同，并且是苯基、萘基、菲基、蒽基、芘基、吡啶基或喹啉基，其中R10、R11、R12和R13可以相同或不同，并且其定義如下H、C1-C6烷基、環(huán)烷基、C2-C4鏈烯基、C1-C4烷氧基、C1-C4二烷基氨基、二芳基氨基、鹵素、羥基、苯基、萘基或吡啶基；其中定義為苯基、聯(lián)苯基、甲苯基、萘基、菲基、蒽基、芴基的R1至R4可以被取代基C1-C3烷基、C1-C2烷氧基或鹵素中的一個(gè)或多個(gè)取代；Ar是如下通式2或3所示的結(jié)構(gòu) 如果n＞1，結(jié)構(gòu)Ar可以相同或不同，及其中通式3中的Z選自下面的結(jié)構(gòu) 其中R5至R9可以相同或不同，并且是H或C1-C15烷基，或者R5與R6或R7與R8結(jié)合而形成5員或6員的脂肪環(huán)或雜環(huán)，因此與其所鍵合的5員環(huán)形成螺環(huán)系，其中O、N或S可以是雜環(huán)元素；或Ar是如下通式29、30、31或32所示的結(jié)構(gòu)
其中R20至R27可以相同或不同，其定義如下H、苯基、C1-C5烷基或C1-C3烷氧基，且結(jié)構(gòu)29、30、31或32與相鄰氮原子在任何自由取代位置相連接，條件是如果n＝1或2，且Ar是亞聯(lián)苯基，或通式29至32中的一種基團(tuán)，那么基團(tuán)R1至R4中至少有一個(gè)是依照上述通式4所示的三芳基甲硅烷基-芳基或取代的三芳基甲基-芳基單元，R10至R12的定義如上所述。
優(yōu)選的三芳基胺衍生物是通式1中n是1～4中的整數(shù)、優(yōu)選是1或2的那些三芳基胺衍生物。
在通式1中，優(yōu)選的基團(tuán)R1至R4的定義如下苯基、聯(lián)苯基、甲苯基、萘基、芴基、三芳基甲基-芳基或三芳基甲硅烷基-芳基。
優(yōu)選的基團(tuán)R5至R9可以相同或不同，其定義如下甲基或苯基。
在本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案中，基團(tuán)R5及R6與其所鍵合的碳原子形成螺烷環(huán)。
優(yōu)選的基團(tuán)R20至R27可以相同或不同，并且是氫、甲基或苯基。
如果結(jié)構(gòu)Ar包含至少一個(gè)如通式3所示的單元，則優(yōu)選基團(tuán)R1至R4中至少有一個(gè)是依照通式4的三芳基甲硅烷基-芳基單元或取代的三芳基甲基-芳基單元。
如果所有的結(jié)構(gòu)Ar是由依照通式2的單元所組成，則優(yōu)選基團(tuán)R1至R4中至少有一個(gè)是依照通式4的三芳基甲硅烷基-芳基單元或依照通式4的三芳基甲基-芳基單元，條件是在這種情況下基團(tuán)R10至R13中的至少一個(gè)不為H，或是依照通式4的三芳基甲基-芳基單元，條件是在這種情況下基團(tuán)X1至X4中的至少一個(gè)是雜芳香族物質(zhì)。
基團(tuán)R10至R13優(yōu)選是H、苯基、C1-C3烷基、C1-C3烷氧基或鹵素。
甲基或苯基是特別優(yōu)選的。
優(yōu)選的鹵素為F或Cl。
本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方案涉及如下通式所示的三芳基胺衍生物，
其中，n是1至10中的整數(shù)；R1、R2、R3和R4可以相同或不同，并且是苯基、聯(lián)苯基、甲苯基、萘基、菲基、蔥基、芴基、三苯甲基或三苯甲硅烷基，基團(tuán)R1至R4中至少有一個(gè)是如下通式4所示的三苯甲基或三苯甲硅烷基 其中R10、R11、R12可以相同或不同，其定義如下H、C1-C6烷基、環(huán)烷基、C2-C4鏈烯基、C1-C4烷氧基或鹵素，及其中R1至R4可被一個(gè)或多個(gè)取代基所取代；Ar是 或 其中Z選自下面的結(jié)構(gòu) 其中R5至R9可以相同或不同，并且是H或C1-C5烷基，條件是如果n＝1，且Ar是依照通式5的聯(lián)苯基，那么基團(tuán)R1至R4中至少有一個(gè)是依照上述通式4所示的三苯基甲硅烷基，R10至R12的定義如上所述。上述定義的優(yōu)選Ar、R1至R27也可應(yīng)用于此實(shí)施方案中。
本發(fā)明更進(jìn)一步涉及一種有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，其包含至少一個(gè)空穴傳輸層及一個(gè)發(fā)光層，其中至少一個(gè)空穴傳輸層包含依照通式1的三芳基胺衍生物。
本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案在于一種包含發(fā)光層的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，該發(fā)光層包含如通式1所示的三芳基胺衍生物。
本發(fā)明也涉及依照通式1的三芳基胺衍生物作為有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備中的空穴傳輸物質(zhì)或發(fā)光物質(zhì)的用途，以及依照通式1的三芳基胺衍生物在電子攝影裝置中作為空穴傳輸物質(zhì)的用途。
一般地，電子攝影設(shè)備具有下列結(jié)構(gòu)置于導(dǎo)電金屬層上的電荷產(chǎn)生層，其可涂布在彈性基板上或者是由鋁制滾筒所組成，在照射時(shí)電荷產(chǎn)生層起將正電荷載體注入至電荷傳輸層的作用。在照射前，該裝置被靜電充電至數(shù)百伏特。電荷產(chǎn)生層與電荷傳輸層厚度通常為15～25微米，而在上述過(guò)程中所引起的高場(chǎng)強(qiáng)度的影響下，被注入的正電荷載體(空穴)向充滿負(fù)電荷的電荷傳輸層移動(dòng)，因而引起光照射區(qū)域的那些表面放電。在電子攝影循環(huán)的隨后步驟中，根據(jù)畫(huà)面需要而將調(diào)色劑涂布于充電(或放電)的表面上，再將調(diào)色劑傳送至印刷材料上，如果需要將調(diào)色劑固定在上述材料上，最終移除過(guò)量的調(diào)色劑與殘留的電荷。
電致發(fā)光設(shè)備基本上由一個(gè)或多個(gè)電荷傳輸層所組成，該電荷傳輸層包含有機(jī)化合物，且置于兩個(gè)電極之間，而此兩個(gè)電極至少有一個(gè)是透明的。如果施加電壓，功函數(shù)低的金屬電極(大多是鈣、鎂或鋁，常常與銀結(jié)合)向有機(jī)層中注入電子，而對(duì)電極向有機(jī)層中注入空穴，電子與空穴在有機(jī)層中結(jié)合而形成單重態(tài)激子。短時(shí)間后，單重態(tài)激子回到其正常態(tài)，從而發(fā)光。
電子傳輸層與電致發(fā)光層的額外分隔物會(huì)引起量子效率增加。同時(shí)可選擇非常薄的電致發(fā)光層。因可不理會(huì)熒光材料的電子傳輸行為而將其取代，所以可以用預(yù)定的方式將其發(fā)射波長(zhǎng)設(shè)定在全部可見(jiàn)光光譜范圍內(nèi)。
也有可能將空穴傳輸層分離成二個(gè)成分不同的部分層。
依照本發(fā)明，有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備是由下列各層的組合所組成陰極、包含有機(jī)化合物的電致發(fā)光層、陽(yáng)極，包含于空穴傳輸層中的有機(jī)化合物是依照通式1的三芳基胺衍生物。
優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是由下列各層所組成基板、透明陽(yáng)極、空穴傳輸層、電致發(fā)光層、電子傳輸層、陰極。
該陰極可以由以下金屬所組成鋁、鎂、銦、銀或上述材料的合金，其厚度為100至5000。透明陽(yáng)極可以是由以下材料所組成厚度為1000至3000的氧化錮錫(ITO)、涂布在玻璃基板上的氧化銦銻錫涂層或半透明金層。
電致發(fā)光層中常用的發(fā)光物質(zhì)是依照如下通式所示的三(-8-羥基喹啉)鋁 在某些例子中更進(jìn)一步包括熒光物質(zhì)，例如取代的三苯基丁二烯和/或1，3，4-噁二唑衍生物、二苯乙烯基亞芳基衍生物、喹吖啶酮、亞水楊基鋅配合物、鋅螯合物、摻雜DCM的鋁螯合物、斯夸苷(squarine)衍生物、9，10-雙苯乙烯基蒽衍生物、或銪配合物。然而，也可以只包含依照本發(fā)明的發(fā)光化合物，或其與公知的發(fā)光物質(zhì)的混合物。
依照通式1的三芳基胺衍生物的典型的例子是



下面的表1和表2表明通式1所示的結(jié)構(gòu)單元Ar和殘基Rx(R1至R4)的優(yōu)選實(shí)施方案。
表1Ar 表2Rx
以上面用于Ar和Rx的表為基礎(chǔ)，下面的表3、表4和表5表明對(duì)于不同n值而言通式1的優(yōu)選具體實(shí)施例化合物的組成。
表3
表4
表5
新化合物的合成是依據(jù)公知的方法如烏爾曼合成法(UllmammSythesis)，或使用貴重金屬催化劑并以一級(jí)胺、二級(jí)胺與(依照通式2及3所示的)下列物質(zhì)為基礎(chǔ)的反應(yīng)過(guò)程來(lái)合成二鹵素-聯(lián)苯、二鹵素-二苯并呋喃、二鹵素-二苯并噻吩、二鹵素咔唑、或二鹵素-二苯并硅唑，或是以適合的鹵素-聯(lián)苯基-4-基-叔胺與(依照通式2及3所示的)雜類聯(lián)苯胺衍生物為基礎(chǔ)的反應(yīng)過(guò)程來(lái)合成。
烏爾曼合成法是一種縮合反應(yīng)，其中芳基鹵化物、優(yōu)選芳基碘化物與適合的底物在100℃至300℃之間以銅或青銅作為催化劑反應(yīng)來(lái)形成碳芳基化產(chǎn)物或氮芳基化產(chǎn)物，其中如果選擇性地保護(hù)敏感的官能團(tuán)，那么被官能團(tuán)所取代的芳基鹵化物也可參與反應(yīng)。
如果使用相繼配置的兩層空穴傳輸層，則至少一層含有依照通式1的三芳基胺衍生物，優(yōu)選是化合物6-24中的一個(gè)或多個(gè)。
如果使用額外的電子傳輸層，其可含有公知的電子傳輸材料，例如雙(-氨基苯基)-1，3，4-噁二唑、三唑或二硫醇衍生物。
使用依照結(jié)構(gòu)式6至24的空穴傳輸材料可使膜層產(chǎn)生較高的暗導(dǎo)電率，因而使起始電壓降至6伏特以下，因而導(dǎo)致作用于設(shè)備上的熱應(yīng)力降低。同時(shí)，本發(fā)明所使用的空穴傳輸材料擁有1 50℃以上至250℃的較高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，因而在膜層中再結(jié)晶的傾向非常低。由于上述特性并也由于相對(duì)大分子的化學(xué)結(jié)構(gòu)，所以由這些物質(zhì)所制造的膜層非常穩(wěn)定，而不論是否含有粘合劑，從而可使用一般的旋轉(zhuǎn)涂布技術(shù)。
經(jīng)由真空金屬化所涂布的膜層沒(méi)有結(jié)構(gòu)缺陷斑點(diǎn)，而且在可見(jiàn)光光譜范圍內(nèi)擁有高透明度。由于上述特性，因此可制造新的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，其擁有高發(fā)光度(＞10,000cd/m2)，同時(shí)其長(zhǎng)期穩(wěn)定性亦有相當(dāng)大的提高(＞10,000小時(shí))。上述設(shè)備的工作溫度范圍為100～200℃，優(yōu)選是120～200℃，特別是120～150℃。
以下的實(shí)施例用以說(shuō)明本發(fā)明，但并不以任何方式限制本發(fā)明。
實(shí)施例1N，N’-雙-(4’-(N-三苯基甲基)-苯基)-N-萘-1-基-氨基)-聯(lián)苯基)-N，N’-二苯基-2，7-氨基-9-苯基咔唑(結(jié)構(gòu)式23)的制備將由裝配有回流冷凝器、磁攪拌子、溫度計(jì)、進(jìn)氣管的500毫升三頸瓶所組成的玻璃裝置在120℃的溫度下加熱2小時(shí)，以去除附著于玻璃壁上的水分。
在氮?dú)鈿夥罩校瑢?60毫升的鄰二甲苯先用鈉干燥，再用氮?dú)庀礈旌筝斔椭敛Ａаb置中。攪拌下將6.3毫克的醋酸鈀與5.2毫升1％的三-叔丁基膦的干燥鄰二甲苯溶液加入至裝置中，從而形成催化劑配合物。
向制得的澄清黃色溶液中加入12.9克的叔丁醇鈉、23.8克的2，7-二苯氨基-N-苯基咔唑及69.1克的N-三苯基甲基-苯基-N-萘-1-基-(4-溴聯(lián)苯基)-胺。
維持在氮?dú)鈿夥罩?，將瓶中所含物質(zhì)在油浴中加熱至120℃，并持續(xù)攪拌。約30分鐘后，溴化鈉開(kāi)始沉淀。將混合物在120℃的溫度下繼續(xù)反應(yīng)3小時(shí)。隨后，將瓶中所含物質(zhì)用甲苯稀釋至其體積的2倍，然后加入十倍體積的甲醇中，并持續(xù)攪拌。在上述步驟中，沉淀出粗制產(chǎn)物，其可經(jīng)由過(guò)濾加以分離。
為了清洗粗制產(chǎn)物，將粗制產(chǎn)物于十二烷中再沉淀，隨后于DMF中再結(jié)晶。最后，產(chǎn)物于超高真空下(＜10-5 torrs)升華。用此方法可得到約30克的純N，N’-雙-(4’-(N-三苯基甲基)-苯基)-N-萘-1-基-氨基)-聯(lián)苯基)-N，N’-二苯基-2，7-氨基-N-苯基咔唑。其Tg量測(cè)值為190℃。
實(shí)施例2N，N’-二苯基-N，N’-雙-(4-三苯基-甲基-苯基)-氨基-9-甲基-咔唑(結(jié)構(gòu)式10)的制備在如實(shí)施例1所述的裝置中，20.35克的2，7-二苯氨基-9-甲基咔唑與49.4克的4-溴苯基-三(-4-甲苯基)-甲烷在使用12.9克的叔丁醇鈉作為脫水堿、12.6毫克的醋酸鈀與10.4毫升1％的三-叔丁基膦溶液作為催化劑的條件下按上述實(shí)施例的過(guò)程進(jìn)行反應(yīng)。
反應(yīng)產(chǎn)物的分離、處理與清洗也與實(shí)施例1類似。用此方法可得到約17克的純N，N’-二苯基氨基-N，N’-雙-(4-(三-4-甲苯基)-甲基)-苯基氨基-9-甲基-咔唑。使用DSC量測(cè)裝置量測(cè)的Tg值為159℃。
實(shí)施例3N，N’-二-(三苯基甲硅烷基-苯基)-N，N’-二苯基-聯(lián)苯胺(結(jié)構(gòu)式7)的制備在如實(shí)施例1所述的裝置中，14.4克的N，N’-二苯基-聯(lián)苯胺與34.9克的4-溴苯基-三苯基硅烷在使用12.9克的叔丁醇鈉作為脫水堿、12.6毫克的醋酸鈀與10.4毫升1％的三-叔丁基膦溶液作為催化劑的條件下按上述實(shí)施例的過(guò)程進(jìn)行反應(yīng)。
反應(yīng)產(chǎn)物經(jīng)由加入5％硅膠的二甲苯中再結(jié)晶及第二步在DMF中再結(jié)晶的方式加以清洗。用此方法可得到16.5克的純N，N’-二-(三苯基甲硅烷基-苯基)-N，N’-二苯基-聯(lián)苯胺，用DSC所量測(cè)的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為164℃。
實(shí)施例4N-4-甲苯基-N-(三苯基甲基-苯基)-N’-苯基-N’-萘-1-基-p，p’-聯(lián)苯胺(結(jié)構(gòu)式12)的制備在如上述實(shí)施例所述的裝置中，19.8克的溴聯(lián)苯基-苯基-萘基-胺與17.9克的三苯甲基-甲基二苯胺在使用12.9克的叔丁醇鈉作為脫水堿、12.6毫克的醋酸鈀與10.4毫升1％的三-叔丁基膦溶液作為催化劑的條件下按類似的方式進(jìn)行反應(yīng)。
反應(yīng)產(chǎn)物的按與實(shí)施例1類似的方式進(jìn)行清洗，其中，在第一階段中使用由十二烷與二甲苯以4∶1比例所組成的溶劑混合物，在第二階段中使用由DMF與正丁醇以1∶1比例所組成的混合物。
用此方法可得到20克的N-4-甲苯基-N-(三苯基甲基-苯基)-N’-苯基-N’-萘-1-基-p，p’-聯(lián)苯胺。上述化合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為151℃。
實(shí)施例5N，N’-雙-(-7-(N-(4-三苯基甲基-苯基)-N-苯基-氨基)-二苯并噻吩-2-基)-N，N’-二苯基-聯(lián)苯胺(結(jié)構(gòu)式21)的制備在如上述的裝置中，36.1克的N，N’-雙-(-7-溴-二苯并噻吩-2-基)-N，N’-二苯基-聯(lián)苯胺與34.6克的N-三苯甲基苯基-N-苯基-胺進(jìn)行反應(yīng)。以實(shí)施例1中所述的化合物作為催化劑，其用量與實(shí)施例1相同。經(jīng)過(guò)7個(gè)小時(shí)的反應(yīng)時(shí)間后，使用甲醇使產(chǎn)物沉淀。
將粗制產(chǎn)物經(jīng)由在二甲苯中再結(jié)晶，然后在DMF中再結(jié)晶三次的方式加以清洗。
用此方法可得到22克的N，N’-雙-(-7-(N-(4-三苯基甲基-苯基)-N-苯基-氨基)-二苯并噻吩-2-基)-N，N’-二苯基-聯(lián)苯胺，其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為186℃。
實(shí)施例6電致發(fā)光裝置在超高真空下(10-8hPa)下，在涂布有氧化錮錫電極(ITO)的玻璃基板上涂布一層涂層。上述涂層由下列各層所組成厚度為55納米且由公知的星暴形(starburst)化合物25所組成的空穴傳輸層，
厚度為5納米并由依照實(shí)施例1所得到的N，N’-雙-(4’-(N-三苯基甲基)-苯基)-N-萘-1-基-氨基)-聯(lián)苯基)-N，N’-二苯基-2，7-氨基-N-苯基咔唑所組成的發(fā)光層，厚度為30納米并由AlQ3螯合物所組成的電子傳輸層。這些層以約0.1納米/秒的生長(zhǎng)速率沉積。隨后，將厚度為90納米的鋁陰極涂布在上述結(jié)構(gòu)上。
在ITO電極與鋁陰極之間施加電壓，以確定電致發(fā)光曲線。將大面積的硅光電二極管直接置于玻璃基板下方，用來(lái)量測(cè)發(fā)光效率。
可得到以下結(jié)果起始電壓(1cd/m2) 2.8伏特最大亮度(15V) 31,200cd/m2光度效率(100cd/m2) 2.40cd/A發(fā)光效率(100cd/m2) 1.20cd/W外量子效率0.52％實(shí)施例7電致發(fā)光裝置如同實(shí)施例6中各層的配置，除了發(fā)光層中的材料改用實(shí)施例2中的N，N’-二苯基-N，N’-雙-(4-三苯基-甲基-苯基)-氨基-9-甲基-咔唑。
可得到以下結(jié)果起始電壓(1cd/m2)2.9伏特最大亮度(15V)24,100cd/m2光度效率(100cd/m2) 2.15cd/A發(fā)光效率(100cd/m2) 1.28cd/W外量子效率 0.39％上述實(shí)施例表明依照本發(fā)明所制備的物質(zhì)其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為150℃以上。此外，在應(yīng)用上述物質(zhì)的產(chǎn)品中，其在非結(jié)晶層中的再結(jié)晶傾向非常低。
權(quán)利要求
1.如下通式1所示的三芳基胺衍生物 其中n是1至10中的整數(shù)；R1、R2、R3和R4可以相同或不同，并且是苯基、聯(lián)苯基、甲苯基、萘基、菲基、蒽基、芴基、三芳基甲基-芳基或三芳基甲硅烷基-芳基，基團(tuán)R1至R4中至少有一個(gè)是如下通式4所示的三芳基甲基-芳基或者三芳基甲硅烷基-芳基， A＝C，Si其中芳香族或雜芳香族單元X1至X4可以相同或不同，并且是苯基、萘基、菲基、蒽基、芘基、吡啶基或喹啉基，其中R10、R11、R12和R13可以相同或不同，并且其定義如下H、C1-C6烷基、環(huán)烷基、C2-C4鏈烯基、C1-C4烷氧基、C1-C4二烷基氨基、二芳基氨基、鹵素、羥基、苯基、萘基或吡啶基；其中定義為苯基、聯(lián)苯基、甲苯基、萘基、菲基、蒽基、芴基的R1至R4可以被取代基C1-C3烷基、C1-C2烷氧基或鹵素中的一個(gè)或多個(gè)取代；Ar是如下通式2或3所示的結(jié)構(gòu) 如果n＞1，結(jié)構(gòu)Ar可以相同或不同，及其中通式3中的Z選自下面的結(jié)構(gòu) 其中R5至R9可以相同或不同，并且是H或C1-C15烷基，或者R5與R6或R7與R8結(jié)合而形成5員或6員的脂肪環(huán)或雜環(huán)，因此與其所鍵合的5員環(huán)形成螺環(huán)系，其中O、N或S可以是雜環(huán)元素；或Ar是如下通式29、30、31或32所示的結(jié)構(gòu) 其中R20至R27可以相同或不同，其定義如下H、苯基、C1-C5烷基或C1-C3烷氧基，且Ar與相鄰氮原子在任何自由取代位置相連接，條件是如果n＝1或2，且Ar是亞聯(lián)苯基，或通式29至32中的一種基團(tuán)，那么基團(tuán)R1至R4中至少有一個(gè)是依照上述通式4所示的三芳基甲硅烷基-芳基或取代的三芳基甲基-芳基單元，R10至R12的定義如上所述。
2.如權(quán)利要求1所述的三芳基胺衍生物，其中通式1中的n是1～4中的整數(shù)，優(yōu)選是1或2。
3.如權(quán)利要求1所述的三芳基胺衍生物，其中在通式1中的基團(tuán)R1至R4的定義如下苯基、聯(lián)苯基、甲苯基、萘基、芴基、三芳基甲基-芳基或三芳基甲硅烷基-芳基。
4.如權(quán)利要求1所述的三芳基胺衍生物，其中基團(tuán)R5至R9可以相同或不同，其定義如下甲基或苯基。
5.如權(quán)利要求1所述的三芳基胺衍生物，其中基團(tuán)R5及R6與其所鍵合的碳原子形成螺烷環(huán)。
6.如權(quán)利要求1所述的三芳基胺衍生物，其中基團(tuán)R20至R27可以相同或不同，并且是氫、甲基或苯基。
7.一種有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，其包含至少一個(gè)空穴傳輸層及一個(gè)發(fā)光層，其中至少一個(gè)空穴傳輸層包含如權(quán)利要求1所述的三芳基胺衍生物。
8.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，其中所述的發(fā)光層包含如權(quán)利要求1所述的三芳基胺衍生物。
9.如權(quán)利要求1所述的三芳基胺衍生物作為有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備中的空穴傳輸物質(zhì)或發(fā)光物質(zhì)的用途，
10.如權(quán)利要求1所述的三芳基胺衍生物在電子攝影裝置中作為空穴傳輸物質(zhì)的用途。
11.如權(quán)利要求1所述的具有如下通式所示的三芳基胺衍生物， 其中，n是1至10中的整數(shù)；R1、R2、R3和R4可以相同或不同，并且是苯基、聯(lián)苯基、甲苯基、萘基、菲基、蔥基、芴基、三苯甲基或三苯甲硅烷基，基團(tuán)R1至R4中至少有一個(gè)是如下通式4所示的三苯甲基或三苯甲硅烷基 A＝C，Si其中R10、R11、R12可以相同或不同，其定義如下H、C1-C6烷基、環(huán)烷基、C2-C4鏈烯基、C1-C4烷氧基或鹵素，及其中R1至R4可被一個(gè)或多個(gè)取代基所取代；Ar是 或 其中Z選自下面的結(jié)構(gòu) 其中R5至R9可以相同或不同，并且是H或C1-C5烷基，條件是如果n＝1，且Ar是聯(lián)苯基，那么基團(tuán)R1至R9中至少有一個(gè)是依照上述通式1所示的三苯基甲硅烷基，R10至R12的定義如上所述。上述定義的優(yōu)選Ar、R1至R27也可應(yīng)用于此實(shí)施方案中。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種新的含有特殊空間填滿翼基團(tuán)的三芳基胺衍生物，及其在電子攝影與電致發(fā)光設(shè)備中作為空穴傳輸材料的用途。在如下通式的三芳基胺衍生物中，n＝1－10，R
文檔編號(hào)C07F7/08GK1602293SQ02824673
公開(kāi)日2005年3月30日 申請(qǐng)日期2002年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月28日
發(fā)明者安德里亞斯M·里克特, 福爾克爾·利舍夫斯基 申請(qǐng)人:賽思恩特成像技術(shù)有限公司