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一種低介電損耗氧化鋁陶瓷材料的制作方法

文檔序號:12811599閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種低介電損耗Al2O3陶瓷材料及其制造方法。其特點是以高純氧化鋁粉(氧化鋁含量>99.95%)為主料加上CaTiO3摻雜劑(每100gAl2O3粉體原料中CaTiO3的摻雜量為0.1~0.5g),球磨混和后利用干壓成型制得陶瓷生坯,然后放入電爐中,1550?1650℃燒結(jié)2?4h,即可得到致密的介電損耗很低的氧化鋁陶瓷材料(介電常數(shù):9.81?9.87,Q?×f值:176000?226000GHz)。本發(fā)明選用CaTiO3摻雜來降低Al2O3陶瓷材料的介電損耗,和MgO、TiO2等摻雜相比,CaTiO3摻雜時是一個+2價的Ca離子和一個+4價的Ti離子同時固溶入Al2O3晶格中,其平均價態(tài)是+3價,與Al3+價態(tài)相同,因此不容易形成空位缺陷,避免出現(xiàn)介電損耗增加和性能不穩(wěn)定等問題。

技術(shù)研發(fā)人員:李蔚;胡家駒;程玉晶
受保護的技術(shù)使用者:華東理工大學
技術(shù)研發(fā)日:2017.03.28
技術(shù)公布日:2017.07.11
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