高純氧化鋁雜質(zhì)分選裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種高純氧化鋁雜質(zhì)分選裝置，包括具有內(nèi)腔的主體，主體上端設(shè)有進料口，下端設(shè)有出料口，進料口和出料口均與主體內(nèi)腔連通，在主體內(nèi)腔中水平設(shè)置有若干磁體。本實用新型結(jié)構(gòu)簡單、設(shè)計合理，有效的解決了高純氧化鋁生產(chǎn)過程中混入的鐵雜質(zhì)處理的問題，提高了產(chǎn)品質(zhì)量，為下游企業(yè)生產(chǎn)質(zhì)量提供了保障。
【專利說明】 高純氧化鋁雜質(zhì)分選裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種鐵雜質(zhì)處理設(shè)備，特別是涉及一種高純氧化鋁生產(chǎn)后期鐵雜質(zhì)處理的雜質(zhì)分選裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]純度達99.997以上的高純氧化鋁生產(chǎn)過程中對設(shè)備要求非常嚴格，但很多情況下不可避免的會從設(shè)備、管路或以其它方式混入到產(chǎn)品中少量鐵屑、螺釘之類的鐵雜質(zhì)。這種鐵雜質(zhì)會影響產(chǎn)品質(zhì)量導(dǎo)致下游廠家生產(chǎn)中出現(xiàn)不應(yīng)有的質(zhì)量問題。如何解決上述技術(shù)問題成為了該領(lǐng)域技術(shù)人員努力的方向。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型的目的就是提供一種高純氧化鋁雜質(zhì)分選裝置，在高純氧化鋁生產(chǎn)后期，出廠前對高純氧化鋁中的鐵雜質(zhì)進行分選，從而完全解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處。
[0004]本實用新型的目的通過下述技術(shù)方案來實現(xiàn):
[0005]一種高純氧化鋁雜質(zhì)分選裝置，包括具有內(nèi)腔的主體，主體上端設(shè)有進料口，下端設(shè)有出料口，進料口和出料口均與主體內(nèi)腔連通，在主體內(nèi)腔中水平設(shè)置有若干磁體。
[0006]作為優(yōu)選，所述磁體為電磁鐵。
[0007]作為優(yōu)選，所述磁體分三層沿主體高度方向布置，且相鄰層之間的磁體交錯布置。
[0008]作為優(yōu)選，所述進料口與磁體之間設(shè)有電機驅(qū)動的轉(zhuǎn)軸，轉(zhuǎn)軸上有葉片。
[0009]本實用新型的有益效果在于:結(jié)構(gòu)簡單、設(shè)計合理，有效的解決了高純氧化鋁生產(chǎn)過程中混入的鐵雜質(zhì)處理的問題，提高了產(chǎn)品質(zhì)量，為下游企業(yè)生產(chǎn)質(zhì)量提供了保障。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0011]下面結(jié)合具體實施例和附圖對本實用新型作進一步的說明。
[0012]如圖1所示，一種高純氧化鋁雜質(zhì)分選裝置，包括具有內(nèi)腔的主體1，主體I上端設(shè)有進料口 2，下端設(shè)有出料口 3，進料口 2和出料口 3均與主體I內(nèi)腔連通，在主體I內(nèi)腔中沿高度方向從上至下布置三層電磁鐵4，每層電磁鐵4均由若干均勻分布的柱狀電磁鐵4構(gòu)成，且相鄰層之間的電磁鐵4交錯布置。
[0013]為了進一步增強分選效果，在進料口 2與電磁鐵4之間設(shè)有電機驅(qū)動的轉(zhuǎn)軸5，轉(zhuǎn)軸5上有葉片6。
[0014]在使用時，在進料口 2上方可安裝振動篩,物料經(jīng)過振動篩振動分散從進料口進入主體I內(nèi)腔中，轉(zhuǎn)軸5由電機驅(qū)動旋轉(zhuǎn)，在葉片6的作用下進一步打散物料，物料經(jīng)過三層電磁鐵4形成的磁場區(qū)域，從而將高純氧化鋁中的鐵雜質(zhì)完全分選出來，提高了產(chǎn)品質(zhì)量，為下游企業(yè)生產(chǎn)質(zhì)量提供了保障。
[0015]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高純氧化鋁雜質(zhì)分選裝置，其特征在于:包括具有內(nèi)腔的主體，主體上端設(shè)有進料口，下端設(shè)有出料口，進料口和出料口均與主體內(nèi)腔連通，在主體內(nèi)腔中水平設(shè)置有若干磁體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純氧化鋁雜質(zhì)分選裝置，其特征在于:所述磁體為電磁鐵。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純氧化鋁雜質(zhì)分選裝置，其特征在于:所述磁體分三層沿主體高度方向布置，且相鄰層之間的磁體交錯布置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純氧化鋁雜質(zhì)分選裝置，其特征在于:所述進料口與磁體之間設(shè)有電機驅(qū)動的轉(zhuǎn)軸，轉(zhuǎn)軸上有葉片。
【文檔編號】C01F7/46GK203833635SQ201420196927
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年4月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月22日
【發(fā)明者】熊叔增, 張志勇, 方向華 申請人:重慶任丙科技有限公司