1.一種低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：包括玻璃基板和連接在所述玻璃基板上的基層電介質(zhì)單元、功能單元、阻擋單元和中間電介質(zhì)單元，以及上層電介質(zhì)單元，所述基層電介質(zhì)單元包括連接在所述玻璃基板上的第一基層電介質(zhì)層和連接在所述第一基層電介質(zhì)層上的第二基層電介質(zhì)層，所述功能單元包括第一功能銀層和第二功能銀層，所述阻擋單元包括第一阻擋層、第二阻擋層和第三阻擋層，所述中間電介質(zhì)單元包括第一中間電介質(zhì)層和第二中間電介質(zhì)層，所述上層電介質(zhì)單元包括第一上層電介質(zhì)層和第二上層電介質(zhì)層，所述第一基層電介質(zhì)層、第二基層電介質(zhì)層、第一功能銀層、第一阻擋層、第一中間電介質(zhì)層、第二中間電介質(zhì)層、第二阻擋層、第二功能銀層、第三阻擋層、第一上層電介質(zhì)層和第二上層電介質(zhì)層從內(nèi)向外依次連接，于所述第二上層電介質(zhì)層外還連接有外層保護(hù)層。
2.如權(quán)利要求1所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述第一基層電介質(zhì)層為非金屬氧化物層或非金屬氮化物層，且所述第一基層電介質(zhì)層的厚度為30nm～50nm。
3.如權(quán)利要求1所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述第二基層電介質(zhì)層為金屬氧化物層，且所述第二基層電介質(zhì)層的厚度為5nm～20nm。
4.如權(quán)利要求1所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述第一功能銀層的厚度為5nm～15nm，且所述第二功能銀層的厚度為3nm～10nm。
5.如權(quán)利要求1所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述第一阻擋層、第二阻擋層和第三阻擋層均為鎳鉻層、氧化鎳鉻層或氮化鎳鉻層中的任意一種，且所述第一阻擋層、第二阻擋層和第三阻擋層的層厚均為1nm～5nm。
6.如權(quán)利要求1所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述第一中間電介質(zhì)層和第二中間電介質(zhì)層均為金屬氧化物層，且所述第一中間電介質(zhì)層的厚度為60nm～75nm。
7.如權(quán)利要求1所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述第一上層電介質(zhì)層為金屬氧化物層，且所述第一上層電介質(zhì)層的厚度為5nm～20nm。
8.如權(quán)利要求1所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述第二上層電介質(zhì)層為非金屬氮化物層，且所述第二上層電介質(zhì)層的厚度為25nm～30nm。
9.如權(quán)利要求1所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述外層保護(hù)層為非金屬氧化物層，且所述外層保護(hù)層的厚度為5nm～15nm。
10.如權(quán)利要求1所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述玻璃基板與所述基層電介質(zhì)單元經(jīng)濺射積沉連接在一起，所述基層電介質(zhì)單元與功能單元、阻擋單元和中間電介質(zhì)單元，以及上層電介質(zhì)單元之間相鄰的兩個(gè)膜層之間經(jīng)濺射積沉連接在一起。