本實(shí)用新型屬于特種玻璃技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種低輻射鍍膜玻璃。
背景技術(shù)：
低輻射玻璃，又稱Low-E玻璃，是在玻璃表面鍍制包括銀層在內(nèi)的多層金屬或其它化合物組成的膜系產(chǎn)品。由于銀層具有低輻射的特性，低輻射玻璃對可見光有較高的透射率，對紅外線有很高的反射率，具有良好的隔熱性能。
雙銀低輻射玻璃，是在普通單銀低輻射玻璃的基礎(chǔ)上增加一層銀膜層，與單銀低輻射玻璃相比，雙銀低輻射玻璃在保持對可見光有較高的透射率的同時(shí)，對紅外線具有更高的反射率，具有更強(qiáng)隔熱性能。
但是在傳統(tǒng)的雙銀低輻射膜的開發(fā)及生產(chǎn)中，常見的金色產(chǎn)品一般只能用于非鋼產(chǎn)品使用，也就是此類膜系不能進(jìn)鋼化爐進(jìn)行加熱，只能走傳統(tǒng)的先鋼化再鍍膜的流程，進(jìn)而生產(chǎn)效率低，同時(shí)生產(chǎn)成本高，從而對于市場的推廣具有局限性。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本實(shí)用新型的目的在于提供一種低輻射鍍膜玻璃，旨在解決現(xiàn)有的特種玻璃不能鋼化加熱導(dǎo)致生產(chǎn)效率低，生產(chǎn)成本高的問題。
本實(shí)用新型是這樣解決的：一種低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基板和連接在所述玻璃基板上的基層電介質(zhì)單元、功能單元、阻擋單元和中間電介質(zhì)單元，以及上層電介質(zhì)單元，所述基層電介質(zhì)單元包括連接在所述玻璃基板上的第一基層電介質(zhì)層和連接在所述第一基層電介質(zhì)層上的第二基層電介質(zhì)層，所述功能單元包括第一功能銀層和第二功能銀層，所述阻擋單元包括第一阻擋層、第二阻擋層和第三阻擋層，所述中間電介質(zhì)單元包括第一中間電介質(zhì)層和第二中間電介質(zhì)層，所述上層電介質(zhì)單元包括第一上層電介質(zhì)層和第二上層電介質(zhì)層，所述第一基層電介質(zhì)層、第二基層電介質(zhì)層、第一功能銀層、第一阻擋層、第一中間電介質(zhì)層、第二中間電介質(zhì)層、第二阻擋層、第二功能銀層、第三阻擋層、第一上層電介質(zhì)層和第二上層電介質(zhì)層從內(nèi)向外依次連接。
進(jìn)一步地，所述第一基層電介質(zhì)層為非金屬氧化物層或非金屬氮化物層，且所述第一基層電介質(zhì)層的厚度為30nm～50nm。
進(jìn)一步地，所述第二基層電介質(zhì)層為金屬氧化物層，且所述第二基層電介質(zhì)層的厚度為5nm～20nm。
進(jìn)一步地，所述第一功能銀層的厚度為5nm～15nm，且所述第二功能銀層的厚度為3nm～10nm。
進(jìn)一步地，所述第一阻擋層、第二阻擋層和第三阻擋層均為鎳鉻層、氧化鎳鉻層或氮化鎳鉻層中的任意一種，且所述第一阻擋層、第二阻擋層和第三阻擋層的層厚均為1nm～5nm。
進(jìn)一步地，所述第一中間電介質(zhì)層和第二中間電介質(zhì)層均為金屬氧化物層，且所述第一中間電介質(zhì)層的厚度為60nm～75nm。
進(jìn)一步地，所述第一上層電介質(zhì)層為金屬氧化物層，且所述第一上層電介質(zhì)層的厚度為5nm～20nm。
進(jìn)一步地，所述第二上層電介質(zhì)層為非金屬氮化物層，且所述第二上層電介質(zhì)層的厚度為25nm～30nm。
進(jìn)一步地，于所述第二上層電介質(zhì)層外還連接有外層保護(hù)層，所述外層保護(hù)層為非金屬氧化物層，且所述外層保護(hù)層的厚度為5nm～15nm。
進(jìn)一步地，所述玻璃基板與所述基層電介質(zhì)單元經(jīng)濺射積沉連接在一起，所述基層電介質(zhì)單元與功能單元、阻擋單元和中間電介質(zhì)單元，以及上層電介質(zhì)單元之間相鄰的兩個(gè)膜層之間經(jīng)濺射積沉連接在一起。
本實(shí)用新型提供的低輻射鍍膜玻璃相對于現(xiàn)有的技術(shù)具有的技術(shù)效果為：將多個(gè)膜層單元直接連接在玻璃基板上，并且多個(gè)膜層單元之間的連接配合可以使得玻璃基板鋼化加熱后可以直接達(dá)到金色外觀的效果，鋼化后的顏色性能更加穩(wěn)定，生產(chǎn)效率更好，進(jìn)而可以降低生產(chǎn)成本。
附圖說明
圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的低輻射鍍膜玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
需要說明的是，當(dāng)元件被稱為“固定于”或“設(shè)置于”另一個(gè)元件，它可以直接在另一個(gè)元件上或者間接在該另一個(gè)元件上。當(dāng)一個(gè)元件被稱為是“連接于”另一個(gè)元件，它可以是直接連接到另一個(gè)元件或間接連接至該另一個(gè)元件上。
還需要說明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例中的左、右、上、下等方位用語，僅是互為相對概念或是以產(chǎn)品的正常使用狀態(tài)為參考的，而不應(yīng)該認(rèn)為是具有限制性的。
請參照附圖1所示，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，提供一種低輻射鍍膜玻璃，該低輻射鍍膜玻璃為可彎剛性的金色雙銀玻璃，其包括玻璃基板10和連接在該玻璃基板10上的基層電介質(zhì)單元、功能單元、阻擋單元和中間電介質(zhì)單元，以及上層電介質(zhì)單元，該基層電介質(zhì)單元包括連接在該玻璃基板10上的第一基層電介質(zhì)層和連接在該第一基層電介質(zhì)層上的第二基層電介質(zhì)層，該功能單元包括第一功能銀層和第二功能銀層，該阻擋單元包括第一阻擋層、第二阻擋層和第三阻擋層，該中間電介質(zhì)單元包括第一中間電介質(zhì)層和第二中間電介質(zhì)層，該上層電介質(zhì)單元包括第一上層電介質(zhì)層和第二上層電介質(zhì)層；該第一基層電介質(zhì)層201、第二基層電介質(zhì)層202、第一功能銀層203、第一阻擋層204、第一中間電介質(zhì)層205、第二中間電介質(zhì)層206、第二阻擋層207、第二功能銀層208、第三阻擋層209、第一上層電介質(zhì)層210和第二上層電介質(zhì)層211從內(nèi)向外依次連接，同時(shí)該第二上層電介質(zhì)層211外還連接有外層保護(hù)層212，也即該第一基層電介質(zhì)層201連接在該玻璃基板10的表面上，同時(shí)外層保護(hù)層212為遠(yuǎn)離該玻璃基板10的最遠(yuǎn)端。
具體地，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，該第一基層電介質(zhì)層201為非金屬氧化物層或非金屬氮化物層，如SiZrOx、TiO2、SiO2、Ta2O5、SiNxOy、BiO2、Al2O3、Nb2O5、Si3N4或AZO等，并且該第一基層電介質(zhì)層201的厚度為30nm～50nm，例如33nm、36nm、39nm、42nm、45nm或48nm。
具體地，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，該第二基層電介質(zhì)層202為金屬氧化物層，如ZnSnOx、SnO2、ZnO或Al2O3等，并且該第二基層電介質(zhì)層202的厚度為5nm～20nm，例如7nm、9nm、11nm、13nm、15nm、17nm或19nm。
具體地，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，該第一功能銀層203的厚度為5nm～15nm，例如7nm、9nm、11nm、13nm，并且該第二功能銀層208的厚度為3nm～10nm，例如5nm、7nm、9nm、11nm或13nm。
具體地，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，該第一阻擋層204、第二阻擋層207和第三阻擋層209均為鎳鉻層、氧化鎳鉻層或氮化鎳鉻層中的任意一種，且該第一阻擋層204、第二阻擋層207和第三阻擋層209的層厚均為1nm～5nm，例如2nm、3nm或4nm。
具體地，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，該第一中間電介質(zhì)層205和第二中間電介質(zhì)層206均為金屬氧化物層，如ZnSnOx、SnO2、ZnO或Al2O3等，并且該第一中間電介質(zhì)層205的厚度為60nm～75nm，例如63nm、66nm、69nm或72nm。
具體地，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，該第一上層電介質(zhì)層210為金屬氧化物層，如ZnSnOx、SnO2、ZnO或Al2O3等，并且該第一上層電介質(zhì)層210的厚度為5nm～20nm，例如7nm、9nm、11nm、13nm、15nm、17nm或19nm。
具體地，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，該第二上層電介質(zhì)層211為非金屬氮化物層或非金屬氧化物層，如SiO2、Ta2O5、SiNxOy或Si3N4等，并且該第二上層電介質(zhì)層211的厚度為25nm～30nm，例如27nm、29nm、31nm或33nm。
具體地，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，于該第二上層電介質(zhì)層211外還連接有外層保護(hù)層212，該外層保護(hù)層212為非金屬氧化物層，如TiO2、BiO2、Nb2O5或AZO等，并且該外層保護(hù)層212的厚度為5nm～15nm，例如7nm、9nm、11nm或13nm。
具體地，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，該玻璃基板10與該基層電介質(zhì)單元經(jīng)濺射積沉連接在一起，該基層電介質(zhì)單元與功能單元、阻擋單元和中間電介質(zhì)單元，以及上層電介質(zhì)單元之間相鄰的兩個(gè)膜層之間經(jīng)濺射積沉連接在一起。
本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，該低輻射鍍膜玻璃為玻璃基片、Si3N4層、ZnO層、銀膜層、NiCr層、SnO2層、ZnO層、NiCr層、銀膜層、NiCr層、SnO2層、Si3N4層和TiO2層依次從下至上連接而成。
其中第一基層電介質(zhì)層201為含氮量可調(diào)的Si3N4層，第而基層電介質(zhì)層為含氧量可調(diào)的ZnO層，第一中間電介質(zhì)層205為含氧量可調(diào)的SnO2層，第二中間電介質(zhì)層206為含氧量可調(diào)的ZnO層，第一上層電介質(zhì)層210為含氧量可調(diào)的SnO2層，第二上層電介質(zhì)層211為含氮量可調(diào)的Si3N4層，外層保護(hù)層212為含氧量可調(diào)的TiOx。
并且上述膜層的加工工藝中：所有的氮化硅層在連接時(shí)均采用中頻電源加旋轉(zhuǎn)陰極在氬氮氛圍中濺射沉積，功率為160kw～220kw，例如170kw、180kw、190kw、200kw或210kw；中頻電源頻率為30～50kHz，例如35kHz、40kHz或45kHz。
所有的金屬氧化物層在連接時(shí)均采用中頻電源加旋轉(zhuǎn)陰極在氬氧氛圍中濺射沉積，功率為20kw～50kw，例如25kw、30kw、35kw、40kw或45kw；中頻電源頻率為30～40kHz，例如33kHz、36kHz或39kHz。
所有的非金屬氧化物層在連接時(shí)均采用中頻電源加旋轉(zhuǎn)陰極在氬氧氛圍中濺射沉積，功率為10kw～30kw，例如15kw、20kw或25kw；中頻電源頻率為30～40kHz。
所有鎳鉻層在連接時(shí)均在氬氣氛圍中濺射鎳鉻合金平面靶材，功率為2～10kw，例如4kw、6kw或8kw.
所有功能銀層均在平面陰極或旋轉(zhuǎn)陰極、直流或直流加脈沖磁控濺射，在氬氣氛圍中沉積，功率為3～15kw，例如5kw、7kw、9kw、9kw或13kw；
所有鉻層均在氬氣氛圍中濺射鉻平面靶材，功率為5～10kw，例如6kw、7kw、8kw或9kw。
這樣設(shè)計(jì)的低輻射鍍膜玻璃，第一基層電介質(zhì)層201與第二基層電介質(zhì)層202為減少反射的膜層，并且起著連接玻璃和功能單元的作用，同時(shí)膜層與玻璃之間粘結(jié)性能好，并緩解整個(gè)低輻射膜的內(nèi)部應(yīng)力。中間電介質(zhì)單元起到對第一功能銀層203和第二功能銀層208保護(hù)作用，并能調(diào)節(jié)偏光顏色，根據(jù)其厚度的調(diào)節(jié)，得到不同程度的黃色偏色效果。第一上層電介質(zhì)層210、第二上層電介質(zhì)層211和外層保護(hù)層212可以直接影響到產(chǎn)品的抗劃傷，耐磨、抗氧化和抗腐蝕性能，并且可彎鋼要求它有很好的韌性，在抗氧化性上主要由第一上層電介質(zhì)層210解決，在韌性問題上由上層第二電介質(zhì)層來解決，在抗劃傷、耐磨、抗腐蝕性上主要由外層保護(hù)層212解決。
同時(shí)本實(shí)施例提供的低輻射鍍膜玻璃在電介質(zhì)層的處理上，增加了一層新型材料的外層保護(hù)層212，這就使在后期加工上存在著巨大的優(yōu)勢，增加可加工性，減少在過程中的不合格品損耗，降低成本增加利潤。相對于傳統(tǒng)工藝增加第一功能銀層203的厚度，這就使產(chǎn)品的性能有了很好的保證，更加符合現(xiàn)在綠色環(huán)保節(jié)能的理念。
此外，在低輻射鍍膜玻璃在第二阻擋層207的處理上，是現(xiàn)有的技術(shù)在膜系中不存在的，或者材料不同的一個(gè)膜層，常規(guī)雙功能銀層只有兩層阻擋層，本實(shí)用新型中通過對此膜層的處理，可以有效的保護(hù)好第二功能銀層208，并且使此低輻射玻璃得外觀顏色范圍變的更加大，雙銀低輻射玻璃的市場推廣起到了更大的推進(jìn)作用，使市場的選擇面更加廣泛。
再者，電介質(zhì)層、功能銀層和阻擋層的相互配合，通過改變各膜層的厚度，沉積出顏色明亮鮮艷、正面顏色非常黃的金色雙銀低輻射膜。并且我們增加外層保護(hù)層212的使用，使膜系在原有的基礎(chǔ)上，耐劃傷、耐磨等性能得到強(qiáng)化，對雙銀的可異地深加工性更易實(shí)施。
以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。