專利名稱：一種石墨烯的制備方法及石墨烯的制備裝置的制作方法
—種石墨烯的制備方法及石墨烯的制備裝置技術領域
本發(fā)明屬于石墨烯技術領域，具體涉及一種石墨烯的制備方法及石墨烯的制備裝置。
背景技術：
石墨烯(Graphene)是一種由碳原子以Sp2雜化軌道組成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜，是只有一層碳原子厚度的新型二維材料。由于石墨烯特殊的化學結構使其在力學、熱學、光學、電學等方面具有十分優(yōu)異的性質，如具有超強的導電性、寬譜段高透明度、超高的機械強度與良好的導熱性等。石墨烯獨特的物理性質決定了其廣闊的應用前景，例如，石墨烯廣泛應用于光電設備，可以用于制作柔性透明電極等，利用石墨烯制作的柔性透明電極與目前市場主導的ITO透明電極相比，透光率更強、光電轉換效率更高、功耗更低、導熱性更好；石墨烯還可以用于制造下一代納米電子集成器件，制造得到的電子器件不僅運行速度快，并且耗能比現(xiàn)有器件顯著降低；此外，石墨烯在航天器制造與醫(yī)療方面發(fā)揮著不可替代的作用。
自2004年英國曼徹斯特大學物理學家安德烈·海姆和康斯坦丁·諾沃肖洛夫通過實驗成功地從石墨中分離出石墨烯并證實它可以單獨存在后，研究人員公開了諸多制備石墨烯的方法,如微機械剝離法、外延生長法、化學還原法、化學氣相沉積法(CVD)等。其中， 微機械剝離法是直接將石墨烯薄片從較大的晶體上剪裁下來制備石墨烯的一種方法；外延生長法是利用硅的高蒸汽壓，在高溫和超高真空條件下使硅原子揮發(fā)，剩余的碳原子通過結構重排在SiC表面形成石墨烯；化學還原法是將氧化石墨與水混合，用超聲波振蕩至溶液清晰無顆粒狀物質，加入適量肼加熱回流，產生黑色顆粒狀沉淀，過濾、烘干即得石墨烯； CVD法是以甲烷等含碳化合物作為碳源，在鎳、銅等具有溶碳量的金屬生長基體上通過將碳源高溫分解然后采用強迫冷卻的方式而在基體表面形成石墨烯。采用CVD法制備的石墨烯不僅面積較大，而且具有層數(shù)可控的優(yōu)點，逐漸成為制備高質量石墨烯的主要方法之一。但是，采 用CVD法時，需要將真空室內的生長基體取出分離得到石墨烯，再將生長基體放入真空室繼續(xù)進行制備，因此只能分批制備石墨烯，極大地限制了制備效率和產量，阻礙了其進一步的產業(yè)化發(fā)展。發(fā)明內容
有鑒于此，本發(fā)明要解決的技術問題在于提供一種石墨烯的制備方法及石墨烯的制備裝置，采用本發(fā)明提供的石墨烯的制備方法和制備裝置可以實現(xiàn)石墨烯批量化、連續(xù)式生產，提高了石墨烯的生產效率和產量，促進了石墨烯進一步的產業(yè)化發(fā)展。
本發(fā)明提供了一種石墨烯的制備裝置，包括
供氣系統(tǒng)；
與所述供氣系統(tǒng)相連接的真空室；
設置于所述真空室內的兩組以上的滾筒組，所述滾筒組至少包括轉動方向相同的第一滾筒和第二滾筒；
分別驅動所述第二滾筒轉動的驅動系統(tǒng)；
分別設置于所述滾筒組上的生長基體，所述生長基體的一端卷繞于所述第一滾筒上，另一端搭置在所述第二滾筒上，所述生長基體可隨第二滾筒的轉動移動；
與所述真空室的出口相連的退火系統(tǒng)。
優(yōu)選的，所述第一滾筒和所述第二滾筒的軸線平行。
優(yōu)選的，所述真空室內設置有1(Γ200組滾筒組，所述滾筒組上的生長基體平行。
優(yōu)選的，所述驅動系統(tǒng)為步進式驅動系統(tǒng)。
本發(fā)明還提供了一種使用本發(fā)明所提供的石墨烯的裝置制備石墨烯的方法，其特征在于，包括以下步驟
Α、通過供氣系統(tǒng)將H2和碳源氣體通入真空室，在各生長基體上進行反應，得到高溫石墨烯；
B、驅動系統(tǒng)驅動各第二滾筒分別將生長有高溫石墨烯的生長基體送入退火系統(tǒng)， 退火后，得到石墨烯；同時，通過供氣系統(tǒng)將H2和碳源氣體通入真空室，在各生長基體上繼續(xù)進行反應，得到高溫石墨烯。
優(yōu)選的，在步驟A之前還包括將真空室抽真空至真空度小于10_2Torr，加熱真空室至 300°C 1100°C。
優(yōu)選的，所述碳源氣體為甲烷、乙烯或乙炔。
優(yōu)選的，所述生長基體為純度在95%以上的銅、鎳或釕。
優(yōu)選的，所述H2和碳源氣體在各生長基體上進行反應的反應時間為l(T30min。
優(yōu)選的，所述退火的退火時間為l(T30min，退火降溫速率為10(T20(TC /min。
與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明提供的石墨烯的制備裝置，包括供氣系統(tǒng)、與所述供氣系統(tǒng)相連接的真空室、設置于所述真空室內的兩組以上的滾筒組，每組滾筒組至少包括轉動方向相同的第一滾筒和第二滾筒，分別驅動所述第二滾筒轉動的驅動系統(tǒng)、分別設置于所述滾筒組上的生長基體，生長基體的一端卷繞于第一滾筒上，另一端搭置在所述第二滾筒上，生長基體可隨第二滾筒的轉動移動以及與所述真空室的出口相連的退火系統(tǒng)。本發(fā)明提供的石墨烯制備裝置在真空室內設置多組滾筒，可以實現(xiàn)多組石墨烯的同時生長，保證石墨烯的批量化生產，提高了石墨烯的生產效率；并且采用驅動系統(tǒng)驅動第二滾筒轉動， 將搭置在第二滾筒上的生長基體送入退火系統(tǒng)，同時隨著第二滾筒的轉動，卷繞于第一滾筒的生長基體解卷，新的生長基體平鋪于第一滾筒與第二滾筒上，循環(huán)石墨烯的生長步驟， 實現(xiàn)了石墨烯的連續(xù)式生產，大大提高了石墨烯的生產效率和產量。
結果表明，采用本發(fā)明的制備方法和制備裝置制備IOcm寬、IOm長的石墨烯僅需數(shù)十分鐘。


圖1為本發(fā)明提供的石墨烯制備裝置的結構示意圖2為本發(fā)明連續(xù)制備石墨烯過程的示意圖。
具體實施方式
本發(fā)明提供了一種石墨烯的制備裝置，包括
供氣系統(tǒng)；
與所述供氣系統(tǒng)相連接的真空室；
設置于所述真空室內的兩組以上的滾筒組，所述滾筒組至少包括轉動方向相同的第一滾筒和第二滾筒，所述第一滾筒和所述第二滾筒均繞其各自的軸線自轉；
分別驅動所述第二滾筒轉動的驅動裝置；
分別設置于所述滾筒組上的生長基體，所述生長基體的一端卷繞于所述第一滾筒上，另一端搭置在所述第二滾筒上，所述生長基體可隨第二滾筒的轉動移動；
與所述真空室的出口相連的退火系統(tǒng)。
參見圖1，圖1為本發(fā)明提供的石墨烯制備裝置的結構示意圖，其中，I為真空室，2 為滾筒組，3為驅動系統(tǒng),4為抽真空系統(tǒng),5為供氣系統(tǒng),6為生長基體,7為退火系統(tǒng)。
本發(fā)明所提供的石墨烯的制備裝置包括真空室1，所述真空室是制備石墨烯的主要場所，本發(fā)明對其并沒有特殊限制，本領域技術人員熟知的、配備有抽真空系統(tǒng)4的真空室即可。在本發(fā)明中，所述真空室的容積V為(20mmX 20mmX 20mm) (104mmX 104mmX 104mm),優(yōu)選為(500mmX 500mmX 500mm) (8000mmX 8000mmX 8000mm),更優(yōu)選為(1000mm X 1000mm X 1000mm) (5000mmX 5000mmX 5000mm)
真空室I內設置有若干滾筒組2，所述每組滾筒組至少包括轉動方向相同的第一滾筒21和第二滾筒22，第一滾 筒21和第二滾筒22均可以繞其各自的軸線轉動。
所述滾筒組上分別設置有生長基體6，所述生長基體的一端卷繞于所述第一滾筒 21上，另一端搭置在所述第二滾筒22上，所述生長基體可隨第二滾筒22的轉動移動。
本發(fā)明所提供的石墨烯的制備裝置還包括分別驅動所述第二滾筒22轉動的驅動系統(tǒng)3。
驅動系統(tǒng)3分別驅動所述第二滾筒22轉動，第二滾筒22的轉動分別帶動滾筒組 2上的生長基體6移動，同時隨著第二滾筒22的轉動，卷繞于第一滾筒21的生長基體6解卷，新的生長基體分別平鋪于每組滾筒的第一滾筒21與第二滾筒22上。本發(fā)明所提供的石墨烯的制備裝置可以實現(xiàn)多組石墨烯同時生長，保證石墨烯的批量生產，提高了石墨烯的生產效率；并且與目前生長基體固定的封閉式石墨烯的制備裝置相比，本發(fā)明所提供的石墨烯的制備裝置實現(xiàn)了石墨烯的連續(xù)式生產，大大提高了石墨烯的生產效率和產量。
在本發(fā)明中，所述第一滾筒和所述第二滾筒的軸線的位置關系沒有特殊規(guī)定，優(yōu)選為平行的位置關系。所述滾筒組的組數(shù)為兩組以上，優(yōu)選為1(Γ200組，更優(yōu)選為2(Γ180 組。所述滾筒組由耐高溫材料制成，優(yōu)選為銅或不銹鋼，滾筒直徑為O. lmnTl03mm，優(yōu)選為 100mm 800mm,更優(yōu)選為300mnT700_ ;滾筒長度為O. lmnTl04mm,優(yōu)選為500mm 800mm,更優(yōu)選為 IOOOmm 5000mm。
本發(fā)明對所提供的驅動系統(tǒng)的驅動方式沒有限制，可以為連續(xù)式驅動系統(tǒng)，也可以為步進式的驅動系統(tǒng)。為了制備高質量的石墨烯，本發(fā)明的驅動系統(tǒng)優(yōu)選采用步進式的驅動系統(tǒng)，所述步進式的驅動系統(tǒng)即驅動所述第二滾筒進行周期性間歇的單向運動的一種驅動系統(tǒng)。采用步進式的驅動系統(tǒng)，可以使石墨烯在同一生長周期內，生長基體位置保持固定，因而無運動造成石墨烯生長環(huán)境的擾動，有利于控制石墨烯的生長條件，保證制備石墨烯的質量。
在本發(fā)明中，生長基體優(yōu)選純度在95%以上的銅、鎳或釕，更優(yōu)選為純度在95% 以上的銅，采用銅箔作為石墨烯的生長基體時，制備的石墨烯易于轉移，并且銅箔價格低廉，可實現(xiàn)規(guī)模化生產。所述生長基體的厚度為5 μ nTlOmm,優(yōu)選為lmnT8mm,更優(yōu)選為 3mm^5mm ;寬度為O. 1 mm 104mm,優(yōu)選為500mm 8000mm,更優(yōu)選為IOOOmm 5000mm,長度為 Imm 優(yōu)選為lm 100m,更優(yōu)選為IOm 50m。
本發(fā)明所提供的石墨烯的制備裝置還包括與真空室相連的供氣系統(tǒng)5，通過所述供氣系統(tǒng)將氣體通入真空室，為石墨烯的制備過程提供載氣和碳源氣體，所述載氣優(yōu)選為 H2,所述碳源氣體優(yōu)選為甲烷、乙烯或乙炔。
本發(fā)明所提供的石墨烯的制備裝置中還包括與所述真空室的出口相連的退火系統(tǒng)7，所述退火系統(tǒng)是將生長基體上的高溫石墨烯冷卻的場所。與目前真空氣相沉積法直接在真空室內冷卻高溫石墨烯不同，本發(fā)明對高溫石墨烯的降溫在退火系統(tǒng)中進行，有利于控制退火工藝條件。在本發(fā)明中，所述退火系統(tǒng)的容積V為(20mmX20mmX20mm) (104mmX 104mmX 104mm),優(yōu)選為(500mmX 500mmX 500mm) (8000mmX 8000mmX 8000mm),更優(yōu)選為(1000mm X 1000mm X 1000mm) (5000mmX 5000mmX 5000mm)
以下結合附圖對本發(fā)明所提供的石墨烯的制備裝置進行詳細介紹，參見圖1，圖1 為本發(fā)明提供的石墨烯制備裝置的結構示意圖，其中，供氣系統(tǒng)5與帶有抽真空系統(tǒng)4的真空室I相連接；真空室I內固定有兩組以上的滾筒組2，每組滾筒至少包括轉動方向相同的第一滾筒21和第二滾筒22，所述第一滾筒21和所述第二滾筒22的軸線平行；每組滾筒組 2都設置有生長基體6，所述生長基體的一端卷繞于所述第一滾筒21上，另一端搭置在所述第二滾筒22上，滾筒組上的生長基體相互平行；驅動系統(tǒng)3驅動所述第二滾筒22轉動，第二滾筒22轉動的同時，帶動滾筒組上 的生長基體6移動，將生長基體6送入退火系統(tǒng)7，同時隨著第二滾筒22的轉動，卷繞于第一滾筒21的生長基體6解卷，新的生長基體平鋪于第一滾筒21與第二滾筒22上。
本發(fā)明提供的石墨烯制備裝置在真空室內設置多組滾筒，每組滾筒上都設置一組生長基體，可以實現(xiàn)多組石墨烯的同時生長，保證石墨烯的批量化生產，提高了石墨烯的生產效率；并且采用驅動系統(tǒng)驅動第二滾筒轉動，將搭置在第二滾筒上的生長基體送入退火系統(tǒng)，同時隨著第二滾筒的轉動，卷繞于第一滾筒的生長基體解卷，新的生長基體平鋪于第一滾筒與第二滾筒上，循環(huán)石墨烯的生長步驟，實現(xiàn)了石墨烯的連續(xù)式生產，大大提高了石墨烯的生產效率和產量。另外，采用步進式的驅動方式，可以使石墨烯在同一生長周期內， 生長基體位置保持固定，因而無運動造成石墨烯生長環(huán)境的擾動，有利于控制石墨烯的生長條件，保證制備石墨烯的質量。
本發(fā)明還提供了一種采用本發(fā)明所提供的制備裝置制備石墨烯的方法，其特征在于，包括以下步驟
A、通過供氣系統(tǒng)將H2和碳源氣體通入真空室，在各生長基體上進行反應，得到高溫石墨烯；
B、驅動系統(tǒng)驅動各第二滾筒分別將生長有高溫石墨烯的生長基體送入退火系統(tǒng)， 退火后，得到石墨烯；同時，通過供氣系統(tǒng)將H2和碳源氣體通入真空室，在各生長基體上繼續(xù)進行反應，得到高溫石墨烯。
在制備石墨烯之前，優(yōu)選清洗生長基體，為石墨烯提供一個清潔的生長環(huán)境。在本發(fā)明中，對清洗生長基體的方法沒有特殊規(guī)定，優(yōu)選按照如下方法清洗所述生長基體將生長基體放入盛有丙酮的容器中，超聲清洗:Γ5次，每次清洗:T5min ;將生長基體放入盛有異丙醇的容器中超聲清洗2 4次，每次3 5min ;將生長基體放入盛有去離子水的容器中，超聲清洗2 4次，每次3 5min ;然后將生長基體取出，用氮氣吹干，并將生長基體放入鼓風干燥箱中，在70°C 90°C的溫度下，烘焙3(T60min，得到潔凈的生長基體。將清洗干凈的生長基體一端固定在與驅動系統(tǒng)相連的第二滾筒上，其余部分卷繞在第一滾筒上，中間伸展的生長基體處于真空室內。
將真空室內的生長基體安裝好之后、制備石墨烯之前抽真空系統(tǒng)將真空室抽真空，使真空室內真空度達KT2Torr以下，以獲得潔凈的生長石墨烯的環(huán)境，保證石墨烯生長質量。并且，為了提供生長石墨烯的反應溫度條件，在生長石墨烯之前優(yōu)選加熱真空室至 3000C 1100°C，優(yōu)選為500°C 1000°C。本發(fā)明對溫度隨時間變化的形式沒有特殊規(guī)定，升溫的形式可以為程序升溫，也可以為線性升溫。
將所述真空室抽真空并升溫之后即可制備石墨烯，通過供氣系統(tǒng)將H2和碳源氣體通入真空室，所述H2為載氣，所述碳源氣體優(yōu)選為甲烷、乙烯或乙炔。為了保證制備石墨烯的質量，通過供氣系統(tǒng)，本發(fā)明優(yōu)選先通入H2，再通入碳源氣體，具體方法為通過供氣系統(tǒng)先通入H2, H2的流量S與所述真空室容積V的關系為SzK^VsccnTKTVsccm，再通入碳源氣體，同時減少H2的流量至初始通入H2流量的1/Γ1/2。
碳源氣體在各組生長基體上反應l(T30min，優(yōu)選為15 20min，得到高溫石墨烯。 由于碳源氣體可以在多組生長基體上同時生長石墨烯，提高了石墨烯的生產效率。
所述碳源氣體在生長基體上進行生長時，滾筒保持靜止，石墨烯處于生長狀態(tài)，石墨烯生長結束后，驅動系統(tǒng)開始工作，驅動所述第二滾筒運動，隨著第二滾筒的滾動，生長了高溫石墨烯的生長基體進入退火系統(tǒng)降溫，在本發(fā)明中，對退火系統(tǒng)的退火溫度隨時間下降的形式沒有特殊規(guī)定，可以為線性下降曲線，也可以為程序降溫曲線，或是波動性下降曲線。所述退火時間優(yōu)選為l(T30min，退火降溫速率優(yōu)選為10(T200°C /min。
本發(fā)明將得到的高溫石墨烯送入退火系統(tǒng)降溫的同時未生長石墨烯的新的生長基體平鋪于第一滾筒與第二滾筒上，通過供氣系統(tǒng)將H2和碳源氣體通入真空室，在各生長基體上繼續(xù)進行反應，循環(huán)石墨烯的生長過程，在石墨烯的一個生長周期內，驅動系統(tǒng)驅動所 述第二滾筒滾動并帶動生長基體運動的行程為第一滾筒到真空室出口之間的距離。
以下結合附圖對本發(fā)明連續(xù)制備石墨烯的過程進行詳細介紹，參見圖2，圖2為本發(fā)明連續(xù)制備石墨烯過程的示意圖，其中，圖2只顯示了第一批與第二批石墨烯的連續(xù)制備過程，第二批之后的石墨烯制備重復第一批與第二批石墨烯的連續(xù)制備過程即可。其中步驟S201為碳源氣體在生長基體上生長，得到第一批高溫石墨烯；步驟S202為將第一批高溫石墨烯送入退火系統(tǒng)中退火，同時在新的生長基體上制備第二批高溫石墨烯；S203為將第二批高溫石墨烯融入退火系統(tǒng)中進行退火，同時在新的生長基體上制備第三批高溫石墨烯。
本發(fā)明提供的石墨烯的制備方法是通過采用本發(fā)明提供的制備裝置完成的，因此采用該方法制備石墨烯的生產效率與現(xiàn)有技術相比得到了極大的提高。
結果表明，采用本發(fā)明的制備方法和制備裝置制備IOcm寬、IOm長的石墨烯僅需數(shù)十分鐘，使得石墨烯制備效率在現(xiàn)有技術的基礎上成倍提高。
為了進一步理解本發(fā)明，下面結合實施例對本發(fā)明提供的石墨烯的制備裝置以及石墨烯的制備方法進行說明，本發(fā)明的保護范圍不受以下實施例的限制。
實施例1
選擇純度為95%、寬為10cm，長為IOOm的銅箔作為生長基體，將上述銅箔放入盛有丙酮的容器中，超聲清洗3次，每次3min，之后將銅箔放入盛有異丙醇的容器中，超聲清洗2 次，每次3min，再將銅箔放入盛有去離子水的容器中，超聲清洗2次，每次3min。然后將銅箔取出，用氮氣吹干，并將銅箔放入鼓風干燥箱中，在70°C下，烘焙30min。在長為10m、寬為50cm、高為Im的真空室內裝入兩組滾筒，將銅箔一端搭置在與驅動系統(tǒng)相連的滾筒上， 其余部分卷繞在另一只滾筒上，中間伸展的銅箔處于真空室內。
將真空室抽真空至真空度為IOmTorr后，通入流量為lOOsccm的氫氣，然后加熱真空室至1000°C，通入流量為50sccm的甲烷，將氫氣流量減至30sccm，甲烷在生長基體生長 lOmin，得到高溫石墨烯。將生長有高溫石墨烯的銅箔通過與驅動系統(tǒng)相連的滾筒拉出真空室進入退火系統(tǒng)，降溫退火，降溫速度為150°C /min，同時，卷繞于滾筒上的銅箔解卷，新的銅箔處于真空室內，甲烷繼續(xù)在新的銅箔上生長石墨烯·lOmin。以此循環(huán)生長，直至銅箔全部生長完石墨烯。
在本實施例中，平均15min可以制備IOcm寬、IOm長的石墨烯薄膜。
對比例I
通過使用韓國Graphene Square公司生產的石墨烯制備裝置制備石墨烯,采用化學氣相沉積法制備面積為700mmX400mm,相當于30英寸的石墨烯薄膜平均需要30min。
結果表明，采用本發(fā)明的制備方法和制備裝置制備石墨烯耗時短，并且制備石墨烯的面積大，使得石墨烯制備效率在現(xiàn)有技術的基礎上成倍提高。因此，本發(fā)明為產業(yè)化高效制備石墨烯提供了一種有效手段。
以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。
權利要求
1.一種石墨烯的制備裝置，其特征在于，包括 供氣系統(tǒng)； 與所述供氣系統(tǒng)相連接的真空室； 設置于所述真空室內的兩組以上的滾筒組，所述滾筒組至少包括轉動方向相同的第一滾筒和第二滾筒； 分別驅動所述第二滾筒轉動的驅動系統(tǒng)； 分別設置于所述滾筒組上的生長基體，所述生長基體的一端卷繞于所述第一滾筒上，另一端搭置在所述第二滾筒上，所述生長基體可隨第二滾筒的轉動移動； 與所述真空室的出口相連的退火系統(tǒng)。
2.根據(jù)權利要求1所述的制備裝置，其特征在于，所述第一滾筒和所述第二滾筒的軸線平行。
3.根據(jù)權利要求2所述的制備裝置，其特征在于，所述真空室內設置有IOlOO組滾筒組，所述滾筒組上的生長基體平行。
4.根據(jù)權利要求1所述的制備裝置，其特征在于，所述驅動系統(tǒng)為步進式驅動系統(tǒng)。
5.一種使用權利要求f 4任意一項所述的裝置制備石墨烯的方法，其特征在于，包括以下步驟 A、通過供氣系統(tǒng)將H2和碳源氣體通入真空室，在各生長基體上進行反應，得到高溫石墨烯； B、驅動系統(tǒng)驅動各第二滾筒分別將生長有高溫石墨烯的生長基體送入退火系統(tǒng)，退火后，得到石墨烯；同時，通過供氣系統(tǒng)將H2和碳源氣體通入真空室，在各生長基體上繼續(xù)進行反應，得到高溫石墨烯。
6.根據(jù)權利要求5所述的制備方法，其特征在于，在步驟A之前還包括將真空室抽真空至真空度小于KT2Torr，加熱真空室至300°C 1100°C。
7.根據(jù)權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述碳源氣體為甲烷、乙烯或乙炔。
8.根據(jù)權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述生長基體為純度在95%以上的銅、鎳或釕。
9.根據(jù)權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述H2和碳源氣體在各生長基體上進行反應的反應時間為l(T30min。
10.根據(jù)權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述退火的退火時間為l(T30min，退火降溫速率為10(T200°C /min。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種石墨烯的制備裝置，包括供氣系統(tǒng)、與所述供氣系統(tǒng)相連接的真空室、設置于所述真空室內的兩組以上的滾筒組，每組滾筒組至少包括轉動方向相同的第一滾筒和第二滾筒，分別驅動所述第二滾筒轉動的驅動系統(tǒng)、分別設置于所述滾筒組上的生長基體，生長基體的一端卷繞于第一滾筒上，另一端搭置在所述第二滾筒上，生長基體可隨第二滾筒的轉動移動以及與所述真空室的出口相連的退火系統(tǒng)。采用本發(fā)明提供的石墨烯的制備方法和制備裝置可以實現(xiàn)石墨烯批量化、連續(xù)式生產，提高了石墨烯的生產效率和產量，促進了石墨烯進一步的產業(yè)化發(fā)展。
文檔編號C01B31/04GK103011139SQ20121045362
公開日2013年4月3日 申請日期2012年11月13日 優(yōu)先權日2012年11月13日
發(fā)明者張為國, 史浩飛, 李占成, 杜春雷 申請人:重慶綠色智能技術研究院