1.一種半導(dǎo)體芯片cmp后清洗液，其特征在于，包括重量配比如下的各組分：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體芯片cmp后清洗液，其特征在于，所述添加劑為n-(9-((1r,3r,4r,7s)-1-((雙(4-甲氧基苯基)(苯基)甲氧基)甲基)-7-羥基-2,5-二氧雜雙環(huán)[2.2.1]庚烷-3-基)-9h-嘌呤-6-基)苯甲酰胺。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體芯片cmp后清洗液，其特征在于，所述緩蝕劑為三乙二醇二(對甲苯磺酸酯)、乙磺酸異丙酯和苯磺酸異丙酯中的一種或多種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項所述半導(dǎo)體芯片cmp后清洗液，其特征在于，所述添加劑和緩蝕劑的重量比為2-8:1。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體芯片cmp后清洗液，其特征在于，所述有機堿為5-苯甲基-[1,3,4]噻二唑-2-基胺、1,3,4-噻二唑-2-胺和5-(甲氧基甲基)-1,3,4-噻二唑-2-胺中的一種或多種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體芯片cmp后清洗液，其特征在于，所述超純水為電阻大于等于18mω的去離子水。
7.一種權(quán)利要求1-6任意一項所述半導(dǎo)體芯片cmp后清洗液的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
8.一種權(quán)利要求1-6任意一項所述半導(dǎo)體芯片cmp后清洗液在清洗半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的應(yīng)用。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述應(yīng)用，其特征在于，采用所述半導(dǎo)體芯片cmp后清洗液清洗半導(dǎo)體芯片的方法包括以下步驟：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述應(yīng)用，其特征在于，s2中，沖洗次數(shù)為兩次及以上。