技術編號：40392329
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體芯片清洗液技術，尤其涉及一種半導體芯片cmp后清洗液、其制備方法與應用。背景技術、在集成電路的制造過程中，化學機械拋光（cmp）工藝用來去除銅互連晶圓表面多余的沉積物，得到高度平坦化的晶圓表面，但在平坦化的過程中會引入金屬離子、顆粒和有機物等污染物。cmp后清洗工藝需有效去除晶圓表面的污染物。cmp后清洗工藝需有效去除晶圓表面的污染物，得到高質量的晶圓表面。顆粒沾污是cmp后清洗的主要對象，在清洗過程中要盡可能去除晶圓表面殘留的顆粒污染物，同時也要保證銅晶圓表面不被清洗液腐蝕。...
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