本技術(shù)涉及半導(dǎo)體襯底材料制造，特別是涉及一種晶片拋邊裝置。

背景技術(shù)：

1、磷化銦襯底在射頻器件領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，包括高頻高功率器件、光纖通信、無線傳輸和射電天文學(xué)。其制造的射頻器件在衛(wèi)星和雷達(dá)等場(chǎng)景中表現(xiàn)出優(yōu)秀性能，尤其在雷達(dá)和通信系統(tǒng)的射頻前端、寬帶寬電路中具有競(jìng)爭(zhēng)力，適用于高速數(shù)據(jù)處理和高精度a/d轉(zhuǎn)換。

2、然而，磷化銦拋邊工序繁瑣，目前主要依靠人工，員工需核對(duì)晶片信息后，手持砂紙沿晶片邊緣擦拭，工序耗時(shí)且人工進(jìn)行拋邊時(shí)容易造成安全隱患。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是：現(xiàn)有的磷化銦拋邊主要依靠人工，無法實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化，導(dǎo)致工序耗時(shí)且人工進(jìn)行拋邊時(shí)容易造成安全隱患。

2、為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種晶片拋邊裝置，包括底座、氣囊拋邊結(jié)構(gòu)以及機(jī)械手，所述氣囊拋邊結(jié)構(gòu)包括安裝于底座的安裝架以及兩個(gè)氣囊拋邊組件，兩個(gè)所述氣囊拋邊組件相對(duì)設(shè)置于所述安裝架的第一端，且所述氣囊拋邊組件能相對(duì)于所述安裝架于原位旋轉(zhuǎn)；所述機(jī)械手具有用于調(diào)整位姿的機(jī)械臂以及用于吸取并驅(qū)動(dòng)晶片轉(zhuǎn)動(dòng)的吸附組件，所述機(jī)械臂安裝于所述底座，且所述吸附組件安裝于所述機(jī)械臂的末端。

3、在一些實(shí)施例中，所述氣囊拋邊組件包括拋邊組、旋轉(zhuǎn)軸以及第一驅(qū)動(dòng)件，所述第一驅(qū)動(dòng)件的輸出軸與所述旋轉(zhuǎn)軸連接，所述旋轉(zhuǎn)軸遠(yuǎn)離所述第一驅(qū)動(dòng)件的一端與所述拋邊組連接，以驅(qū)動(dòng)所述拋邊組于原位旋轉(zhuǎn)。

4、在一些實(shí)施例中，所述拋邊組包括轉(zhuǎn)盤以及拋光墊，所述轉(zhuǎn)盤與所述旋轉(zhuǎn)軸連接，所述拋光墊安裝于所述轉(zhuǎn)盤上，且所述拋光墊具有用于與所述晶片接觸的弧面。

5、在一些實(shí)施例中，所述轉(zhuǎn)盤與所述拋光墊之間圍合形成有充氣腔，所述氣囊拋邊組件還包括充氣件，所述充氣件通過管道與所述充氣腔連接，所述充氣件用于對(duì)對(duì)應(yīng)的所述充氣腔充氣，以使得兩個(gè)所述拋光墊之間相對(duì)接觸以對(duì)壓產(chǎn)生形變。

6、在一些實(shí)施例中，所述安裝架包括第一安裝桿以及兩個(gè)第一支架，所述第一安裝桿具有所述第一端與第二端，所述第二端與所述底座連接，兩個(gè)所述第一支架沿所述第一安裝桿的高度方向間隔設(shè)置于所述第一端，且所述第一支架與所述第一安裝桿垂直，各所述氣囊拋邊組件安裝于對(duì)應(yīng)的所述第一支架。

7、在一些實(shí)施例中，所述機(jī)械臂包括第二安裝桿、第二驅(qū)動(dòng)件、導(dǎo)軌、滑塊、第二支架以及第三驅(qū)動(dòng)件，所述底座開設(shè)有安裝槽，所述安裝槽的槽壁設(shè)置有所述導(dǎo)軌，所述滑塊可滑動(dòng)地安裝于所述導(dǎo)軌，所述第二安裝桿與所述滑塊連接，所述第二驅(qū)動(dòng)件的輸出軸與所述滑塊連接，用于驅(qū)動(dòng)所述滑塊相對(duì)于所述導(dǎo)軌滑動(dòng)，以帶動(dòng)所述第二安裝桿伸出或縮回所述安裝槽，所述第二支架與所述第二安裝桿遠(yuǎn)離所述安裝槽的一端連接，且所述第二支架與所述第三驅(qū)動(dòng)件連接，以驅(qū)動(dòng)所述第二支架轉(zhuǎn)動(dòng)，所述吸附組件安裝于所述第二支架遠(yuǎn)離所述第二安裝桿的一端。

8、在一些實(shí)施例中，所述吸附組件包括吸附頭、連通桿、真空泵以及第四驅(qū)動(dòng)件，所述連通桿與所述第二支架連接，所述吸附頭設(shè)置于所述連通桿上，且所述第四驅(qū)動(dòng)件與所述吸附頭連接，以帶動(dòng)所述吸附頭轉(zhuǎn)動(dòng)，所述真空泵與所述吸附頭連通，以吸附晶片。

9、在一些實(shí)施例中，所述第二支架與所述連通桿連接的一端具有開口，所述連通桿設(shè)置于所述開口處，且所述開口呈圓弧狀。

10、在一些實(shí)施例中，還包括噴頭，所述噴頭安裝于所述安裝架，且所述噴頭的噴嘴朝向所述氣囊拋邊組件，以噴射水流帶走拋邊產(chǎn)生的碎屑。

11、在一些實(shí)施例中，所述底座具有廢料槽，所述廢料槽位于所述氣囊拋邊組件的下方。

12、本實(shí)用新型實(shí)施例一種晶片拋邊裝置與現(xiàn)有技術(shù)相比，其有益效果在于：

13、本實(shí)用新型實(shí)施例的吸附組件通過吸附的方式吸取并轉(zhuǎn)動(dòng)晶片，隨后通過機(jī)械臂的位姿調(diào)整帶動(dòng)晶片移動(dòng)至拋邊工位，使得晶片的邊緣與氣囊拋邊組件接觸，氣囊拋邊組件與晶片均處于轉(zhuǎn)動(dòng)狀態(tài)，使得氣囊拋邊組件與晶片的邊緣表面產(chǎn)生持續(xù)的摩擦，以對(duì)晶片的邊緣進(jìn)行拋邊處理，解決了現(xiàn)有的磷化銦拋邊主要依靠人工，無法實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化，導(dǎo)致工序耗時(shí)且人工進(jìn)行拋邊時(shí)容易造成安全隱患的問題。

技術(shù)特征：

1.一種晶片拋邊裝置，其特征在于，包括底座、氣囊拋邊結(jié)構(gòu)以及機(jī)械手，所述氣囊拋邊結(jié)構(gòu)包括安裝于底座的安裝架以及兩個(gè)氣囊拋邊組件，兩個(gè)所述氣囊拋邊組件相對(duì)設(shè)置于所述安裝架的第一端，且所述氣囊拋邊組件能相對(duì)于所述安裝架于原位旋轉(zhuǎn)；所述機(jī)械手具有用于調(diào)整位姿的機(jī)械臂以及用于吸取并驅(qū)動(dòng)晶片轉(zhuǎn)動(dòng)的吸附組件，所述機(jī)械臂安裝于所述底座，且所述吸附組件安裝于所述機(jī)械臂的末端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片拋邊裝置，其特征在于，所述氣囊拋邊組件包括拋邊組、旋轉(zhuǎn)軸以及第一驅(qū)動(dòng)件，所述第一驅(qū)動(dòng)件的輸出軸與所述旋轉(zhuǎn)軸連接，所述旋轉(zhuǎn)軸遠(yuǎn)離所述第一驅(qū)動(dòng)件的一端與所述拋邊組連接，以驅(qū)動(dòng)所述拋邊組于原位旋轉(zhuǎn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片拋邊裝置，其特征在于，所述拋邊組包括轉(zhuǎn)盤以及拋光墊，所述轉(zhuǎn)盤與所述旋轉(zhuǎn)軸連接，所述拋光墊安裝于所述轉(zhuǎn)盤上，且所述拋光墊具有用于與所述晶片接觸的弧面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片拋邊裝置，其特征在于，所述轉(zhuǎn)盤與所述拋光墊之間圍合形成有充氣腔，所述氣囊拋邊組件還包括充氣件，所述充氣件通過管道與所述充氣腔連接，所述充氣件用于對(duì)對(duì)應(yīng)的所述充氣腔充氣，以使得兩個(gè)所述拋光墊之間相對(duì)接觸以對(duì)壓產(chǎn)生形變。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片拋邊裝置，其特征在于，所述安裝架包括第一安裝桿以及兩個(gè)第一支架，所述第一安裝桿具有所述第一端與第二端，所述第二端與所述底座連接，兩個(gè)所述第一支架沿所述第一安裝桿的高度方向間隔設(shè)置于所述第一端，且所述第一支架與所述第一安裝桿垂直，各所述氣囊拋邊組件安裝于對(duì)應(yīng)的所述第一支架。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片拋邊裝置，其特征在于，所述機(jī)械臂包括第二安裝桿、第二驅(qū)動(dòng)件、導(dǎo)軌、滑塊、第二支架以及第三驅(qū)動(dòng)件，所述底座開設(shè)有安裝槽，所述安裝槽的槽壁設(shè)置有所述導(dǎo)軌，所述滑塊可滑動(dòng)地安裝于所述導(dǎo)軌，所述第二安裝桿與所述滑塊連接，所述第二驅(qū)動(dòng)件的輸出軸與所述滑塊連接，用于驅(qū)動(dòng)所述滑塊相對(duì)于所述導(dǎo)軌滑動(dòng)，以帶動(dòng)所述第二安裝桿伸出或縮回所述安裝槽，所述第二支架與所述第二安裝桿遠(yuǎn)離所述安裝槽的一端連接，且所述第二支架與所述第三驅(qū)動(dòng)件連接，以驅(qū)動(dòng)所述第二支架轉(zhuǎn)動(dòng)，所述吸附組件安裝于所述第二支架遠(yuǎn)離所述第二安裝桿的一端。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片拋邊裝置，其特征在于，所述吸附組件包括吸附頭、連通桿、真空泵以及第四驅(qū)動(dòng)件，所述連通桿與所述第二支架連接，所述吸附頭設(shè)置于所述連通桿上，且所述第四驅(qū)動(dòng)件與所述吸附頭連接，以帶動(dòng)所述吸附頭轉(zhuǎn)動(dòng)，所述真空泵與所述吸附頭連通，以吸附晶片。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片拋邊裝置，其特征在于，所述第二支架與所述連通桿連接的一端具有開口，所述連通桿設(shè)置于所述開口處，且所述開口呈圓弧狀。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片拋邊裝置，其特征在于，還包括噴頭，所述噴頭安裝于所述安裝架，且所述噴頭的噴嘴朝向所述氣囊拋邊組件，以噴射水流帶走拋邊產(chǎn)生的碎屑。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片拋邊裝置，其特征在于，所述底座具有廢料槽，所述廢料槽位于所述氣囊拋邊組件的下方。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種晶片拋邊裝置，包括底座、氣囊拋邊結(jié)構(gòu)以及機(jī)械手，所述氣囊拋邊結(jié)構(gòu)包括安裝于底座的安裝架以及兩個(gè)氣囊拋邊組件，兩個(gè)所述氣囊拋邊組件相對(duì)設(shè)置于所述安裝架的第一端，且所述氣囊拋邊組件能相對(duì)于所述安裝架于原位旋轉(zhuǎn)；所述機(jī)械手具有用于調(diào)整位姿的機(jī)械臂以及用于吸取并驅(qū)動(dòng)所述晶片轉(zhuǎn)動(dòng)的吸附組件，所述機(jī)械臂安裝于所述底座，且所述吸附組件安裝于所述機(jī)械臂的末端。本技術(shù)解決了現(xiàn)有的磷化銦拋邊主要依靠人工，無法實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化，導(dǎo)致工序耗時(shí)且人工進(jìn)行拋邊時(shí)容易造成安全隱患的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：鄭金龍,唐勇,黃藝毅,周鐵軍,馬金峰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣東先導(dǎo)微電子科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231228
技術(shù)公布日：2024/12/19