本發(fā)明屬于納米材料制備領域，具體涉及一種金屬納米薄片的制備方法。

背景技術：

納米薄片以及二維納米材料因表現(xiàn)出不同于塊體以及其他納米結構的特殊性質，成為一種新型納米材料，二維材料是指在三維尺度上，其中一維尺度非常薄，其他兩維較大，形成薄片狀材料，因此特殊的形貌，造就其獨特的性質，受到很多研究關注。因此很多其他二維材料的制備報道也相繼出現(xiàn)。二維材料而對于金屬納米材料來說，由于其各向異性較好，因此目前通過生長獲得的金屬納米材料主要為顆粒，或者通過模板制備得道納米線陣列等其他納米結構，而對于較薄的納米片，很難通過模板法以及非模板法制備。

金屬鎳納米材料具有較高的電化學活性，以及催化特性，因此在燃料電池、葡萄糖探測，以及電催化方面具有非常廣泛的應用。很多研究發(fā)現(xiàn)，金屬鎳納米材料的形貌不同，其電化學活性以及催化特性不同。因此鎳納米形貌的可控制備是鎳納米材料在上述領域應用的一個關鍵技術。

另外由于納米金屬鎳的表面活性對電催化等相關應用影響較大，因此需要制備獲得的金屬納米薄片表面潔凈，無其他物質，特別是有機形貌控制劑覆蓋而失效，因此納米鎳薄片制備需要在無有機形貌控制劑的環(huán)境中合成。而目前較薄的金屬鎳納米薄片的制備報道尚未發(fā)現(xiàn)。本發(fā)明利用還原劑還原具有片層結構的金屬鹽，并緩慢還原在堿性條件下氨水絡合的金屬離子，從而形成較薄且片狀尺寸較大的金屬納米薄片。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一個目的是解決至少上述問題和/或缺陷，并提供至少后面將說明的優(yōu)點。

為了實現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的這些目的和其它優(yōu)點，提供了一種金屬納米薄片的制備方法，包括以下步驟：

步驟一、將質量分數(shù)為25％～28％的濃氨水加入6～10mmol/L的氯化鎳溶液中，然后加入100～150mmol/L的NaOH溶液，再加入質量分數(shù)為60～80％的水合肼溶液，攪拌混合均勻，得到混合溶液；

步驟二、將混合溶液轉入水熱反應釜的內襯中，密封，在80～120℃恒溫12～24小時，得到粗鎳納米片；

步驟三、將粗鎳納米片在純水和乙醇中反復清洗多次，干燥，得到鎳納米片。

優(yōu)選的是，所述氯化鎳水溶液與濃氨水的體積比為2～10:1；所述氯化鎳水溶液與NaOH溶液的體積比為1～3:1～3；所述氯化鎳水溶液與水合肼溶液的體積比為4～8:1。

優(yōu)選的是，在所述水熱反應釜的內襯中放入基底；所述基底為導電玻璃或表面鍍有二氧化鈦的薄膜。

優(yōu)選的是，所述濃氨水加入氯化鎳水溶液中的速度為0.5～1mL/min。

優(yōu)選的是，將所述氯化鎳水溶液采用氯化鈀溶液、氯化鋅溶液、氯化鈷溶液、硝酸鉍溶液、硝酸鋯溶液、氯化錳溶液、硝酸鉻溶液、硝酸鎘溶液中的任意一種代替。

優(yōu)選的是，將所述水合肼溶液采用硼氫化鈉溶液、甲酸銨溶液、甲酸鈉溶液、葡萄糖溶液、次亞磷酸鈉溶液、抗壞血酸溶液、苯三酚溶液、淀粉溶液、蔗糖溶液中的任意一種代替。

優(yōu)選的是，所述步驟一和步驟二之間還包括以下過程：將混合溶液置于帶攪拌的密封容器中，向其中通入氮氣使溶液中氮氣飽和，然后將該密封容器置于電子加速器中進行輻照攪拌處理1～3小時，得到預處理混合溶液。

優(yōu)選的是，所述電子加速器的電子束能量為10～15MeV；所述電子束輻照的輻照劑量率為200～1000kGy/h，輻照劑量為100～1000kGy。

優(yōu)選的是，所述干燥采用冷凍干燥；所述冷凍干燥的過程為：步驟Ⅰ、鎳納米片預冷凍：冷凍溫度-20～-30℃，冷凍時間1～2小時；

步驟Ⅱ、將預冷凍后的鎳納米片升溫至25℃，保持1～2小時；

步驟Ⅲ、冷凍干燥：將步驟Ⅱ得到的鎳納米片加入真空冷凍干燥機中，設置冷阱溫度為-50～-80℃，真空度為500mpa～50pa，冷凍干燥時間1～2h，得到鎳納米片。

優(yōu)選的是，所述步驟二的過程替換為：在超臨界反應裝置中放入基底，將混合溶液加入超臨界反應裝置中，在體系密封后通入二氧化碳至20～40MPa、溫度50～60℃的條件下反應1～3小時，然后卸去二氧化碳壓力，溫度為80～90℃，密封2～5小時，然后再次注入二氧化碳至壓力為50～60MPa，溫度為80～90℃，密封2～5小時，卸壓，得到在基底上生長的粗鎳納米片。

本發(fā)明利用液相化學還原法，具有設備簡單、條件溫和、過程簡潔、生產(chǎn)效率高等優(yōu)勢。常用的納米金屬合成還原劑有水合肼、硼氫化鈉、硼氫化鉀等以及部分有機還原劑，其中，硼氫化鈉和硼氫化鉀的還原性較強，還原的速率較快，使得反應不易控制，且得到的產(chǎn)物為N i-B復合物，非鎳單質。有機還原劑的速率太慢且產(chǎn)物不易清洗。而水合肼的還原能力隨環(huán)境堿性的增強而增大，便于控制反應速率，其氧化產(chǎn)物為N₂，不污染產(chǎn)物，是理想的還原劑。本發(fā)明在不使用任何表面活性劑和形貌控制劑的條件下，利用氨水作為離子絡合劑，在氫氧化鈉形成的強堿性環(huán)境中，利用水合肼緩慢還原Ni²⁺得到了多種金屬鎳的納米結構，其尺寸寬度最大超過400nm，厚度接近10nm，相比單純的NaOH堿性環(huán)境下，其寬厚比增加，另外氨水具有較好的揮發(fā)性，因此通過此方法可以獲得較為理想的二維納米鎳金屬片。

目前利用很多方法是通過有機表面活性劑制備納米薄片，會造成生成的納米片的表面有機活性劑很難去除，從而造成其在表面化學方面的應用受到很大的影響。本發(fā)明專利具通過較為溫和的條件，在沒有表面活性及的參與下，通過控制合適的鎳源濃度，以及溶液的堿性條件，以及氨水的絡合作用，控制適量的可揮發(fā)還原劑，在特定溫度范圍內，制備得到鎳金屬納米薄片相比在單純的堿性環(huán)境下，通過氨水的加入，可以得到橫向尺寸更大，厚度較薄的金屬鎳納米薄片，其寬厚比更大。

本發(fā)明通過引入氨水作為絡合劑，利用液相法直接制備鎳金屬納米薄片，無有機表面活性劑參與，制備得到的金屬納米薄片厚度薄，特征尺寸較大，其寬厚比更大，且可以大規(guī)模生產(chǎn)，制備溶液中主要還有可揮發(fā)性反應物以及水溶性較好的鹽溶液，因此產(chǎn)物易于清洗獲得干凈的表面。此外，溶液反映溫度約90度，因此反映較為溫和。所以本發(fā)明提供的技術方案所制備的產(chǎn)品質量高，成本較低，其能夠大規(guī)模生產(chǎn)。

本發(fā)明至少包括以下有益效果：本發(fā)明通過一個溫和無有機表面活性劑的方法，通過自發(fā)生長制備獲得鎳金屬納米薄片，其厚度可以控制在10納米以下，制備鎳納米薄片質量較高，表面無活性劑覆蓋，且成本低，適合大批量生產(chǎn)。

本發(fā)明的其它優(yōu)點、目標和特征將部分通過下面的說明體現(xiàn)，部分還將通過對本發(fā)明的研究和實踐而為本領域的技術人員所理解。

附圖說明：

圖1為本發(fā)明金屬納米薄片的制備方法的工藝流程圖；

圖2為本發(fā)明實施例1制備的金屬納米薄片的SEM圖；

圖3為本發(fā)明實施例1制備的金屬納米薄片的SEM圖；

圖4為本發(fā)明實施例2制備的金屬納米薄片的SEM圖；

圖5為本發(fā)明實施例3制備的金屬納米薄片的SEM圖；

圖6為本發(fā)明實施例4制備的金屬納米薄片的SEM圖；

圖7為本發(fā)明實施例5制備的金屬納米薄片的SEM圖。

具體實施方式：

下面結合附圖對本發(fā)明做進一步的詳細說明，以令本領域技術人員參照說明書文字能夠據(jù)以實施。

應當理解，本文所使用的諸如“具有”、“包含”以及“包括”術語并不配出一個或多個其它元件或其組合的存在或添加。

實施例1：

一種金屬納米薄片的制備方法，包括以下步驟：

步驟一、將質量分數(shù)為25％的濃氨水2mL加入氯化鎳溶液中，然后加入0.05gNaOH，再加入質量分數(shù)為80％的水合肼溶液2mL，攪拌混合均勻，得到混合溶液；所述氯化鎳溶液的的配制方法為：0.02g NiCl加入20mL水中，攪拌溶解；

步驟二、在水熱反應釜的內襯中放入導電玻璃，并將混合溶液轉入水熱反應釜的內襯中，密封，在90℃恒溫14小時，得到在基底上生長的粗鎳納米片；

步驟三、將粗鎳納米片在純水和乙醇中反復清洗多次，干燥，得到鎳納米片。

圖2和3示出了實施例1制備得到的鎳納米片的掃描電鏡圖，制備得到的鎳納米片尺寸約在400nm。

實施例2：

一種金屬納米薄片的制備方法，包括以下步驟：

步驟一、在氯化鎳溶液中加入0.02gNaOH，再加入質量分數(shù)為80％的水合肼溶液2mL，攪拌混合均勻，得到混合溶液；所述氯化鎳溶液的的配制方法為：0.02g NiCl加入20mL水中，攪拌溶解；

步驟二、在水熱反應釜的內襯中放入導電玻璃，并將混合溶液轉入水熱反應釜的內襯中，密封，在90℃恒溫14小時，得到在基底上生長的粗鎳納米片；

步驟三、將粗鎳納米片在純水和乙醇中反復清洗多次，干燥，得到鎳納米片。

圖4示出了實施例2制備得到的鎳納米片的掃描電鏡圖，制備得到的鎳納米片尺寸約在100nm。

實施例3：

一種金屬納米薄片的制備方法，包括以下步驟：

步驟一、在氯化鎳溶液中加入0.05gNaOH，再加入質量分數(shù)為80％的水合肼溶液2mL，攪拌混合均勻，得到混合溶液；所述氯化鎳溶液的的配制方法為：0.02g NiCl加入20mL水中，攪拌溶解；

步驟二、在水熱反應釜的內襯中放入導電玻璃，并將混合溶液轉入水熱反應釜的內襯中，密封，在90℃恒溫14小時，得到在基底上生長的粗鎳納米片；

步驟三、將粗鎳納米片在純水和乙醇中反復清洗多次，干燥，得到鎳納米片。

圖5示出了實施例3制備得到的鎳納米片的掃描電鏡圖，制備得到的鎳納米片尺寸約在100nm。

實施例4：

一種金屬納米薄片的制備方法，包括以下步驟：

步驟一、在氯化鎳溶液中加入0.1gNaOH，再加入質量分數(shù)為80％的水合肼溶液2mL，攪拌混合均勻，得到混合溶液；所述氯化鎳溶液的的配制方法為：0.02g NiCl加入20mL水中，攪拌溶解；

步驟二、在水熱反應釜的內襯中放入導電玻璃，并將混合溶液轉入水熱反應釜的內襯中，密封，在90℃恒溫14小時，得到在基底上生長的粗鎳納米片；

步驟三、將粗鎳納米片在純水和乙醇中反復清洗多次，干燥，得到鎳納米片。

圖6示出了實施例4制備得到的鎳納米片的掃描電鏡圖，制備得到的鎳納米片尺寸小于100nm。

實施例5：

一種金屬納米薄片的制備方法，包括以下步驟：

步驟一、在氯化鎳溶液中加入0.2gNaOH，再加入質量分數(shù)為80％的水合肼溶液2mL，攪拌混合均勻，得到混合溶液；所述氯化鎳溶液的的配制方法為：0.02g NiCl加入20mL水中，攪拌溶解；

步驟二、在水熱反應釜的內襯中放入導電玻璃，并將混合溶液轉入水熱反應釜的內襯中，密封，在90℃恒溫14小時，得到在基底上生長的粗鎳納米片；

步驟三、將粗鎳納米片在純水和乙醇中反復清洗多次，干燥，得到鎳納米片。

圖7示出了實施例5制備得到的鎳納米片的掃描電鏡圖，制備得到的鎳納米片尺寸小于100nm。

以上實施例中，當加入NaOH量為0.05g時，當反應體系存在2ml氨水，則反應制備得到的金屬片較大，最大可達400nm以上，如圖2，3所示。而當無氨水加入，則反應體系的納米片尺寸較小，約200nm以下。如圖5所示。由于氨水的存在會影響體系的堿性，因此在其他反應參數(shù)不變的情況下，調節(jié)NaOH的加入量，從而觀察單純堿性對產(chǎn)品的形貌影響，從圖4～圖7，NaOH的加入量從0.02g，0.05g，0.1g，0.2g，可以看出，隨著堿性的升高，其納米片的直徑并沒有非常明顯的變化，因此認為，在本發(fā)明中氨水在納米片生長中，起到和非常重要的作用。

實施例6：

一種金屬納米薄片的制備方法，包括以下步驟：

步驟一、將質量分數(shù)為25％的濃氨水2mL加入10mL 6mmol/L的氯化鎳溶液中，然后加入50mmol/L的NaOH溶液10mL，再加入質量分數(shù)為80％的水合肼溶液2mL，攪拌混合均勻，得到混合溶液；

步驟二、在水熱反應釜的內襯中放入導電玻璃，并將混合溶液轉入水熱反應釜的內襯中，密封，在80℃恒溫12小時，得到在導電玻璃上生長的粗鎳納米片；

步驟三、將粗鎳納米片在純水和乙醇中反復清洗多次，干燥，得到鎳納米片。得到的鎳納米片的尺寸約在400nm。

實施例7：

一種金屬納米薄片的制備方法，包括以下步驟：

步驟一、將質量分數(shù)為28％的濃氨水5mL加入15mL 10mmol/L的氯化鎳溶液中，然后加入150mmol/L的NaOH溶液15mL，再加入質量分數(shù)為80％的水合肼溶液3mL，攪拌混合均勻，得到混合溶液；

步驟二、將混合溶液轉入水熱反應釜的內襯中，密封，在90℃恒溫20小時，得到粗鎳納米片；

步驟三、將粗鎳納米片在純水和乙醇中反復清洗多次，干燥，得到鎳納米片。得到的鎳納米片的尺寸約在400nm。

實施例8：

一種金屬納米薄片的制備方法，包括以下步驟：

步驟一、將質量分數(shù)為28％的濃氨水10mL加入20mL 10mmol/L的氯化鎳溶液中，然后加入150mmol/L的NaOH溶液40mL，再加入質量分數(shù)為80％的水合肼溶液5mL，攪拌混合均勻，得到混合溶液；

步驟二、在水熱反應釜的內襯中放入導電玻璃，并將混合溶液轉入水熱反應釜的內襯中，密封，在100℃恒溫24小時，得到在導電玻璃上生長的粗鎳納米片；

步驟三、將粗鎳納米片在純水和乙醇中反復清洗多次，干燥，得到鎳納米片。得到的鎳納米片的尺寸約在400nm。

實施例9：

一種金屬納米薄片的制備方法，包括以下步驟：

步驟一、將質量分數(shù)為25％的濃氨水2mL加入10mL 6mmol/L的氯化鈀溶液中，然后加入50mmol/L的NaOH溶液10mL，再加入質量分數(shù)為80％的水合肼溶液2mL，攪拌混合均勻，得到混合溶液；

步驟二、將混合溶液轉入水熱反應釜的內襯中，密封，在80℃恒溫12小時，得到粗鈀納米片；

步驟三、將粗鎳納米片在純水和乙醇中反復清洗多次，干燥，得到鈀納米片。得到的鈀納米片的尺寸約在400nm。

實施例10：

一種金屬納米薄片的制備方法，包括以下步驟：

步驟一、將質量分數(shù)為25％的濃氨水2mL加入15mL 6mmol/L的氯化鈀溶液中，然后加入50mmol/L的NaOH溶液10mL，再加入質量分數(shù)為80％的硼氫化鈉溶液2mL，攪拌混合均勻，得到混合溶液；

步驟二、在水熱反應釜的內襯中放入基底，并將混合溶液轉入水熱反應釜的內襯中，密封，在90℃恒溫12小時，得到在基底上生長的粗鈀納米片；

步驟三、將粗鈀納米片在純水和乙醇中反復清洗多次，干燥，得到鈀納米片。得到的鈀納米片的尺寸約在400nm。

實施例11：

一種金屬納米薄片的制備方法，包括以下步驟：

步驟一、將質量分數(shù)為25％的濃氨水4mL加入20mL 6mmol/L的氯化鋅溶液中，然后加入80mmol/L的NaOH溶液10mL，再加入質量分數(shù)為80％的葡萄糖溶液4mL，攪拌混合均勻，得到混合溶液；

步驟二、在水熱反應釜的內襯中放入基底，并將混合溶液轉入水熱反應釜的內襯中，密封，在90℃恒溫16小時，得到在基底上生長的粗鋅納米片；

步驟三、將粗鋅納米片在純水和乙醇中反復清洗多次，干燥，得到鋅納米片。得到的鋅納米片的尺寸約在400nm。

實施例12：

一種金屬納米薄片的制備方法，包括以下步驟：

步驟一、將質量分數(shù)為25％的濃氨水4mL加入10mL 6mmol/L的硝酸鉍溶液中，然后加入80mmol/L的NaOH溶液10mL，再加入質量分數(shù)為80％的甲酸銨溶液2mL，攪拌混合均勻，得到混合溶液；

步驟二、在水熱反應釜的內襯中放入基底，并將混合溶液轉入水熱反應釜的內襯中，密封，在90℃恒溫16小時，得到在基底上生長的粗鉍納米片；

步驟三、將粗鉍納米片在純水和乙醇中反復清洗多次，干燥，得到鉍納米片。得到的鉍納米片的尺寸約在400nm。

實施例13：

將硝酸鉍溶液替換為硝酸鋯溶液，甲酸銨溶液替換為甲酸鈉溶液，其與參數(shù)和工藝過程與實施例12中的完全相同，得到的鉍納米片的尺寸約在400nm。

實施例14：

將氯化鋅溶液替換為氯化錳溶液，葡萄糖溶液替換為抗壞血酸溶液，其與參數(shù)和工藝過程與實施例11中的完全相同，得到的錳納米片的尺寸約在400nm。

實施例15：

將氯化鋅溶液替換為硝酸鉻溶液，葡萄糖溶液替換為淀粉溶液，其與參數(shù)和工藝過程與實施例11中的完全相同，得到的鉻納米片的尺寸約在400nm。

實施例16：

將氯化鋅溶液替換為硝酸鎘溶液，葡萄糖溶液替換為苯三酚溶液，其與參數(shù)和工藝過程與實施例11中的完全相同，得到的鎘納米片的尺寸約在400nm。

實施例17：

在所述步驟一和步驟二之間還包括以下過程：將混合溶液置于帶攪拌的密封容器中，向其中通入氮氣使溶液中氮氣飽和，然后將該密封容器置于電子加速器中進行輻照攪拌處理1小時，得到預處理混合溶液；所述電子加速器的電子束能量為10MeV；所述電子束輻照的輻照劑量率為200kGy/h，輻照劑量為100kGy。

其與參數(shù)和工藝過程與實施例6中的完全相同，得到的鎘納米片的尺寸約在450nm。

實施例18：

在所述步驟一和步驟二之間還包括以下過程：將混合溶液置于帶攪拌的密封容器中，向其中通入氮氣使溶液中氮氣飽和，然后將該密封容器置于電子加速器中進行輻照攪拌處理3小時，得到預處理混合溶液；所述電子加速器的電子束能量為15MeV；所述電子束輻照的輻照劑量率為1000kGy/h，輻照劑量為1000kGy。

其與參數(shù)和工藝過程與實施例6中的完全相同，得到的鎘納米片的尺寸約在450nm。

實施例19：

在所述步驟一和步驟二之間還包括以下過程：將混合溶液置于帶攪拌的密封容器中，向其中通入氮氣使溶液中氮氣飽和，然后將該密封容器置于電子加速器中進行輻照攪拌處理2小時，得到預處理混合溶液；所述電子加速器的電子束能量為12MeV；所述電子束輻照的輻照劑量率為500kGy/h，輻照劑量為800kGy。

其與參數(shù)和工藝過程與實施例6中的完全相同，得到的鎳納米片的尺寸約在450nm。

實施例20：

所述干燥采用冷凍干燥；所述冷凍干燥的過程為：步驟Ⅰ、鎳納米片預冷凍：冷凍溫度-20℃，冷凍時間1小時；

步驟Ⅱ、將預冷凍后的鎳納米片升溫至25℃，保持1小時；

步驟Ⅲ、冷凍干燥：將步驟Ⅱ得到的鎳納米片加入真空冷凍干燥機中，設置冷阱溫度為-50℃，真空度為500mpa，冷凍干燥時間1h，得到鎳納米片。

其與參數(shù)和工藝過程與實施例6中的完全相同，得到的鎳納米片的尺寸約在480nm。

實施例21：

所述干燥采用冷凍干燥；所述冷凍干燥的過程為：步驟Ⅰ、鎳納米片預冷凍：冷凍溫度-30℃，冷凍時間2小時；

步驟Ⅱ、將預冷凍后的鎳納米片升溫至25℃，保持2小時；

步驟Ⅲ、冷凍干燥：將步驟Ⅱ得到的鎳納米片加入真空冷凍干燥機中，設置冷阱溫度為-80℃，真空度為50pa，冷凍干燥時間2h，得到鎳納米片。

其與參數(shù)和工藝過程與實施例6中的完全相同，得到的鎳納米片的尺寸約在480nm。

實施例22：

所述干燥采用冷凍干燥；所述冷凍干燥的過程為：步驟Ⅰ、鎳納米片預冷凍：冷凍溫度-25℃，冷凍時間1.5小時；

步驟Ⅱ、將預冷凍后的鎳納米片升溫至25℃，保持1.5小時；

步驟Ⅲ、冷凍干燥：將步驟Ⅱ得到的鎳納米片加入真空冷凍干燥機中，設置冷阱溫度為-60℃，真空度為20pa，冷凍干燥時間1.5h，得到鎳納米片。

其與參數(shù)和工藝過程與實施例6中的完全相同，得到的鎳納米片的尺寸約在480nm。

實施例23：

所述步驟二的過程替換為：在超臨界反應裝置中放入基底，將混合溶液加入超臨界反應裝置中，在體系密封后通入二氧化碳至20MPa、溫度50℃的條件下反應1小時，然后卸去二氧化碳壓力，溫度為80℃，密封2小時，然后再次注入二氧化碳至壓力為50MPa，溫度為80℃，密封2小時，卸壓，得到在基底上生長的粗鎳納米片。

其與參數(shù)和工藝過程與實施例6中的完全相同，得到的鎳納米片的尺寸約在500nm。

實施例24：

所述步驟二的過程替換為：在超臨界反應裝置中放入基底，將混合溶液加入超臨界反應裝置中，在體系密封后通入二氧化碳至40MPa、溫度60℃的條件下反應3小時，然后卸去二氧化碳壓力，溫度為90℃，密封5小時，然后再次注入二氧化碳至壓力為60MPa，溫度為90℃，密封5小時，卸壓，得到在基底上生長的粗鎳納米片。

其與參數(shù)和工藝過程與實施例6中的完全相同，得到的鎳納米片的尺寸約在500nm。

實施例25：

所述步驟二的過程替換為：在超臨界反應裝置中放入基底，將混合溶液加入超臨界反應裝置中，在體系密封后通入二氧化碳至30MPa、溫度55℃的條件下反應2小時，然后卸去二氧化碳壓力，溫度為85℃，密封3小時，然后再次注入二氧化碳至壓力為55MPa，溫度為85℃，密封3小時，卸壓，得到在基底上生長的粗鎳納米片。

其與參數(shù)和工藝過程與實施例6中的完全相同，得到的鎳納米片的尺寸約在500nm。

實施例26：

采用實施例19和實施例22組合的方案，其與參數(shù)和工藝過程與實施例6中的完全相同，得到的鎳納米片的尺寸約在540nm。

實施例27：

采用實施例19和實施例25組合的方案，其與參數(shù)和工藝過程與實施例6中的完全相同，得到的鎳納米片的尺寸約在550nm。

實施例28:

采用實施例22和實施例25組合的方案，其與參數(shù)和工藝過程與實施例6中的完全相同，得到的鎳納米片的尺寸約在550nm。

實施例29：

采用實施例19、實施例22和實施例25組合的方案，其與參數(shù)和工藝過程與實施例6中的完全相同，得到的鎳納米片的尺寸約在600nm。

實施例30：

在所述步驟一和步驟二之間還包括以下過程：將混合溶液置于帶攪拌的密封容器中，向其中通入氮氣使溶液中氮氣飽和，然后將該密封容器置于電子加速器中進行輻照攪拌處理1小時，得到預處理混合溶液；所述電子加速器的電子束能量為10MeV；所述電子束輻照的輻照劑量率為200kGy/h，輻照劑量為100kGy。

其與參數(shù)和工藝過程與實施例12中的完全相同，得到的鉍納米片的尺寸約在460nm。

實施例31：

在所述步驟一和步驟二之間還包括以下過程：將混合溶液置于帶攪拌的密封容器中，向其中通入氮氣使溶液中氮氣飽和，然后將該密封容器置于電子加速器中進行輻照攪拌處理3小時，得到預處理混合溶液；所述電子加速器的電子束能量為15MeV；所述電子束輻照的輻照劑量率為1000kGy/h，輻照劑量為1000kGy。

其與參數(shù)和工藝過程與實施例12中的完全相同，得到的鉍納米片的尺寸約在450nm。

實施例32：

在所述步驟一和步驟二之間還包括以下過程：將混合溶液置于帶攪拌的密封容器中，向其中通入氮氣使溶液中氮氣飽和，然后將該密封容器置于電子加速器中進行輻照攪拌處理2小時，得到預處理混合溶液；所述電子加速器的電子束能量為12MeV；所述電子束輻照的輻照劑量率為500kGy/h，輻照劑量為800kGy。

其與參數(shù)和工藝過程與實施例12中的完全相同，得到的鉍納米片的尺寸約在460nm。

實施例33：

所述干燥采用冷凍干燥；所述冷凍干燥的過程為：步驟Ⅰ、鉍納米片預冷凍：冷凍溫度-20℃，冷凍時間1小時；

步驟Ⅱ、將預冷凍后的鉍納米片升溫至25℃，保持1小時；

步驟Ⅲ、冷凍干燥：將步驟Ⅱ得到的鉍納米片加入真空冷凍干燥機中，設置冷阱溫度為-50℃，真空度為500mpa，冷凍干燥時間1h，得到鉍納米片。

其與參數(shù)和工藝過程與實施例12中的完全相同，得到的鉍納米片的尺寸約在470nm。

實施例34：

所述干燥采用冷凍干燥；所述冷凍干燥的過程為：步驟Ⅰ、鉍納米片預冷凍：冷凍溫度-30℃，冷凍時間2小時；

步驟Ⅱ、將預冷凍后的鉍納米片升溫至25℃，保持2小時；

步驟Ⅲ、冷凍干燥：將步驟Ⅱ得到的鉍納米片加入真空冷凍干燥機中，設置冷阱溫度為-80℃，真空度為50pa，冷凍干燥時間2h，得到鉍納米片。

其與參數(shù)和工藝過程與實施例12中的完全相同，得到的鉍納米片的尺寸約在470nm。

實施例35：

所述干燥采用冷凍干燥；所述冷凍干燥的過程為：步驟Ⅰ、鉍納米片預冷凍：冷凍溫度-25℃，冷凍時間1.5小時；

步驟Ⅱ、將預冷凍后的鉍納米片升溫至25℃，保持1.5小時；

步驟Ⅲ、冷凍干燥：將步驟Ⅱ得到的鉍納米片加入真空冷凍干燥機中，設置冷阱溫度為-60℃，真空度為20pa，冷凍干燥時間1.5h，得到鉍納米片。

其與參數(shù)和工藝過程與實施例12中的完全相同，得到的鉍納米片的尺寸約在480nm。

實施例36：

所述步驟二的過程替換為：在超臨界反應裝置中放入基底，將混合溶液加入超臨界反應裝置中，在體系密封后通入二氧化碳至20MPa、溫度50℃的條件下反應1小時，然后卸去二氧化碳壓力，溫度為80℃，密封2小時，然后再次注入二氧化碳至壓力為50MPa，溫度為80℃，密封2小時，卸壓，得到在基底上生長的粗鉍納米片。

其與參數(shù)和工藝過程與實施例12中的完全相同，得到的鉍納米片的尺寸約在480nm。

實施例37：

所述步驟二的過程替換為：在超臨界反應裝置中放入基底，將混合溶液加入超臨界反應裝置中，在體系密封后通入二氧化碳至40MPa、溫度60℃的條件下反應3小時，然后卸去二氧化碳壓力，溫度為90℃，密封5小時，然后再次注入二氧化碳至壓力為60MPa，溫度為90℃，密封5小時，卸壓，得到在基底上生長的粗鎳納米片。

其與參數(shù)和工藝過程與實施例12中的完全相同，得到的鉍納米片的尺寸約在480nm。

實施例38：

所述步驟二的過程替換為：在超臨界反應裝置中放入基底，將混合溶液加入超臨界反應裝置中，在體系密封后通入二氧化碳至30MPa、溫度55℃的條件下反應2小時，然后卸去二氧化碳壓力，溫度為85℃，密封3小時，然后再次注入二氧化碳至壓力為55MPa，溫度為85℃，密封3小時，卸壓，得到在基底上生長的粗鎳納米片。

其與參數(shù)和工藝過程與實施例12中的完全相同，得到的鉍納米片的尺寸約在500nm。

實施例39：

采用實施例32和實施例35組合的方案，其與參數(shù)和工藝過程與實施例12中的完全相同，得到的鉍納米片的尺寸約在550nm。

實施例40：

采用實施例32和實施例38組合的方案，其與參數(shù)和工藝過程與實施例12中的完全相同，得到的鉍納米片的尺寸約在540nm。

實施例41:

采用實施例35和實施例38組合的方案，其與參數(shù)和工藝過程與實施例12中的完全相同，得到的鉍納米片的尺寸約在550nm。

實施例42：

采用實施例32、實施例35和實施例38組合的方案，其與參數(shù)和工藝過程與實施例12中的完全相同，得到的鉍納米片的尺寸約在600nm。

盡管本發(fā)明的實施方案已公開如上，但其并不僅僅限于說明書和實施方式中所列運用，它完全可以被適用于各種適合本發(fā)明的領域，對于熟悉本領域的人員而言，可容易地實現(xiàn)另外的修改，因此在不背離權利要求及等同范圍所限定的一般概念下，本發(fā)明并不限于特定的細節(jié)和這里示出與描述的圖例。