技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種氧化物透明電極薄膜的制備方法，在石英片上利用雙層輝光等離子濺射反應(yīng)成膜的方法實(shí)現(xiàn)低熔點(diǎn)氧化鋅透明電極薄膜的制備。本發(fā)明以低熔點(diǎn)金屬元素為靶材，為了提高元素及氧元素反應(yīng)的供應(yīng)量和供應(yīng)效率，在基片和靶材周圍形成雙層輝光等離子放電，成膜僅需要10?30min。本發(fā)明通過低熔點(diǎn)金屬元素和氧元素的濺射反應(yīng)形成大面積高質(zhì)量的氧化物透明薄膜電極，薄膜的厚度在5?10微米。本發(fā)明得到的薄膜表面質(zhì)量高，具有高度的c軸(002)取向，在可見光波段平均透過率能夠達(dá)到80％以上，并且薄膜能有效的屏蔽紫外光。該方法所制備的氧化物薄膜表面質(zhì)量高、工藝可控性好、制備快速、成本低，尤其適合大面積快速制備。

技術(shù)研發(fā)人員：吳紅艷;趙興明;黃珂;夏於林;張成遠(yuǎn);魯小婭
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南京信息工程大學(xué)
文檔號(hào)碼：201611253177
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.30
技術(shù)公布日：2017.05.31