本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種研磨控制方法以及晶圓研磨系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

在現(xiàn)有的晶圓研磨系統(tǒng)中，需要對(duì)研磨過程的量測(cè)配置信息和研磨配置信息進(jìn)行設(shè)定，以達(dá)到將有一預(yù)設(shè)厚度的晶圓研磨至一特定厚度的目的。

但是，現(xiàn)有的晶圓研磨系統(tǒng)中，研磨配置信息與量測(cè)配置信息存儲(chǔ)在同一個(gè)存儲(chǔ)模塊中，從而使得在僅需改變量測(cè)配置信息的時(shí)候需要對(duì)研磨配置信息和量測(cè)配置信息均進(jìn)行重新設(shè)置。這樣既浪費(fèi)人力，又提高了技術(shù)人員犯錯(cuò)的幾率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述問題，本發(fā)明提出了一種研磨控制方法，應(yīng)用于晶圓研磨系統(tǒng)，所述晶圓研磨系統(tǒng)包括一第一存儲(chǔ)單元，一第二存儲(chǔ)單元和至少一個(gè)執(zhí)行單元；

所述第一存儲(chǔ)單元和所述第二存儲(chǔ)單元分別和每個(gè)所述執(zhí)行單元進(jìn)行連接；

所述研磨控制方法包括：

步驟S1，提供顯示有量測(cè)配置信息和研磨配置信息的一操作界面，并將所述量測(cè)配置信息存儲(chǔ)在所述第一存儲(chǔ)單元中，以及將所述研磨配置信息存儲(chǔ)在所述第二存儲(chǔ)單元中；

步驟S2，將所述量測(cè)配置信息和所述研磨配置信息分別輸出至每個(gè)所述執(zhí)行單元中，使得每個(gè)所述執(zhí)行單元根據(jù)所述量測(cè)配置信息和所述研磨配置信息完成研磨任務(wù)。

上述的研磨控制方法，其中，所述量測(cè)配置信息包括研磨前的晶圓的量測(cè)厚度和研磨后的所述晶圓的所述量測(cè)厚度。

上述的研磨控制方法，其中，所述第一存儲(chǔ)模塊包括一第一存儲(chǔ)單元和一第二存儲(chǔ)單元，所述研磨配置信息包括研磨液名稱和研磨液配比；

所述研磨液名稱存儲(chǔ)于所述第一存儲(chǔ)單元中；

所述研磨液配比存儲(chǔ)于所述第二存儲(chǔ)單元中。

上述的研磨控制方法，其中，所述第一存儲(chǔ)模塊還包括一第三存儲(chǔ)單元，所述研磨配置信息還包括清洗配置信息；

所述清洗配置信息存儲(chǔ)于所述第三存儲(chǔ)單元中。

上述的研磨控制方法，其中，當(dāng)所述研磨配置信息存在偏差時(shí)，通過所述操作界面對(duì)所述第一存儲(chǔ)模塊中的所述研磨配置信息進(jìn)行校正。

上述的研磨控制方法，其中，當(dāng)所述研磨配置信息存在偏差時(shí)，通過所述操作界面對(duì)所述第二存儲(chǔ)模塊中的所述研磨配置信息進(jìn)行校正。

上述的研磨控制方法，其中，所述執(zhí)行單元為研磨頭。

一種晶圓研磨系統(tǒng)，應(yīng)用如上任意一項(xiàng)所述的研磨控制方法。

有益效果：本發(fā)明提出的一種研磨控制方法以及晶圓研磨系統(tǒng)，能夠?qū)⒕A研磨系統(tǒng)的刻蝕晶圓所需要的量測(cè)配置信息與研磨配置信息分離，從而使得技術(shù)人員能夠通過晶圓研磨系統(tǒng)的操作界面對(duì)研磨配置信息進(jìn)行單獨(dú)設(shè)置，以降低人力成本和操作錯(cuò)誤率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例中研磨控制方法的步驟流程圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步說明。

在一個(gè)較佳的實(shí)施例中，如圖1所示，提出了一種研磨控制方法，可以應(yīng)用于晶圓研磨系統(tǒng)，晶圓研磨系統(tǒng)包括一第一存儲(chǔ)單元，一第二存儲(chǔ)單元和至少一個(gè)執(zhí)行單元；

第一存儲(chǔ)單元和第二存儲(chǔ)單元分別和每個(gè)執(zhí)行單元進(jìn)行連接；

研磨控制方法包括：

步驟S1，提供顯示有量測(cè)配置信息和研磨配置信息的一操作界面，并將量測(cè)配置信息存儲(chǔ)在第一存儲(chǔ)單元中，以及將研磨配置信息存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)單元中；

步驟S2，將量測(cè)配置信息和研磨配置信息分別輸出至每個(gè)執(zhí)行單元中，使得每個(gè)執(zhí)行單元根據(jù)量測(cè)配置信息和研磨配置信息完成研磨任務(wù)。

在一個(gè)較佳的實(shí)施例中，量測(cè)配置信息包括研磨前的晶圓的量測(cè)厚度和研磨后的晶圓的量測(cè)厚度。

在一個(gè)較佳的實(shí)施例中，第一存儲(chǔ)模塊包括一第一存儲(chǔ)單元和一第二存儲(chǔ)單元，研磨配置信息包括研磨液名稱和研磨液配比；

研磨液名稱存儲(chǔ)于第一存儲(chǔ)單元中；

研磨液配比存儲(chǔ)于第二存儲(chǔ)單元中。

上述實(shí)施例中，優(yōu)選地，第一存儲(chǔ)模塊還包括一第三存儲(chǔ)單元，研磨配置信息還包括清洗配置信息；

清洗配置信息存儲(chǔ)于第三存儲(chǔ)單元中。

在一個(gè)較佳的實(shí)施例中，當(dāng)研磨配置信息存在偏差時(shí)，通過操作界面對(duì)第一存儲(chǔ)模塊中的研磨配置信息進(jìn)行校正。

在一個(gè)較佳的實(shí)施例中，當(dāng)研磨配置信息存在偏差時(shí)，通過操作界面對(duì)第二存儲(chǔ)模塊中的研磨配置信息進(jìn)行校正。

在一個(gè)較佳的實(shí)施例中，執(zhí)行單元可以為研磨頭。

在一個(gè)較佳的實(shí)施例中，本發(fā)明還提供了一種晶圓研磨系統(tǒng)，應(yīng)用如上任意一實(shí)施例中的研磨控制方法。

綜上所述，本發(fā)明提出的一種研磨控制方法以及晶圓研磨系統(tǒng)，能夠?qū)⒕A研磨系統(tǒng)的刻蝕晶圓所需要的量測(cè)配置信息與研磨配置信息分離，從而使得技術(shù)人員能夠通過晶圓研磨系統(tǒng)的操作界面對(duì)研磨配置信息進(jìn)行單獨(dú)設(shè)置，以降低人力成本和操作錯(cuò)誤率。

通過說明和附圖，給出了具體實(shí)施方式的特定結(jié)構(gòu)的典型實(shí)施例，基于本發(fā)明精神，還可作其他的轉(zhuǎn)換。盡管上述發(fā)明提出了現(xiàn)有的較佳實(shí)施例，然而，這些內(nèi)容并不作為局限。

對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，閱讀上述說明后，各種變化和修正無疑將顯而易見。因此，所附的權(quán)利要求書應(yīng)看作是涵蓋本發(fā)明的真實(shí)意圖和范圍的全部變化和修正。在權(quán)利要求書范圍內(nèi)任何和所有等價(jià)的范圍與內(nèi)容，都應(yīng)認(rèn)為仍屬本發(fā)明的意圖和范圍內(nèi)。