生產(chǎn)設(shè)備和生產(chǎn)方法
【專利摘要】提供生產(chǎn)設(shè)備用于在箔(FO)上生產(chǎn)產(chǎn)品。該生產(chǎn)設(shè)備包括有潔凈室形成的沉積區(qū)(10)，其中排列至少第一和第二沉積設(shè)備(21，22)用于在箔上沉積一層材料。生產(chǎn)設(shè)備還包括至少一個(gè)加工設(shè)備(31)用于加工所述沉積的層，所述加工設(shè)備排列在所述沉積區(qū)以外并且包括具有遠(yuǎn)離所述沉積區(qū)、朝向轉(zhuǎn)向設(shè)備(41)的第一路徑(31a)和從所述轉(zhuǎn)向設(shè)備回到所述沉積區(qū)的第二路徑(31b)的加工軌跡。
【專利說明】生產(chǎn)設(shè)備和生產(chǎn)方法
[0001]發(fā)明背景發(fā)明領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明涉及生產(chǎn)設(shè)備。
[0003]本發(fā)明還涉及生產(chǎn)方法。

【背景技術(shù)】
[0004]卷對(duì)卷(roll to roll)工藝已經(jīng)證明是非常有效的生產(chǎn)基于箔的產(chǎn)品的方式。這類產(chǎn)品的示例是光電子產(chǎn)品，如(O)Led、顯示板、電致變色裝置和光伏裝置。這類產(chǎn)品的其他示例是電池、有機(jī)電路等。這種卷對(duì)卷工藝通常包括對(duì)各種可能帶圖案的、功能性的層進(jìn)行沉積和對(duì)這些層進(jìn)行加工，例如固化或干燥。希望生產(chǎn)設(shè)備能夠易于配置成能夠生產(chǎn)不同的產(chǎn)品或一種產(chǎn)品的不同變種。也希望對(duì)于潔凈室設(shè)備的要求是適度的。為了促進(jìn)新產(chǎn)品的快速開發(fā)，也希望當(dāng)需要時(shí)可能通過添加元件來容易地?cái)U(kuò)大生產(chǎn)線并且不需要重新排列生產(chǎn)線上已有的配置。最后，對(duì)于更先進(jìn)的產(chǎn)品(例如，對(duì)于第二代和第三代產(chǎn)品)，希望能夠易于向配置中添加額外的沉積和加工步驟。
[0005]注意到WO 2005/116552公開了用藥劑涂覆支持物膜的設(shè)備，尤其是用于生產(chǎn)具有透皮作用的石膏。該設(shè)備包括支持物膜的解繞工段，向支持物膜施涂液體或糊狀藥劑的施涂工段，用于對(duì)支持物膜上施涂的藥劑進(jìn)行干燥的干燥工段和用于覆蓋支持物膜的繞卷工段。該裝置包括施涂模塊和相鄰排列的至少一個(gè)干燥模塊，從而施涂模塊含有解繞工段、施涂工段和繞卷工段，而線上的一個(gè)或幾個(gè)干燥模塊形成干燥工段。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]按照本發(fā)明的第一方面，提供了如權(quán)利要求1中所述的生產(chǎn)設(shè)備。在按照本發(fā)明的生產(chǎn)設(shè)備中，至少一個(gè)用于加工的加工設(shè)備被安排在沉積區(qū)之外。另外，加工設(shè)備包括具有遠(yuǎn)離沉積區(qū)、并朝向轉(zhuǎn)向設(shè)備的第一路徑和從所述轉(zhuǎn)向設(shè)備回到所述沉積區(qū)的第二路徑的加工軌跡。以這種方式，至少第一和第二沉積設(shè)備可以在較緊湊的空間中互相靠近地放置。這促進(jìn)了通過省略沉積設(shè)備中的一個(gè)或多個(gè)來適應(yīng)生產(chǎn)工藝，當(dāng)不使用沉積設(shè)備中的一個(gè)或多個(gè)時(shí)，箔不必被引導(dǎo)通過不需要的大距離。同樣，也能易于適應(yīng)隨后的沉積步驟之間的加工軌跡的長(zhǎng)度和組成，而不需要重新排列沉積設(shè)備，因?yàn)榧庸ぼ壽E在與沉積步驟之后的軌跡的橫向方向上延伸。如果需要，可以易于通過添加一個(gè)或多個(gè)沉積和干燥設(shè)備來延伸生產(chǎn)設(shè)備。按照本發(fā)明的生產(chǎn)設(shè)備的可適應(yīng)性質(zhì)促進(jìn)生產(chǎn)不同的產(chǎn)品和/或一種產(chǎn)品的不同變種。延伸干燥軌跡設(shè)備的長(zhǎng)度的自由度促進(jìn)了對(duì)加工速度的適應(yīng)。如果需要較高的加工速度，可以自由地延伸加工長(zhǎng)度，使得有效加工時(shí)間仍然足夠長(zhǎng)以實(shí)現(xiàn)需要的加工效果。在生產(chǎn)設(shè)備的一個(gè)實(shí)施方式中，在加工軌跡中，具有沉積層的箔的一面朝上(上方)。這種配置的優(yōu)勢(shì)是總是可以在背側(cè)上支持基材，防止由于重力而彎垂并且增強(qiáng)幅(web)的穩(wěn)定性。
[0007]在按照第一方面的生產(chǎn)設(shè)備的實(shí)施方式中，沉積區(qū)是具有出口和入口的潔凈室，其中所述第一路徑導(dǎo)向遠(yuǎn)離所述出口的第一方向并且從導(dǎo)向回到所述入口。
[0008]由于在沉積區(qū)中沉積設(shè)備的緊湊排列，限定沉積區(qū)的潔凈室可以較小。對(duì)于這類沉積設(shè)備，這促進(jìn)了維持較嚴(yán)格的環(huán)境要求，使得潔凈室設(shè)備的要求是適度的。
[0009]按照本發(fā)明的第二方面，提供了如權(quán)利要求15中所述在箔上生產(chǎn)產(chǎn)品的方法。
[0010]注意到W002/31216A2描述了濺射涂覆設(shè)備，其至少包括第一濺射涂覆線和第二濺射涂覆線。在某些實(shí)施方式中，第一和第二濺射涂覆線可以互相平行地運(yùn)行以獨(dú)立地形成涂覆系統(tǒng)和各自的涂覆制品。然而，可以采用這兩條涂覆線以互相串聯(lián)運(yùn)行來形成一個(gè)涂覆制品。在后一種情況中，當(dāng)希望采用互相串聯(lián)的這兩條涂覆線時(shí)，在第一條線的末端和第二條線的末端之間提供過渡區(qū)以選擇性地將第一條線的輸出和第二條線的輸入相連。W002/31216A2并沒有描述卷對(duì)卷生產(chǎn)設(shè)備，其包括在共同條件的空間內(nèi)各種沉積工段的緊湊排列。
[0011]附圖簡(jiǎn)要說明
[0012]參考附圖更詳細(xì)地描述了這些和其他方面。其中:
[0013]圖1顯示了非按照本發(fā)明的生產(chǎn)設(shè)備，
[0014]圖2顯示了按照本發(fā)明的生產(chǎn)設(shè)備的第一實(shí)施方式，
[0015]圖2A顯示了所述第一實(shí)施方式的實(shí)施方式中的細(xì)節(jié)，
[0016]圖3顯示了按照本發(fā)明的生產(chǎn)設(shè)備的第二實(shí)施方式，
[0017]圖3A顯示了更詳細(xì)地顯示了第二實(shí)施方式的部分，
[0018]圖3B顯示了圖3A的生產(chǎn)設(shè)備的重新排列，
[0019]圖4是沉積設(shè)備的一個(gè)實(shí)施方式的示意圖，
[0020]圖5是按照本發(fā)明的生產(chǎn)設(shè)備的第三實(shí)施方式的部分的示意圖，
[0021 ] 圖5A是按照?qǐng)D5中的VA視圖的細(xì)節(jié)，
[0022]圖6顯示了按照本發(fā)明的生產(chǎn)設(shè)備的第四實(shí)施方式，
[0023]圖7顯示了按照本發(fā)明的生產(chǎn)設(shè)備的第五實(shí)施方式，
[0024]圖8顯示了按照本發(fā)明的第二方面的生產(chǎn)方法。

【具體實(shí)施方式】
[0025]除非另外說明，不同附圖中的相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。
[0026]在以下詳細(xì)描述中，為了提供對(duì)本發(fā)明的透徹理解，陳述了許多具體的細(xì)節(jié)。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解的是，本發(fā)明可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)施。在其它情況中，為了不混淆本發(fā)明的各方面，沒有詳細(xì)描述眾所周知的方法、過程和組合物。
[0027]在此將參照附圖更完整地描述本發(fā)明，附圖中給出了本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，本發(fā)明可以以許多不同的方式實(shí)施，不應(yīng)被解讀成限定于在此提出的實(shí)施方式。相反，這些實(shí)施方式使得說明透徹而完整，能夠向本領(lǐng)域技術(shù)人員完全地展示本發(fā)明的范圍。在圖中，為了清晰起見，放大了層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。
[0028]本文所用的術(shù)語(yǔ)僅僅用來描述具體的實(shí)施方式，而不是用于限制本發(fā)明。如本文所用，單數(shù)形式的“一個(gè)”、“一種”和“該”也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另有明確說明。還應(yīng)當(dāng)理解，在說明書中，術(shù)語(yǔ)“包含”和/或“包括”表示存在所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件，但是并不排除存在或加入一種或多種其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或其組合的情況。
[0029]而且，除非明確說明意思相反，否則“或”表示包含的或和不排除的或。例如，以下任何一個(gè)條件都滿足條件A或B:A為真(或存在)且B為假(或不存在),A為假(或不存在)且B為真(或存在)，以及A和B都為真(或存在)。
[0030]應(yīng)理解當(dāng)一個(gè)元件與另一個(gè)元件或?qū)印芭悸?lián)”時(shí)，其可以直接與另外的元件偶聯(lián)或可以存在插入物。相反地，當(dāng)描述一種元件與另一元件之間“直接相連”時(shí)，則不存在插入元件或?qū)印?br> [0031]應(yīng)當(dāng)理解，盡管在本文中用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等描述各種元件、部件或區(qū)域，但是這些元件、部件或區(qū)域不應(yīng)受到這些術(shù)語(yǔ)的限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于區(qū)分一個(gè)元件、部件或區(qū)域與另一個(gè)區(qū)、層或區(qū)域。因此，下文討論的第一元件、部件、區(qū)域也可以記作第二元件、部件、區(qū)域，而不會(huì)背離本發(fā)明的內(nèi)容。
[0032]在此參考截面說明描述本發(fā)明的實(shí)施方式，這些截面說明是本發(fā)明的理想化實(shí)施方式(和中間結(jié)構(gòu))的示意性說明。因此，可以考慮根據(jù)制造技術(shù)和/或容差而對(duì)所示的形狀進(jìn)行變化。因此，本發(fā)明的實(shí)施方式不應(yīng)理解為僅限于圖中所示的具體形狀，而是應(yīng)該包括例如由于制造導(dǎo)致的形狀偏差。
[0033]除非另外定義，否則，本文中使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有本發(fā)明所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員通常所理解的同樣含義。還應(yīng)當(dāng)理解，常用字典中定義的術(shù)語(yǔ)的含義應(yīng)當(dāng)理解為與其在相關(guān)領(lǐng)域中的定義一致，除非本文中有另外的表述，否則不應(yīng)理解為理想化或者完全形式化的含義。本文中述及的所有出版物、專利申請(qǐng)、專利和其他參考文獻(xiàn)都通過引用全文納入本文。在抵觸的情況下，以本說明書(包括定義在內(nèi))為準(zhǔn)。此夕卜，材料、方法和實(shí)施例都僅是說明性的，并不意在構(gòu)成限制。
[0034]在下面的說明中，描述了本發(fā)明的實(shí)施例。為了比較，首先參考圖1描述了非按照本發(fā)明的生產(chǎn)。
[0035]以所有的生產(chǎn)步驟都在單個(gè)生產(chǎn)空間中進(jìn)行的方式構(gòu)建圖1所示的現(xiàn)有R2R(中試)系統(tǒng)。由于該生產(chǎn)通常包括要求高質(zhì)量的潔凈室環(huán)境的沉積步驟，所以整個(gè)生產(chǎn)空間需要符合這一要求，這是昂貴的。在該示例中，生產(chǎn)空間的長(zhǎng)度LO為50m，寬度WO為10m。在生產(chǎn)空間中，大量的卷對(duì)卷生產(chǎn)設(shè)備PU P2、P3、P4互相連接地排列。在該示例中，經(jīng)過生產(chǎn)工藝的箔通過轉(zhuǎn)向設(shè)備Tl (例如，包括空氣浮軸承)從生產(chǎn)設(shè)備Pl導(dǎo)向生產(chǎn)設(shè)備P2、生產(chǎn)設(shè)備P3并且通過第二轉(zhuǎn)向設(shè)備T2導(dǎo)向生產(chǎn)設(shè)備P4。生產(chǎn)設(shè)備是例如第一沉積線Pl，用于水基沉積的第二沉積線P2，用于溶劑基沉積的第三沉積線P3和用于圖案化沉積的第四沉積線P4。沉積線P1-P4各自包括用于沉積層的沉積設(shè)備和例如用于對(duì)沉積的層進(jìn)行固化或干燥的加工設(shè)備。
[0036]在圖1所示的R2R系統(tǒng)中，難以改變使用沉積線的組合。例如，如果需要使用沉積線Pl和P3，幅(箔)總是需要通過工藝P2，帶來額外的材料損失和另外的污染的風(fēng)險(xiǎn)。
[0037]如圖1所示的布局的另一個(gè)缺點(diǎn)在于，完整的沉積線必須位于潔凈室環(huán)境中(例如10.000級(jí))。對(duì)于加工線，其具有4x50m的覆蓋面積，這變得非常昂貴。對(duì)于OLED和OPV裝置的加工，局部的潔凈水平必須好于1000級(jí)(可能甚至是100或10)。這只能通過對(duì)各R2R系統(tǒng)和系統(tǒng)之間各自連接進(jìn)行封閉來實(shí)現(xiàn)。
[0038]圖2顯不了按照本發(fā)明的第一實(shí)施方式,在箔FO上生產(chǎn)產(chǎn)品的生產(chǎn)設(shè)備的第一實(shí)施方式。該生產(chǎn)設(shè)備包括沉積區(qū)10，其中排列至少第一和第二沉積設(shè)備21，22用于在箔FO上沉積一層材料。該生產(chǎn)設(shè)備還包括至少一個(gè)加工設(shè)備31用于加工沉積的層。在沉積區(qū)10以外的加工區(qū)60中排列加工設(shè)備31。
[0039]在所示的實(shí)施方式中，沉積區(qū)10定義為潔凈室，通過壁11與加工區(qū)分開。
[0040]加工設(shè)備31包括穿過潔凈室10的壁11遠(yuǎn)離出口 I la、朝向轉(zhuǎn)向設(shè)備41的第一方向(-X)上的第一途徑31a的加工軌跡。加工設(shè)備31包括從所述轉(zhuǎn)向設(shè)備41返回朝向所述潔凈室的入口 Ilb的第二方向(+X)上的第二途徑31b。箔在第一再導(dǎo)向設(shè)備51a中被再導(dǎo)向?yàn)槠湓挤较虻臋M向方向，其原始方向是從沉積設(shè)備21朝向壁上的出口 11a。第二再導(dǎo)向設(shè)備51b將其原始方向的橫向方向上的箔從壁11上的入口 Ilb導(dǎo)向第二沉積設(shè)備。第一和/或第二沉積設(shè)備21，22包括沉積單元，例如印刷設(shè)備，如噴墨打印機(jī)、柔性版印刷機(jī)、凹版印刷機(jī)、膠印機(jī)、轉(zhuǎn)動(dòng)絲網(wǎng)印刷機(jī)或涂覆設(shè)備，用于例如狹縫涂覆、模頭涂覆、吻合涂覆或噴涂。
[0041]在另一個(gè)實(shí)施方式中，沉積區(qū)10和加工區(qū)60并不在物理上分開，但是封閉于共同的潔凈室內(nèi)。
[0042]加工設(shè)備用于通過沉積設(shè)備對(duì)沉積在箔上的層進(jìn)行加工。加工設(shè)備的一般示例是干燥設(shè)備、燒結(jié)設(shè)備、退火設(shè)備、固化設(shè)備、融合設(shè)備和消融設(shè)備。這類加工設(shè)備通常引入(灰塵)顆粒。將這些設(shè)備排列在潔凈室外防止這些顆粒進(jìn)入潔凈室。在具有遠(yuǎn)離潔凈室朝向轉(zhuǎn)向設(shè)備的第一途徑31a和返回潔凈室10的第二部分31b的加工設(shè)備的排列中，加工設(shè)備延伸的方向(-X，x)相對(duì)于沉積突進(jìn)延伸的方向(y)(即沿著排列沉積設(shè)備21，22的途徑)橫向。這使得可以根據(jù)需要容易地改變加工設(shè)備31的長(zhǎng)度，而不需要改變沉積設(shè)備21，22的配置。此外，由于加工設(shè)備31排列在潔凈室10以外，潔凈室本身可以是緊湊的。為了防止灰塵從壁11以外的環(huán)境中進(jìn)入潔凈室10，可以用外殼35包封加工設(shè)備31和/或出口 Ila和入口 Ilb可以去偶槽(decoupling slot)進(jìn)行，如之前的申請(qǐng)W0/2011/028119中所述。在所示的實(shí)施方式中，轉(zhuǎn)向設(shè)備41與加工設(shè)備31 —起排列在外殼35內(nèi)。
[0043]如圖2A所示，加工設(shè)備31可以由模塊31a、31b、...31n組成。干燥器設(shè)備可以由例如多個(gè)干燥器模塊組成，其各自具有1.5-2m的長(zhǎng)度L31x。這使得干燥器易于適應(yīng)之前的沉積過程所設(shè)定的要求。也可以在加工軌跡31中添加額外的加工設(shè)備，而不需要重新排列沉積設(shè)備21，22。
[0044]在所示的實(shí)施方式中，在加工室60中排列加工設(shè)備31。加工室60通常具有比潔凈室10的等級(jí)高至少10個(gè)等級(jí)的潔凈室等級(jí)。例如，在所示的實(shí)施方式中，潔凈室10的潔凈室等級(jí)為1000，而加工室60的等級(jí)為10000或更高。如上述，具有最嚴(yán)格的潔凈室等級(jí)的潔凈室10本身可以是緊湊的。
[0045]在一個(gè)實(shí)施方式中，潔凈室10的面積僅僅是潔凈室10和加工室60所占總面積的三分之一。例如，潔凈室10和加工室60各自具有10-40m的寬度W，而加工室具有20-40m的長(zhǎng)度L60并且潔凈室10具有5-15m的長(zhǎng)度LlO。例如，潔凈室10和加工室60各自具有20m的寬度W，而加工室具有30m的長(zhǎng)度L60并且潔凈室10具有8m的長(zhǎng)度L10。因此，潔凈室10的面積與總面積之比為約0.21。
[0046]可以易于用另外的沉積設(shè)備和加工設(shè)備來延伸具有兩個(gè)沉積設(shè)備21，22和單個(gè)加工設(shè)備31的圖2的排列。下一個(gè)加工設(shè)備可各自通過與圖2所示相似的再導(dǎo)向設(shè)備與沉積設(shè)備的輸出相連。同樣，下一個(gè)沉積設(shè)備可各自通過圖2所示的再導(dǎo)向設(shè)備51與加工設(shè)備的輸出相連。
[0047]圖3顯示了按照本發(fā)明的第二實(shí)施方式，在箔FO上生產(chǎn)產(chǎn)品的生產(chǎn)設(shè)備。其中與圖2中的那些對(duì)應(yīng)的部分具有相同的附圖標(biāo)記。
[0048]在這個(gè)情況中，四個(gè)沉積設(shè)備21-24排列在潔凈室10中。生產(chǎn)設(shè)備具有排列在所述潔凈室10以外的加工設(shè)備32，33用于加工沉積的層。另外的加工設(shè)備32具有遠(yuǎn)離所述潔凈室10、朝向轉(zhuǎn)向設(shè)備42的第一方向上的第一途徑32a和從所述轉(zhuǎn)向設(shè)備回到所述潔凈室10的第二途徑32b。同樣，另外的加工設(shè)備33具有遠(yuǎn)離所述潔凈室10、朝向轉(zhuǎn)向設(shè)備43的第一方向上的第一途徑33a和從所述轉(zhuǎn)向設(shè)備回到所述潔凈室10的第二途徑33b。
[0049]如圖4所示，例如沉積設(shè)備21可以另外包括除了用于以任選圖案化的層來沉積材料的沉積單元213之外的解繞單元211、第一清潔/比對(duì)單元212、后固化單元214、第二清潔/比對(duì)單元215和繞卷單元216。后固化單元使得能夠?qū)鏞PV摻混物進(jìn)行額外的固化，其可以導(dǎo)致PV電池的較高效能(性能)。在各沉積設(shè)備之前，需要比對(duì)設(shè)備以將箔再次校正到需要的位置(橫向)并且以這種方式防止后續(xù)的加工步驟之間的未對(duì)準(zhǔn)。
[0050]生產(chǎn)設(shè)備還具有第一和第二再導(dǎo)向設(shè)備51a，b用于將箔從潔凈室10的入口 Ilb再導(dǎo)向到第二沉積設(shè)備22。在其從入口 Ilb到再導(dǎo)向設(shè)備51a,b的途徑上,可以將箔導(dǎo)向通過沉積設(shè)備的單元，例如后固化單元214或第二清潔/比對(duì)單元215。如圖3所示，生產(chǎn)設(shè)備還具有再導(dǎo)向設(shè)備52a，b用于將箔從潔凈室10的入口 12b再導(dǎo)向到另一個(gè)沉積設(shè)備23。
[0051]在所示的實(shí)施方式中，只向第一沉積設(shè)備21提供了繞卷單元211用于提供待加工的箔。箔，例如像PEN或PET的聚合物，可能已經(jīng)通過清潔或施涂涂層等制備。只有最后的沉積設(shè)備23具有繞卷單元(216)用于繞卷箔。通常排列第一清潔/比對(duì)單元212用于在發(fā)生沉積之前清潔和/或比對(duì)箔。如果箔已經(jīng)是干凈的，則可省略單元212，并且例如在沉積工藝是均勻沉積工藝的情況中不需要比對(duì)。
[0052]另外的潔凈室可以存在于例如潔凈室10的另一側(cè)，與加工區(qū)60相對(duì)用于另外的生產(chǎn)步驟，例如納米印刷和層疊的卷對(duì)卷生產(chǎn)步驟。另外的潔凈室可以具有比潔凈室10嚴(yán)格程度低的潔凈室等級(jí)，例如潔凈室等級(jí)比潔凈室10的等級(jí)高至少10倍。例如，與潔凈室的1000等級(jí)相比，另外的潔凈室可能具有10000的等級(jí)。
[0053]在所示的實(shí)施方式中，加工室60具有7-10m的高度，例如8m，同時(shí)潔凈室10和另外的潔凈室具有例如2.5-3m的正常高度。對(duì)于特定的加工裝置，如多邊形干燥器，加工室可能需要較大的高度。在圖3所示的實(shí)施方式中，如圖3A更詳細(xì)地顯示，生產(chǎn)設(shè)備包括潔凈室10中的第一子區(qū)10a，其中排列所有的沉積設(shè)備21-24，包括排列了至少第一和第二沉積設(shè)備21，22。在與第一子區(qū)1a分離的潔凈室10的第二子區(qū)1b中，排列了再導(dǎo)向設(shè)備51a、51b、52a、52b，包括排列了至少第一和第二再導(dǎo)向設(shè)備。
[0054]由于其更好地促進(jìn)生產(chǎn)設(shè)備的再配置，該實(shí)施方式是特別有優(yōu)勢(shì)的。例如，這通過參考圖3B來說明。由于在這種排列中，在與第一子區(qū)1a分離的第二子區(qū)1b中排列再導(dǎo)向設(shè)備，因此易于選擇沉積和加工設(shè)備的子集來得到特定的產(chǎn)品或一種產(chǎn)品的特定變種。例如，在圖3B所不的實(shí)施方式中，再導(dǎo)向設(shè)備將箔FO從沉積設(shè)備21的輸出直接再導(dǎo)向到沉積設(shè)備23，其中跳過沉積設(shè)備22和加工設(shè)備32。再導(dǎo)向設(shè)備51a、51b、52a、52b可以在例如沿著Z-方向延伸的導(dǎo)軌上可移動(dòng)地排列?；蛘?，再導(dǎo)向設(shè)備可移動(dòng)地在Z-方向上連接或排列，使得它們可以從第二子區(qū)1b中箔FO的途徑中移出。
[0055]圖5更詳細(xì)地顯示了轉(zhuǎn)向設(shè)備41的實(shí)施方式。轉(zhuǎn)向設(shè)備41包括用于箔FO的第一和第二引導(dǎo)棒411,412。第一和第二引導(dǎo)棒411,412各自具有相對(duì)于第一方向31a傾斜的方向，并且第一和第二引導(dǎo)棒411,412為互相橫向排列。這種排列使得可以在較短的距離內(nèi)將箔FO從第一途徑31a轉(zhuǎn)向第二途徑31b，同時(shí)防止與箔的涂覆面，即運(yùn)載沉積的層的箔FO的一面相接觸。與涂覆面相反的箔的一面滑過引導(dǎo)棒的表面，或者引導(dǎo)棒設(shè)置有空氣浮軸承使得箔漂浮通過其表面。
[0056]在所示的實(shí)施方式中，轉(zhuǎn)向設(shè)備41包括對(duì)比設(shè)備413。對(duì)比設(shè)備413用相應(yīng)的支持物束414，415使引導(dǎo)棒定位并且用其控制相對(duì)距離D，使其限定在箔的第一方向31a (-X)和第二方向31b(x)中的中線之間。在所示的實(shí)施方式中，加工設(shè)備31的第一和第二途徑31a，31b在小于20倍的距離D處互相平行排列。在更優(yōu)選的實(shí)施方式中，距離D甚至可小于箔FO的寬度的10倍。
[0057]所不的實(shí)施方式包括再導(dǎo)向設(shè)備51,其具有再導(dǎo)向棒511和一對(duì)轉(zhuǎn)向棍512a, b,其中只有前者示于圖5。圖5中VA的側(cè)視圖示于圖5A。箔FO具有正面fol，其設(shè)置有由沉積設(shè)備21提供的(任選帶圖案的)層。箔隨后由再導(dǎo)向棒511從方向+y再導(dǎo)向?yàn)榉较?Xo在再導(dǎo)向之后，箔的反面fo2朝上。箔FO隨后通過一對(duì)轉(zhuǎn)向棍512a,b再導(dǎo)向到-X方向，其為的沉積設(shè)備31的方向。由此，箔FO轉(zhuǎn)向使得其正面fol再次朝上，從而可以由支持輥318在其反面fo2支持箔。
[0058]在所不的實(shí)施方式中，再導(dǎo)向設(shè)備52也設(shè)置有對(duì)比設(shè)備523。再導(dǎo)向設(shè)備52包括引導(dǎo)棒521，其由一對(duì)支持束524支持，受到比對(duì)設(shè)備523的控制。在這種方式中，轉(zhuǎn)向設(shè)備41和再導(dǎo)向設(shè)備52也用作比對(duì)箔F0。例如，比對(duì)設(shè)備413，523各自包括用于感應(yīng)箔的位置的位置傳感器，用于移動(dòng)支持束414、415、524的致動(dòng)器，和控制器，例如PID控制器，用于基于傳感器所得的數(shù)據(jù)來控制致動(dòng)器。
[0059]如圖5A所示，再導(dǎo)向設(shè)備51的所有部分，即再導(dǎo)向棒511和轉(zhuǎn)向輥512a，b在其反面fo2上支持箔F0，由此防止與箔的涂覆面fol接觸。相似地，轉(zhuǎn)向設(shè)備的引導(dǎo)棒411、412在其反面fo2上支持箔F0。這也適用于支持輥318。除了額外的比對(duì)設(shè)備523，再導(dǎo)向設(shè)備52與再導(dǎo)向設(shè)備51相同。由此，在按照本發(fā)明的排列中實(shí)現(xiàn)了沿著整條加工軌跡避免與箔FO的涂覆的正面fol接觸。
[0060]圖6顯示了按照本發(fā)明的生產(chǎn)設(shè)備的第四實(shí)施方式。在圖6的實(shí)施方式中，生產(chǎn)設(shè)備在沉積區(qū)10的相對(duì)側(cè)上有加工區(qū)60。箔FO隨后被引導(dǎo)沿著沉積設(shè)備21、22、23、24、25通過加工設(shè)備31、32、33和34。離開沉積設(shè)備25后，箔FO被引導(dǎo)通過加工設(shè)備35到包裝設(shè)備80。
[0061]圖7顯示了按照本發(fā)明的生產(chǎn)設(shè)備的第五實(shí)施方式，其中加工設(shè)備包括加工區(qū)60，其以U-形在沉積區(qū)10周圍延伸。箔FO隨后被引導(dǎo)沿著沉積設(shè)備21、22、23、24、25、26、27通過加工設(shè)備31、32、33、34、35和36。離開沉積設(shè)備27后，箔FO引導(dǎo)通過加工設(shè)備37到包裝設(shè)備80。
[0062]圖8顯示了按照第二方面在箔上生產(chǎn)產(chǎn)品的方法。所述方法包括以下步驟:
[0063]-用第一沉積步驟在沉積區(qū)中在箔上沉積SI第一層，
[0064]-在沉積區(qū)外沿著遠(yuǎn)離所述沉積區(qū)的第一方向上的第一路徑引導(dǎo)S2含有所述第一層的箔并且沿著朝向所述沉積區(qū)的第二路徑轉(zhuǎn)回，同時(shí)沿著第一和/或第二路徑對(duì)所述第一層進(jìn)行加工S3,
[0065]-在轉(zhuǎn)到所述的沉積區(qū)后用第二沉積步驟在箔上沉積S4第二層。
[0066]在權(quán)利要求中，術(shù)語(yǔ)“包含”并不排除其它要素或步驟，不定冠詞“一種”或“一個(gè)”并不排除多個(gè)。單一部件或其它單元可實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求所述的幾項(xiàng)功能。權(quán)利要求中的任意參考文獻(xiàn)標(biāo)記并不構(gòu)成對(duì)范圍的限制。
【權(quán)利要求】
1.一種用于在箔(FO)上生產(chǎn)產(chǎn)品的生產(chǎn)設(shè)備，所述生產(chǎn)設(shè)備包括沉積區(qū)(10)，其中排列第一沉積設(shè)備(21)用于在所述箔上沉積材料層，所述生產(chǎn)設(shè)備還包括至少一個(gè)加工設(shè)備(31)用于加工所述沉積的層，所述加工設(shè)備排列在所述沉積區(qū)以外并且包括具有遠(yuǎn)離所述沉積區(qū)、朝向轉(zhuǎn)向設(shè)備(41)的第一方向上的第一路徑(31a)和從所述轉(zhuǎn)向設(shè)備回到所述沉積區(qū)的第二路徑(31b)的加工軌跡，所述生產(chǎn)設(shè)備還包括再導(dǎo)向設(shè)備(51a，51b)用于在所述沉積區(qū)內(nèi)對(duì)所述箔進(jìn)行再導(dǎo)向，其中所述沉積區(qū)(10)是具有出口(Ila)和入口(Ilb)的潔凈室，其中所述第一路徑(31a)導(dǎo)向遠(yuǎn)離所述出口(Ila)的第一方向并且?guī)Щ厮鋈肟?(lib), 其特征在于，在所述沉積區(qū)至少排列第二沉積設(shè)備(22)，所述箔被引導(dǎo)沿著所述第一和所述至少第二沉積設(shè)備通過所述加工設(shè)備。
2.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，第一和第二再導(dǎo)向設(shè)備(51a,51b)對(duì)所述箔進(jìn)行再導(dǎo)向，從而朝向所述至少第二沉積設(shè)備(22)的輸入。
3.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述沉積區(qū)包括第一子區(qū)(1a)和第二子區(qū)(10b)，其中所述第一子區(qū)中排列所述第一和所述至少第二沉積設(shè)備(21，22)并且所述第二子區(qū)中排列至少第一和第二再導(dǎo)向設(shè)備51a，51b，所述第二子區(qū)與所述第一子區(qū)分離。
4.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)設(shè)備，所述生產(chǎn)設(shè)備包括互相一字排列的至少3個(gè)沉積設(shè)備(21、22、23、24)。
5.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，在所述箔(FO)寬度的至多20倍，優(yōu)選至多10倍的距離⑶上互相平行排列所述加工設(shè)備(31)的第一和第二路徑(31a，31b)。
6.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述轉(zhuǎn)向設(shè)備(41)包括用于所述箔的第一和第二引導(dǎo)棒(411，412)，其各自具有與所述第一方向(-X)相傾斜的方向，并且所述第一和第二引導(dǎo)棒互相橫向排列。
7.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述轉(zhuǎn)向設(shè)備(41)和所述加工設(shè)備(31)有共同的外殼(35)。
8.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)設(shè)備，所述生產(chǎn)設(shè)備包括比對(duì)設(shè)備(413;523)，其整合到轉(zhuǎn)向設(shè)備(41)和/或再導(dǎo)向設(shè)備(52)中。
9.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述至少一個(gè)加工設(shè)備(31)的軌跡由外殼(35)封閉，排列在加工室￠0)中，所述加工室的潔凈室等級(jí)比所述潔凈室(10)的等級(jí)高至少10倍。
10.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述第一和/或所述第二沉積設(shè)備(21，22)選自印刷設(shè)備和涂覆設(shè)備。
11.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述至少一個(gè)加工設(shè)備(31)選自干燥設(shè)備、燒結(jié)設(shè)備、退火設(shè)備、固化設(shè)備和融合設(shè)備、消融設(shè)備。
12.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，除了用于在所述箔(FO)上沉積層的沉積單元(213)以外，所述第一和所述第二沉積設(shè)備(21，22)中的一個(gè)或多個(gè)還包括解繞單元(211)、第一清潔/比對(duì)單元(212)、第一比對(duì)單元(212)、后固化單元(214)、檢查單元、第二清潔/比對(duì)單元(215)和繞卷單元(216)中的一種或多種。
13.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，在加工室￠0)中排列所述加工軌跡，并且其中所述潔凈室(10)的面積至多為所述潔凈室(10)和所述加工室￠0)所占總面積的三分之一。
14.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述轉(zhuǎn)向設(shè)備包括空氣浮軸承。
15.用于在箔上生產(chǎn)產(chǎn)品的方法，所述方法包括以下步驟: -用第一沉積步驟在成為潔凈室的沉積區(qū)中在所述箔上沉積(SI)第一層， -在所述沉積區(qū)外沿著遠(yuǎn)離所述沉積區(qū)的第一方向上的第一路徑引導(dǎo)(S2)含有所述第一層的箔并且沿著朝向所述沉積區(qū)的第二路徑轉(zhuǎn)回，同時(shí)沿著所述第一和/或第二路徑對(duì)所述第一層進(jìn)行加工(S3)， 其特征在于 -在轉(zhuǎn)到所述沉積區(qū)后用第二沉積步驟在所述箔上沉積(S4)第二層。
【文檔編號(hào)】C23C14/56GK104203433SQ201380014696
【公開日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2013年2月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月7日
【發(fā)明者】I·G·德弗里斯, H·A·J·M·安德生, A·朗根 申請(qǐng)人:荷蘭應(yīng)用自然科學(xué)研究組織Tno