晶圓背面研磨裝置的真空吸盤(pán)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別涉及一種晶圓背面研磨裝置的真空吸盤(pán)。其包括用于吸附晶圓正面的吸附區(qū)、隔離區(qū)和吹氣區(qū)，由內(nèi)向外依次為吸附區(qū)、隔離區(qū)和吹氣區(qū)，所述吹氣區(qū)設(shè)有斜向外吹氣的吹氣氣孔。使用這種晶圓背面研磨裝置的真空吸盤(pán)，使研磨后的晶面保護(hù)膜表面的潔凈度得到改善，提升了保護(hù)膜撕離成功率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】晶圓背面研磨裝置的真空吸盤(pán)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別涉及一種晶圓背面研磨裝置的真空吸盤(pán)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體封裝組件的薄化趨勢(shì)，封裝組件內(nèi)的晶片亦應(yīng)當(dāng)符合更薄的要求，所以出現(xiàn)了晶圓背面研磨的制程。當(dāng)前，晶圓背面研磨采用的工藝流程是:首先，晶圓正面貼上保護(hù)膜；然后，采用真空吸附的方式將晶圓吸附在研磨裝置的真空吸盤(pán)上，晶圓背面裸露在外等待研磨；接著，研磨頭研磨晶圓形成更薄的晶圓，研磨完畢后吹干晶圓；接下來(lái)，機(jī)械手臂把晶圓從研磨裝置中取出，搬移至保護(hù)膜去除裝置內(nèi)，通常保護(hù)膜去除裝置是通過(guò)撕離膠帶撕離保護(hù)膜的；最后，清洗晶圓并進(jìn)入下一道工序。
[0003]然而，晶圓背面研磨時(shí)由于混有娃粉的污水易滲入晶圓和真空吸盤(pán)之間，導(dǎo)致晶圓吹干之后在保護(hù)膜表面留有一圈硅粉。而撕保護(hù)膜時(shí)由于硅粉的存在，導(dǎo)致撕離膠帶不能很好的與保護(hù)膜粘連，往往撕離膠帶將硅粉粘掉而沒(méi)粘住保護(hù)膜，從而導(dǎo)致撕膜成功率很低。為此，需要人工手動(dòng)撕保護(hù)膜，大大浪費(fèi)了人力，增加了產(chǎn)品發(fā)生異常的幾率。
[0004]因此，需要設(shè)計(jì)一種新的晶圓背面研磨裝置的真空吸盤(pán)，防止研磨污水滲入晶圓和真空吸盤(pán)間的縫隙，從而改善晶圓背面研磨后晶面保護(hù)膜表面的潔凈度，提升撕膜成功率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本實(shí)用新型的目的在于解決晶圓背面研磨后由于硅粉殘留在吸附位置的保護(hù)膜上，不能有效撕離保護(hù)膜的問(wèn)題。
[0006]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種晶圓背面研磨裝置的真空吸盤(pán)，這種新的晶圓背面研磨裝置的真空吸盤(pán)，包括用于吸附晶圓正面的吸附區(qū)、隔離區(qū)和吹氣區(qū)，由內(nèi)向外依次為吸附區(qū)、隔離區(qū)和吹氣區(qū)，所述吹氣區(qū)設(shè)有斜向外吹氣的吹氣氣孔。
[0007]可選的，所述吹氣區(qū)為環(huán)形。
[0008]可選的，所述晶圓的邊緣位于所述吸氣區(qū)內(nèi)，所述吹氣氣孔斜向外吹出的氣體在晶圓正面產(chǎn)生正壓。
[0009]可選的，所述吹氣氣孔斜向外吹氣的方向與晶圓正面的夾角為10?60度。
[0010]可選的，所述吹氣氣孔以所述真空吸盤(pán)的中心為圓心排列成圓形。
[0011]可選的，所述吹氣氣孔均勻排列，且相鄰的吹氣氣孔的中心間隔為1.5?2.5mm。
[0012]可選的，所述吸附區(qū)設(shè)有吸氣氣孔，所述吹氣氣孔以所述真空吸盤(pán)的中心為圓心排列成圓形。
[0013]可選的，所述吸氣氣孔均勻排列，且相鄰的吸氣氣孔的中心間隔為1.5?2.5mm。
[0014]可選的,所述吹氣氣孔的吹氣壓力值為9?11千帕,所述吸氣氣孔的吸氣壓力值為82.8?97.2千帕。[0015]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型提供的晶圓背面研磨裝置的真空吸盤(pán)增設(shè)了吹氣區(qū)和隔離區(qū)，所述吹氣區(qū)在研磨時(shí)可以不斷斜向外吹出氣體，使研磨時(shí)混有硅粉的污水無(wú)法滲入到晶圓與真空吸盤(pán)之間，防止污水滲入污染晶圓上的保護(hù)膜，并且，增設(shè)的隔離區(qū)防止吸附區(qū)和吹氣區(qū)兩區(qū)域相互影響，盡可能減小了對(duì)晶圓吸附功能的影響。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例的晶圓背面研磨裝置的真空吸盤(pán)的俯視示意圖；
[0017]圖2是圖1中沿A-A’的縱向剖面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]以下結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】。
[0019]如圖1和圖2所示，本實(shí)用新型提供一種晶圓背面研磨裝置的真空吸盤(pán)100，包括用于吸附晶圓70正面的吸附區(qū)10、隔離區(qū)20和吹氣區(qū)30，由內(nèi)向外依次為吸附區(qū)10、隔離區(qū)20和吹氣區(qū)30，所述吹氣區(qū)30設(shè)有斜向外吹氣的吹氣氣孔31。本實(shí)用新型在原來(lái)真空吸盤(pán)的基礎(chǔ)上增設(shè)了吹氣區(qū)30和隔離區(qū)20，所述吹氣區(qū)30在研磨時(shí)可以不斷斜向外吹出氣體，使研磨時(shí)混有硅粉的污水無(wú)法滲入到晶圓70與真空吸盤(pán)之間，防止污水滲入污染晶圓70上的保護(hù)膜，并且，增設(shè)的隔離區(qū)20防止吸附區(qū)10和吹氣區(qū)30兩區(qū)域相互影響，盡可能減小了對(duì)晶圓吸附功能的影響。
[0020]進(jìn)一步的，所述吹氣區(qū)30為環(huán)形，設(shè)有多個(gè)斜向外吹氣的吹氣氣孔31，所述吹氣氣孔31斜向外吹氣的方向與晶圓正面的夾角為10?60度，所述吹氣氣孔31以所述真空吸盤(pán)100的中心為圓心排列成圓形,均勻排列,相鄰的吹氣氣孔的中心間隔為1.5?2.5mm,以確保吹出的氣體均勻，吹氣效果最佳。所述晶圓70的邊緣位于所述吹氣區(qū)30內(nèi)。當(dāng)然，所述吹氣區(qū)30的氣孔大小、形狀和分布不做限定，只要能滿足吹氣功能同時(shí)保證不會(huì)引起工程不良即可。
[0021]進(jìn)一步的，所述吸附區(qū)10為圓形，設(shè)有多個(gè)抽氣氣孔11，所述抽氣氣孔11與吸附區(qū)10表面垂直，所述抽氣氣孔11以所述真空吸盤(pán)100的中心為圓心排列成圓形并均勻排列，以確保牢牢的吸附晶圓70。本實(shí)施例中，相鄰的抽氣氣孔11的中心間隔為1.5?
2.5mm，吸附效果最佳。可以理解的是，所述吸附區(qū)10的抽氣氣孔11大小、形狀和分布不做限定，只要能滿足吸氣功能同時(shí)保證不會(huì)引起工程不良即可。
[0022]此外，所述吸附區(qū)10和吹氣區(qū)30的下部為對(duì)應(yīng)的密封腔體，通過(guò)連接氣管，進(jìn)行抽氣和吹氣動(dòng)作達(dá)到吸附和吹氣功能，抽氣壓力和吹氣壓力根據(jù)晶圓大小研磨速度等調(diào)整。于本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例中，所述吹氣氣孔31的吹氣壓力值為9?11千帕，所述抽氣氣孔的抽氣壓力值為82.8?97.2千帕。所述吹氣區(qū)30吹氣壓力相對(duì)于抽氣區(qū)10抽氣壓力很低，確保了晶圓70 —直被牢牢吸附在真空吸盤(pán)100上而不產(chǎn)生翹起或形變，同時(shí)又能滿足風(fēng)斜向外吹，吹出去的氣體還可防止污水滲入污染晶圓上的保護(hù)膜，改善晶背研磨后晶面保護(hù)膜表面的潔凈度，提升撕膜成功率。
[0023]本實(shí)用新型的晶圓背面研磨裝置的真空吸盤(pán)100可適用于不同尺寸的晶圓，例如，8英寸或12英寸，并且，對(duì)三個(gè)功能區(qū)大小不作限定，可根據(jù)具體的晶圓尺寸來(lái)適應(yīng)性選擇合適的吸附區(qū)10、隔離區(qū)20和吹氣區(qū)30大小。[0024]綜上所述，使用本實(shí)用新型的晶圓背面研磨裝置的真空吸盤(pán)，在晶圓背面研磨時(shí)可以使研磨時(shí)混有硅粉的污水無(wú)法滲入到晶圓與真空吸盤(pán)之間，改善晶背研磨后晶面保護(hù)膜表面的潔凈度，從而使撕膜時(shí)撕離膠帶與保護(hù)膜充分的接觸粘和，降低生產(chǎn)成本和工程師的負(fù)擔(dān)，提升生廣效率。
[0025]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種晶圓背面研磨裝置的真空吸盤(pán)，其特征在于，所述真空吸盤(pán)包括用于吸附晶圓正面的吸附區(qū)、隔離區(qū)和吹氣區(qū)，由內(nèi)向外依次為吸附區(qū)、隔離區(qū)和吹氣區(qū)，所述吹氣區(qū)設(shè)有斜向外吹氣的吹氣氣孔。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓背面研磨裝置的真空吸盤(pán)，其特征在于，所述吹氣區(qū)為環(huán)形。
3.如權(quán)利要求2所述的晶圓背面研磨裝置的真空吸盤(pán)，其特征在于，所述晶圓的邊緣位于所述吹氣區(qū)內(nèi)，所述吹氣氣孔斜向外吹出的氣體在晶圓正面產(chǎn)生正壓。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓背面研磨裝置的真空吸盤(pán)，其特征在于，所述吹氣氣孔斜向外吹氣的方向與晶圓正面的夾角為10?60度。
5.如權(quán)利要求1所述的晶圓背面研磨裝置的真空吸盤(pán)，其特征在于，所述吹氣氣孔以所述真空吸盤(pán)的中心為圓心排列成圓形。
6.如權(quán)利要求5所述的晶圓背面研磨裝置的真空吸盤(pán)，其特征在于，所述吹氣氣孔均勻排列，且相鄰的吹氣氣孔的間隔為1.5?2.5mm。
7.如權(quán)利要求1所述的晶圓背面研磨裝置的真空吸盤(pán)，其特征在于，所述吸附區(qū)設(shè)有抽氣氣孔，所述抽氣氣孔以所述真空吸盤(pán)的中心為圓心排列成圓形。
8.如權(quán)利要求7所述的晶圓背面研磨裝置的真空吸盤(pán)，其特征在于，所述抽氣氣孔均勻排列，且相鄰的抽氣氣孔的間隔為1.5?2.5mm。
9.如權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的晶圓背面研磨裝置的真空吸盤(pán)，其特征在于，所述吹氣氣孔的吹氣壓力值為9?11千帕，所述吸氣氣孔的吸氣壓力值為82.8?97.2千帕。
【文檔編號(hào)】B24B55/06GK203542342SQ201320717932
【公開(kāi)日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2013年11月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月14日
【發(fā)明者】胡曉宇 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司