專利名稱：晶圓背面研磨方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制程，特別是涉及一種晶圓背面研磨方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體封裝組件的薄型化趨勢(shì)，封裝組件內(nèi)的半導(dǎo)體晶片也需要符 合更薄的厚度，因此，在晶圓上集成電路制作制程之后和晶圓切割制程之前， 還包括有晶圓背面研磨制程，以使得晶圓上多個(gè)晶片能一次完成薄化處理。
現(xiàn)有技術(shù)的晶圓背面研磨制程中，如申請(qǐng)?zhí)枮?3150009.9的中國(guó)專利申請(qǐng) 所述，在晶圓背面研磨前需要在晶圓的形成有集成電路的正面貼附保護(hù)膠帶， 以保護(hù)正面不會(huì)被磨損，在晶圓背面研磨完成后再去除保護(hù)膠帶。 一種晶圓 背面研磨方法具體如圖l所示，包括下述步驟
步驟Sll，提供晶圓，所迷晶圓具有形成有集成電路的正面和對(duì)應(yīng)于所述 正面的背面。
步驟S12，在所述晶圓的正面貼附一層保護(hù)膠帶。
步驟S13,計(jì)算研磨厚度。
步驟S14,將所述晶圓裝載于研磨裝置，使所述晶圓的背面顯露。 步驟S15,根據(jù)計(jì)算所得的研磨厚度，控制研磨裝置研磨所述晶圓的背面。 上述晶圓背面研磨方法中，所需計(jì)算的研磨厚度是保護(hù)膠帶厚度與預(yù)定 的晶圓厚度之和，預(yù)定的晶圓厚度是指晶圓最終需要薄化到的厚度。通常， 研磨裝置受其性能限制都具有最小研磨厚度限制，最小研磨厚度限制是指研 磨裝置能使貼附有保護(hù)膠帶的晶圓薄化到的最小厚度。若計(jì)算所得的研磨厚 度不小于研磨裝置的最小研磨厚度限制，則可以控制研磨裝置研磨所述晶圓 的背面直至達(dá)到計(jì)算的研磨厚度，因此，去除保護(hù)膠帶的晶圓厚度即能達(dá)到
最終需要薄化到的厚度。但是，若計(jì)算所得的研磨厚度小于研磨裝置的最小 研磨厚度限制，則使用該研磨裝置將所述晶圓研磨得更薄會(huì)很容易造成晶圓 的破損，因?yàn)檠心パb置的穩(wěn)定性降低了。
舉例來(lái)說(shuō)，研磨裝置的最小研磨厚度限制是400微米(pm),保護(hù)膠帶的 厚度是130pm，晶圓最終需要薄化到的厚度是ll密爾(mil， lmil-25.4pm), 計(jì)算所得的研磨厚度約為410(im (130pm+ll*25.4nm)，大于該研磨裝置的最 小研磨厚度限制即40(Vm,因此使用該研磨裝置可以將晶圓研磨至llmil。但 是，如果需要將晶圓研磨至8mil，計(jì)算所得的研磨厚度約為333pm (130pm+8*25.4nm),其小于該研磨裝置的最小研磨厚度限制即400pm,因 此，在這種情況下，就需要更換性能更好的研磨裝置，例如最小研磨厚度限 制是300pm的研磨裝置，因?yàn)樵瓉?lái)的研磨裝置只能確保將晶圓研磨至llmil， 如果繼續(xù)將晶圓研磨得更薄(例如8mil)，研磨裝置的穩(wěn)定性降低，勢(shì)必會(huì)增 加晶圓的破損率(broken rate),而更換性能更好的研磨裝置就意味著增加更 高的研磨制程成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是，提供一種晶圓背面研磨方法，其可以使研磨裝置 將晶圓研磨得更薄，同時(shí)卻不會(huì)增加晶圓的破損率。
為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種晶圓背面研磨方法，包括下述步驟 提供晶圓，所述晶圓具有形成有集成電路的正面和對(duì)應(yīng)于所述正面的背
面；
貼附保護(hù)膠帶于所述晶圓的正面，所述保護(hù)膠帶的厚度大于等于研磨裝 置的最小研磨厚度限制與預(yù)定的晶圓厚度之差；
計(jì)算研磨厚度，所述的研磨厚度是貼附于晶圓正面的保護(hù)膠帶的厚度與 預(yù)定的晶圓厚度之和；
將所述晶圓裝載于研磨裝置，使所述晶圓的背面顯露；
根據(jù)計(jì)算所得的研磨厚度，研磨所述晶圓的背面。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，所述貼附保護(hù)膠帶于所述晶圓的正面是貼附 二層保護(hù)膠帶于所述晶圓的正面。其中，所述研磨裝置的最小研磨厚度限制
是400微米，所述預(yù)定的晶圓厚度是6至10密爾，所述保護(hù)膠帶的各層厚度 是130至160微米。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式，所述貼附保護(hù)膠帶于所述晶圓的正面是貼 附一層保護(hù)膠帶于所述晶圓的正面。其中，所述研磨裝置的最小研磨厚度限 制是400微米，所述預(yù)定的晶圓厚度是6至IO密爾，所述保護(hù)膠帶的一層厚 度是280微米。
在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式，所述貼附保護(hù)膠帶于所述晶圓的正面是貼 附三層保護(hù)膠帶于所述晶圓的正面。其中，所述研磨裝置的最小研磨厚度限 制是400微米，所述預(yù)定的晶圓厚度是6至IO密爾，所述保護(hù)膠帶的各層厚 度是90微米。
可選的，所述研磨裝置研磨晶圓的背面包括粗研磨和細(xì)研磨。 可選的，所述晶圓背面研磨方法還包括在研磨裝置研磨所述晶圓的背面 的步驟后，將所述晶圓從研磨裝置取出，和去除所述晶圓正面的保護(hù)膠帶。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案增加了貼附于晶圓正面的保護(hù)膠帶的厚 度，由于研磨裝置在研磨晶圓時(shí)所能達(dá)到的研磨厚度是晶圓的厚度和貼附于 晶圓正面的保護(hù)膠帶的厚度之和，因此，在研磨裝置具有最小研磨厚度限制 的情況下，貼附于晶圓正面的保護(hù)膠帶的厚度越厚，研磨裝置能將晶圓研磨 得更薄，同時(shí)卻不會(huì)增加晶圓的破損率。


圖l是現(xiàn)有技術(shù)中晶圓背面研磨方法的流程圖2是本發(fā)明第 一 實(shí)施例的晶圓背面研磨方法的流程圖3A至3F是本發(fā)明第 一實(shí)施例的晶圓背面研磨方法的示意圖4是本發(fā)明第二實(shí)施例的晶圓背面研磨方法的流程圖； 圖5是本發(fā)明第三實(shí)施例的晶圓背面研磨方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明實(shí)施例是通過(guò)增加保護(hù)膠帶的層數(shù)或厚度來(lái)增加貼附于晶圓正面 的保護(hù)膠帶的厚度，由于研磨裝置在研磨晶圓時(shí)所能達(dá)到的研磨厚度是晶圓 的厚度和貼附于晶圓正面的保護(hù)膠帶的厚度之和，因此，在研磨厚度不變的 情況下，貼附于晶圓正面的保護(hù)膠帶的厚度越厚，晶圓的厚度就越薄。
本發(fā)明晶圓背面研磨方法包括下述步驟
提供晶圓。所述晶圓具有正面和對(duì)應(yīng)于所述正面的背面，正面上已完成 集成電路的制作，如微處理器、微控制器、存儲(chǔ)器或特殊應(yīng)用的集成電路。 晶圓的尺寸可為4英寸(in)、 5in、 6in、 8in或12in,較佳地，晶圓為8in或 12in。
貼附保護(hù)膠帶于所述晶圓的正面，所述保護(hù)膠帶的厚度大于等于研磨裝 置的最小研磨厚度限制與預(yù)定的晶圓厚度之差。所述的保護(hù)膠帶具有耐磨性 好，易剝離的優(yōu)點(diǎn)，可用于保護(hù)晶圓正面上已形成的集成電路不被損壞。預(yù) 定的晶圓厚度是指晶圓最終需要薄化到的厚度。通常來(lái)說(shuō)，如果所述預(yù)定的 晶圓厚度小于所述研磨裝置研磨貼附有一層保護(hù)膠帶的晶圓所能達(dá)到的晶圓 厚度，則需要增加保護(hù)膠帶的層數(shù)，或更換更厚的保護(hù)膠帶。其中，所述研 磨裝置研磨貼附有一層保護(hù)膠帶的晶圓所能達(dá)到的晶圓厚度是根據(jù)研磨裝置 的最小研磨厚度限制和一層保護(hù)膠帶的厚度確定的。
計(jì)算研磨厚度。所述的研磨厚度是貼附于晶圓正面的保護(hù)膠帶的厚度與 預(yù)定的晶圓厚度之和。
將所述晶圓裝載于研磨裝置，使所述晶圓的背面顯露。裝載晶圓于研磨 裝置的方式可以是使用真空吸附或靜電吸附等吸附固定方式將晶圓裝載于晶 圓背面研磨裝置的研磨盤(pán)上，此時(shí)，晶圓的正面朝向研磨裝置的研磨盤(pán)，晶
圓的背面顯露，而晶圓的正面由于貼附有保護(hù)膠帶，因此不會(huì)被研磨裝置的 研磨盤(pán)磨損到，即保護(hù)膠帶可以對(duì)正面的集成電路起到保護(hù)作用。另外，計(jì) 算研磨厚度的步驟也可以在本步驟(裝載晶圓的步驟)后進(jìn)行。
根據(jù)計(jì)算所得的研磨厚度，研磨所述晶圓的背面。使用研磨裝置的研磨 頭研磨晶圓的背面，以形成更薄的研磨后的背面。研磨過(guò)程分為粗研磨(快 速研磨)和細(xì)研磨(慢速研磨)，粗研磨去除大量厚度后再進(jìn)行細(xì)研磨。粗研 磨和細(xì)研磨分別有一個(gè)厚度傳感器，用于測(cè)量裝載在研磨盤(pán)上的晶圓厚度， 當(dāng)測(cè)量的晶圓厚度達(dá)到計(jì)算所得的研磨厚度時(shí)，研磨裝置的研磨頭就停止研 磨晶圓的背面。因此，根據(jù)計(jì)算所得的研磨厚度可以控制晶圓背面研磨的程 度和時(shí)間，即可以將貼附有保護(hù)膠帶的晶圓準(zhǔn)確研磨至最終需要達(dá)到的厚度， 即計(jì)算所得的研磨厚度。
將晶圓從研磨裝置取出。先釋放研磨盤(pán)對(duì)晶圓的吸附力，使得已完成研 磨的晶圓可脫離研磨盤(pán)，再使用吸附裝置接觸晶圓研磨后的背面并將晶圓卸 下。然后，將取出的晶圓搬移至膠帶去除載臺(tái)，以去除晶圓正面的保護(hù)膠帶。 去除保護(hù)膠帶后的晶圓厚度就是晶圓最終需要薄化到的厚度。
下面結(jié)合附圖和較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明晶圓背面研磨方法的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。 第一實(shí)施例
本實(shí)施例中，所述研磨裝置的最小研磨厚度限制是400)mi,所述保護(hù)膠 帶的 一層厚度是130pm至160pm。以130nm為例，如果在晶圓正面貼附一層 保護(hù)膠帶，那么研磨裝置研磨所能達(dá)到的晶圓厚度是1 lmil( 130pm+l 1 *25.4pm =410pm〉400pm, 130nm+10*25.4nm = 384nm<400nm,),也就是說(shuō)，在晶 圓正面貼附一層保護(hù)膠帶時(shí)，所述的研磨裝置能將晶圓研磨達(dá)到的最薄厚度 是llmil。如果在晶圓正面貼附二層保護(hù)膠帶，那么研磨裝置研磨所能達(dá)到的 晶圓厚度是6mil ( 130nm*2+6*25.4pm = 412pm > 400pm, 130nm*2+5*25.4nm
=387|nm<400|im),也就是說(shuō)，在晶圓正面貼附二層保護(hù)膠帶時(shí)，所述的研 磨裝置能將晶圓研磨達(dá)到的最薄厚度是6mil。從上述的計(jì)算可知，將保護(hù)膠 帶的層數(shù)從一層增加至二層，就可以使用原來(lái)的研磨裝置將晶圓研磨至原來(lái) 所不能達(dá)到的晶圓厚度，例如6至10mil。因此，增加貼附于晶圓正面的保護(hù) 膠帶的層數(shù)，就可以減小研磨裝置能將晶圓研磨達(dá)到的最薄厚度。
本實(shí)施例中，使用上述最小研磨厚度限制是400nm的研磨裝置將晶圓研 磨至8mil的步驟如圖2和圖3A至3F所示。
步驟S21,如圖3A所示，提供晶圓30,所述晶圓30具有形成有集成電 路的正面301和對(duì)應(yīng)于所述正面的背面302,晶圓的尺寸為8in。
步驟S22,如圖3B所示，貼附二層保護(hù)膠帶31于所述晶圓的正面，其 中，保護(hù)膠帶31的一層厚度H1為130nm,即保護(hù)膠帶的總厚度為130*2 = 260pm,大于研磨裝置的最小研磨厚度限制與預(yù)定的晶圓厚度之差，即400[im -25.4*8,= 196.8,。
步驟S23，計(jì)算研磨厚度，如圖3B所示，所述的研磨厚度是貼附于晶圓 正面的保護(hù)膠帶31的厚度與預(yù)定的晶圓厚度之和，即130pm*2+8*25.4^im = 463,。
步驟S24,如圖3C所示，以真空吸附方式將所述貼附有二層保護(hù)膠帶31 的晶圓30裝載于研磨裝置，晶圓的正面朝向研磨裝置的研磨盤(pán)33,晶圓的背 面302顯露。
步驟S25,根據(jù)計(jì)算所得的研磨厚度即463pm,控制研磨裝置研磨所述晶 圓的背面302,如圖3C中的箭頭方向所示。研磨晶圓的背面分為粗研磨和細(xì) 研磨，粗研磨去除大量厚度，可以設(shè)定粗研磨的研磨厚度為450至46(Vrn， 本實(shí)施例中，設(shè)定粗研磨的研磨厚度是450pm,因此，粗研磨的厚度傳感器 在研磨頭研磨晶圓背面的同時(shí)測(cè)量貼附有保護(hù)膠帶31的晶圓30的厚度，當(dāng) 測(cè)得的厚度達(dá)到450pm時(shí)，結(jié)束粗研磨，繼續(xù)細(xì)研磨。細(xì)研磨的厚度傳感器
在研磨頭研磨晶圓背面的同時(shí)測(cè)量貼附有保護(hù)膠帶31的晶圓30的厚度，如
圖3D所示，當(dāng)測(cè)得的厚度H達(dá)到463pm時(shí)，結(jié)束細(xì)研磨，研磨裝置的研磨 頭就停止研磨晶圓的背面。
步驟S26,釋放研磨盤(pán)33對(duì)晶圓30的吸附力，將晶圓30從研磨裝置取 出，如圖3E所示。
步驟S27,將取出的晶圓30搬移至膠帶去除栽臺(tái)(未圖示)，去除晶圓正 面301的保護(hù)膠帶31。如圖3F所示，去除保護(hù)膠帶后的晶圓厚度H2就是晶 圓最終需要薄化到的厚度，即8mil。 第二實(shí)施例
本實(shí)施例與第 一 實(shí)施例的區(qū)別在于第 一實(shí)施例是不改變保護(hù)膠帶的厚 度而增加保護(hù)膠帶的層數(shù)來(lái)增加貼附于晶圓正面的保護(hù)膠帶的厚度，本實(shí)施 例是不改變保護(hù)膠帶的層數(shù)而是選擇更厚的保護(hù)膠帶來(lái)增加貼附于晶圓正面 的保護(hù)膠帶的厚度。
本實(shí)施例中，使用上述最小研磨厚度限制是400nm的研磨裝置將晶圓研 磨至8mil的步驟如圖4所示。
步驟S41,提供晶圓，所述晶圓具有形成有集成電路的正面和對(duì)應(yīng)于所述 正面的背面，晶圓的尺寸為8in。
步驟S42,貼附一層保護(hù)膠帶于所述晶圓的正面，其中，保護(hù)膠帶的厚度 為280nm,大于研磨裝置的最小研磨厚度限制與預(yù)定的晶圓厚度之差，即 400pm - 25.4*— = 196.8,
步驟S43,計(jì)算研磨厚度，所述的研磨厚度是貼附于晶圓正面的保護(hù)膠帶 厚度與預(yù)定的晶圓厚度之和，即280^im+8*25.4pm = 483^im。
步驟S44,以真空吸附方式將所述貼附有一層保護(hù)膠帶的晶圓裝載于研磨 裝置，晶圓的正面朝向研磨裝置的研磨盤(pán)，晶圓的背面顯露。
步驟S45,根據(jù)計(jì)算所得的研磨厚度即483nm,控制研磨裝置研磨所述晶
圓的背面。本實(shí)施例中，設(shè)定粗研磨的研磨厚度是47(Hrni，因此，粗研磨的厚度傳感器在研磨頭研磨晶圓背面的同時(shí)測(cè)量貼附有保護(hù)膠帶的晶圓的厚
度，當(dāng)測(cè)得的厚度達(dá)到47(Him時(shí)，結(jié)束粗研磨，繼續(xù)細(xì)研磨。細(xì)研磨的厚度 傳感器在研磨頭研磨晶圓背面的同時(shí)測(cè)量貼附有保護(hù)膠帶的晶圓的厚度，當(dāng) 測(cè)得的厚度達(dá)到483pm時(shí)，結(jié)束細(xì)研磨，研磨裝置的研磨頭就停止研磨晶圓 的背面。
步驟S46,釋放研磨盤(pán)對(duì)晶圓的吸附力，將晶圓從研磨裝置取出。
步驟S47,將取出的晶圓搬移至膠帶去除載臺(tái)，去除晶圓正面的保護(hù)膠帶。
去除保護(hù)膠帶后的晶圓厚度就是晶圓最終需要薄化到的厚度，即8mil。
第三實(shí)施例
本實(shí)施例與第 一 實(shí)施例的區(qū)別在于第 一實(shí)施例是不改變保護(hù)膠帶的厚 度而增加保護(hù)膠帶的層數(shù)來(lái)增加貼附于晶圓正面的保護(hù)膠帶的厚度，本實(shí)施
例是減小保護(hù)膠帶厚度并增加保護(hù)膠帶的層數(shù)來(lái)增加貼附于晶圓正面的保護(hù) 膠帶的厚度。
本實(shí)施例中，使用上述最小研磨厚度限制是40(Him的研磨裝置將晶圓研 磨至8mil的步驟如圖5所示。
步驟S51,提供晶圓，所述晶圓具有形成有集成電路的正面和對(duì)應(yīng)于所述 正面的背面，晶圓的尺寸為8in。
步驟S52,貼附三層保護(hù)膠帶于所述晶圓的正面，其中，保護(hù)膠帶的一層 厚度為90pm。保護(hù)膠帶的總厚度為90*3 = 27(^m,大于研磨裝置的最小研磨 厚度限制與預(yù)定的晶圓厚度之差，即400pm-25.4*8pm = 196.8pm。
步驟S53,計(jì)算研磨厚度，所述的研磨厚度是貼附于晶圓正面的保護(hù)膠帶 厚度與預(yù)定的晶圓厚度之和，即90nm*3+8*25.4pm = 473pm。
步驟S54，以真空吸附方式將所述貼附有三層保護(hù)膠帶的晶圓裝載于研磨 裝置，晶圓的正面朝向研磨裝置的研磨盤(pán)，晶圓的背面顯露。
步驟S55，根據(jù)計(jì)算所得的研磨厚度即473[im,控制研磨裝置研磨所述晶 圓的背面。本實(shí)施例中，設(shè)定粗研磨的研磨厚度是460pm，因此，粗研磨的 厚度傳感器在研磨頭研磨晶圓背面的同時(shí)測(cè)量貼附有保護(hù)膠帶的晶圓的厚 度，當(dāng)測(cè)得的厚度達(dá)到460pm時(shí)，結(jié)束粗研磨，繼續(xù)細(xì)研磨。細(xì)研磨的厚度 傳感器在研磨頭研磨晶圓背面的同時(shí)測(cè)量貼附有保護(hù)膠帶的晶圓的厚度，當(dāng) 測(cè)得的厚度達(dá)到473pm時(shí)，結(jié)束細(xì)研磨，研磨裝置的研磨頭就停止研磨晶圓 的背面。
步驟S56,釋放研磨盤(pán)對(duì)晶圓的吸附力，將晶圓從研磨裝置取出。
步驟S57,將取出的晶圓搬移至膠帶去除載臺(tái)，去除晶圓正面的保護(hù)膠帶。 去除保護(hù)膠帶后的晶圓厚度就是晶圓最終需要薄化到的厚度，即8mil。
綜上所述，上述技術(shù)方案增加了貼附于晶圓正面的保護(hù)膠帶的厚度，由 于研磨裝置在研磨晶圓時(shí)所能達(dá)到的研磨厚度是晶圓的厚度和貼附于晶圓正 面的保護(hù)膠帶的厚度之和，因此，在研磨裝置具有最小研磨厚度限制的情況 下，貼附于晶圓正面的保護(hù)膠帶的厚度越厚，研磨裝置能將晶圓研磨得更薄， 同時(shí)卻不會(huì)增加晶圓的破損率。
另外，增加貼附于晶圓正面的保護(hù)膠帶的厚度，例如，增加保護(hù)膠帶的 層數(shù)或保護(hù)膠帶的厚度，可以減小研磨裝置能將晶圓研磨達(dá)到的最薄厚度， 實(shí)際上也是提高了研磨裝置的性能，節(jié)約了研磨制程的成本。
本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何 本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)和 修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種晶圓背面研磨方法，其特征在于，包括下述步驟提供晶圓，所述晶圓具有形成有集成電路的正面和對(duì)應(yīng)于所述正面的背面；貼附保護(hù)膠帶于所述晶圓的正面，所述保護(hù)膠帶的厚度大于等于研磨裝置的最小研磨厚度限制與預(yù)定的晶圓厚度之差；計(jì)算研磨厚度，所述研磨厚度是貼附于晶圓正面的保護(hù)膠帶的厚度與預(yù)定的晶圓厚度之和；將所述晶圓裝載于研磨裝置，使所述晶圓的背面顯露；根據(jù)計(jì)算所得的研磨厚度，研磨所述晶圓的背面。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓背面研磨方法，其特征在于，所述貼附保護(hù) 膠帶于所述晶圓的正面是貼附二層保護(hù)膠帶于所述晶圓的正面。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓背面研磨方法，其特征在于，所述研磨裝置 的最小研磨厚度限制是400微米，所述保護(hù)膠帶的各層厚度是130至160微 米，所述預(yù)定的晶圓厚度是6至10密爾。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓背面研磨方法，其特征在于，所述貼附保護(hù) 膠帶于所述晶圓的正面是貼附一層保護(hù)膠帶于所述晶圓的正面。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓背面研磨方法，其特征在于，所述研磨裝置 的最小研磨厚度限制是400微米，所述保護(hù)膠帶的一層厚度是280微米，所 述預(yù)定的晶圓厚度是6至IO密爾。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓背面研磨方法，其特征在于，所述貼附保護(hù) 膠帶于所述晶圓的正面是貼附三層保護(hù)膠帶于所述晶圓的正面。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓背面研磨方法，其特征在于，所述研磨裝置 的最小研磨厚度限制是400微米，所述保護(hù)膠帶的各層厚度是90微米，所述 預(yù)定的晶圓厚度是6至IO密爾。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓背面研磨方法，其特征在于，所述研磨裝置 研磨晶圓的背面包括粗研磨和細(xì)研磨。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓背面研磨方法，其特征在于，還包括在研磨 裝置研磨所述晶圓的背面的步驟后，將所述晶圓從研磨裝置取出。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶圓背面研磨方法，其特征在于，還包括在將所 述晶圓從研磨裝置取出的步驟后，去除所述晶圓正面的保護(hù)膠帶。
全文摘要
一種晶圓背面研磨方法，包括提供晶圓，所述晶圓具有形成有集成電路的正面和對(duì)應(yīng)于所述正面的背面；貼附保護(hù)膠帶于所述晶圓的正面，所述保護(hù)膠帶的厚度大于等于研磨裝置的最小研磨厚度限制與預(yù)定的晶圓厚度之差；計(jì)算研磨厚度，所述的研磨厚度是貼附于晶圓正面的保護(hù)膠帶的厚度與預(yù)定的晶圓厚度之和；將所述晶圓裝載于研磨裝置，使所述晶圓的背面顯露；根據(jù)計(jì)算所得的研磨厚度，研磨所述晶圓的背面。本發(fā)明晶圓背面研磨方法可以使研磨裝置將晶圓研磨得更薄，同時(shí)卻不會(huì)增加晶圓的破損率。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101367192SQ20071004503
公開(kāi)日2009年2月18日 申請(qǐng)日期2007年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月17日
發(fā)明者俊 傅, 許順富, 賴海長(zhǎng), 陸志卿 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司