專利名稱：：半導(dǎo)體膜的制造方法和光敏元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體膜的制造方法和光敏元件的制造方法，特別涉及具有利用催化線(觸媒線)分解材料氣體而形成半導(dǎo)體膜的工序的半導(dǎo)體膜的制造方法和光敏元件的制造方法。
背景技術(shù)：
：現(xiàn)有技術(shù)中，已知具有利用催化線分解材料氣體而形成半導(dǎo)體膜的工序的半導(dǎo)體膜的制造方法。這樣的半導(dǎo)體膜的制造方法例如公開在日本專利第3453214號(hào)公報(bào)中。上述專利第3453214號(hào)公報(bào)中，通過對(duì)催化體(催化線)供給電力，在被加熱到材料氣體的熱分解溫度以上的催化體上導(dǎo)入硅烷(SiH4)等硅化合物的氣體(材料氣體)和氫(H2)等其他物質(zhì)的氣體的混合氣體，從而在硅化合物被分解的同時(shí)，在基板的表面上形成硅膜(半導(dǎo)體膜)。但是，在上述專利第3453214號(hào)公報(bào)中，并未公開在形成硅膜(半導(dǎo)體膜)時(shí)，開始向催化體(催化線)供給電力(開始加熱)的定時(shí)和導(dǎo)入材料氣體的定時(shí)。此外，一般地，開始加熱的定時(shí)和導(dǎo)入材料氣體的定時(shí)是同時(shí)的。在這樣的情況下，因?yàn)閺膶?dǎo)入材料氣體到材料氣體的氣氛的壓力穩(wěn)定為止需要一定的時(shí)間，所以在半導(dǎo)體膜的形成初期，在材料氣體的氣氛的壓力不穩(wěn)定的狀態(tài)下形成半導(dǎo)體膜。在這樣的情況下，在材料氣體的氣氛的壓力不穩(wěn)定的狀態(tài)下形成的半導(dǎo)體膜存在膜質(zhì)不穩(wěn)定的問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是為了解決上述問題而提出的，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供能夠抑制半導(dǎo)體膜的膜質(zhì)不穩(wěn)定的半導(dǎo)體膜的制造方法和光敏元件的制造方法。本發(fā)明的第一方面的半導(dǎo)體膜的制造方法包括導(dǎo)入半導(dǎo)體的材料氣體的工序；將材料氣體的氣氛壓力調(diào)壓至規(guī)定的壓力的工序；在氣氛壓力被調(diào)壓至規(guī)定的壓力之后，將催化線加熱至規(guī)定的溫度以上的工序；和利用已加熱的催化線分解材料氣體，形成半導(dǎo)體膜的工序。本發(fā)明的第二方面的光敏元件的制造方法包括導(dǎo)入半導(dǎo)體的材料氣體的工序；將材料氣體的氣氛壓力調(diào)壓至規(guī)定的壓力的工序；在氣氛壓力被調(diào)壓至規(guī)定的壓力之后，將催化線加熱至規(guī)定的溫度以上的工序；和利用加熱的催化線分解材料氣體，形成作為光電變換層起作用的半導(dǎo)體膜的工序。圖1是在本發(fā)明中使用的催化線CVD裝置的概略圖。圖2是表示依據(jù)本發(fā)明制造的薄膜類的光敏元件的截面圖。圖3是表示依據(jù)本發(fā)明制造的異質(zhì)結(jié)型的光敏元件的截面圖。具體實(shí)施例方式以下，根據(jù)附圖對(duì)本發(fā)明的具體的實(shí)施方式進(jìn)行說明。(第一實(shí)施方式)首先，參照?qǐng)D1，說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜的制造中使用的催化線CVD裝置的結(jié)構(gòu)。如圖1所示，催化線CVD裝置包括反應(yīng)室1、用于向反應(yīng)室l內(nèi)供給材料氣體和調(diào)壓氣體的氣體供給部2、與直流電源3連接的催化線4、排氣閥5、用于設(shè)置形成半導(dǎo)體膜10的基底20的設(shè)置部6、和用于加熱設(shè)置在設(shè)置部6上的基底20的加熱器7。催化線4由鎢(W)構(gòu)成。此外，催化線4采用通過直流電源3通電而被加熱的結(jié)構(gòu)。此外，反應(yīng)室1內(nèi)的氣體能夠通過真空泵(未圖示)排氣，采用通過排氣閥5開關(guān)排氣通路的結(jié)構(gòu)。接著，參照?qǐng)D1，說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜的制造方法。并且，在第一實(shí)施方式中，以在基底20上形成作為半導(dǎo)體膜10的氫化的非晶硅膜為例進(jìn)行說明。非晶硅膜的制造條件的一個(gè)例子如以下表1所示。[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>如表1所示，在形成非晶硅膜時(shí)，使用由具有約0.5mm的線徑的鎢構(gòu)成的催化線4。在設(shè)置有該催化線4的催化線CVD裝置的設(shè)置部6上設(shè)置有基底20?；?0例如是非晶硅膜、透光性導(dǎo)電膜或者單晶硅基板。在該狀態(tài)下，開始非晶硅膜的成膜。第一實(shí)施方式的非晶硅膜的制造工藝如以下表2所示。<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>通過第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜的制造方法形成非晶硅膜時(shí)，首先，如表1所示，在通過加熱器7將基底20加熱到約20(TC狀態(tài)下，如表2所示，從氣體供給部2向反應(yīng)室1內(nèi)導(dǎo)入由作為非晶硅膜(半導(dǎo)體膜10)的材料的SiH4構(gòu)成的材料氣體。由SiH4構(gòu)成的材料氣體被由H2構(gòu)成的非材料氣體稀釋。如表1所示，SiH4和H2分別以流量為約500sccm和約1000sccm的條件被導(dǎo)入。之后，在本發(fā)明中，進(jìn)行材料氣體的調(diào)壓。即如表1所示，以使壓力成為約3Pa(SiH4的分壓和H2的分壓分別為約1Pa和約2Pa)的方式調(diào)整壓力。之后，如表2所示，利用直流電源3進(jìn)行向催化線4的通電，從而加熱催化線4使得催化線4的溫度成為約1700°C。然后，被加熱到約1700。C的催化線4與反應(yīng)室1內(nèi)的由SiH4構(gòu)成的材料氣體接觸。由此，通過被加熱到約170(TC的催化線4分解SiH4，同時(shí)，分解種堆積在基底20上，在基底20上形成氫化的非晶硅膜(半導(dǎo)體膜10)。此外，如表2所示，在形成氫化的非晶硅膜之后，打開排氣閥5，通過真空泵(未圖示)對(duì)反應(yīng)室1內(nèi)進(jìn)行排氣。然后，在反應(yīng)室1內(nèi)的材料氣體(SiH4)已實(shí)質(zhì)上被排出之后，停止直流電源3向催化線4的通電。由此，在材料氣體已實(shí)質(zhì)上被排出的狀態(tài)下，使催化線4的溫度降低。這樣，第一實(shí)施方式的非晶硅膜(半導(dǎo)體膜10)的成膜結(jié)束。在第一實(shí)施方式中，如上所述，在氣氛的壓力被調(diào)壓至約3Pa之后，加熱催化線4至約1700°C，通過加熱后的催化線4分解由SiH4構(gòu)成的材料氣體，形成半導(dǎo)體膜10，從而能夠在氣氛的壓力穩(wěn)定的狀態(tài)下開始半導(dǎo)體膜10的形成，所以能夠抑制在氣氛的壓力不穩(wěn)定的狀態(tài)下形成半導(dǎo)體膜10。從而能夠抑制半導(dǎo)體膜10的膜質(zhì)不穩(wěn)定。此外，通過利用由H2構(gòu)成的非材料氣體稀釋由SiH4構(gòu)成的材料氣體，在調(diào)壓成約3Pa的氣氛壓力(材料氣體和非材料氣體的合計(jì)壓力)的情況下，能夠使材料氣體的分壓較小，大約為1Pa。由此，與不通過非材料氣體稀釋材料氣體的情況相比，能夠使用較少的材料氣體地將反應(yīng)室1內(nèi)調(diào)壓成約3Pa。因?yàn)槿绻谝褜?dǎo)入由SiH4構(gòu)成的材料氣體的狀態(tài)下開始催化線4的加熱，則直至催化線4的溫度達(dá)到約HO(TC需要一定的時(shí)間，所以在剛剛開始催化線4的加熱時(shí)，未達(dá)到約1700"C的催化線4與由SiH4構(gòu)成的材料氣體接觸。這時(shí)，由SiH4構(gòu)成的材料氣體很容易滯留在沒有被充分加熱的狀態(tài)(未達(dá)到約170(TC)下的催化線4上，因此存在在催化線4的表面上形成由鎢(W)構(gòu)成的催化線4和由SiH4構(gòu)成的材料氣體的化合物(硅化鎢)的情況。在第一實(shí)施方式中，因?yàn)槭褂幂^少的量的由SiH4構(gòu)成的材料氣體，將反應(yīng)室l內(nèi)調(diào)壓至約3Pa，所以相應(yīng)于SiH4的量的減少，能夠抑制在催化線4的表面上形成硅化物。由此，能夠抑制由該化合物引起的催化線4的電阻率的變化，從而能夠抑制催化線4的溫度的控制變得困難。此外，在第一實(shí)施方式中，如上所述，在形成半導(dǎo)體膜10之后，進(jìn)行材料氣體的排氣，在材料氣體(SiH4)已實(shí)質(zhì)上被排出之后，停止向被加熱到約170(TC的催化線4的加熱，由此能夠抑制在催化線4的溫度比約170(TC低的狀態(tài)下的催化線4和SiH4的接觸。由此，能夠抑制在非晶硅膜(半導(dǎo)體膜10)的制造工藝結(jié)束時(shí)，由鎢(W)構(gòu)成的催化線4和由SiH4構(gòu)成的材料氣體的化合物(硅化鎢)的形成。因此，與上述內(nèi)容同樣，能夠抑制催化線4的溫度的控制變得困難。(第二實(shí)施方式)在第二實(shí)施方式中，使用上述第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜的制造方法，說明制造薄膜類的光敏元件100的例子。首先，參照?qǐng)D2，說明通過本發(fā)明的半導(dǎo)體膜的制造方法制造的薄膜類的光敏元件100的結(jié)構(gòu)。如圖2所示，光敏元件IOO包括基板101、表面電極層102、光電變換層103、和背面電極層104?；?01由具有絕緣性表面，并且具有透光性的玻璃構(gòu)成。此外，在基板101的上面上形成有表面電極層102。該表面電極層102由具有導(dǎo)電性和透光性的氧化錫(Sn02)等的TCO(透光性導(dǎo)電膜)構(gòu)成。此外，在表面電極層102的上面上形成有由pin型的非晶硅類半導(dǎo)體構(gòu)成的光電變換層103。該由pin型的非晶硅類半導(dǎo)體構(gòu)成的光電變換層103，由p型氫化非晶硅碳(a-SiC:H)層103a(以下稱為p層103a)、i型氫化非晶硅(a-Si:H)層103b(以下稱為i層103b)、和n型氫化非晶硅(a-Si:H)層103c(以下稱為n層103c)構(gòu)成。此外，在光電變換層103的上面上形成有背面電極層104。背面電極層104具有由一對(duì)ZnO層夾著銀(Ag)層的表面和背面的結(jié)構(gòu)。接著，說明圖2所示的光敏元件100的制造工藝。作為光敏元件IOO的制造工藝，首先，在具有絕緣性表面的基板101的上面上，通過熱CVD(ChemicalVaporDeposition:化學(xué)氣相沉積)法形成由氧化錫構(gòu)成的表面電極層102。接著，在表面電極層102的上面上，通過催化線CVD法依次形成P層(p型氫化非晶硅碳層)103a、i層(i型氫化非晶硅層)103b、和n層(n型氫化非晶硅層)103c，由此形成由非晶硅類半導(dǎo)體構(gòu)成的光電變換層103。這時(shí)，在由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的表面電極層102上形成p層(p型氫化非晶硅碳層)103a時(shí)，在p層103a上形成i層103b時(shí)，以及在i層103b上形成n層103c時(shí)，如上述第一實(shí)施方式那樣，導(dǎo)入被氫(H2)稀釋的材料氣體，并且進(jìn)行調(diào)壓，之后通過加熱催化線4(參照?qǐng)D1)，進(jìn)行成膜。之后，在光電變換層103(n層103c)的上面上，通過濺射法形成由以銀為主要成分的金屬材料層(ZnO層(上層)/Ag層(中間層)/ZnO層(下層))構(gòu)成的背面電極層104。這樣，制造薄膜類的光敏元件100。在第二實(shí)施方式中，如上所述，使用上述第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜的制造方法，形成光電變換層103，制造薄膜類的光敏元件100，由此，能夠抑制光電變換層103的膜質(zhì)變得不穩(wěn)定。由此，能夠制造具有穩(wěn)定的性能的薄膜類的光敏元件100。(第三實(shí)施方式)在第三實(shí)施方式中，以使用上述第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜的制造方法制造異質(zhì)結(jié)型的光敏元件200為例進(jìn)行說明。首先，參照?qǐng)D3，說明通過本發(fā)明的半導(dǎo)體膜的制造方法制造的異質(zhì)結(jié)型的光敏元件200的結(jié)構(gòu)。在第三實(shí)施方式的光敏裝置200中，如圖3所示，在n型單晶硅(c-Si)基板201的上面上，依次形成作為光電變換層起作用的非晶硅(a-Si)層202、表面電極層203。表面電極層203通過由ITO(氧化銦錫)構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜而形成。非晶硅層202由在n型單晶硅基板201的上面上形成的實(shí)質(zhì)上本征的i型非晶硅層202a，和在i型非晶硅層202a上形成的、摻雜有硼(B)的p型非晶硅層202b構(gòu)成。i型非晶硅層202a的厚度是i型非晶硅層202a作為光活性層實(shí)質(zhì)上對(duì)發(fā)電沒有貢獻(xiàn)的、較小的厚度。此外，在n型單晶硅基板201的背面上，從靠近n型單晶硅基板201的背面的位置開始，依次形成作為光電變換層起作用的非晶硅層204和背面電極層205。背面電極層205通過由ITO構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜而形成。此外，非晶硅層204由在n型單晶硅基板201的背面上形成的實(shí)質(zhì)上本征的i型非晶硅層204a，和在i型非晶硅層204a的背面上形成的、摻雜有磷(P)的n型非晶硅層204b構(gòu)成。此外，i型非晶硅層204a的厚度是i型非晶硅層204a實(shí)質(zhì)上對(duì)發(fā)電沒有貢獻(xiàn)的、很小的厚度。并且，通過i型非晶硅層204a、n型非晶硅層204b和背面電極層205，構(gòu)成所謂的BSF(BackSurfaceField:背電場(chǎng))結(jié)構(gòu)。接著，參照?qǐng)D3說明光敏元件200的制造工藝。首先，在將洗凈的n型單晶硅基板201設(shè)置在真空腔室(未圖示)內(nèi)之后，在200。C以下的溫度條件下，通過加熱n型單晶硅基板201，盡可能地除去附著在n型單晶硅基板201的表面的水分。由此，能夠抑制附著在n型單晶硅基板201的表面的水分中的氧與硅結(jié)合而產(chǎn)生缺陷。接著，在將基板溫度保持在17(TC的狀態(tài)下，導(dǎo)入氫氣(H2)，同時(shí)對(duì)n型單晶硅基板201的上面進(jìn)行氫化處理。從而，n型單晶硅基板201的上面被清潔，同時(shí)氫原子吸附在n型單晶硅基板201的上面附近。通過該吸附的氫原子，n型單晶硅基板201的上面的缺陷被非活性化(終端)。之后，在n型單晶硅基板201的表面和背面上形成各層。具體的說，使用催化線CVD法，在n型單晶硅基板201的上面上形成i型非晶硅層202a。這時(shí)，如上述第一實(shí)施方式那樣，導(dǎo)入被氫(H2)稀釋的材料氣體，并且進(jìn)行調(diào)壓，之后通過加熱催化線4(參照?qǐng)D1)進(jìn)行成膜。接著，使用催化線CVD法，在i型非晶硅層202a上形成摻雜有硼(B)的p型非晶硅層202b。這時(shí)，如上述第一實(shí)施方式那樣，導(dǎo)入被氫(H2)稀釋的材料氣體，并且進(jìn)行調(diào)壓，之后加熱催化線4(參照?qǐng)D1)進(jìn)行成膜。接著，使用濺射法，在p型非晶硅層202b的上面上形成由ITO(氧化銦錫)構(gòu)成的表面電極層203。接著，使用催化線CVD法，在n型單晶硅基板201的背面上形成i型非晶硅層204a。這時(shí)，如上述第一實(shí)施方式那樣，導(dǎo)入被氫(H2)稀釋的材料氣體，并且進(jìn)行調(diào)壓，之后加熱催化線4(參照?qǐng)D1)進(jìn)行成膜。接著，使用催化線CVD法，在i型非晶硅層204a的背面上形成摻雜有磷(P)的n型非晶硅層204b。這時(shí)，如上述第一實(shí)施方式那樣，導(dǎo)入被氫(H2)稀釋的材料氣體，并且進(jìn)行調(diào)壓，之后加熱催化線4(參照?qǐng)D1)進(jìn)行成膜。最后，使用濺射法，在n型非晶硅層204b的背面上形成由ITO構(gòu)成的背面電極層205。這樣，形成圖3所示的異質(zhì)結(jié)型的光敏裝置200。在第三實(shí)施方式中，如上所述，通過使用上述第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜的制造方法制造異質(zhì)結(jié)型的光敏元件200，在利用催化線CVD法制造異質(zhì)結(jié)型的光敏元件200的情況下，能夠抑制非晶硅層202和204的膜質(zhì)變得不穩(wěn)定。由此，與上述第二實(shí)施方式同樣，能夠制造具有穩(wěn)定的性能的異質(zhì)結(jié)型的光敏元件200。并且，在本次公開的實(shí)施方式中，所有方面僅是例示，不應(yīng)該理解為限定性的說明。本發(fā)明的范圍并不是由上述實(shí)施方式的說明表示，而是由權(quán)利要求的范圍表示，并且還包括與權(quán)利要求的范圍等同的意義，和在范圍內(nèi)的所有變更。例如，在上述第一實(shí)施方式中，作為材料氣體，舉例使用硅烷(SiH4)氣體，但是本發(fā)明并不局限于此，也能夠使用乙硅烷(Si2H6)或者丙硅垸(Si3H8)等其他的硅烷類的氣體，也可以使用SiF2或者SiH2F2等的氟化硅類的氣體。此外，在上述的第一實(shí)施方式中，使用由鎢(W)構(gòu)成的催化線4，但是本發(fā)明并不局限于此，也可以使用由鉭(Ta)等其他高熔點(diǎn)材料構(gòu)成的催化線。在使用由鉭構(gòu)成的催化線的情況下，與使用由鎢構(gòu)成的催化線4的情況相比，能夠抑制在催化線的表面上形成硅化物。此外，在上述第一實(shí)施方式中，表示了在基底20上根據(jù)表1所示的成膜條件形成作為半導(dǎo)體膜10的非晶硅膜的例子，但是本發(fā)明并不局限于此，通過變更成膜條件，也可以形成作為半導(dǎo)體膜IO的微晶硅和多晶硅等半導(dǎo)體膜。此外，在上述第一實(shí)施方式中，表示了使用氫氣(H2)作為稀釋材料氣體的非材料氣體的例子，但是本發(fā)明并不局限于此，作為非材料氣體，也可以使用氬氣(Ar)等稀有氣體、氟氣(F2)、氯氣(Cl2)、氮?dú)?N2)、二氧化碳(C02)氣體或者甲烷(CH4)氣體等。此外，在上述第一實(shí)施方式中，表示了進(jìn)行調(diào)壓，使得材料氣體的分壓為約lPa，非材料氣體的分壓為約2Pa，合計(jì)的壓力為約3Pa的例子，但是本發(fā)明并不局限于此，進(jìn)行調(diào)壓時(shí)的壓力也可以不是約3Pa。此外，優(yōu)選材料氣體的分壓為約1Pa以下。此外，在上述第一實(shí)施方式中，表示了在進(jìn)行排氣時(shí)，利用真空泵對(duì)反應(yīng)室1內(nèi)的氣體進(jìn)行真空排氣的例子，但是本發(fā)明并不局限于此，也可以在供給不包括SiH4等成膜種的氣體(H2氣、Ar氣等)的同時(shí)進(jìn)行排氣。由此，能夠使SiH4從反應(yīng)室1排氣的速度變大。此外，成膜后，只要將材料氣體(SiH4)排出即可，其他的氣體(H2氣等)也可以殘留在反應(yīng)室l內(nèi)。在殘留有H2氣的情況下，能夠?qū)υ诖呋€4的表面上形成的化合物(硅化物)進(jìn)行蝕刻并除去。此外，在上述第二和第三實(shí)施方式中，分別表示了制造薄膜類的光敏元件100和異質(zhì)結(jié)型的光敏元件200的例子，但本發(fā)明并不局限于此，能夠適用于具有使用催化線CVD法制造的半導(dǎo)體膜的全體光敏元件。此外，本發(fā)明并不周限于制造光敏元件的情況，能夠適用于具有使用催化線CVD法制造的半導(dǎo)體膜的全體半導(dǎo)體元件。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體膜的制造方法，其特征在于，包括導(dǎo)入半導(dǎo)體的材料氣體的工序；將所述材料氣體的氣氛壓力調(diào)壓至規(guī)定的壓力的工序；在所述氣氛壓力被調(diào)壓至所述規(guī)定的壓力之后，將催化線加熱至規(guī)定的溫度以上的工序；和利用加熱的所述催化線分解所述材料氣體，形成半導(dǎo)體膜的工序。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體膜的制造方法，其特征在于利用非材料氣體稀釋所述材料氣體。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體膜的制造方法，其特征在于所述材料氣體包括硅垸類氣體，所述非材料氣體包括氫氣。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體膜的制造方法，其特征在于，還包括在形成所述半導(dǎo)體膜之后，對(duì)所述材料氣體進(jìn)行排氣的工序；和在所述材料氣體已實(shí)質(zhì)上被排出之后，停止對(duì)被加熱到所述規(guī)定的溫度以上的催化線的加熱的工序。5.根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體膜的制造方法，其特征在于所述半導(dǎo)體膜包括非晶硅膜。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體膜的制造方法，其特征在于所述材料氣體包括硅烷氣體，所述規(guī)定的溫度為170(TC以上。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體膜的制造方法，其特征在于所述催化線由鉤構(gòu)成。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體膜的制造方法，其特征在于形成所述半導(dǎo)體膜的工序包括通過在基底上堆積所述被分解的材料氣體，在所述基底上形成所述半導(dǎo)體膜的工序。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體膜的制造方法，其特征在于所述基底包括非晶硅膜、透光性導(dǎo)電膜或單晶硅基板。10.—種光敏元件的制造方法，其特征在于，包括導(dǎo)入半導(dǎo)體的材料氣體的工序；將所述材料氣體的氣氛壓力調(diào)壓至規(guī)定的壓力的工序；在所述氣氛壓力被調(diào)壓至所述規(guī)定的壓力之后，將催化線加熱至規(guī)定的溫度以上的工序；和利用加熱的所述催化線分解所述材料氣體，形成作為光電變換層起作用的半導(dǎo)體膜的工序。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光敏元件的制造方法，其特征在于利用非材料氣體稀釋所述材料氣體。12.根據(jù)權(quán)利要求ll所述的光敏元件的制造方法，其特征在于所述材料氣體包括硅烷類氣體，所述非材料氣體包括氫氣。13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光敏元件的制造方法，其特征在于，還包括在形成所述半導(dǎo)體膜之后，對(duì)所述材料氣體進(jìn)行排氣的工序；和在所述材料氣體已實(shí)質(zhì)上被排出之后，停止對(duì)被加熱到所述規(guī)定的溫度以上的催化線的加熱的工序。14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光敏元件的制造方法，其特征在于所述半導(dǎo)體膜包括非晶硅膜。15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光敏元件的制造方法，其特征在于所述材料氣體包括硅垸氣體，所述規(guī)定的溫度為170(TC以上。16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光敏元件的制造方法，其特征在于所述催化線由鎢構(gòu)成。17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光敏元件的制造方法，其特征在于形成所述半導(dǎo)體膜的工序包括通過在基底上堆積所述被分解的材料氣體，在所述基底上形成所述半導(dǎo)體膜的工序。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的光敏元件的制造方法，其特征在于所述基底包括非晶硅膜、透光性導(dǎo)電膜或單晶硅基板。全文摘要本發(fā)明提供一種能夠抑制半導(dǎo)體膜的膜質(zhì)不穩(wěn)定的半導(dǎo)體膜的制造方法和光敏元件的制造方法。該半導(dǎo)體膜的制造方法包括導(dǎo)入半導(dǎo)體的材料氣體的工序；將材料氣體的氣氛壓力調(diào)壓至規(guī)定的壓力的工序；在氣氛壓力被調(diào)壓至規(guī)定的壓力之后，將催化線加熱至規(guī)定的溫度以上的工序；和通過加熱的催化線分解材料氣體，形成半導(dǎo)體膜的工序。文檔編號(hào)C23C16/44GK101290878SQ20081009253公開日2008年10月22日申請(qǐng)日期2008年4月18日優(yōu)先權(quán)日2007年4月20日發(fā)明者寺川朗,淺海利夫申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社