專利名稱：處理系統(tǒng)、處理方法和計算機程序的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及處理半導體晶片等被處理體的處理系統(tǒng)、處理方法和 計算機程序，特別是涉及將多個被處理體一并進行處理的成批式的處 理系統(tǒng)、處理方法和程序。
背景技術：
在半導體裝置的制造工序中，采用了對多個被處理體一并進行例 如半導體晶片的成膜處理、氧化處理或者擴散處理等的成批式處理系 統(tǒng)。在成批式處理系統(tǒng)中，雖然可以有效地處理半導體晶片，但是對 于多個半導體晶片的處理來說還難以確保其處理的均勻性。作為用于解決上述問題的技術，例如，專利文獻1中公開了一種方法，其具有上部、中部、下部的3個以上的多個用于向擴散爐內導 入氣體的氣體噴射器，通過相互獨立地控制流量來使氣體的供給量均 勻，提高了半導體裝置的成品率。在專利文獻2中，公開了一種熱處理方法，其通過改變熱處理中 的運載氣體的流量來改變被處理體的工藝面內的至少中央部與周邊部 之間的處理氣體的供給位置，能夠進行均勻處理。在專利文獻3中公開了一種方法，其預測從多個配管供給的反應 氣體的流量與在基板上的膜的成長速度的關系，并且通過控制從多個 配管供給的反應氣體的流量來進行成膜。專利文獻1日本特開平11-121389號公報專利文獻2專利第3081969號公報專利文獻3日本特開2003-166066號公報 但是，在成批式處理系統(tǒng)中，即使最初進行著適當?shù)奶幚?，由?多次重復處理操作，外部因素的變化等，存在變得與當初的預定不同 的處理。例如，當半導體晶片成膜處理時，盡管最初能夠以適當?shù)哪?厚在半導體晶片的表面成膜，但是在重復成膜處理的過程中，存在半導體晶片的表面所形成的膜厚發(fā)生變化的情況。這認為是氣體的供給 量沒有與處理系統(tǒng)的處理爐的經(jīng)時變化和外部環(huán)境的變化對應的情 況。因此，處理系統(tǒng)的操作者可以在經(jīng)驗和直覺的基礎上調整氣體的 流量，并且確保半導體晶片表面上所形成的膜厚的均勻性。這樣，在 成膜處理中，難以確保膜厚的均勻性。因此，需要一種即使是沒有關 于處理系統(tǒng)和工藝的知識和經(jīng)驗的操作者也能夠容易地調整氣體流量 的處理系統(tǒng)和處理方法。發(fā)明內容本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)狀而完成的，其目的在于提供一種能夠容易 地調整氣體流量的處理系統(tǒng)、處理方法以及計算機程序。另外，本發(fā)明的目的在于提供一種無論經(jīng)時變化和外部環(huán)境的變 化都能夠進行適當處理的處理系統(tǒng)、處理方法以及計算機程序。為了達到上述目的，本發(fā)明第一方面涉及的處理系統(tǒng)，其特征在 于，包括處理室，用于收容被處理體；處理氣體供給裝置，用于向該處理室內供給處理氣體； 處理條件存儲單元，存儲有包括從上述處理氣體供給單元供給的處理氣體的流量的與處理內容對應的處理條件；模型存儲單元，存儲有表示處理氣體的流量與處理結果的關系的流量處理結果關系模型；流量計算單元，輸入在上述處理條件存儲單元所存儲的處理條件下處理上述被處理體的處理結果，基于該處理結果和上述模型存儲單元所存儲的流量處理結果關系模型，計算處理氣體的流量;和處理單元，當由上述流量計算單元計算出處理氣體的流量吋，將上述處理條件的處理氣體的流量變更為由上述流量計算單元計算出的處理氣體的流量，對被處理體進行處理。本發(fā)明第二方面涉及的處理系統(tǒng)，其特征在于，包括 處理室，用于收容被處理體或者該被處理體的檢查用基板； 處理氣體供給裝置，用于向該處理室內供給處理氣體； 處理條件存儲單元，包括由上述處理氣體供給單元供給的處理氣體的流量，存儲與處理內容對應的處理條件；誤差信息存儲單元，存儲與處理結果的誤差有關的誤差信息，上 述處理結果的誤差是由于上述被處理體和上述檢查用基板之間的不同 所引起的-,模型存儲單元，存儲有表示處理氣體的流量與處理結果的關系的 流量處理結果關系模型；處理條件提取單元，基于上述誤差信息存儲單元所存儲的誤差信息，根據(jù)上述被處理體的目標處理結果計算上述檢查用基板的目標處理結果，從上述處理條件存儲單元所存儲的處理條件中提取與計算出的上述檢查用基板的目標處理結果對應的處理條件；檢査用基板處理單元，在上述處理條件提取單元所提取的處理條 件下處理上述檢査用基板；判斷單元，判斷由上述檢查用基板處理單元所處理的處理結果是 否包括在上述檢查用基板的目標處理結果的規(guī)定范圍內；流量計算單元，當由上述判斷單元判斷為不包括在規(guī)定范圍內時， 基于處理上述檢查用基板的處理結果和上述模型存儲單元所存儲的流 量處理結果關系模型，計算處理氣體的流量；禾口流量變更單元，當由上述流量計算單元計算出處理氣體的流量時， 將上述處理條件的處理氣體的流量變更為上述流量計算單元計算出的 處理氣體的流量，并在上述檢查用基板處理單元中處理檢查用基板。優(yōu)選還包括被處理體處理單元，當由上述判斷單元判斷為包括在 規(guī)定范圍內時，以上述處理條件提取單元所提取的處理條件來處理被 處理體。上述誤差信息存儲單元例如存儲與上述被處理體和上述檢查用基 板的裝載效果有關的誤差信息。上述流量處理結果關系模型例如是對于構成上述處理條件的各要 件基于兩個以上的不同條件下的處理結果而作成的。在這種情況下， 即使上述處理條件被變更也能夠對應。上述處理氣體供給裝置可以具有插入到上述處理室內的多個處理 氣體供給管。在這種情況下，上述流量計算單元計算每個處理氣體供 給管供給的流量。還可以包括處理條件更新單元，其用于將上述處理條件存儲單元 所存儲的處理氣體的流量更新為由上述流量計算單元計算出的處理氣 體的流量。上述處理室可以被劃分為多個區(qū)域。在這種情況下，上述模型存 儲單元存儲表示每個上述區(qū)域的處理氣體的流量與處理結果的關系的 流量處理結果關系模型。上述處理內容例如為成膜處理。本發(fā)明第三方面的處理方法，其特征在于，包括處理氣體供給工序，向收容被處理體的處理室內供給處理氣體；處理條件存儲工序，存儲包括由上述處理氣體供給工序供給的處 理氣體的流量的與處理內容對應的處理條件；模型存儲工序，存儲表示處理氣體的流量與處理結果的關系的流 量處理結果關系模型；流量計算工序，輸入在上述處理條件存儲工序所存儲的處理條件 下處理上述被處理體的處理結果，基于該處理結果和由上述模型存儲 工序所存儲的流量處理結果關系模型，計算處理氣體的流量；和處理工序，當由上述流量計算工序計算出處理氣體的流量時，將 上述處理條件的處理氣體的流量變更為在上述流量計算工序計算出的 處理氣體的流量，對被處理體進行處理。本發(fā)明第四方面的處理方法，其特征在于，包括處理氣體供給工序，用于向處理室內供給處理氣體，上述處理室 用于收容被處理體或者該被處理體的檢査用基板；處理條件存儲工序，存儲包括由上述處理氣體供給工序供給的處 理氣體的流量的與處理內容對應的處理條件；誤差信息存儲工序，存儲與處理結果的誤差有關的誤差信息，上 述處理結果的誤差是由于上述被處理體和上述檢查用基板之間的不同 所引起的；模型存儲工序，存儲表示處理氣體的流量與處理結果的關系的流 量處理結果關系模型；處理條件提取工序，基于上述誤差信息存儲工序所存儲的誤差信 息，從上述被處理體的目標處理結果計算上述檢査用基板的目標處理結果，從上述處理條件存儲工序所存儲的處理條件提取與計算出的上 述檢査用基板的目標處理結果對應的處理條件；檢查用基板處理工序，以上述處理條件提取工序所提取的處理條件來處理上述檢查用基板；判斷工序，判斷上述檢查用基板處理工序所處理的處理結果是否 包括在上述檢查用基板的目標處理結果的規(guī)定范圍內；流量計算工序，當由上述判斷工序判斷為不包括在規(guī)定范圍內時， 基于處理上述檢査用基板的處理結果和上述模型存儲工序所存儲的流 量處理結果關系模型，計算處理氣體的流量；禾口流量變更工序，當由上述流量計算工序計算出處理氣體的流量時， 將上述處理條件的處理氣體的流量變更為上述流量計算工序所計算的 處理氣體的流量，在上述檢査用基板處理工序中處理檢查用基板。還包括被處理體處理工序，其當在上述判斷工序中包括在規(guī)定范 圍內時，以上述處理條件提取工序所提取的處理條件來處理被處理體。上述誤差信息存儲工序例如存儲與上述被處理體和上述檢查用基 板的裝載效果有關的誤差信息。上述流量處理結果關系模型是對于構成上述處理條件的各個要件 基于兩個以上的不同條件下的處理結果而作成的。在這種情況下，也 即使上述處理條件被變更也能夠對應。在上述處理氣體供給工序中，例如通過插入到上述處理室內的多 個處理氣體供給管供給處理氣體。在這種情況下，在上述流量計算工 序中，計算每個處理氣體供給管供給的流量。還可以包括更新工序，其用于將上述處理條件存儲工序中所存儲 的處理氣體的流量更新為由上述流量計算工序計算出的處理氣體的流上述處理室可以被劃分為多個區(qū)域。在這種情況下，在上述模型 存儲工序中，存儲表示每個上述區(qū)域的處理氣體的流量與處理結果的 關系的流量處理結果關系模型。上述處理內容例如為成膜處理。本發(fā)明第五方面的計算機程序，其特征在于，能夠使計算機實現(xiàn) 下述單元的功能處理氣體供給裝置，向收容被處理體的處理室內供給處理氣體；處理條件存儲單元，存儲包括從上述處理氣體供給裝置供給的處 理氣體的流量的與處理內容對應的處理條件；模型存儲單元，存儲表示處理氣體的流量與處理結果的關系的流 量處理結果關系模型；流量計算單元，基于在上述處理條件存儲單元所存儲的處理條件 下處理上述被處理體的處理結果、和由上述模型存儲單元所存儲的流 量處理結果關系模型，計算處理氣體的流量；和處理單元，當由上述流量計算單元計算出處理氣體的流量時，將 上述處理條件的處理氣體的流量變更為由上述流量計算單元計算出的 處理氣體的流量，對被處理體進行處理。本發(fā)明第六方面的計算機程序，其特征在于，能夠使計算機實現(xiàn) 下述單元的功能處理氣體供給裝置，用于向處理室內供給處理氣體，上述處理室 用于收容被處理體或者該被處理體的檢查用基板；處理條件存儲單元，存儲包括從上述處理氣體供給裝置供給的處 理氣體的流量的與處理內容對應的處理條件；誤差信息存儲單元，存儲與處理結果的誤差有關的誤差信息，上 述處理結果的誤差是由于上述被處理體和上述檢查用基板之間的不同 所引起的；模型存儲單元，存儲表示處理氣體的流量與處理結果的關系的流 量處理結果關系模型；處理條件提取單元，基于上述誤差信息存儲單元所存儲的誤差信 息，從上述被處理體的目標處理結果計算上述檢查用基板的目標處理 結果，從上述處理條件存儲單元所存儲的處理條件中提取與計算出的 上述檢查用基板的目標處理結果對應的處理條件；檢査用基板處理單元，以上述處理條件提取單元所提取的處理條 件來處理上述檢查用基板；判斷單元，判斷上述檢查用基板處理單元所處理的處理結果是否 包括在上述檢查用基板的目標處理結果的規(guī)定范圍內；流量計算單元，當由上述判斷單元判斷為不包括在規(guī)定范圍內時，基于處理上述檢査用基板的處理結果和上述模型存儲單元所存儲的流 量處理結果關系模型，計算處理氣體的流量；和流量變更單元，當由上述流量計算單元計算出處理氣體的流量時， 將上述處理條件的處理氣體的流量變更為上述流量計算單元計算出的 處理氣體的流量，在上述檢査用基板處理單元中處理檢査用基板。根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種能夠容易地調整氣體流量的處理系統(tǒng)、 處理方法和計算機程序。


圖1是表示本發(fā)明第一實施方式涉及的熱處理裝置的結構的圖。圖2是表示圖1的控制部的結構例的方框圖。 圖3是表示反應管內的區(qū)域的圖。 圖4是表示在工藝條件1下的每個區(qū)域的膜厚量的圖。 圖5 (a) (b)是表示在工藝條件2、 3下的每個區(qū)域的膜厚量的圖。 圖6 (a) (b)是表示在工藝條件4、 5下的每個區(qū)域的膜厚量的圖。 圖7 (a) (b) (c) (d)是說明根據(jù)溫度變化的變動率的計算方法 的圖。圖8 (a) (b) (c)是表示根據(jù)氫分壓比變化、壓力變化、氣體總 流量變化的變動率的圖。圖9是說明膜厚流量關系模型的圖。圖IO是用于說明第一實施方式的處理順序的流程圖。圖11是表示第一實施方式的控制部結構例的方框圖。圖12是表示根據(jù)裝載效果的膜厚減少量的圖。圖13是說明根據(jù)裝載效果的膜厚減少量的計算方法的圖。圖14是用于說明第二實施方式的處理順序的流程圖。圖15是用于說明第二實施方式的處理順序的流程圖。圖16是表示對模擬晶片進行氣體流量調整的結果的圖。圖17是表示對模擬晶片進行氣體流量調整的結果的圖。
具體實施方式
(第一實施方式)14下面，以本發(fā)明的處理系統(tǒng)、處理方法和程序適用于圖1所示的 成批式立式熱處理裝置的情況為例說明第一實施方式。另外，在本實 施方式中，作為對被處理體的處理，以通過使用02氣體、H2氣體的低 壓自由基氧化(LPRO)法在半導體晶片上形成Si02膜的情況為例說明本發(fā)明。如圖1所示，本實施方式的立式熱處理裝置1包括大致圓筒狀的有頂?shù)姆磻?。反應管2以其長邊方向朝向垂直方向的方式配置。反 應管2由耐熱且耐腐蝕性優(yōu)良的材料、例如石英構成。在反應管2的下側設置有大致圓筒狀的歧管3。歧管3，其上端與 反應管2的下端氣密地接合。在歧管3上氣密地連接有用于排出反應 管2內的氣體的排氣管4。在排氣管4上預先設置有由閥門、真空泵等 構成的壓力調整部5，將反應管2內調整到所希望的壓力(真空度)。在歧管3 (反應管2)的下方配置有蓋體6。蓋體6可通過晶舟升 降機7上下移動地構成，其以當通過晶舟升降機7使蓋體6上升時， 歧管3 (反應管2)的下側(爐口部分)被關閉、當通過晶舟升降機7 使蓋體6下降時，反應管2的下側(爐口部分)被打開的方式配置。在蓋體6的上部，隔著保溫筒(絕熱體)8，設置有晶舟9。晶舟 9是用于收容(保持)被處理體例如半導體晶片W的保持具，在本實 施方式中，其構成為能夠在垂直方向上隔著規(guī)定間隔收容多個例如150 個半導體晶片W。而且，通過在晶舟9上收容半導體晶片W，并利用 晶舟升降機7使蓋體6上升，能夠將半導體晶片W裝載到反應管2內。在反應管2的周圍，設有包圍反應管2的例如由電阻發(fā)熱體構成 的加熱部10。利用該加熱部10將反應管2的內部加熱到規(guī)定的溫度， 其結果是將半導體晶片W加熱到規(guī)定的溫度。加熱部10例如由配置 成5段的加熱器11 15構成，利用圖中未示的電力控制器分別獨立供 給電力。此外，可以考慮在反應管2內，利用該加熱器11 15劃分為 后述的圖3所示那樣的5個區(qū)域。另外，在歧管3上設置有向反應管2內供給氣體的多個氣體供給 管。在本實施方式中，設有向反應管2內供給02氣體的02氣體供給 管16、和向反應管2內供給H2氣體的4根H2氣體供給管17 20。 02 氣體供給管16以從歧管3的側面延伸至晶舟9的上部附近的方式形成，從晶舟9的上部附近向反應管2內供給02氣體。H2氣體供給管17 20以其頂端的高度具有一定間隔的不同高度的方式形成。gp， H2氣體 供給管17 20的頂端的位置(高度)以相等的間隔降低的方式形成。在本例中，H2氣體供給管17以從歧管3的側面延伸至晶舟9的上 部附近的方式形成，從晶舟9的上部附近向反應管2內供給H2氣體。 H2氣體供給管18以從歧管3的側面延伸到晶舟9的高度的2/3附近的 方式形成，從晶舟9的高度的2/3附近向反應管2內供給H2氣體。H2 氣體供給管19以從歧管3的側面延伸至晶舟9的高度的1/3附近的方 式形成，從晶舟9的高度的1/3附近向反應管2內供給H2氣體。112氣 體供給管20以從歧管3的側面延伸至晶舟9的下部附近的方式形成， 從晶舟9的下部附近向反應管2內供給氣體。此外，在本實施方式中， H2氣體供給管17是H2氣體的主供給管，H2氣體供給管18 20是H2 氣體的子供給管1 3。在各個氣體供給管16 20中，設有流量調整部21 25，其由用于 調整各自氣體流量的質量流量控制器(MFC)等構成。因此，由流量 調整部21 25所調整的希望量的氣體通過各氣體供給管16 20供給 到反應管2內。另外，立式熱處理裝置1包括用于控制反應管2內的氣體流量、 壓力、處理氣氛的溫度這樣的處理參數(shù)的控制部(控制器)50。控制 部50向流量調整部21 25、壓力調整部5、圖中未示的電力控制器輸 出控制信號。圖2表示控制部50的結構。如圖2所示那樣，控制部50由模型存儲部51、方案存儲部52、 ROM 53、 RAM 54、 1/0端口55、 CPU 56、和將這些相互連接的總線 57構成。在模型存儲部51存儲有表示處理氣體的流量與處理結果的關系的 流量處理結果關系模型。在本實施方式中，在模型存儲部51存儲有膜 厚流量關系模型，該膜厚流量關系模型用于表示從各氣體供給管16 20所供給的各自的氣體的流量與在半導體晶片W上形成的膜厚的關 系。該膜厚流量關系模型是對于構成處理條件(工藝條件)的反應管2 內的溫度、壓力、氣體的總流量等基于兩個以上不同的條件下的處理 結果(膜厚結果)而作成的。因此，膜厚流量關系模型能夠與工藝條件的變更對應(插入)，基于反應管2內的溫度、壓力、氣體的總流量 等工藝條件和必要的膜厚計算出從氣體供給管16 20供給的氣體的流 量。此外，后面說明膜厚流量關系模型的詳細情況。方案存儲部52中存儲有與在熱處理裝置中實施的成膜處理的種類相對應的、確定控制順序的工藝用方案。工藝用方案是在用戶實際進行的每種處理(工藝)中準備的方案，其規(guī)定了從向反應管2裝載半 導體晶片W開始到卸下處理完成的半導體晶片W為止的各部的溫度 變化、反應管2的壓力變化、氣體的供給開始以及停止的時間和供給量等。ROM53是由EEPROM、閃存器、硬盤等構成，用于存儲CPU56 的動作程序等的存儲介質。RAM54作為CPU 56的工作區(qū)等起作用。1/0端口 55向CPU56供給與溫度、壓力、氣體的流量有關的測量 信號，同時將CPU56輸出的控制信號輸出到各部(電力控制器、流量 調整部21 25、壓力調整部5)。另外，在I/0端口 55中連接有操作者 操作立式熱處理裝置1的操作面板58。CPU (Central Processing Unit) 56，構成控制部50的中樞，執(zhí)行 ROM 53所存儲的動作程序，根據(jù)來自操作面板58的指示、按方案存 儲部52所存儲的工藝用方案對立式熱處理裝置1的動作進行控制。另外，CPU 56基于半導體晶片W上所形成的膜厚結果和模型存 儲部51中所存儲的膜厚流量關系模型，計算從各個氣體供給管16 20 供給的各自的氣體的適當流量。并且，以從氣體供給管16 20供給的 氣體的流量變?yōu)橛嬎愠龅牧髁康姆绞剑蛄髁空{整部21 25輸出控制 信號。另外，CPU 56將對應的方案存儲部52中所存儲的方案的氣體 流量更新為計算出的氣體流量。即，CPU 56基于半導體晶片W上所 形成的膜厚結果進行方案的更新?？偩€57在各部之間傳遞信息。接著，對模型存儲部51中所存儲的膜厚流量關系模型進行說明。 膜厚流量關系模型是表示從氣體供給管16 20供給的氣體流量與半導 體晶片W上形成的膜厚的變動量的關系的模型，能夠根據(jù)多個工藝條 件下的實驗值作成。以下，對膜厚流量關系模型的作成方法進行說明。首先，如圖4所示，在規(guī)定的工藝條件下，例如在工藝條件l (反應管2內的溫度900°C、氫分壓比10%、壓力0.3Torr (40Pa)、氣 體總流量5000sccm)下，對于改變H2氣體供給管18 20 (Hz氣體 的子供給管1 3)的流量的情況(條件l-l l-4)，在半導體晶片W 上形成SiOj莫。并且，取出圖3所示的反應管2的區(qū)域1 5的每個區(qū) 域中所收容的半導體晶片W，測量已取出的半導體晶片W上所形成的Si02膜厚。接著，如圖5、圖6所示，變更工藝條件的一部分并進行同樣的試 驗，測量區(qū)域1 5的每個區(qū)域中的半導體晶片W上所形成的Si02的 膜厚。此外，在工藝條件2下將反應管2內的溫度變更為S00。C，在工 藝條件3下將氫分壓比變更為5%，在工藝條件4下將壓力變更為 0.5Torr (67Pa)，在工藝條件5下將氣體總流量變更成3500sccm。之后，在變更了的每個工藝條件中插入膜厚數(shù)據(jù)，計算作為對象 的方案條件中的膜厚。在本例中，以作為對象的方案的工藝條件為 反應管2內的溫度850°C、氫分壓比18.4%、壓力0.4Torr (53Pa)、 氣體總流量4655sccm的情況為例進行說明。首先，插入與反應管2內的溫度有關的膜厚數(shù)據(jù)。在本例中，根 據(jù)圖7 (a)所示的反應管2內的溫度為900°C時各個區(qū)域1 5的半導 體晶片W上所形成的Si02的膜厚(基準膜厚)，以及圖7 (b)所示的 反應管2內的溫度為800°C時各個區(qū)域1 5的半導體晶片W上所形 成的Si02的膜厚(變化膜厚)，以反應管2內的溫度為方案的條件，計 算(插入)850。C時在半導體晶片W上所形成的Si02的膜厚。對于插入的方法，可以采用各種方法，在本例中，通過冪乗近似 (Thick=aTb)，計算出反應管2內的溫度為850°C時各個區(qū)域1 5的 半導體晶片W上所形成的Si02的膜厚(插入后膜厚)。圖7 (c)中表 示了插入后膜厚。接下來，根據(jù)插入后膜厚的值，計算由于反應管2內的溫度變化 而產(chǎn)生的變化率。在本例中，變化率=(插入后膜厚-基準膜厚)/基準 膜厚，這樣來計算由于溫度變化而產(chǎn)生的變化率。由于溫度變化而產(chǎn) 生的變化率如圖7 (d)所示。之后，按照同樣的順序，對氫分壓比、壓力、以及氣體總流量也進行膜厚數(shù)據(jù)的插入，算出由于氫分壓比變化、壓力變化、以及氣體 總流量變化而產(chǎn)生的變化率。由于氫分壓比變化而產(chǎn)生的變化率如圖8(a)所示，由于壓力變化而產(chǎn)生的變化率如圖8 (b)所示，由于氣體 總流量變化而產(chǎn)生的變化率如圖8 (c)所示。然后，通過將這些變化了的工藝條件的因素加起來，即，通過基準膜厚x (l +由于溫度變化而產(chǎn)生的變化率+由于氫分壓比變化而產(chǎn)生的變化率+由于壓力變化而產(chǎn)生的變化率+由于氣體總流量變化而產(chǎn)生 的變化率)，就可以求出作為對象的方案的氣體流量與膜厚變化量的關系，能夠作成圖9所示的膜厚流量關系模型。當用公式表示該膜厚流量關系模型時，可以表示成y-Mu。在此， y=[y (1) ,y (2)，…，y (n) ]7為膜厚的變化量，u=[u (1) ,u (2)，…， u (m) ]T為氣體流量的變化量，M (nxm)為氣體流量的變化量與膜 厚的變化量的變換行列。但是，實際上，由于包括機體差、模型化差、 測定誤差等誤差因素，所以加上將這此誤差也歸攏起來進行修正的項 x=[x (1) ,x (2)，…，x (n) ]T，以y二Mu+x來表示。用卡爾曼濾波法 推定x，求出相對于u的膜厚y，可以求出用于消除該推定值與目標值 的差的氣體流量變化量。此外，由于實際的氣體流量存在制約，所以 例如優(yōu)選使用二次計劃法求出氣體流量。這樣，膜厚流量關系模型就沒有必要使物理現(xiàn)象定式化。因此， 可以容易地求出高精度的模型。另外，即使在變更溫度、壓力、總流 量等工藝條件的情況下，也能通過插入預先作成的線性模型作成高精 度的膜厚流量關系模型。因此，即使在變更溫度、壓力、總流量等工 藝條件的情況下，也沒有必要根據(jù)新的實驗作成膜厚流量關系模型。接下來，以采用上述結構的立式熱處理裝置1，在半導體晶片W 上形成氧化膜的成膜方法為例，參照圖IO對本發(fā)明的處理方法進行說 明。首先，操作員在操作面板58上輸入處理內容(氧化膜的形成)。 CPU 56判斷是否有輸入(步驟S1)，當有輸入時(步驟S1;是)，從 方案存儲部52中讀出響應于所輸入的指示(處理內容)的氧化膜形成 用的方案(步驟S2)。接下來，CPU 56，通過加熱部10將反應管2內設定在方案所規(guī)定的裝載溫度、例如400。C，在晶舟9上載置規(guī)定個數(shù)、例如150個作為 被處理體的半導體晶片W，利用晶舟升降機7使蓋體6上升。然后， CPU56使歧管3的下端的凸緣與蓋體6處于氣密狀態(tài)，在反應管2內 裝載半導體晶片W (步驟S3)。CPU 56如果完成半導體晶片W的裝載，則將反應管2內設定為 根據(jù)讀出的方案的成膜條件。具體地說，CPU56控制包括壓力調整部 5的排氣系統(tǒng)，開始排氣動作。另外，CPU56增加向加熱部IO供給的 電力并開始升溫。然后，CPU56根據(jù)方案，控制流量調整部21 25， 從氣體供給管16 20向反應管2內供給規(guī)定量的處理氣體，進行成膜 處理(步驟S4)。之后，CPU56判斷成膜處理是否結束(步驟S5)，當成膜處理結 束時(歩驟S5;是)，停止處理氣體的供給。然后，CPU56將反應管 2內冷卻，并設定為方案中規(guī)定的卸載溫度、例如400。C，卸載晶舟9 (半導體晶片W)(步驟S6)。接下來，CPU 56從載置在已卸載的晶舟9上的半導體晶片W中， 取出每個區(qū)域1 5中的至少1個半導體晶片W (監(jiān)測晶片)，例如， 搬送到圖中未示的測定裝置(步驟S7)。當利用測定裝置測定各個監(jiān)測晶片的膜厚時，將與測定裝置測定 的監(jiān)測晶片的膜厚結果有關的測定結果信息發(fā)送到立式熱處理裝置1 (CPU 56)。 CPU56判斷是否收到了測定結果信息(步驟S8)，當收到 了測定結果信息時(步驟S8;是)，判斷所形成的Si02膜的膜厚是否 存在問題(步驟S9)，如果沒有問題(步驟S9;否)則結束該處理。如果有問題(步驟S9;是)，則基于測定結果信息(所測定的監(jiān)測 晶片的膜厚)和模型存儲部51中所存儲的膜厚流量關系模型，計算在 下次成膜處理中由各個氣體供給管16 20供給的處理氣體的流量(步 驟SIO)。 S卩，通過采用膜厚流量關系模型求出用于消除所測量的監(jiān)測 晶片的膜厚與目標膜厚的差的氣體流量變化量，計算出在下次成膜處 理中從各個氣體供給管16 20供給的處理氣體的流量。CPU 56當計算出從各個氣體供給管16 20供給的處理氣體的流 量時，將算出的處理氣體的流量作為下次成膜處理時的處理氣體的流 量存儲在RAM54中，并進行方案的更新(步驟Sll)。此外，操作員從操作面板58中將算出的處理氣體的流量作為下次成膜處理時的處理 氣體的流量進行方案的更新也可以。如上所述，根據(jù)本實施方式，因為能夠基于已成膜處理的半導體 晶片W (監(jiān)測晶片)的膜厚和膜厚流量關系模型，計算下次成膜處理中從各個氣體供給管16 20供給的處理氣體的流量，所以能夠容易地調整氣體的流量。進而，因為采用上次的成膜處理的結果(膜厚)調 整處理氣體的流量，所以即使發(fā)生裝置的經(jīng)時變化和成膜環(huán)境(外部 溫度、大氣壓力)等變化，也可以進行適當?shù)哪ず竦某赡ぁ?(第二實施方式)在第一實施方式中，以在半導體晶片W (產(chǎn)品晶片)的成膜處理 中調整處理氣體的流量的情況為例對本發(fā)明進行了說明。在第二實施方式中，以采用檢查用基板、所謂的模擬晶片確認成 膜條件，在所確定的條件下對產(chǎn)品晶片(半導體晶片W)實施成膜處 理的情況為例對本發(fā)明進行說明。如此，釆用模擬晶片來確認成膜條 件，產(chǎn)品晶片成本增高，另外，如果重復使用相同的產(chǎn)品晶片則產(chǎn)品 晶片的圖案會被破壞，難以得到很多的實驗數(shù)據(jù)。另外，在采用模擬晶片確認成膜條件的情況下，由于模擬晶片與 產(chǎn)品晶片間的不同而引起的處理結果誤差，例如，由于裝載效果而產(chǎn) 生膜厚差。另外， 一般來說，在以相同的成膜條件進行成膜的情況下， 模擬晶片會比產(chǎn)品晶片成膜更厚。因此，在第二實施方式的處理方法 中，首先，考慮由于裝載效果產(chǎn)生的膜厚差的問題，采用下述裝載效 果數(shù)據(jù)庫，決定與產(chǎn)品晶片的目標膜厚對應的模擬晶片的目標膜厚。 并且，通過與第一實施方式相同的方法決定與所決定的目標膜厚一致 的氣體流量。因此，在第二實施方式中，在第一實施方式的控制部50中，在包 括裝載效果數(shù)據(jù)庫100這一點上與第一實施方式不同。以下，以與第 一實施方式不同的這一 點為中心進行說明。圖11表示了本實施方式的控制部50的結構。如圖11所示，控制 部50包括模型存儲部51、方案存儲部52、 ROM 53、 RAM 54、 I/O 端口55、 CPU 56、以及裝載效果數(shù)據(jù)庫100,采用總線57將它們相互 連接起來。21裝載效果數(shù)據(jù)庫100，例如圖12所示，存儲有各個區(qū)域中由于模 擬晶片與產(chǎn)品晶片的裝載效果產(chǎn)生的膜厚差(膜厚減少量)。例如，在BareSi的區(qū)域1中的目標膜厚為80A時，模擬晶片中的目標膜厚就是 85.08A。以下對裝載效果數(shù)據(jù)庫100的作成方法進行說明。在估計裝載效果的過程中，需要模擬晶片的膜厚數(shù)據(jù)和產(chǎn)品晶片 的膜厚數(shù)據(jù)。但是，由于產(chǎn)品晶片成本很高，另外，反復使用同一個 產(chǎn)品晶片時晶片的圖案會被破壞，所以難以得到很多的實驗數(shù)據(jù)。因 此，在本例中，以根據(jù)利用模擬器求得的數(shù)據(jù)，計算模擬晶片與產(chǎn)品 晶片間的膜厚差，并對各種工藝條件下的裝載效果進行估計的情況為 例進行說明。氧化膜厚的時間依存性能夠采用以下的公式(1)來進行近似。 x2-do2=Bt 公式(1)在此，x是膜厚，t是時間，B是2次氧化系數(shù)，do是時間為零時 的初始氧化膜。另外，2次氧化系數(shù)B能夠采用以下的公式(2)來表示。B-2DC。/C, 公式(2)在此，D是擴散系數(shù)，Q)是表面的氧化物質濃度，d是氧化膜中 的氧化物質濃度。在這些值中，初始氧化膜d()可以根據(jù)實驗值求得。另外，考慮到 氧化膜中的氧化物質濃度C，相對于氧化物質來說是固定的，擴散系數(shù) D可依存溫度近似為直線。由此，2次氧化系數(shù)B與濃度C。成比例， 采用公式(3)來表示。B=aCQ 公式(3)比例系數(shù)a是從每個溫度帶的實驗值中求得的。例如，(x為能夠從 與圖13 (a)所示的溫度與(x的關系中通過直線近似得出的規(guī)定溫度下 的值。氧化自由基濃度Co可釆用模擬器來進行計算。例如，在像圖 13 (b)那樣的方案的情況下，各個區(qū)域中的氧化自由基濃度C。為如 圖13 (c)所示的值。此外，由于晶片表面的膜種類、表面積的不同而 在氧化物質的濃度上會表現(xiàn)出差異，但是在本例中，如圖12和圖13 所示，對于BareSi和圖案表面積5倍這兩項來說，己經(jīng)算出由于裝載 效果而引起的膜厚減少量。根據(jù)比例系數(shù)(X和表面的氧化物質濃度C?？梢郧蟪?次氧化系數(shù)B，所以采用公式(1)、公式(3)，膜厚x可以用公式(4)來表示。 x= (axC0xt+d02) 0 5 公式(4)例如，圖13 (b)的方案中所示的850°C時的a的值如果根據(jù)圖 13 (a)的關系進行直線近似的話為120。在根據(jù)實驗值的初始氧化膜 厚為27A、工藝時間為15分鐘(900秒)的情況下，根據(jù)公式(4)， Si02Dummy、 Bare Si，圖案表面積5倍的膜厚量x為如圖13 (d)所 示那樣。因此，由于裝載效果的膜厚減少量為圖12所示的值。此外，如果對晶舟位置進行該計算，則能夠求出相對面間方向的 膜厚分布。接下來，以在采用模擬晶片、確認成膜條件之后，在所確認的條 件下對產(chǎn)品晶片(半導體晶片W)實施成膜處理的情況為例，參照圖 14、 15對本發(fā)明的處理方法進行說明。首先，操作員在操作面板58上輸入處理的內容(氧化膜的形成)、 產(chǎn)品晶片的目標膜厚。CPU56判斷是否有輸入(步驟S21)，在有輸入 時(步驟S21;是)，計算模擬晶片上的目標膜厚(步驟S22)，同時， 從方案存儲部52中讀出對應的氧化膜形成用方案(步驟S23)。接下來，CPU 56通過加熱部10將反應管2內設定為方案中所規(guī) 定的溫度，并將每個區(qū)域1 5中的至少一個模擬晶片載置到晶舟9上， 通過晶舟升降機7使蓋體6上升。并且，CPU56使歧管3的下端的凸 緣與蓋體6處于氣密狀態(tài)，向反應管2內載入模擬晶片(步驟S24)。CPU 56當完成模擬晶片的載入時，將反應管2內設定為根據(jù)所讀 出的方案的成膜條件，根據(jù)方案控制流量調整部21 25，從氣體供給 管16 20向反應管2內供給規(guī)定量的處理氣體，實施成膜處理(步驟 S25)。之后，CPU56判斷成膜處理是否結束(步驟S26)，當成膜處理 結束時(步驟S26;是)，停止處理氣體的供給。然后，CPU56將反應 管2內冷卻，設定為方案中所規(guī)定的卸載溫度，卸載模擬晶片(步驟 S27)。接下來，CPU56取出監(jiān)測晶片，例如，搬送到圖中未示的測定裝 置(步驟S28)。當利用測定裝置測定各個監(jiān)測晶片的膜厚時，將與測 定裝置所測定的監(jiān)測晶片的膜厚有關的測定結果信息發(fā)送到立式熱處理裝置l (CPU 56)。 CPU 56判斷是否已經(jīng)收到測定結果信息(步驟 S29)，判斷膜厚中是否有問題(步驟S30)。膜厚中是否有問題是通過 例如測定結果是否處于從模擬晶片的目標膜厚起的規(guī)定范圍內而進行 的。如果有問題(步驟S30;是)，CPU 56基于已測定的監(jiān)測晶片的 膜厚以及模型存儲部51中所存儲的膜厚流量關系模型，計算下次的成 膜處理中從各個氣體供給管16 20供給的處理氣體的流量(步驟 S31)。并且，CPU56將計算出的處理氣體的流量作為下次成膜處理時 的處理氣體的流量存儲在RAM54中，并進行方案的更新(步驟S32)， 返回到步驟S24。即，用更新了的方案再一次進行模擬晶片的成膜處理。如果沒有問題(步驟S30;否)，CPU56將產(chǎn)品晶片(半導體晶片 W)載置到晶舟9上并將產(chǎn)品晶片裝載到反應管2內(步驟S33)，根 據(jù)方案，在產(chǎn)品晶片上實施成膜處理(步驟S34)。之后，CPU56判斷 成膜處理是否結束(步驟S35)，在成膜處理結束時(步驟S35;是)， 根據(jù)方案，卸載產(chǎn)品晶片(步驟S36)。接下來，CPU56取出監(jiān)測晶片，搬送到圖中未示的測定裝置(步 驟S37)。并且，CPU56判斷是否已經(jīng)收到測定結果信息(步驟S38)， 判斷膜厚中是否有問題(步驟S39)。如果有問題(步驟S39;是)，CPU56返回到步驟S22。即，計算 并更正模擬晶片的目標膜厚，這一次選定(計算氣體流量)較好的方 案。如果沒有問題(步驟S39;否)，根據(jù)該方案，與第一實施方式相 同，對產(chǎn)品晶片實施成膜處理，在半導體晶片W上形成SiOj莫(步驟 S40)。接下來，在圖16、 17中表示在模擬晶片中進行氣體流量的調整的 結果。圖16是目標膜厚無論晶舟位置都一定的情況，圖17是根據(jù)晶 舟位置的位置變化目標膜厚的情況。如圖16所示，在目標膜厚無論晶 舟位置都一定的情況下，通過2次調整，可以使目標膜厚一致。另外， 雖然面內均勻性當初為±4.39%，但是通過2次調整可以改善到土 0.26%。另外，如圖17所示，在根據(jù)晶舟位置的位置變化目標膜厚的 情況下也同樣，可以使目標膜厚一致。如上所述，根據(jù)本實施方式，與第一實施方式相同，可以容易地 調整氣體流量。此外，本發(fā)明并不限定于上述實施方式，也可以是各種變形和應 用。以下，對能夠適用于本發(fā)明的其它實施方式進行說明。雖然在上述實施方式中，以能夠與反應管2內的溫度、壓力、氣 體的總流量、氫分壓比的變更對應的膜厚流量關系模型為例對本發(fā)明 進行了說明，但是膜厚流量關系模型也可以與其它工藝條件的變更對 應。另外，雖然可以僅與反應管2內的溫度的變更對應，但優(yōu)選與至 少2種以上的變更對應。雖然在上述實施方式中作為與膜厚差有關的信息以裝載效果的情況為例對本發(fā)明進行了說明，該膜厚差是由于半導體晶片w和模擬晶片的不同而引起的，但如果是由于二者的不同而導致膜厚差變大的話， 則也可以是除此之外的情況。雖然在上述實施方式中以氧化膜形成用的熱處理裝置為例對本發(fā) 明進行了說明，但也可以是任意的處理種類，可適用于形成其它種類的膜的CVD裝置、氮化裝置、蝕刻裝置等各種成批式熱處理裝置。在 這種情況下，在控制部50的模型存儲部51中存儲有與處理種類相對 應的流量處理結果關系模型。雖然在上述實施方式中以設有4條H2氣體供給管17 20的情況 為例對本發(fā)明進行了說明，但是H2氣體供給管的數(shù)目也可以不是多個， 在這種情況下，也可以容易地調整為最適當?shù)臍怏w流量。但是，由于 通過設置多個H2氣體供給管可以容易地向反應管2內均勻地供給H2氣體，所以優(yōu)選設置多個H2氣體供給管。另外，雖然在上述實施方式中以設有1個02氣體供給管16的情 況為例對本發(fā)明進行了說明，但是例如也可以像設置從歧管3的側面 一直延伸到晶舟9的下部附近而形成的02氣體供給管那樣，設置多個 02氣體供給管。雖然在上述實施方式中以沒有改變各個半導體晶片W的溫度條 件、調整氣體流量的情況為例對本發(fā)明進行了說明，但是也可以進而 組合各種調整方法。例如，獨立地驅動多個加熱器11 15以使各個區(qū) 域內的半導體晶片W的溫度與規(guī)定溫度一致的方式進行控制，也可以根據(jù)成膜處理的結果，調整規(guī)定的半導體晶片W的溫度。另外，模型 存儲部51中存儲有與膜厚流量關系模型相同的膜厚溫度關系模型，可 以采用該膜厚溫度關系模型對膜厚進行微調。另外，雖然在上述實施方式中以單管結構的立式熱處理裝置的情 況為例對本發(fā)明進行了說明，但是，反應管2由內管和外管構成的二 層管結構的成批式立式熱處理裝置也能夠適用于本發(fā)明。另外，在上述實施方式中，雖然以調整通過成膜處理而形成的膜 的膜厚為例進行了說明，但是在為了使雜質擴散處理中的擴散濃度或 者擴散深度、蝕刻速率、反射率、埋入特性、分步敷層等各種處理的 結果適當化也有效。另外，加熱器的段數(shù)(區(qū)域個數(shù))、從各個區(qū)域中提取的監(jiān)測晶片 的個數(shù)等均可任意地進行設定。另外，本發(fā)明并不限定于半導體晶片的處理，例如也可適用于FPD 基板或玻璃基板等、以及PDP基板的處理等。本發(fā)明的實施方式涉及的控制部50可以不采用專用的系統(tǒng)，也可 以采用通常的計算機系統(tǒng)實現(xiàn)。例如，通過從存儲有用于執(zhí)行上述處 理的程序的記錄介質(軟盤、CD-ROM等)將該程序安裝到計算機上， 能夠構成執(zhí)行上述處理的控制部50。并且，用于供給這些程序的單元是任意的。除了能夠通過如上所 述的規(guī)定記錄介質供給之外，也可以通過例如通信線路、通信網(wǎng)絡、 通信系統(tǒng)等供給。在這種情況下，例如可以將該程序公開于通信網(wǎng)絡 的公告板上(BBS)，通過網(wǎng)絡將其重疊于搬送波進行提供。并且，啟 動上述提供的程序，在OS的控制下，通過與其它的應用程序同樣地執(zhí) 行，也可以執(zhí)行上述處理。
權利要求
1.一種處理系統(tǒng)，其特征在于，包括處理室，收容被處理體；處理氣體供給裝置，向該處理室內供給處理氣體；處理條件存儲單元，存儲包括從所述處理氣體供給裝置供給的處理氣體的流量的與處理內容對應的處理條件；模型存儲單元，存儲表示處理氣體的流量與處理結果的關系的流量處理結果關系模型；流量計算單元，輸入在所述處理條件存儲單元所存儲的處理條件下處理所述被處理體的處理結果，基于該處理結果和由所述模型存儲單元所存儲的流量處理結果關系模型，計算處理氣體的流量；和處理單元，當由所述流量計算單元計算出處理氣體的流量時，將所述處理條件的處理氣體的流量變更為由所述流量計算單元計算出的處理氣體的流量，對被處理體進行處理。
2. —種處理系統(tǒng)，其特征在于，包括 處理室，收容被處理體或者該被處理體的檢查用基板； 處理氣體供給裝置，用于向該處理室內供給處理氣體； 處理條件存儲單元，存儲包括由所述處理氣體供給裝置供給的處理氣體的流量的與處理內容對應的處理條件；誤差信息存儲單元，存儲有與處理結果的誤差有關的誤差信息，所述處理結果的誤差是由于所述被處理體和所述檢查用基板之間的不同所引起的；模型存儲單元，存儲表示處理氣體的流量與處理結果的關系的流 量處理結果關系模型；處理條件提取單元，基于所述誤差信息存儲單元所存儲的誤差信 息，根據(jù)所述被處理體的目標處理結果計算所述檢查用基板的目標處 理結果，從所述處理條件存儲單元所存儲的處理條件中提取與計算出 的所述檢查用基板的目標處理結果對應的處理條件；檢査用基板處理單元，在由所述處理條件提取單元所提取的處理條件下處理所述檢査用基板；判斷單元，判斷由所述檢查用基板處理單元所處理的處理結果是 否包括在所述檢查用基板的目標處理結果的規(guī)定范圍內；流量計算單元，當由所述判斷單元判斷為不包括在規(guī)定范圍內時， 基于處理所述檢查用基板的處理結果和所述模型存儲單元所存儲的流 量處理結果關系模型，計算處理氣體的流量；禾卩流量變更單元，當由所述流量計算單元計算出處理氣體的流量時， 將所述處理條件的處理氣體的流量變更為所述流量計算單元計算出的 處理氣體的流量，在所述檢查用基板處理單元中處理檢查用基板。
3. 如權利要求2所述的處理系統(tǒng)，其特征在于 還包括被處理體處理單元，當由所述判斷單元判斷為包括在規(guī)定范圍內時，在由所述處理條件提取單元所提取的處理條件下處理被處 理體。
4. 如權利要求2或3所述的處理系統(tǒng)，其特征在于 所述誤差信息存儲單元存儲與所述被處理體和所述檢查用基板的裝載效果有關的誤差信息。
5. 如權利要求1或2中任一項所述的處理系統(tǒng)，其特征在于所述流量處理結果關系模型是對于構成所述處理條件的各要件基 于兩個以上的不同條件下的處理結果而作成的，即使所述處理條件變 更也能夠對應。
6. 如權利要求1或2中任一項所述的處理系統(tǒng)，其特征在于所述處理氣體供給單元具有插入到所述處理室內的多個處理氣體 供給管，所述流量計算單元計算每個處理氣體供給管供給的流量。
7. 如權利要求1或2中任一項所述的處理系統(tǒng)，其特征在于還包括處理條件更新單元，其用于將所述處理條件存儲單元所存儲的處理氣體的流量更新為由所述流量計算單元計算出的處理氣體的 流量。
8. 如權利要求1或2中任一項所述的處理系統(tǒng)，其特征在于 所述處理室被劃分為多個區(qū)域，所述模型存儲單元存儲有表示每個所述區(qū)域的處理氣體的流量與 處理結果的關系的流量處理結果關系模型。
9. 如權利要求1或2中任一項所述的處理系統(tǒng)，其特征在于 所述處理內容為成膜處理。
10. —種處理方法，其特征在于，包括:處理氣體供給工序，向收容被處理體的處理室內供給處理氣體；處理條件存儲工序，存儲包括由所述處理氣體供給工序供給的處 理氣體的流量的與處理內容對應的處理條件；模型存儲工序，存儲表示處理氣體的流量與處理結果的關系的流 量處理結果關系模型；流量計算工序，輸入在所述處理條件存儲工序所存儲的處理條件 下處理所述被處理體的處理結果，基于該處理結果和由所述模型存儲 工序所存儲的流量處理結果關系模型，計算處理氣體的流量；和處理工序，當由所述流量計算工序計算出處理氣體的流量時，將 所述處理條件的處理氣體的流量變更為由所述流量計算工序計算出的 處理氣體的流量，對被處理體進行處理。
11. 一種處理方法，其特征在于，包括處理氣體供給工序，向收容被處理體或者該被處理體的檢查用基 板的處理室內供給處理氣體；處理條件存儲工序，存儲包括由所述處理氣體供給工序供給的處 理氣體的流量的與處理內容對應的處理條件；.誤差信息存儲工序，存儲與處理結果的誤差有關的誤差信息，所 述處理結果的誤差是由于所述被處理體和所述檢查用基板之間的不同所引起的；模型存儲工序，存儲表示處理氣體的流量與處理結果的關系的流 量處理結果關系模型；處理條件提取工序，基于所述誤差信息存儲工序所存儲的誤差信 息，根據(jù)所述被處理體的目標處理結果計算所述檢査用基板的目標處 理結果，從所述處理條件存儲工序所存儲的處理條件中提取與計算出 的所述檢查用基板的目標處理結果對應的處理條件；檢查用基板處理工序，在所述處理條件提取工序所提取的處理條 件下處理所述檢查用基板；判斷工序，判斷所述檢查用基板處理工序所處理的處理結果是否 包括在所述檢查用基板的目標處理結果的規(guī)定范圍內；流量計算工序，當由所述判斷工序判斷為不包括在規(guī)定范圍內時， 基于處理所述檢査用基板的處理結果和所述模型存儲工序所存儲的流 量處理結果關系模型，計算處理氣體的流量；和流量變更工序，當由所述流量計算工序計算出處理氣體的流量時， 將所述處理條件的處理氣體的流量變更為所述流量計算工序計算出的 處理氣體的流量，在所述檢查用基板處理工序中處理檢查用基板。
12. 如權利要求11所述的處理方法，其特征在于 還包括被處理體處理工序，其當由所述判斷工序判斷包括在規(guī)定范圍內時，在所述處理條件提取工序所提取的處理條件下處理被處理 體。
13. 如權利要求11或12中所述的處理方法，其特征在于在所述誤差信息存儲工序中，存儲有與所述被處理體和所述檢査 用基板的裝載效果有關的誤差信息。
14. 如權利要求10或11中任一項所述的處理方法，其特征在于所述流量處理結果關系模型是對于構成所述處理條件的各要件基 于兩個以上的不同條件下的處理結果而作成的，即使所述處理條件變 更也能夠對應。
15. 如權利要求10或11中任一項所述的處理方法，其特征在于: 在所述處理氣體供給工序中，從插入到所述處理室內的多個處理氣體供給管供給處理氣體，在所述流量計算工序中，計算每個處理氣體供給管供給的流量。
16. 如權利要求10或11中任一項所述的處理方法，其特征在于 還包括更新工序，將所述處理條件存儲工序中所存儲的處理氣體的流量更新為由所述流量計算工序計算出的處理氣體的流量。
17. 如權利要求10 16中任一項所述的處理方法，其特征在于 所述處理室被劃分為多個區(qū)域，在所述模型存儲工序中，存儲表示每個所述區(qū)域的處理氣體的流 量與處理結果的關系的流量處理結果關系模型。
18. 如權利要求10 17中任一項所述的處理方法，其特征在于 所述處理內容為成膜處理。
19. 一種計算機程序，其特征在于，能夠使計算機實現(xiàn)下述單元 的功能處理氣體供給單元，向收容被處理體的處理室內供給處理氣體；處理條件存儲單元，存儲有包括由所述處理氣體供給單元供給的 處理氣體的流量的與處理內容對應的處理條件；模型存儲單元，存儲有表示處理氣體的流量與處理結果的關系的 流量處理結果關系模型；流量計算單元，基于在所述處理條件存儲單元所存儲的處理條件 下處理所述被處理體而得到的處理結果、和由所述模型存儲單元所存 儲的流量處理結果關系模型，計算處理氣體的流量；和處理單元，當由所述流量計算單元計算出處理氣體的流量時，將 所述處理條件的處理氣體的流量變更為由所述流量計算單元計算出的 處理氣體的流量，對被處理體進行處理。
20. —種計算機程序，其特征在于，能夠使計算機實現(xiàn)下述單元 的功能處理氣體供給單元，用于向收容被處理體或者該被處理體的檢查用基板的處理室內供給處理氣體；處理條件存儲單元，存儲有包括由所述處理氣體供給裝置供給的 處理氣體的流量的與處理內容對應的處理條件；誤差信息存儲單元，存儲有與處理結果的誤差有關的誤差信息， 所述處理結果的誤差是由于所述被處理體和所述檢查用基板之間的不 同所引起的；模型存儲單元，存儲有表示處理氣體的流量與處理結果的關系的流量處理結果關系模型；處理條件提取單元，基于所述誤差信息存儲單元所存儲的誤差信息，根據(jù)所述被處理體的目標處理結果計算所述檢查用基板的目標處理結果，從所述處理條件存儲單元所存儲的處理條件中提取與計算出的所述檢查用基板的目標處理結果對應的處理條件；檢査用基板處理單元，在所述處理條件提取單元所提取的處理條 件下處理所述檢查用基板；判斷單元，判斷所述檢查用基板處理單元所處理的處理結果是否 包括在所述檢查用基板的目標處理結果的規(guī)定范圍內；流量計算單元，當由所述判斷單元判斷為不包括在規(guī)定范圍內時， 基于處理所述檢查用基板的處理結果和所述模型存儲單元所存儲的流 量處理結果關系模型，計算處理氣體的流量；和流量變更單元，當由所述流量計算單元計算出處理氣體的流量時， 將所述處理條件的處理氣體的流量變更為所述流量計算單元計算出的 處理氣體的流量，在所述檢查用基板處理單元中處理檢查用基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠容易地調整氣體流量的處理系統(tǒng)、處理方法和程序。在立式熱處理裝置(1)中設有多個向收容半導體晶片(W)的反應管(2)內供給處理氣體的氣體供給管(16～20)。流量調整部(21～25)控制氣體供給管(16～20)的流量?？刂撇?50)中存儲有表示包括處理氣體流量的工藝條件以及處理氣體的流量與膜厚關系的膜厚流量關系模型?？刂撇?50)基于在工藝條件下處理半導體晶片(W)的處理結果和膜厚流量關系模型，計算處理氣體的流量、控制流量調整部(21～25)，將處理氣體的流量變更為計算出的處理氣體的流量，并對半導體晶片(W)進行處理。
文檔編號C23C16/455GK101260517SQ200810092098
公開日2008年9月10日 申請日期2008年3月5日 優(yōu)先權日2007年3月5日
發(fā)明者山口達也, 片岡勇樹, 王文凌, 竹永裕一 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社