專利名稱：在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體生產(chǎn)方法，且特別是涉及一種用于檢視光阻殘留的在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造中，蝕刻制程是用來在半導(dǎo)體元件中，從層或?qū)又幸瞥牧希孕纬陕方?jīng)，此路徑常稱為中介窗。這些中介窗可以金屬加以填充，藉以將半導(dǎo)體元件中的不同層彼此連接。然而，當(dāng)在形成中介窗時(shí)，若蝕刻被阻礙，以致于所形成的路徑不完全，造成電性導(dǎo)體材料僅能填充在此部分形成的中介窗時(shí)，此時(shí)出現(xiàn)問題。
蝕刻阻礙的發(fā)生常是因?yàn)槲g刻制程本身出問題或是來自于微影制程的問題。其中蝕刻制程的問題包括微粒出現(xiàn)在或進(jìn)入蝕刻路徑，造成蝕刻停止或延遲，以致于路徑蝕刻不完全。而微影制程問題包括，在微影制程中，當(dāng)在一表面進(jìn)行光阻顯影時(shí)，移除光阻來暴露部分表面時(shí)，有部分的光阻殘留在此暴露的表面上，造成蝕刻停止或延遲，以致于路徑蝕刻不完全。
當(dāng)蝕刻被阻礙時(shí)，此情況是很難被檢測(cè)出來的，且當(dāng)半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)入次微米階段，判定蝕刻制程或是微影制程為造成蝕刻阻礙的原因即成為一問題。
藉由判定出造成蝕刻阻礙的原因，并藉此修正問題，來提高生產(chǎn)效率與晶圓良率，即成為業(yè)界追求的目標(biāo)。
因此，根據(jù)上述的原因，提供一種不具有上述缺點(diǎn)的檢測(cè)光阻殘留的改良方法即成為追求的目標(biāo)。
有鑒于上述原因，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，所要解決的技術(shù)問題是使其可以判定蝕刻制程或是微影制程為造成蝕刻阻礙的原因，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，所要解決的技術(shù)問題是使其能即時(shí)檢測(cè)出蝕刻組要的原因，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的再一目的在于，提供一種在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，所要解決的技術(shù)問題是使其在制造過程中判定造成蝕刻阻礙的原因，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于該方法至少包括下列步驟在半導(dǎo)體元件表面上顯影一光阻以暴露出部分表面；部分蝕刻復(fù)數(shù)個(gè)蝕刻路徑以進(jìn)入該半導(dǎo)體表面；檢測(cè)該些個(gè)蝕刻路徑；以及判定該些受檢測(cè)蝕刻路徑深度。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其中所述的表面為一半導(dǎo)體基板層表面。
前述的在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其中所述的表面為一半導(dǎo)體絕緣層表面。
前述的在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其中所述的表面為一半導(dǎo)體金屬層表面。
前述的在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其中所述的蝕刻路徑為一部分介層窗。
前述的在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其中所述的部分蝕刻將造成該些蝕刻路徑具有第一深度，假若未有光阻殘留于表面上。
前述的在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其中所述的部分蝕刻將造成該些蝕刻路徑具有一小于該第一深度的第二深度，假若有光阻殘留于表面上。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于該方法至少包括下列步驟提供一具有一表面的基板；形成一光阻于該表面上；暴露該光阻層于一光線中；在半導(dǎo)體元件表面上顯影該光阻以暴露出部分表面；部分蝕刻復(fù)數(shù)個(gè)蝕刻路徑以進(jìn)入該半導(dǎo)體表面；檢測(cè)該些個(gè)蝕刻路徑；以及判定該些受檢測(cè)蝕刻路徑深度。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其中所述的表面為一半導(dǎo)體基板層表面。
前述的在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其中所述的表面為一半導(dǎo)體絕緣層表面。
前述的在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其中所述的表面為一半導(dǎo)體金屬層表面。
前述的在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其中所述的蝕刻路徑為一部分介層窗。
前述的在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其中所述的蝕刻路徑為一部分接觸窗。
前述的在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其中所述的部分蝕刻將造成該些蝕刻路徑具有第一深度，假若未有光阻殘留于表面上。
前述的在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其中所述的部分蝕刻將造成該些蝕刻路徑具有一小于該第一深度的第二深度，假若有光阻殘留于表面上。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于該方法至少包括下列步驟形成一光阻于一半導(dǎo)體元件表面上；暴露該光阻層于一光線中；在半導(dǎo)體元件表面上顯影該光阻以暴露出部分表面；部分蝕刻復(fù)數(shù)個(gè)蝕刻路徑以進(jìn)入該半導(dǎo)體表面；檢測(cè)該些個(gè)蝕刻路徑；以及判定該些受檢測(cè)蝕刻路徑深度，其中若未有光阻殘留于表面上，則該些蝕刻路徑具有第一深度，而若有光阻殘留于表面上，則該些蝕刻路徑具有一小于該第一深度的第二深度。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的在一半導(dǎo)體元件中檢視光阻殘留的方法，其中所述的在半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于其中所述的表面為一半導(dǎo)體基板層表面。
前述的在一半導(dǎo)體元件中檢視光阻殘留的方法，其中所述的在半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于其中所述的表面為一半導(dǎo)體絕緣層表面。
前述的在一半導(dǎo)體元件中檢視光阻殘留的方法，其中所述的在半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于其中所述的表面為一半導(dǎo)體金屬層表面。
前述的在一半導(dǎo)體元件中檢視光阻殘留的方法，其中所述的在半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于其中所述的蝕刻路徑為一部分介層窗。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達(dá)到前述發(fā)明目的，本發(fā)明提出一種在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，該方法包括下列步驟，首先形成一光阻層于一半導(dǎo)體元件表面上，接著圖案化此光阻層，并進(jìn)行顯影以暴露出元件部分表面，接著部分蝕刻出復(fù)數(shù)個(gè)蝕刻路徑以進(jìn)入半導(dǎo)體表面，檢測(cè)蝕刻路徑并判定這些受檢測(cè)蝕刻路徑的深度。
經(jīng)由上述可知，本發(fā)明是關(guān)于一種在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，包括在半導(dǎo)體元件表面上顯影一光阻以暴露出部分表面，部分蝕刻復(fù)數(shù)個(gè)蝕刻路徑以進(jìn)入該半導(dǎo)體表面，檢測(cè)并判定該些個(gè)蝕刻路徑深度。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法至少具有下列優(yōu)點(diǎn)可藉由即時(shí)判定出造成蝕刻阻礙的原因，而加以修正問題，故可提高晶圓良率。另一方面，并不需等到所有制程完畢后，再加以檢測(cè)，可在制程中即時(shí)檢測(cè)即時(shí)修正，因此可提升生產(chǎn)效率。
綜上所述，本發(fā)明在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，可以判定蝕刻制程或是微影制程為造成蝕刻阻礙的原因，從而更加適于實(shí)用。其具有上述諸多的優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，并在同類方法中未見有類似的設(shè)計(jì)公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在方法上或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有較大的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，從而更加適于實(shí)用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1是一包括有復(fù)數(shù)層與一光阻層形成于表面上的半導(dǎo)體元件剖面圖。
圖2是一半導(dǎo)體元件剖面圖，其中展示了一在制造半導(dǎo)體元件過程中的微影制程步驟。
圖3是一具有一顯影光層的半導(dǎo)體元件剖面圖，其中一光阻殘留于其表面上。
圖4是一包含部分蝕刻路經(jīng)的半導(dǎo)體元件剖面圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明一具體實(shí)施例方法的流程圖。
100元件102至112層114光阻116、118孔洞122光 124、126區(qū)塊128、130凹陷 132光阻殘留134、136蝕刻路徑 200至210方塊具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法其具體實(shí)施方式
、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
在一具體實(shí)施例中，半導(dǎo)體元件100的生產(chǎn)中包括一微影制程，圖1中的元件100具有復(fù)數(shù)層102，104、106、108、110和112，其中這些層102至112包括有半導(dǎo)體基板層，絕緣層和金屬層。形成半導(dǎo)體基板層112的材料有多種，包括但不限制于硅(Si)、硅化鍺(SiGe)、碳化硅(SiC)和砷化鉀(AsGa)。形成絕緣層的材料有多種，包括但不限制于二氧化硅(SiO2)、四氧化三硅(Si3O4)和氮氧化硅(SiON)。形成金屬層的材料有多種，包括但不限制于鋁(Al)、鋁合金(Al alloys)、銅(Cu)、鎢(W)、鈦(Ti)和鉭(Ta)。光阻層114被形成于元件100相鄰于層102的表面上，此為微影制程中圖案化光阻步驟的一部分。
接續(xù)此圖案化光阻步驟，在圖2中，一光罩116放置于光阻層114之上，光122，例如一高強(qiáng)度的UV光，被照射于光罩116，光122會(huì)通過孔洞118和120，并在光阻114上形成區(qū)塊124和126。區(qū)塊124和126的物理特性會(huì)因?yàn)楸┞队诠?22之下而造成變化，然后顯影光阻114，來從元件100上層102的表面移除區(qū)塊124和126。在此微影步驟中可使用另一種光阻的形式，來使得顯影后，從元件100上的層102的表面所移除的部分，為未暴露于光122的部分。
圖案化光阻包括下列的制程步驟，例如光阻涂怖步驟、軟烤(softbaking)步驟、光罩對(duì)準(zhǔn)步驟、圖案化的曝光步驟、顯影光阻步驟和硬烤(hard baking)步驟，上述的步驟可使用傳統(tǒng)微影制程技藝中的合適方法來達(dá)成。
在一完美的光阻114顯影后，在圖3中，元件100具有一光阻114，一凹陷128形成于此光阻114中，暴露出層102的表面。然而，若光阻102的顯影不完美，會(huì)造成光阻殘留132于層102表面上的凹陷130中。當(dāng)半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)入次微米階段，傳統(tǒng)的技術(shù)并不能檢測(cè)出此光阻殘留于凹陷130中的相對(duì)深度。
為了檢測(cè)光阻殘留132的出現(xiàn)，一部分蝕刻被執(zhí)行，在圖4中，因?yàn)榇舜挝g刻并不意味著要將元件100中的多個(gè)層進(jìn)行連接，而僅是為了檢測(cè)的目的而在元件中形成一預(yù)先設(shè)定的深度，因此稱作部分蝕刻。此部分蝕刻會(huì)從元件100移除材料，經(jīng)由層102形成一部分蝕刻路徑134和136?，F(xiàn)在檢測(cè)部分蝕刻路徑134和136，可以使用各種物理失敗分析儀器來進(jìn)行檢測(cè)，包括但不限定為光學(xué)顯微鏡、電子掃描顯微鏡、穿透式電子顯微鏡、聚焦離子線(focus ion beam)、螺旋掃描顯微鏡(scanning augermicroscope)、二次離子光譜儀擴(kuò)展阻值探針、掃描試探針顯微鏡、自動(dòng)開封系統(tǒng)(auto decapsulation system)，或是如KLA-Tencor AIT XP的檢測(cè)裝置。假如在部分蝕刻前，在層102的表面上未有光阻殘留132出現(xiàn)，其結(jié)論為此部分蝕刻路徑134，在一具體實(shí)施例中，在元件10中已蝕刻至一足夠深度，來暴露出層104的表面。然而，假如在部分蝕刻前，在層102的表面上有光阻殘留132出現(xiàn)，其結(jié)論為此部分蝕刻路徑134，在一具體實(shí)施例中，在元件10中并未蝕刻至一足夠深度來完全延伸出層102以暴露出層104的表面。因此，藉由檢視層102中的部分蝕刻路徑134和136，可判定出在經(jīng)過微影制程后是否有光阻殘留132出現(xiàn)。在另一實(shí)施例中，可藉由比較部分蝕刻路徑的相對(duì)深度，可判定是否有任何一個(gè)部分蝕刻路經(jīng)，因?yàn)樵诮?jīng)過微影制程后有光阻殘留出現(xiàn)，而未達(dá)到所意欲的蝕刻深度。根據(jù)半導(dǎo)體元件的生產(chǎn)可決定出所意欲的蝕刻路徑深度，在蝕刻深度從未完成的蝕刻路徑至蝕刻深度僅一點(diǎn)小于意欲蝕刻深度的范圍內(nèi)的蝕刻路徑，均屬非意欲的蝕刻路徑。如此的檢測(cè)可執(zhí)行于半導(dǎo)體生產(chǎn)制程中，藉以即時(shí)監(jiān)測(cè)出因此而來的缺陷。
請(qǐng)參閱圖5所示，其是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一流程圖，此方法包括下列步驟，提供一基板200，接著進(jìn)席微影制程202和部分蝕刻204，然后在判定方塊206中執(zhí)行一驗(yàn)證步驟，用已判定蝕刻路徑是否以達(dá)到一意欲深度。假如蝕刻路徑以達(dá)到一意欲深度，然后繼續(xù)執(zhí)行方塊208的步驟，在此判定未有光阻殘留。反之，若在判定方塊206中判定蝕刻路徑未達(dá)到一意欲深度，則繼續(xù)執(zhí)行方塊210的步驟，在此判定出有光阻殘留。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于該方法至少包括下列步驟在半導(dǎo)體元件表面上顯影一光阻以暴露出部分表面；部分蝕刻復(fù)數(shù)個(gè)蝕刻路徑以進(jìn)入該半導(dǎo)體表面；檢測(cè)該些個(gè)蝕刻路徑；以及判定該些受檢測(cè)蝕刻路徑深度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于其中所述的表面為一半導(dǎo)體基板層表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于其中所述的表面為一半導(dǎo)體絕緣層表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于其中所述的表面為一半導(dǎo)體金屬層表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于其中所述的蝕刻路徑為一部分介層窗。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于其中所述的部分蝕刻將造成該些蝕刻路徑具有第一深度，假若未有光阻殘留于表面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于其中所述的部分蝕刻將造成該些蝕刻路徑具有一小于該第一深度的第二深度，假若有光阻殘留于表面上。
8.一種在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于該方法至少包括下列步驟提供一具有一表面的基板；形成一光阻于該表面上；暴露該光阻層于一光線中；在半導(dǎo)體元件表面上顯影該光阻以暴露出部分表面；部分蝕刻復(fù)數(shù)個(gè)蝕刻路徑以進(jìn)入該半導(dǎo)體表面；檢測(cè)該些個(gè)蝕刻路徑；以及判定該些受檢測(cè)蝕刻路徑深度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的在半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于其中所述的表面為一半導(dǎo)體基板層表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的在半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于其中所述的表面為一半導(dǎo)體絕緣層表面。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的在半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于其中所述的表面為一半導(dǎo)體金屬層表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的在半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于其中所述的蝕刻路徑為一部分介層窗。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的在半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于其中所述的蝕刻路徑為一部分接觸窗。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的在半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于其中所述的部分蝕刻將造成該些蝕刻路徑具有第一深度，假若未有光阻殘留于表面上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的在半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于其中所述的部分蝕刻將造成該些蝕刻路徑具有一小于該第一深度的第二深度，假若有光阻殘留于表面上。
16.一種在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于該方法至少包括下列步驟形成一光阻于一半導(dǎo)體元件表面上；暴露該光阻層于一光線中；在半導(dǎo)體元件表面上顯影該光阻以暴露出部分表面；部分蝕刻復(fù)數(shù)個(gè)蝕刻路徑以進(jìn)入該半導(dǎo)體表面；檢測(cè)該些個(gè)蝕刻路徑；以及判定該些受檢測(cè)蝕刻路徑深度，其中若未有光阻殘留于表面上，則該些蝕刻路徑具有第一深度，而若有光阻殘留于表面上，則該些蝕刻路徑具有一小于該第一深度的第二深度。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的在半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于其中所述的表面為一半導(dǎo)體基板層表面。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的在半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于其中所述的表面為一半導(dǎo)體絕緣層表面。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的在半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于其中所述的表面為一半導(dǎo)體金屬層表面。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的在半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，其特征在于其中所述的蝕刻路徑為一部分介層窗。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種在一半導(dǎo)體元件制造中檢測(cè)光阻殘留的方法，包括在半導(dǎo)體元件表面上顯影一光阻以暴露出部分表面，部分蝕刻復(fù)數(shù)個(gè)蝕刻路徑以進(jìn)入該半導(dǎo)體表面，檢測(cè)并判定該些個(gè)蝕刻路徑深度。
文檔編號(hào)G03F7/20GK1697151SQ200410092718
公開日2005年11月16日 申請(qǐng)日期2004年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月10日
發(fā)明者陳拓宇, 李美彥, 許永隆 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司