專利名稱：一種物理鍍膜成型方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種物理鍍膜成型方法。
背景技術(shù)：
目前，用以制造金屬薄殼的方法一般有兩種，第一種是鑄造，先制造出模型(一般用沙子制造)，再將液態(tài)金屬注入其中，待液態(tài)金屬冷卻凝固后將模型去除即可得到所要的金屬薄殼，但是這種制造方法成本較高且在鑄造過程中極易因氣泡或沙眼等使得質(zhì)量不易保證。第二種是用金屬薄材沖壓成型，這種方法需要先制造出沖壓模，然而，沖壓工藝比較復(fù)雜，成本也較高。同時(shí)，鑄造與沖壓成型的零部件一般都會(huì)存在內(nèi)應(yīng)力集中等問題，且消除內(nèi)應(yīng)力的時(shí)間一般都比較長(zhǎng)，會(huì)影響產(chǎn)品的生產(chǎn)周期，若不消除內(nèi)應(yīng)力則會(huì)影響產(chǎn)品的整體性能。
因此，有必要設(shè)計(jì)一種新型的成型方法，以克服上述缺陷。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種物理鍍膜成型方法，該成型方法的制造工藝簡(jiǎn)單，且用該方法制造的產(chǎn)品質(zhì)量容易得到保證。
為了達(dá)到上述創(chuàng)作目的，本發(fā)明一種物理鍍膜成型方法，該物理鍍膜成型方法包括以下步驟(1)提供型腔；(2)用真空鍍膜的方法在型腔內(nèi)表面鍍上一層鍍層；(3)去除型腔。
本發(fā)明也可實(shí)施為以下方式，一種物理鍍膜成型方法，該物理鍍膜成型方法包括以下步驟(1)制造出內(nèi)型；(2)在內(nèi)型外表面上用真空鍍膜的方法鍍上一層材料與內(nèi)型不同的鍍層；(3)在鍍層上設(shè)置至少一個(gè)孔洞；(4)將內(nèi)型從鍍層中去除。
本發(fā)明還可實(shí)施為以下方式，一種物理鍍膜成型方法，該物理鍍膜成型方法包括以下步驟(1)制造出模型；(2)在模型表面上用真空鍍膜的方法鍍上一層鍍層；(3)去除模型。
與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明物理鍍膜成型方法，因使用真空鍍膜的方法將需成型零部件的材料鍍?cè)谀Ｐ?如型腔或內(nèi)型)上，其成型工藝簡(jiǎn)單，且用該方法制造的零部件不會(huì)存在應(yīng)力集中等問題，質(zhì)量容易得到保證。

圖1是本發(fā)明物理鍍膜成型方法的型腔的剖視圖；圖2是圖1所示型腔內(nèi)鍍上鍍層的剖視圖；圖3是圖2所示鍍層去除型腔后的剖視圖；圖4是本發(fā)明物理鍍膜成型方法的內(nèi)型的剖視圖；圖5是圖4所示內(nèi)型外表面鍍上鍍層的剖視圖；圖6是圖5所示鍍層上設(shè)置一孔洞后的剖視圖；圖7是圖6所示鍍層去除內(nèi)型后的剖視圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
本發(fā)明一種物理鍍膜成型方法，該物理鍍膜成型方法包括以下步驟(1)制造出模型；(2)在模型表面上用真空鍍膜的方法鍍上一層鍍層；(3)去除模型。所述真空鍍膜的方法為真空蒸鍍或真空濺鍍，所述模型可以是內(nèi)表面光滑的型腔或外表面光華的內(nèi)型，為了提高鍍模的質(zhì)量也在進(jìn)行鍍膜之前可在模型表面設(shè)置一層介質(zhì)。下面就本發(fā)明物理鍍膜成型方法的模型分別為型腔及內(nèi)型作進(jìn)一步的說明。
參照?qǐng)D1至圖3，本發(fā)明一種物理鍍膜成型方法，該物理鍍膜成型方法包括以下步驟(1)提供型腔10；(2)用真空鍍膜的方法在型腔10內(nèi)表面鍍上一層鍍層20；(3)去除型腔10。其中，所述型腔10包括兩個(gè)可分離的部分(當(dāng)然，型腔10也可以上為三個(gè)或更多的部分組成)，且型腔10的兩部分可通過機(jī)械的方式相結(jié)合。所述真空鍍膜的方法為真空蒸鍍或真空濺鍍，在進(jìn)行真空鍍膜之前先在型腔內(nèi)表面設(shè)置一層介質(zhì)11，后將需要鍍的材料鍍?cè)诮橘|(zhì)11上，當(dāng)鍍層20(在本實(shí)施例中為金屬鍍層，當(dāng)然，也可根據(jù)需要為其它材料所形成的鍍層)達(dá)到所需厚度時(shí)停止鍍膜，之后將結(jié)合在一起的型腔10打開，即去除型腔10，再去除介質(zhì)11，就得到所需的金屬薄殼30。當(dāng)然，型腔10也可為不可分離的，這時(shí)，型腔10與鍍層20的材料不同，將型腔10去除的方法因型腔10及鍍層20的材料不同而有所不同。若型腔10與鍍層20是兩種熔點(diǎn)不同的金屬，這時(shí)，型腔10所選用金屬的熔點(diǎn)較鍍層20的熔點(diǎn)低，將型腔10去除可利用兩種金屬熔點(diǎn)不同，加熱使型腔10熔解，即可得到所要的金屬薄殼30。如果型腔10與鍍層20是兩種化學(xué)性質(zhì)不同的金屬，將型腔10去除可將真空鍍膜后鍍層20與型腔10整體放到電解質(zhì)(未圖標(biāo))中，利用電鍍分解使型腔10析出，即可得到所要的金屬薄殼30。當(dāng)然，型腔也可不是金屬，而是塑料，這時(shí)，將型腔10去除可利用有機(jī)溶劑(未圖示)直接將型腔溶解。
本發(fā)明物理鍍膜成型方法也可實(shí)施為以下方式，該該物理鍍膜成型方法包括以下步驟(1)制造出內(nèi)型50；(2)在內(nèi)型50外表面上用真空鍍膜的方法鍍上一層材料與內(nèi)型不同的鍍層60；(3)在鍍層60上設(shè)置至少一個(gè)孔洞61；(4)將內(nèi)型50從鍍層60中去除。其中，所述真空鍍膜的方法為真空蒸鍍或真空濺鍍，在進(jìn)行真空鍍膜之前先在內(nèi)型外表面設(shè)置一層介質(zhì)51，后將需要鍍的材料鍍?cè)诮橘|(zhì)51上，當(dāng)鍍層60(在本實(shí)施例中為金屬鍍層，當(dāng)然，也可根據(jù)需要由其它材料所形成的鍍層)達(dá)到所需厚度時(shí)停止鍍膜，在鍍層60與介質(zhì)51上設(shè)置至少一個(gè)孔洞61，將內(nèi)型50從鍍層60中去除的方法因內(nèi)型50及鍍層60的材料不同而有所不同。若內(nèi)型50與鍍層60是兩種熔點(diǎn)不同的金屬，這時(shí)，內(nèi)型50所選用金屬的熔點(diǎn)較鍍層60的熔點(diǎn)低，將內(nèi)型50從鍍層60中去除可利用兩種金屬熔點(diǎn)不同，加熱使內(nèi)型50熔解后從鍍層60的孔洞61中流出，即可得到所要的金屬薄殼70。如果內(nèi)型50與鍍層60是兩種化學(xué)性質(zhì)不同的金屬，將內(nèi)型50從鍍層60中去除可將真空鍍膜后且設(shè)有孔洞的金屬鍍層與內(nèi)型整體放到電解質(zhì)(未圖標(biāo))中，利用電鍍分解使內(nèi)型50從金屬鍍層60中析出，即可得到所要的金屬薄殼70。當(dāng)然，內(nèi)型也可不是金屬，而是塑料，這時(shí)，將內(nèi)型50從鍍層60中去除可利用有機(jī)溶劑(未圖標(biāo))直接將內(nèi)型溶解。
本發(fā)明物理鍍膜成型方法，因使用真空鍍膜的方法將需成型零部件的材料鍍?cè)谛颓换騼?nèi)型上，其成型工藝簡(jiǎn)單，且用該方法制造的零部件不會(huì)存在應(yīng)力集中等問題，質(zhì)量容易得到保證。
權(quán)利要求
1.一種物理鍍膜成型方法，其特征在于該物理鍍膜成型方法包括以下步驟(1)提供型腔；(2)用真空鍍膜的方法在型腔內(nèi)表面鍍上一層鍍層；(3)去除型腔。
2.如權(quán)利要求1所述的物理鍍膜成型方法，其特征在于在鍍上鍍層前先在型腔內(nèi)表面設(shè)置一層介質(zhì)。
3.如權(quán)利要求1所述的物理鍍膜成型方法，其特征在于所述型腔包括至少兩個(gè)可分離的部分。
4.如權(quán)利要求1所述的物理鍍膜成型方法，其特征在于所述真空鍍膜的方法為真空蒸鍍。
5.如權(quán)利要求1所述的物理鍍膜成型方法，其特征在于所述真空鍍膜的方法為真空濺鍍。
6.如權(quán)利要求1所述的物理鍍膜成型方法，其特征在于型腔與鍍層是兩種熔點(diǎn)不同的材料，且型腔材料的熔點(diǎn)較鍍層低，將型腔從鍍層中去除可利用兩種材料熔點(diǎn)不同，使型腔熔解。
7.如權(quán)利要求1所述的物理鍍膜成型方法，其特征在于型腔與鍍層是兩種化學(xué)性質(zhì)不同的材料，將型腔從鍍層中去除可利用電鍍分解使型腔析出。
8.如權(quán)利要求1所述的物理鍍膜成型方法，其特征在于型腔為塑料，將型腔去除可利用有機(jī)溶劑將型腔溶解。
9.一種物理鍍膜成型方法，其特征在于該物理鍍膜成型方法包括以下步驟(1)制造出內(nèi)型；(2)在內(nèi)型外表面上用真空鍍膜的方法鍍上一層材料與內(nèi)型不同的鍍層；(3)在鍍層上設(shè)置至少一個(gè)孔洞；(4)將內(nèi)型從鍍層中去除。
10.如權(quán)利要求9所述的物理鍍膜成型方法，其特征在于在鍍上鍍層前先在內(nèi)型外表面設(shè)置一層介質(zhì)。
11.如權(quán)利要求9所述的物理鍍膜成型方法，其特征在于所述真空鍍膜的方法為真空蒸鍍。
12.如權(quán)利要求9所述的物理鍍膜成型方法，其特征在于所述真空鍍膜的方法為真空濺鍍。
13.如權(quán)利要求9所述的物理鍍膜成型方法，其特征在于內(nèi)型與鍍層是兩種熔點(diǎn)不同的材料，且內(nèi)型材料的熔點(diǎn)較鍍層低，將內(nèi)型從鍍層中去除可利用兩種材料熔點(diǎn)不同，使內(nèi)型熔解。
14.如權(quán)利要求9所述的物理鍍膜成型方法，其特征在于內(nèi)型與鍍層是兩種化學(xué)性質(zhì)不同的材料，將內(nèi)型從鍍層中去除可利用電鍍分解使內(nèi)型從鍍層中析出。
15.如權(quán)利要求9所述的物理鍍膜成型方法，其特征在于內(nèi)型為塑料，將內(nèi)型從鍍層中去除可利用有機(jī)溶劑將內(nèi)型溶解。
16.一種物理鍍膜成型方法，其特征在于該物理鍍膜成型方法包括以下步驟(1)制造出模型；(2)在模型表面上用真空鍍膜的方法鍍上一層鍍層；(3)去除模型。
17.如權(quán)利要求16所述的物理鍍膜成型方法，其特征在于在鍍上鍍層前先在模型表面設(shè)置一層介質(zhì)。
18.如權(quán)利要求16所述的物理鍍膜成型方法，其特征在于所述真空鍍膜的方法為真空蒸鍍。
19.如權(quán)利要求16所述的物理鍍膜成型方法，其特征在于所述真空鍍膜的方法為真空濺鍍。
20.如權(quán)利要求16所述的物理鍍膜成型方法，其特征在于所述模型包括至少兩個(gè)可分離的部分。
21.如權(quán)利要求16所述的物理鍍膜成型方法，其特征在于模型與鍍層是兩種熔點(diǎn)不同的材料，且模型材料的熔點(diǎn)較鍍層低，將內(nèi)型從鍍層中去除可利用兩種材料熔點(diǎn)不同，使模型熔解。
22.如權(quán)利要求16所述的物理鍍膜成型方法，其特征在于模型與鍍層是兩種化學(xué)性質(zhì)不同的材料，將模型從鍍層中去除可利用電鍍分解使模型中析出。
23.如權(quán)利要求16所述的物理鍍膜成型方法，其特征在于模型為塑料，將模型去除可利用有機(jī)溶劑將模型溶解。
全文摘要
本發(fā)明一種物理鍍膜成型方法，該物理鍍膜成型方法包括以下步驟(1)提供型腔；(2)用真空鍍膜的方法在型腔內(nèi)表面鍍上一層鍍層；(3)去除型腔。本發(fā)明也可實(shí)施為以下方式，一種物理鍍膜成型方法，該物理鍍膜成型方法包括以下步驟(1)制造出內(nèi)型；(2)在內(nèi)型外表面上用真空鍍膜的方法鍍上一層材料與內(nèi)型不同的鍍層；(3)在鍍層上設(shè)置至少一個(gè)孔洞；(4)將內(nèi)型從鍍層中去除。本發(fā)明物理鍍膜成型方法，因使用真空鍍膜的方法將需成型零部件的材料鍍?cè)谀Ｐ?如型腔或內(nèi)型)上，其成型工藝簡(jiǎn)單，且用該方法制造的零部件不會(huì)存在應(yīng)力集中等問題，質(zhì)量容易得到保證。
文檔編號(hào)C23C14/24GK1827841SQ20061003447
公開日2006年9月6日 申請(qǐng)日期2006年3月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月21日
發(fā)明者朱德祥 申請(qǐng)人:番禺得意精密電子工業(yè)有限公司