本實(shí)用新型涉及增透膜技術(shù)領(lǐng)域,具體地說,涉及一種超硬遠(yuǎn)紅外鍍膜膜層結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù):
光學(xué)儀器中,光學(xué)元件表面的反射,不僅影響光學(xué)元件的通光能量,而且這些反射光還會在儀器中形成雜散光,影響光學(xué)儀器的成像質(zhì)量。為了解決這些問題,通常在光學(xué)元件的表面鍍上一定厚度的單層或多層膜,目的是為了減小元件表面的反射光,這樣的膜叫光學(xué)增透膜(或減反膜)。
對于具有超高要求的光學(xué)儀器或設(shè)備(如天文、航空或者軍用等光學(xué)儀器或設(shè)備),其對遠(yuǎn)紅外相應(yīng)波段有可視要求,因此需要利用光學(xué)增透膜實(shí)現(xiàn)增透功能。對于現(xiàn)有的遠(yuǎn)紅外增透膜來說,其設(shè)計(jì)層數(shù)一般較多,而隨著層數(shù)的增加其表面的硬度也會相應(yīng)的下降。因此,現(xiàn)有的遠(yuǎn)紅外增透膜來很難同時(shí)達(dá)到較佳的表面硬度和增透效果。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本實(shí)用新型的內(nèi)容是提供一種超硬遠(yuǎn)紅外鍍膜膜層結(jié)構(gòu),其能夠克服現(xiàn)有技術(shù)的某種或某些缺陷。
根據(jù)本實(shí)用新型的超硬遠(yuǎn)紅外鍍膜膜層結(jié)構(gòu),其包括底膜層和頂膜層,底膜層和頂膜層間設(shè)有多個(gè)中間膜層單元,中間膜層單元包括自下而上依次層疊的中間膜層組件A和中間膜層組件B;底膜層的材質(zhì)為五氧化二鉭,中間膜層組件A的材質(zhì)為二氧化硅,中間膜層組件B的材質(zhì)為四氮化三硅,頂膜層的材質(zhì)為二氧化硅。
本實(shí)用新型中,底膜層、中間膜層單元和頂膜層能夠自下而上的依次層疊,底膜層的材質(zhì)能夠采用五氧化二鉭,中間膜層組件A的材質(zhì)能夠采用二氧化硅,中間膜層組件B的材質(zhì)能夠采用四氮化三硅,頂膜層的材質(zhì)為二氧化硅;通過上述構(gòu)造,使得本實(shí)用新型的膜層結(jié)構(gòu)能夠具備較佳的增透效果,且表面硬度能夠達(dá)到9H以上。
作為優(yōu)選,底膜層的厚度為89.52nm。
作為優(yōu)選,頂膜層的厚度為84.05nm。
作為優(yōu)選,所述多個(gè)中間膜層單元的數(shù)量為16個(gè),分別為第一至第十六中間膜層單元。
作為優(yōu)選,第一中間膜層單元包括第一中間膜層組件A和第一中間膜層組件B,第一中間膜層組件A的厚度為64.65nm,第一中間膜層組件B的厚度為82.16nm;
第二中間膜層單元包括第二中間膜層組件A和第二中間膜層組件B,第二中間膜層組件A的厚度為129.30nm,第二中間膜層組件B的厚度為82.16nm;
第三中間膜層單元包括第三中間膜層組件A和第三中間膜層組件B,第三中間膜層組件A的厚度為129.30nm,第三中間膜層組件B的厚度為82.16nm;
第四中間膜層單元包括第四中間膜層組件A和第四中間膜層組件B,第四中間膜層組件A的厚度為129.30nm,第四中間膜層組件B的厚度為82.16nm;
第五中間膜層單元包括第五中間膜層組件A和第五中間膜層組件B,第五中間膜層組件A的厚度為129.30nm,第五中間膜層組件B的厚度為82.16nm;
第六中間膜層單元包括第六中間膜層組件A和第六中間膜層組件B,第六中間膜層組件A的厚度為129.30nm,第六中間膜層組件B的厚度為82.16nm;
第七中間膜層單元包括第七中間膜層組件A和第七中間膜層組件B,第七中間膜層組件A的厚度為129.30nm,第七中間膜層組件B的厚度為82.16nm;
第八中間膜層單元包括第八中間膜層組件A和第八中間膜層組件B,第八中間膜層組件A的厚度為129.30nm,第八中間膜層組件B的厚度為82.16nm;
第九中間膜層單元包括第九中間膜層組件A和第九中間膜層組件B,第九中間膜層組件A的厚度為148.70nm,第九中間膜層組件B的厚度為106.81nm;
第十中間膜層單元包括第十中間膜層組件A和第十中間膜層組件B,第十中間膜層組件A的厚度為168.09nm,第十中間膜層組件B的厚度為106.81nm;
第十一中間膜層單元包括第十一中間膜層組件A和第十一中間膜層組件B,第十一中間膜層組件A的厚度為168.09nm,第十一中間膜層組件B的厚度為106.81nm;
第十二中間膜層單元包括第十二中間膜層組件A和第十二中間膜層組件B,第十二中間膜層組件A的厚度為168.09nm,第十二中間膜層組件B的厚度為106.81nm;
第十三中間膜層單元包括第十三中間膜層組件A和第十三中間膜層組件B,第十三中間膜層組件A的厚度為168.09nm,第十三中間膜層組件B的厚度為106.81nm;
第十四中間膜層單元包括第十四中間膜層組件A和第十四中間膜層組件B,第十四中間膜層組件A的厚度為168.09nm,第十四中間膜層組件B的厚度為106.81nm;
第十五中間膜層單元包括第十五中間膜層組件A和第十五中間膜層組件B,第十五中間膜層組件A的厚度為168.09nm,第十五中間膜層組件B的厚度為106.81nm;
第十六中間膜層單元包括第十六中間膜層組件A和第十六中間膜層組件B,第十六中間膜層組件A的厚度為168.09nm,第十六中間膜層組件B的厚度為106.81nm。
本實(shí)用新型中,第二~第八中間膜層單元的單體構(gòu)造完全相同,在實(shí)際應(yīng)用中,能夠?qū)υ撎幍木唧w數(shù)量進(jìn)行增減。
本實(shí)用新型中,第十~第十六中間膜層單元的單體構(gòu)造完全相同,在實(shí)際應(yīng)用中,能夠?qū)υ撎幍木唧w數(shù)量進(jìn)行增減。
附圖說明
圖1為實(shí)施例1中的一種超硬遠(yuǎn)紅外鍍膜膜層結(jié)構(gòu);
圖2為實(shí)施例1中的超硬遠(yuǎn)紅外鍍膜膜層結(jié)構(gòu)的波長與透過率間的關(guān)系。
圖2中,橫軸為波長(nm),縱軸為透過率(%)。
具體實(shí)施方式
為進(jìn)一步了解本實(shí)用新型的內(nèi)容,結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型作詳細(xì)描述。應(yīng)當(dāng)理解的是,實(shí)施例僅僅是對本實(shí)用新型進(jìn)行解釋而并非限定。
實(shí)施例1
如圖1所示,本實(shí)施例提供了一種超硬遠(yuǎn)紅外鍍膜膜層結(jié)構(gòu),其包括底膜層110和頂膜層120,底膜層110和頂膜層120間設(shè)有多個(gè)中間膜層單元,中間膜層單元包括自下而上依次層疊的中間膜層組件A和中間膜層組件B;底膜層110的材質(zhì)為五氧化二鉭,中間膜層組件A的材質(zhì)為二氧化硅,中間膜層組件B的材質(zhì)為四氮化三硅,頂膜層120的材質(zhì)為二氧化硅。
本實(shí)施例中,底膜層110的厚度為89.52nm,頂膜層120的厚度為84.05nm,中間膜層單元的數(shù)量為16個(gè),分別為第一至第十六中間膜層單元。
第一中間膜層單元包括第一中間膜層組件A131a和第一中間膜層組件B132a,第一中間膜層組件A131a的厚度為64.65nm,第一中間膜層組件B132a的厚度為82.16nm。
第二中間膜層單元包括第二中間膜層組件A131b和第二中間膜層組件B132b,第二中間膜層組件A131b的厚度為129.30nm,第二中間膜層組件B132b的厚度為82.16nm。
第三中間膜層單元包括第三中間膜層組件A131c和第三中間膜層組件B132c,第三中間膜層組件A131c的厚度為129.30nm,第三中間膜層組件B132c的厚度為82.16nm。
第四中間膜層單元包括第四中間膜層組件A131d和第四中間膜層組件B132d,第四中間膜層組件A131d的厚度為129.30nm,第四中間膜層組件B132d的厚度為82.16nm。
第五中間膜層單元包括第五中間膜層組件A131e和第五中間膜層組件B132e,第五中間膜層組件A131e的厚度為129.30nm,第五中間膜層組件B132e的厚度為82.16nm。
第六中間膜層單元包括第六中間膜層組件A131f和第六中間膜層組件B132f,第六中間膜層組件A131f的厚度為129.30nm,第六中間膜層組件B132f的厚度為82.16nm。
第七中間膜層單元包括第七中間膜層組件A131g和第七中間膜層組件B132g,第七中間膜層組件A131g的厚度為129.30nm,第七中間膜層組件B132g的厚度為82.16nm。
第八中間膜層單元包括第八中間膜層組件A131h和第八中間膜層組件B132h,第八中間膜層組件A131h的厚度為129.30nm,第八中間膜層組件B132h的厚度為82.16nm。
第九中間膜層單元包括第九中間膜層組件A131i和第九中間膜層組件B132i,第九中間膜層組件A131i的厚度為148.70nm,第九中間膜層組件B132i的厚度為106.81nm。
第十中間膜層單元包括第十中間膜層組件A131j和第十中間膜層組件B132j,第十中間膜層組件A131j的厚度為168.09nm,第十中間膜層組件B132j的厚度為106.81nm。
第十一中間膜層單元包括第十一中間膜層組件A131k和第十一中間膜層組件B132k,第十一中間膜層組件A131k的厚度為168.09nm,第十一中間膜層組件B132k的厚度為106.81nm。
第十二中間膜層單元包括第十二中間膜層組件A131l和第十二中間膜層組件B132l,第十二中間膜層組件A131l的厚度為168.09nm,第十二中間膜層組件B132l的厚度為106.81nm。
第十三中間膜層單元包括第十三中間膜層組件A131m和第十三中間膜層組件B132m,第十三中間膜層組件A131m的厚度為168.09nm,第十三中間膜層組件B132m的厚度為106.81nm。
第十四中間膜層單元包括第十四中間膜層組件A131n和第十四中間膜層組件B132n,第十四中間膜層組件A131n的厚度為168.09nm,第十四中間膜層組件B132n的厚度為106.81nm。
第十五中間膜層單元包括第十五中間膜層組件A131o和第十五中間膜層組件B132o,第十五中間膜層組件A131o的厚度為168.09nm,第十五中間膜層組件B132o的厚度為106.81nm。
第十六中間膜層單元包括第十六中間膜層組件A131p和第十六中間膜層組件B132p,第十六中間膜層組件A131p的厚度為168.09nm,第十六中間膜層組件B132p的厚度為106.81nm。
如圖2所示,本實(shí)施例中的一種超硬遠(yuǎn)紅外鍍膜膜層結(jié)構(gòu),對波長在0~30000nm間的光線均具有較佳的增透效果,透過率均可達(dá)到約97%。此外,本實(shí)施例中的一種超硬遠(yuǎn)紅外鍍膜膜層結(jié)構(gòu)的表面硬度能夠達(dá)到9H。
以上示意性的對本實(shí)用新型及其實(shí)施方式進(jìn)行了描述,該描述沒有限制性,附圖中所示的也只是本實(shí)用新型的實(shí)施方式之一,實(shí)際的結(jié)構(gòu)并不局限于此。所以,如果本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員受其啟示,在不脫離本實(shí)用新型創(chuàng)造宗旨的情況下,不經(jīng)創(chuàng)造性的設(shè)計(jì)出與該技術(shù)方案相似的結(jié)構(gòu)方式及實(shí)施例,均應(yīng)屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。