本發(fā)明關(guān)于一種像素陣列以及像素結(jié)構(gòu)，尤指一種具有高對比的液晶顯示面板的像素陣列以及像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
：：液晶顯示面板由于具有輕薄短小與節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)，已被廣泛地應(yīng)用在各式電子產(chǎn)品，如智慧型手機(jī)(smartphone)、筆記型電腦(notebookcomputer)、平板電腦(tabletPC)。為了提供廣視角顯示效果，一種聚合物穩(wěn)定配向型(Polymer-StabilizedAlignment,PSA)液晶顯示面板已普遍地被用來制作高對比及廣視角的顯示器，如電視(TV)、監(jiān)視器(Monitor)、筆記型電腦(notebookcomputer)與公共訊息傳遞用的看板(PublicInformationDisplay)。聚合物穩(wěn)定配向型液晶顯示面板的制作的方式在于液晶材料中加入少許的光固化配向單體，并對液晶材料施加電壓使得液晶分子產(chǎn)生預(yù)傾角，再適當(dāng)?shù)卣丈渥贤夤馐挂壕Х肿拥念A(yù)傾角固定并完成聚合物的穩(wěn)定。然而，于傳統(tǒng)液晶顯示面板中，為了避免像素電極與數(shù)據(jù)線之間的耦合電容過大，像素電極與數(shù)據(jù)線之間會有一間隙，因此在暗態(tài)時，像素電極并無法控制對應(yīng)間隙的液晶分子，光線容易從間隙泄漏出，造成暗態(tài)漏光。盡管間隙可通過黑色矩陣遮蔽，但如此設(shè)計(jì)則會限縮像素的開口率。在此現(xiàn)有技術(shù)部份中公開的上述內(nèi)容僅是為了加強(qiáng)對本發(fā)明背景的理解。因此，其可能包括不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的任何部分且不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)可能對本領(lǐng)域具有通常知識者給出啟示的內(nèi)容。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的之一在于提供一種像素陣列以及像素結(jié)構(gòu)，其通過錯位設(shè)置像素電極的第一部分與第二部分并搭配彎折結(jié)構(gòu)的遮蔽電極與共通電極以提升像素的開口率，并避免數(shù)據(jù)線與像素電極之間產(chǎn)生暗態(tài)漏光。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種像素陣列，包括基板、第一子像素、第二子像素、第一數(shù)據(jù)線以及共通電極。第一子像素設(shè)置于基板上，其中第一子像素包含一第一像素電極以及一第一遮蔽電極。第二子像素設(shè)置于基板上，并與第一子像素彼此相鄰，其中第二子像素包含一第二像素電極以及一第二遮蔽電極。第一數(shù)據(jù)線位于第一子像素與第二子像素之間，其中第一像素電極與第一數(shù)據(jù)線之間具有一第一狹縫，且第二像素電極與第一數(shù)據(jù)線之間具有一第二狹縫。共通電極沿著第一數(shù)據(jù)線設(shè)置，共通電極包含彼此電性連接的一第一子共通電極以及一第二子共通電極，其中第一子共通電極和第一遮蔽電極與第一狹縫遮蔽重疊設(shè)置，以及第二子共通電極和第二遮蔽電極與第二狹縫重疊設(shè)置。本發(fā)明的另一實(shí)施例提供一種像素結(jié)構(gòu)，包括第一基板、掃描線、數(shù)據(jù)線、主動元件、第一遮蔽電極、像素電極以及共通電極。掃描線設(shè)置于第一基板上。數(shù)據(jù)線與掃描線交錯設(shè)置，其中數(shù)據(jù)線沿一方向延伸，且數(shù)據(jù)線沿其延伸方向上具有彼此相對的一第一側(cè)與一第二側(cè)。主動元件與掃描線和數(shù)據(jù)線電性連接。第一遮蔽電極設(shè)置于第一基板上，第一遮蔽電極包括一第一條狀部、一第二條狀部以及一第一連接部，其中第一連接部的兩端分別與第一條狀部和第二條狀部連接，藉此第一連接部與第一條狀部和第二條狀部分別形成一彎折結(jié)構(gòu)。像素電極與主動元件電性連接，像素電極包括一第一部分與一第二部分，分別設(shè)置于第一連接部的兩側(cè)，第一部分具有彼此相對的一第一邊與一第二邊，第二部分具有彼此相對的一第三邊與一第四邊，第一邊連接第三邊，第二邊連接第四邊，其中第一條狀部與像素電極的第一邊重疊設(shè)置，第二條狀部與像素電極的第四邊重疊設(shè)置，并且數(shù)據(jù)線與像素電極的第三邊之間無狹縫。共通電極沿著數(shù)據(jù)線設(shè)置，其中共通電極包含彼此電性連接的一第一子共通電極以及一第二子共通電極，第一子共通電極與數(shù)據(jù)線的第一側(cè)重疊設(shè)置，以及第二子共通電極與數(shù)據(jù)線的第二側(cè)重疊設(shè)置。附圖說明圖1繪示了本發(fā)明第一實(shí)施例的像素陣列的俯視示意圖。圖2繪示了沿著圖1剖線A-A’的剖面示意圖。圖3繪示了沿著圖1剖線B-B’的剖面示意圖。圖4繪示了本發(fā)明第一實(shí)施例的像素陣列的數(shù)據(jù)線、掃描線與子像素的俯視示意圖。圖5繪示了本發(fā)明第一實(shí)施例的像素陣列的共通電極與數(shù)據(jù)線的俯視示意圖。圖6繪示了本發(fā)明第一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖7與圖8繪示了本發(fā)明第一實(shí)施例的另一變化實(shí)施例的像素陣列分別對應(yīng)剖線A-A’與B-B’的剖面示意圖。圖9繪示了本發(fā)明第二實(shí)施例的像素陣列對應(yīng)剖線A-A’的剖面示意圖。圖10繪示了本發(fā)明第三實(shí)施例的像素陣列的俯視示意圖。圖11繪示了本發(fā)明第四實(shí)施例的像素陣列的俯視示意圖。其中，附圖標(biāo)記：AD主動元件AR1第一配向區(qū)AR2第二配向區(qū)BE1第一分支電極BE2第二分支電極BM黑色矩陣CF、CF’彩色濾光片CE共通電極CE1第一共通電極CE2第二共通電極CTE對向電極CEB橋接部CEC共通連接部D1第一方向D2第二方向DL數(shù)據(jù)線DL1第一數(shù)據(jù)線DL2第二數(shù)據(jù)線DL3第三數(shù)據(jù)線DLS1第一側(cè)DLS2第二側(cè)DM顯示介質(zhì)IN1、IN2絕緣層ME1第一主干電極ME2第二主干電極P1、P1’第一部分P2、P2’第二部分PA、PA’、PA”像素陣列PS、PS’、PS”像素結(jié)構(gòu)PS1第一像素結(jié)構(gòu)PS2第二像素結(jié)構(gòu)PS3、PS3’第三像素結(jié)構(gòu)PE像素電極PE1第一像素電極PE2第二像素電極PE3、PE3’第三像素電極Sub1第一基板Sub2第二基板SP子像素SP1第一子像素SP2第二子像素SP3、SP3’第三子像素SL掃描線S1、S1’第一邊S2、S2’第二邊S3、S3’第三邊S4、S4’第四邊SE遮蔽電極SE1第一遮蔽電極SE2第二遮蔽電極SE3、SE3’第三遮蔽電極SEP1第一條狀部SEP2第二條狀部SEP3第三條狀部SEP4第四條狀部SEP1’第五條狀部SEP2’第六條狀部SEC1第一連接部SEC2第二連接部SEC3第三連接部ST1第一狹縫ST2第二狹縫ST3第三狹縫ST4第四狹縫ST5第五狹縫ST6第六狹縫SBE1第一子分支電極SBE2第二子分支電極SBE3第三子分支電極SBE4第四子分支電極SCE1、SCE1’第一子共通電極SCE2、SCE2’第二子共通電極O開口Z垂直投影方向D漏極G柵極S源極具體實(shí)施方式為使熟悉本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
：的一般技藝者能更進(jìn)一步了解本發(fā)明，下文特列舉本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，詳細(xì)說明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容及所欲達(dá)成的功效。請參考圖1至圖3，圖1繪示了本發(fā)明第一實(shí)施例的像素陣列的俯視示意圖，圖2繪示了沿著圖1剖線A-A’的剖面示意圖，圖3繪示了沿著圖1剖線B-B’的剖面示意圖。如圖1至圖3所示，本實(shí)施例所提供的像素陣列PA可包括多個像素結(jié)構(gòu)PS，呈陣列方式排列。為清楚顯示像素陣列PA，圖1僅以三個排列于同一行(即排列于第一方向D1上)的像素結(jié)構(gòu)PS示意，但本發(fā)明不以此為限。像素結(jié)構(gòu)PS可包括第一基板Sub1、數(shù)據(jù)線DL、掃描線SL、子像素SP與共通電極CE。數(shù)據(jù)線DL大體上沿第一方向D1設(shè)置，掃描線SL大體上沿第二方向D2設(shè)置，且數(shù)據(jù)線DL與掃描線SL彼此交錯設(shè)置，并定義出子像素SP。數(shù)據(jù)線DL與掃描線SL可通過一絕緣層IN1彼此電性絕緣。舉例而言，第一方向D1可與第二方向D2垂直，但不限于此。于本發(fā)明中，與第一方向的D1銳角夾角在10度以內(nèi)的延伸方向均可視為大體上沿第一方向D1設(shè)置。于本實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)PS可另包括第二基板Sub2與顯示介質(zhì)DM。第一基板Sub1與第二基板Sub2彼此相對設(shè)置，且顯示介質(zhì)DM設(shè)置于第一基板Sub1與第二基板Sub2之間。第一基板Sub1與第二基板Sub2可分別包括透明基板例如玻璃基板、塑膠基板、石英基板、藍(lán)寶石基板或其他適合的硬質(zhì)基板或可撓式基板。本實(shí)施例的數(shù)據(jù)線DL、掃描線SL與子像素SP設(shè)置于第一基板Sub1與顯示介質(zhì)DM之間的第一基板Sub1上，但不限于此。另外，第二基板Sub2可例如為一彩色濾光片基板，包含對向電極CTE、彩色濾光層CF以及黑色矩陣BM，且顯示介質(zhì)DM包括一聚合物穩(wěn)定配向液晶層，使像素陣列PA可應(yīng)用于液晶顯示面板中，但本發(fā)明不限于此。子像素SP可包括主動元件AD、遮蔽電極SE及像素電極PE。主動元件AD可例如為薄膜晶體管元件，其柵極G、源極S與漏極D分別與對應(yīng)的掃描線SL、對應(yīng)的數(shù)據(jù)線DL以及像素電極PE電性連接。遮蔽電極SE可用以遮蔽(shielding)像素電極PE與數(shù)據(jù)線DL之間的暗態(tài)漏光并降低像素電極PE與數(shù)據(jù)線DL之間的電容耦合程度。像素電極PE可通過另一絕緣層IN2與數(shù)據(jù)線DL電性絕緣。為清楚說明各像素結(jié)構(gòu)PS以及相鄰的像素結(jié)構(gòu)PS之間的配置關(guān)系，下文以排列于同一行且彼此相鄰的第一像素結(jié)構(gòu)PS1與第二像素結(jié)構(gòu)PS2為例，但不限于此。請進(jìn)一步參考圖4，且一并參考圖1至圖3。圖4繪示了本發(fā)明第一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)線、掃描線與子像素的俯視示意圖。如圖4所示，第一像素結(jié)構(gòu)PS1與第二像素結(jié)構(gòu)PS2的子像素SP分別為第一子像素SP1與第二子像素SP2。第一子像素SP1與第二子像素SP2的遮蔽電極SE分別為第一遮蔽電極SE1與第二遮蔽電極SE2，第一子像素SP1與第二子像素SP2的像素電極PE分別為第一像素電極PE1以及第二像素電極PE2。第一像素結(jié)構(gòu)PS1與第二像素結(jié)構(gòu)PS2的數(shù)據(jù)線DL分別為第一數(shù)據(jù)線DL1與第二數(shù)據(jù)線DL2，第一數(shù)據(jù)線DL1位于第一子像素SP1與第二子像素SP2之間，且第二子像素SP2的第二遮蔽電極SE2與第二像素電極PE2位于第一數(shù)據(jù)線DL1與第二數(shù)據(jù)線DL2之間。具體而言，第一遮蔽電極SE1可包括第一條狀部SEP1、第二條狀部SEP2以及第一連接部SEC1，其中第一連接部SEC1的兩端分別與第一條狀部SEP1和第二條狀部SEP2連接，藉此第一連接部SEC1與第一條狀部SEP1和第二條狀部SEP2形成一彎折結(jié)構(gòu)。精確地說，第一條狀部SEP1與第二條狀部SEP2分別從第一連接部SEC1的兩端點(diǎn)朝相反方向延伸，第一條狀部SEP1與第二條狀部SEP2可大體上沿第二方向D2設(shè)置，以形成類似閃電的形狀圖案，也可以說是階梯狀。舉例而言，第一條狀部SEP1與第一連接部SEC1的夾角以及第二條狀部SEP2與第一連接部SEC1的夾角可介于75度至105度之間。同樣地，第二遮蔽電極SE2可與第一遮蔽電極SE1具有相同的彎折結(jié)構(gòu)，亦即第二遮蔽電極SE2可包括第三條狀部SEP3、第四條狀部SEP4以及第二連接部SEC2，第二連接部SEC2的兩端分別與第三條狀部SEP3和第四條狀部SEP4連接，藉此第二連接部SEC2與第三條狀部SEP3和第四條狀部SEP4亦形成與第一遮蔽電極SE1具有相同形狀圖案的彎折結(jié)構(gòu)。精確地說，第三條狀部SEP3與第四條狀部SEP4分別從第二連接部SEC2的兩端點(diǎn)朝相反方向延伸，且第三條狀部SEP3與第四條狀部SEP3可大體上沿第二方向D2設(shè)置。舉例而言，第三條狀部SEP3與第二連接部SEC2的夾角以及第四條狀部SEP4與第二連接部SEC2的夾角可介于75度至105度之間。于本實(shí)施例中，第一遮蔽電極SE1、第二遮蔽電極SE2與掃描線SL由同一圖案化金屬層所構(gòu)成，且第一遮蔽電極SE1和第二遮蔽電極SE2與掃描線SL結(jié)構(gòu)上彼此分離。并且，第一遮蔽電極SE1與第二遮蔽電極SE2可分別包括第三連接部SEC3，且第三連接部SEC3以串聯(lián)方式彼此相連接而形成一共通線。于本實(shí)施例中，第一遮蔽電極SE1與第二遮蔽電極SE2的第三連接部SEC3分別與第一條狀部SEP1以及第三條狀部SEP3連接，而未與第二條狀部SEP2以及第四條狀部SEP4連接。于另一變化實(shí)施例中，遮蔽電極SE亦可與掃描線SL由不同的金屬層所構(gòu)成。第一像素電極PE1與第二像素電極PE2可分別包括第一部分P1與第二部分P2。第一像素電極PE1的第一部分P1與第二部分P2分別設(shè)置于第一連接部SEC1的兩側(cè)，同樣地第二像素電極PE2的第一部分P1與第二部分P2分別設(shè)置于第二連接部SEC2的兩側(cè)。第一部分P1具有彼此相對的一第一邊S1與一第二邊S2，且第二部分P2具有彼此相對的一第三邊S3與一第四邊S4，其中第一像素電極PE1的第一邊S1與第三邊S3面對第一數(shù)據(jù)線DL1，第二邊S2與第四邊S4面對第三數(shù)據(jù)線DL3，而第二像素電極PE2的第一邊S1與第三邊S3面對第二數(shù)據(jù)線DL2，第二邊S2與第四邊S4面對第一數(shù)據(jù)線DL1。第一邊S1可連接第三邊S3，且第二邊S2可連接第四邊S4。換句話說，第一數(shù)據(jù)線DL沿其延伸方向(即第一方向D1)具有彼此相對的一第一側(cè)DLS1與一第二側(cè)DLS2，而第一像素電極PE1鄰近第一數(shù)據(jù)線DL1的第一側(cè)DLS1可包括第一邊S1與第三邊S3，且第二像素電極PE2鄰近第一數(shù)據(jù)線DL1的第二側(cè)DLS2可包括第二邊S2與第四邊S4。具體而言，像素電極PE并非為矩形，而是矩形的第一部分P1與矩形的第二部分P2可于第一方向D1上錯位設(shè)置，使得第一邊S1與第三邊S3并非位于同一直線上，且第二邊S2與第四邊S4并非位于同一直線上。并且，第一邊S1通過一轉(zhuǎn)折邊與第三邊S3連接，同理第二邊S2通過另一轉(zhuǎn)折邊與第四邊S4連接。于本實(shí)施例中，第一部分P1設(shè)置于第二部分P2與掃描線SL之間。第一像素電極PE1的第一部分P1的第一邊S1較第二部分P2的第三邊S3遠(yuǎn)離第一數(shù)據(jù)線DL1，且第一部分P1的第一邊S1與第一數(shù)據(jù)線DL1于第一基板Sub1的垂直投影方向Z上不重疊，因此第一數(shù)據(jù)線DL1與第一像素電極PE1的第一邊S1之間具有一第一狹縫ST1。也就是，第一邊S1與第一數(shù)據(jù)線DL1之間的間距大于第三邊S3與第一數(shù)據(jù)線DL1之間的間距。第二像素電極PE2的第二部分P2的第四邊S4較第一部分P1的第二邊S2遠(yuǎn)離所面對的第一數(shù)據(jù)線DL1，且第二部分P2的第四邊S4與第一數(shù)據(jù)線DL1于垂直投影方向Z上不重疊，因此第一數(shù)據(jù)線DL1與第二像素電極PE2的第四邊S4之間具有一第二狹縫ST2。也就是，第四邊S4與第一數(shù)據(jù)線DL1之間的間距大于第二邊S2與第一數(shù)據(jù)線DL1之間的間距。于本實(shí)施例中，第一像素電極PE1的第二部分P2的第三邊S3與第一數(shù)據(jù)線DL1的第一側(cè)DLS1于垂直投影方向Z上可無間隙，且第一像素電極PE1的第三邊S3與第一遮蔽電極SE1于垂直投影方向Z上不重疊。較佳地，第一像素電極PE1的第三邊S3與第一數(shù)據(jù)線DL1面對第三邊S3的側(cè)邊可在垂直投影方向Z上實(shí)質(zhì)上對齊，意即彼此重疊，以提升像素的開口率，并避免第一數(shù)據(jù)線DL1與第一像素電極PE1的第二部分P2之間產(chǎn)生漏光。第二像素電極PE2的第一部分P1的第二邊S2與第一數(shù)據(jù)線DL1的第二側(cè)DLS2于垂直投影方向Z上可無間隙，且第二像素電極PE2的第二邊S2與第二遮蔽電極SE2于垂直投影方向Z上不重疊。較佳地，第二像素電極PE2的第二邊S2與第一數(shù)據(jù)線DL1面對第二邊S2的側(cè)邊可在垂直投影方向Z上實(shí)質(zhì)上對齊，意即兩者可彼此重疊，以提升像素的開口率，并避免第一數(shù)據(jù)線與第二像素電極PE2的第一部分P1之間產(chǎn)生漏光。于變化實(shí)施例中，第一數(shù)據(jù)線DL1亦可與第二像素電極PE2的第一部分P1部分重疊，及/或第一數(shù)據(jù)線DL1亦可與第一像素電極PE1的第二部分P2部分重疊。請參考圖5，且一并參考圖1至圖3。圖5繪示了本發(fā)明第一實(shí)施例的像素陣列的共通電極與數(shù)據(jù)線的俯視示意圖。如圖1至圖3與圖5所示，第一像素結(jié)構(gòu)PS1與第二像素結(jié)構(gòu)PS2的共通電極CE分別為第一共通電極CE1與第二共通電極CE2，第一共通電極CE1沿著第一數(shù)據(jù)線DL1設(shè)置，且第二共通電極CE2沿著第二數(shù)據(jù)線DL2設(shè)置。第一共通電極CE1與第二共通電極CE2具有相同結(jié)構(gòu)，下文將以第一共通電極CE1與其對應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線DL1為例來做說明。第一共通電極CE1可包括彼此電性連接的第一子共通電極SCE1以及第二子共通電極SCE2。第一子共通電極SCE1與對應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線DL1的第一側(cè)DLS1于垂直投影方向Z上重疊設(shè)置，且第二子共通電極SCE2與對應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線DL1的第二側(cè)DLS2重疊設(shè)置。值得說明的是，第一遮蔽電極SE1的第一條狀部SEP1與第一像素電極PE1的第一邊S1于垂直投影方向Z上彼此重疊設(shè)置，且第一遮蔽電極SE1的第一條狀部SEP1與對應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線DL1的第一側(cè)DLS1之間具有一第三狹縫ST3。并且，第一子共通電極SCE1與第一數(shù)據(jù)線DL1的第一側(cè)DLS1以及第三狹縫ST3于垂直投影方向Z上重疊。藉此，第一條狀部SEP1與第一子共通電極SCE1不僅可用以遮蔽第一像素電極PE1的第一部分P1與對應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線DL1之間的電容耦合效應(yīng)，還可避免第一數(shù)據(jù)線DL1與第一像素電極PE1的第一邊S1之間的第一狹縫ST1產(chǎn)生漏光，進(jìn)而提高對比。精確地說，當(dāng)液晶顯示面板在運(yùn)作時，第一遮蔽電極SE1與第一共通電極CE1會施加共通電壓，因此第一數(shù)據(jù)線DL1傳遞信號所產(chǎn)生的電場可受到第一遮蔽電極SE1與第一共通電極CE1的吸引而降低對第一像素電極PE1的第一部分P1干擾，進(jìn)而有效地遮蔽第一像素電極PE1的第一部分P1與對應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線DL1之間的電容耦合效應(yīng)。除此之外，由于第一遮蔽電極SE1、第一共通電極CE1與對向電極CTE施加共通電壓，因此位于第一條狀部SEP1與第一子共通電極SCE1正上方以及第一條狀部SEP1與第一子共通電極SCE1之間的顯示介質(zhì)DM中的液晶分子可受到共通電壓所產(chǎn)生的電場的控制而避免光線穿透，如此可避免第一數(shù)據(jù)線DL1與第一邊S1之間的第一狹縫ST1產(chǎn)生漏光，特別是在像素呈現(xiàn)暗態(tài)時可有效地避免光線泄漏，以提升畫面的對比度。較佳地，第一子共通電極SCE1與第一遮蔽電極SE1的第一條狀部SEP1可共同將第一狹縫ST1遮蔽，也就是第一共通電極CE1的第一子共通電極SCE1于垂直投影方向Z上與第一遮蔽電極SE1的第一條狀部SEP1彼此重疊，以提升遮蔽漏光的效果，并降低第一像素電極PE1與第一數(shù)據(jù)線DL1之間的電容耦合。同理，與第一像素電極PE1具有相同結(jié)構(gòu)的第二像素電極PE2與第二數(shù)據(jù)線DL2之間的電容耦合亦可被降低。同樣地，第二遮蔽電極SE2的第四條狀部SEP4與第二像素電極PE2的第四邊S4于垂直投影方向Z上重疊設(shè)置，且第二遮蔽電極SE2的第四條狀部SEP4與對應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線DL1的第二側(cè)DLS2之間具有一第四狹縫ST4。并且，第二子共通電極SCE2與第一數(shù)據(jù)線DL1的第二側(cè)DLS2以及第四狹縫ST4于垂直投影方向Z上重疊。因此，第四條狀部SEP4與第二子共通電極SCE2不僅可用以遮蔽第二像素電極PE2的第二部分P2與對應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線DL1之間的電容耦合效應(yīng)，還可避免第一數(shù)據(jù)線DL1與第二像素電極PE2的第四邊S4之間的第二狹縫ST2產(chǎn)生漏光，特別是在像素呈現(xiàn)暗態(tài)時可有效地避免光線泄漏，進(jìn)而提高畫面的對比。較佳地，第二子共通電極SCE2與第二遮蔽電極SE2的第四條狀部SEP4可共同將第二狹縫ST2遮蔽，也就是第一共通電極CE1的第二子共通電極SCE2于垂直投影方向Z上與第二遮蔽電極SE2的第四條狀部SEP4彼此重疊，以提升遮蔽漏光的效果，并降低第二像素電極PE2與第一數(shù)據(jù)線DL1之間的電容耦合。同理，與第二像素電極PE2具有相同結(jié)構(gòu)的第一像素電極PE1與第三數(shù)據(jù)線DL3之間的電容耦合亦可被降低。另外，由于第一像素電極PE1的第三邊S3與第一數(shù)據(jù)線DL1的第一側(cè)DLS1之間在垂直投影方向Z上可無間隙，以避免其間產(chǎn)生漏光，因此第二子共通電極SCE2與對應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線DL1的第一側(cè)DLS1于垂直投影方向Z上可不重疊設(shè)置。并且，由于第二像素電極PE2的第二邊S2與第一數(shù)據(jù)線DL1的第二側(cè)DLS2之間在垂直投影方向Z上可無間隙，以避免其間產(chǎn)生漏光，因此第一子共通電極SCE1與對應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線DL1的第二側(cè)DLS2于垂直投影方向Z上可不重疊設(shè)置。于本實(shí)施例中，第一共通電極CE1可分別另包括一橋接部CEB，橫跨對應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線DL1，并連接于第一子共通電極SCE1與第二子共通電極SCE2之間，使第一子共通電極SCE1、第二子共通電極SCE2以及橋接部CEB構(gòu)成另一彎折結(jié)構(gòu)。更具體而言，第一子共通電極SCE1的一端除了可通過橋接部CEB與同一第一共通電極CE1的第二子共通電極SCE2連接之外，另一端還可與排列于同一第二方向D2上并相鄰的另一共通電極CE的第二子共通電極SCE2連接。并且，第一共通電極CE1與第二共通電極CE2可分別包括共通連接部CEC，使得第一共通電極CE1的第一子共通電極SCE1可通過共通連接部CEC與第二共通電極CE2的第一子共通電極SCE1電性連接，且第一共通電極CE1的第二子共通電極SCE2可通過另一共通連接部CEC與第二共通電極CE2的第二子共通電極SCE2電性連接。藉此，像素陣列PA的共通電極CE可形成一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，且網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)具有多個開口O，分別對應(yīng)一個像素結(jié)構(gòu)PS。每個像素電極PE設(shè)置于對應(yīng)的開口O內(nèi)。值得說明的是，本實(shí)施例的第一共通電極CE1與第一像素電極PE1以及第二像素電極PE2可由同一圖案化透明導(dǎo)電層所構(gòu)成，通過錯位設(shè)置的第一像素電極PE1與第二像素電極PE2，第一共通電極CE1可設(shè)置于第一像素電極PE1與第二像素電極PE2之間，并與第一像素電極PE1與第二像素電極PE2分隔開。也就是第一共通電極CE1的第一子共通電極SCE1與第二子共通電極SCE2不僅可在制程可容忍范圍內(nèi)分別以一定間距與兩相鄰的第一像素電極PE1與第二像素電極PE2分隔開，還可通過橋接部CEB連接，使共通電極CE構(gòu)成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，進(jìn)而降低像素陣列PA中共通電極CE的連接電阻。于另一變化實(shí)施例中，共通電極CE與像素電極PE亦可由不同的透明導(dǎo)電層所構(gòu)成。于本實(shí)施例中，像素電極PE可包括四配向區(qū)，且第一部分P1對應(yīng)兩配向區(qū)，第二部分P2對應(yīng)另兩配向區(qū)。下文以第一像素結(jié)構(gòu)PS1為例，但不限于此。具體請參考圖6，圖6繪示了本發(fā)明第一實(shí)施例的第一像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。如圖6所示，本實(shí)施例的第一像素電極PE1的第一部分P1對應(yīng)至少一第一配向區(qū)AR1，第二部分P2對應(yīng)至少一第二配向區(qū)AR2。第一像素電極PE1可包括一第一主干電極ME1、多條第一分支電極BE1以及多條第二分支電極BE2，第一主干電極ME1與第一連接部SEC1于垂直投影方向Z上重疊，且第一分支電極BE1與第二分支電極BE2分別設(shè)置于第一主干電極ME1的兩側(cè)，以形成至少一第一配向區(qū)AR1與至少一第二配向區(qū)AR2。具體而言，第一主干電極ME1沿著第一方向D1設(shè)置，且第一像素電極PE1可另包括一第二主干電極ME2，沿著第二方向D2設(shè)置，并與第一主干電極ME1交錯。并且，第一分支電極BE1可區(qū)分為第一子分支電極SBE1以及第二子分支電極SBE2，第一子分支電極SBE1與第二子分支電極SBE2分別設(shè)置于第二主干電極ME2的兩側(cè)，以形成兩個第一配向區(qū)AR1，且第一配向區(qū)AR1具有不同的配向方向。第二分支電極BE2可區(qū)分為第三子分支電極SBE3以及第四子分支電極SBE4，第三子分支電極SBE3與第四子分支電極SBE4分別設(shè)置于第二主干電極ME2的兩側(cè)，以形成兩個第二配向區(qū)AR2，且第二配向區(qū)AR2具有不同的配向方向。第一子分支電極SBE1、第二子分支電極SBE2、第三子分支電極SBE3以及第四子分支電極SBE4可分別不平行于第一主干電極ME1與第二主干電極ME2。第一子分支電極SBE1、第二子分支電極SBE2、第三子分支電極SBE3以及第四子分支電極SBE4可與第一主干電極ME1和第二主干電極ME2形成米字形結(jié)構(gòu)。舉例而言，第一子分支電極SBE1、第二子分支電極SBE2、第三子分支電極SBE3以及第四子分支電極SBE4的延伸方向可分別與第一主干電極ME1的延伸方向具有夾角例如45度，但不限于此。于另一變化實(shí)施例中，第一像素電極PE1可不包括第二主干電極，而第一分支電極BE1彼此平行，第二分支電極BE2彼此平行，且第一分支電極BE1的延伸方向與第二分支電極BE2的延伸方向?qū)ΨQ于第一主干電極ME1，使第一分支電極BE1與第二分支電極BE2分別形成單一第一配向區(qū)AR1與單一第二配向區(qū)AR2。值得一提的是，由于第一主干電極ME1位于第一配向區(qū)AR1與第二配向區(qū)AR2之間，因此第一主干電極ME1對應(yīng)像素的暗區(qū)。本實(shí)施例的第一連接部SEC1沿著第一主干電極ME1設(shè)置，較佳與第一主干電極ME1完全重疊，使得第一連接部SEC1可對應(yīng)像素的暗區(qū)設(shè)置，而不會影響像素的顯示。值得說明的是，于本實(shí)施例的像素陣列PA的設(shè)計(jì)中，位于第一數(shù)據(jù)線DL1的第一側(cè)DLS1與第二側(cè)DLS2的第一像素電極PE1與第二像素電極PE2分別以第二部分P2以及第一部分P1與第一數(shù)據(jù)線DL1重疊設(shè)置，而第一像素電極PE1的第一部分P1以及第二像素電極PE2的第二部分P2則與第一數(shù)據(jù)線DL1之間具有狹縫，如此可在第一數(shù)據(jù)線DL1與第一像素電極PE1或第二像素電極PE2之間的耦合電容在容許的范圍下，提升像素陣列PA的像素開口率。并且，通過具有彎折結(jié)構(gòu)的第一遮蔽電極SE1與第二遮蔽電極SE2以及第一子共通電極SCE1與第二子共通電極SCE2不僅可遮蔽位于第一數(shù)據(jù)線DL1的第一側(cè)DLS1的第一狹縫ST1與第二側(cè)DLS2的第二狹縫ST2，還可降低第一數(shù)據(jù)線DL1與第一像素電極PE1的第一部分P1以及第二像素電極PE2的第二部分P2之間的耦合電容。本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)與像素陣列并不以上述實(shí)施例為限。下文將繼續(xù)揭示本發(fā)明的其它實(shí)施例或變化實(shí)施例，然為了簡化說明并突顯各實(shí)施例或變化實(shí)施例之間的差異，下文中使用相同標(biāo)號標(biāo)注相同元件，并不再對重復(fù)部分作贅述。請參考圖7與圖8，圖7與圖8分別繪示了本發(fā)明第一實(shí)施例的另一變化實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)對應(yīng)圖1的剖線A-A’與B-B’的剖面示意圖。如圖7與圖8所示，本實(shí)施例所提供的像素結(jié)構(gòu)PS’的第一共通電極CE1于垂直投影方向Z上可不與第一遮蔽電極SE1重疊設(shè)置。具體而言，第一共通電極CE1的第一子共通電極SCE1可不與第一遮蔽電極SE1的第一條狀部SEP1重疊設(shè)置，且兩者之間于垂直投影方向Z上可具有一第五狹縫ST5。第一共通電極CE1的第二子共通電極SCE2可不與第二遮蔽電極SE2的第四條狀部SEP4重疊設(shè)置，且兩者之間于垂直投影方向Z上可具有一第六狹縫ST6。值得說明的是，由于第一遮蔽電極SE1、第一共通電極CE1與對向電極CTE施加共通電壓，因此不僅第一遮蔽電極SE1的第一條狀部SEP1、第二遮蔽電極SE2的第四條狀部SEP4、第一子共通電極SCE1與第二子共通電極SCE2的正上方的液晶分子可受到共通電壓所產(chǎn)生的電場的控制而避免光線穿透，并且位于第一遮蔽電極SE1的第一條狀部SEP1與第一子共通電極SCE1之間以及位于第二遮蔽電極SE2的第四條狀部SEP4與第二子共通電極SCE2之間的液晶分子亦可受到此電場的控制而避免光線穿透，進(jìn)而避免第一狹縫ST1與第二狹縫ST2產(chǎn)生漏光。請參考圖9，圖9繪示了本發(fā)明第二實(shí)施例的像素陣列對應(yīng)圖1的剖線A-A’的剖面示意圖。如圖9所示，相較于第一實(shí)施例，本實(shí)施例所提供的像素結(jié)構(gòu)PS”的彩色濾光片CF’設(shè)置于像素電極PE與第一基板Sub1之間，即所謂彩色濾光片于陣列上(colorfilteronarray,COA)類型的像素結(jié)構(gòu)。舉例而言，彩色濾光片CF’可設(shè)置于像素電極PE與絕緣層IN2之間。請參考圖10，圖10繪示了本發(fā)明第三實(shí)施例的像素陣列的俯視示意圖。如圖10所示，本實(shí)施例所提供的像素陣列PA’更包括一第三像素結(jié)構(gòu)PS3，其包括第三子像素SP3，設(shè)置于第一基板(圖未示)上。第三像素結(jié)構(gòu)PS3與第一像素結(jié)構(gòu)PS1排列于同一列(即排列于第二方向D2上)且彼此相鄰。因此，第三子像素SP3與第一子像素SP1分別設(shè)置于掃描線SL的兩側(cè)。于本實(shí)施例中，第三子像素SP3包括一第三像素電極PE3以及一第三遮蔽電極SE3，并且第一遮蔽電極SE1與第三遮蔽電極SE3具有相同的形狀圖案。也就是說，位于兩相鄰行的像素結(jié)構(gòu)PS的遮蔽電極SE可具有相同的形狀圖案。本實(shí)施例的第一像素結(jié)構(gòu)PS1與第三像素結(jié)構(gòu)PS3可與上述第一實(shí)施例的第一像素結(jié)構(gòu)相同，因此不多贅述。請參考圖11，圖11繪示了本發(fā)明第四實(shí)施例的像素陣列的俯視示意圖。如圖11所示，相較于第三實(shí)施例，本實(shí)施例所提供的像素陣列PA”的第一遮蔽電極SE1與第三遮蔽電極SE3’的形狀圖案對稱于掃描線SL。具體而言，本實(shí)施例的第三像素結(jié)構(gòu)PS3’的第三遮蔽電極SE3’可包括一第五條狀部SEP1’、一第六條狀部SEP2’、一第一連接部SEC1以及一第三連接部SEC3。第三遮蔽電極SE3’的第五條狀部SEP1’與第六條狀部SEP2’分別沿著第二方向D2與朝相反方向延伸。第三遮蔽電極SE3’的形狀圖案與第一遮蔽電極SE1的形狀圖案對稱于掃描線SL。于本實(shí)施例中，第五條狀部SEP1’連接于第一連接部SEC1與第三連接部SEC3之間。并且，第三像素電極PE3’的第一部分P1’的第一邊S1’較第二部分P2’的第三邊S3’鄰近第一數(shù)據(jù)線DL1，且第二部分P2’的第四邊S4’較第一部分P1’的第二邊S2’鄰近第三數(shù)據(jù)線DL3。因此，第三遮蔽電極SE3’的第五條狀部SEP1’與第三像素電極PE3’的第二邊S2’于垂直投影方向上彼此重疊設(shè)置，且第三遮蔽電極SE3’的第六條狀部SEP2’與第三像素電極PE3’的第三邊S3’于垂直投影方向上彼此重疊設(shè)置。另外，第三像素結(jié)構(gòu)PS3’的第一子共通電極SCE1’與第一數(shù)據(jù)線DL1的第二側(cè)DLS2于垂直投影方向上重疊設(shè)置，且第二子共通電極SCE2’與第一數(shù)據(jù)線DL1的第一側(cè)DLS1重疊設(shè)置。綜上所述，于本發(fā)明的像素陣列中，位于第一數(shù)據(jù)線的第一側(cè)與第二側(cè)的第一像素電極與第二像素電極分別以第一像素電極的第二部分以及第二像素電極的第一部分與第一數(shù)據(jù)線重疊設(shè)置，而第一像素電極的第一部分以及第二像素電極的第二部分則與第一數(shù)據(jù)線之間具有狹縫，如此可在第一數(shù)據(jù)線與第一像素電極或第二像素電極之間的耦合電容在容許的范圍下，提升像素陣列的像素開口率。并且，通過具有彎折結(jié)構(gòu)的第一遮蔽電極與第二遮蔽電極以及第一子共通電極與第二子共通電極不僅可遮蔽位于第一數(shù)據(jù)線的第一側(cè)的第一狹縫與第二側(cè)的第二狹縫，還可降低第一數(shù)據(jù)線與第一像素電極的第一部分以及第二像素電極的第二部分之間的耦合電容。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。當(dāng)前第1頁1 2 3 當(dāng)前第1頁1 2 3