本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種廣視角像素結(jié)構(gòu)及陣列基板。

背景技術(shù)：

垂直配向模式(Vertical Alignment，簡稱VA)顯示以其寬的視野角、高對比度等優(yōu)勢，成為大尺寸TV用薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)的常見模式。不同視野角下的色偏(Color Shift)現(xiàn)象是VA產(chǎn)品所面對的重大問題。為了解決大視角色偏的問題，通常的對策是采用8疇設(shè)計，即將一個像素分為2個區(qū)，稱主區(qū)(main區(qū))和子區(qū)(sub區(qū))。在給電壓的情況下每個區(qū)內(nèi)的液晶有四個不同的倒向，通過使sub區(qū)的電壓低于mian區(qū)，實現(xiàn)一個像素內(nèi)的液晶有8種不同的倒向角度，從而實現(xiàn)寬的視野角。圖1是常見的寬視角像素設(shè)計，101為數(shù)據(jù)線，201為掃描線，301為main區(qū)，401為sub區(qū)。圖中有3顆薄膜場效應(yīng)晶體管(Thin Film Transistor，簡稱TFT)，其中2顆TFT用于為像素充電，1顆TFT用于為sub區(qū)放電，另外像素還包括一個共享電容(share電容)，用于實現(xiàn)sub與main區(qū)的不同電位。

現(xiàn)有技術(shù)中的上述結(jié)構(gòu)，對于每個像素需要使用3個TFT，為進一步減少TFT的使用，實現(xiàn)高開口率，亟需一種方法或結(jié)構(gòu)來對上述結(jié)構(gòu)進行改進。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種廣視角像素結(jié)構(gòu)及陣列基板，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中TFT數(shù)量多導(dǎo)致開口率不高的技術(shù)問題。

本發(fā)明一方面提供一種廣視角像素結(jié)構(gòu)，包括：垂直設(shè)置的掃描線組和數(shù)據(jù)線組，以及由掃描線組和數(shù)據(jù)線組所形成的兩個像素區(qū)，其中，掃描線組包括依次平行設(shè)置的第一掃描線、第二掃描線和第三掃描線，數(shù)據(jù)線組包括平行設(shè)置的第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線；第一掃描線、第二掃描線、第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線形成第一像素區(qū)；第二掃描線、第三掃描線、第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線形成第二像素區(qū)；第一像素區(qū)包括第一主區(qū)和第一子區(qū)，第二像素區(qū)包括第二主區(qū)、第二子區(qū)和第一薄膜晶體管，第一子區(qū)與第二子區(qū)通過第一薄膜晶體管相連。

進一步的，第一子區(qū)包括第二薄膜晶體管和第一子區(qū)像素電極，其中，第二薄膜晶體管的柵極與第一掃描線相連，第二薄膜晶體管的源極與第一數(shù)據(jù)線相連，第二薄膜晶體管的漏極分別與第一子區(qū)像素電極和第一薄膜晶體管的漏極相連。

進一步的，第二子區(qū)包括第三薄膜晶體管和第二子區(qū)像素電極，第三薄膜晶體管的柵極與第二掃描線相連，第三薄膜晶體管的漏極與第二子區(qū)像素電極相連，第三薄膜晶體管的源極和第一薄膜晶體管的源極均與第二數(shù)據(jù)線相連，第一薄膜晶體管的柵極與第三掃描線相連。

進一步的，第二主區(qū)包括第二主區(qū)像素電極和第四薄膜晶體管，其中，第四薄膜晶體管的柵極與第二掃描線相連，第四薄膜晶體管的漏極與第二主區(qū)像素電極相連，第四薄膜晶體管的源極與第二數(shù)據(jù)線相連。

進一步的，第一主區(qū)包括第一主區(qū)像素電極和第五薄膜晶體管，其中，第五薄膜晶體管的柵極與第一掃描線相連，第五薄膜晶體管的源極與第一數(shù)據(jù)線相連，第五薄膜晶體管的漏極與第一主區(qū)像素電極相連。

進一步的，第一子區(qū)像素電極與第二子區(qū)像素電極的極性相反。

進一步的，第二主區(qū)像素電極與第二子區(qū)像素電極的極性相同。

進一步的，第一主區(qū)像素電極與第一子區(qū)像素電極的極性相同。

本發(fā)明另一方面提供一種陣列基板，包括：襯底基板以及上述所述的廣視角像素結(jié)構(gòu)，其中，廣視角像素結(jié)構(gòu)設(shè)置在襯底基板上。

本發(fā)明提供的廣視角像素結(jié)構(gòu)及陣列基板，由于通過第一薄膜晶體管同時對第一子區(qū)和第二子區(qū)進行放電，第一子區(qū)或第二子區(qū)的放電不需要通過各自的薄膜晶體管分別與共享電容連接來實現(xiàn)，因此，上述結(jié)構(gòu)不僅減少了薄膜晶體管數(shù)量，同時也減少了共享電容的使用，進一步提高了開口率。

附圖說明

在下文中將基于實施例并參考附圖來對本發(fā)明進行更詳細的描述。其中：

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的寬視角像素結(jié)構(gòu)的電路原理示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的廣視角像素結(jié)構(gòu)的電路原理示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的廣視角像素結(jié)構(gòu)示意圖。

在附圖中，相同的部件使用相同的附圖標記。附圖并未按照實際的比例繪制。

具體實施方式

下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步說明。

請參考圖2和圖3，本發(fā)明實施例提供一種廣視角像素結(jié)構(gòu)，包括：垂直設(shè)置的掃描線組和數(shù)據(jù)線組，以及由掃描線組和數(shù)據(jù)線組所形成的兩個像素區(qū)，其中，掃描線組包括依次平行設(shè)置的第一掃描線11、第二掃描線12和第三掃描線13，數(shù)據(jù)線組包括平行設(shè)置的第一數(shù)據(jù)線21和第二數(shù)據(jù)線22；第一掃描線11、第二掃描線12、第一數(shù)據(jù)線21和第二數(shù)據(jù)線22形成第一像素區(qū)；第二掃描線12、第三掃描線13、第一數(shù)據(jù)線21和第二數(shù)據(jù)線22形成第二像素區(qū)；第一像素區(qū)包括第一主區(qū)1和第一子區(qū)2，第二像素區(qū)包括第二主區(qū)3、第二子區(qū)4和第一薄膜晶體管TFT1，第一子區(qū)2與第二子區(qū)4通過第一薄膜晶體管TFT1相連。

第一掃描線11、第二掃描線12和第三掃描線13相互平行，且第二掃描線12位于第一掃描線11和第三掃描線13之間。第一像素區(qū)與第二像素區(qū)為上下相鄰的兩個像素區(qū)，第一子區(qū)2與第二子區(qū)4通過第一薄膜晶體管TFT1相連，第一薄膜晶體管TFT1對第一像素區(qū)和第二像素區(qū)中的第一子區(qū)2和第二子區(qū)4進行放電，降低其相對于公共線的電位，使在實際點燈時，第一主區(qū)1和第二主區(qū)3較亮，第一子區(qū)2和第二子區(qū)4較暗，使每一個像素區(qū)(第一像素區(qū)或第二像素區(qū))都具有8種液晶倒向，從而實現(xiàn)寬的視野角。由于第一子區(qū)2與第二子區(qū)4通過第一薄膜晶體管TFT1相連，第一薄膜晶體管TFT1可實現(xiàn)同時對第一子區(qū)2與第二子區(qū)4進行放電，因此，在同樣實現(xiàn)寬的視野角的前提下，上述結(jié)構(gòu)可減少薄膜晶體管的數(shù)量，有利于實現(xiàn)高開口率。

在本發(fā)明一個具體實施例中，第一子區(qū)2包括第二薄膜晶體管TFT2和第一子區(qū)像素電極20，其中，第二薄膜晶體管TFT2的柵極與第一掃描線11相連，第二薄膜晶體管TFT2的源極與第一數(shù)據(jù)線21相連，第二薄膜晶體管TFT2的漏極分別與第一子區(qū)像素電極20和第一薄膜晶體管TFT1的漏極相連。

第一薄膜晶體管TFT1同時與第一子區(qū)2和第二子區(qū)4連接，因此可通過第一薄膜晶體管TFT1來同時對第一子區(qū)2和第二子區(qū)4放電，以使第一子區(qū)2和第二子區(qū)4的電位分別比第一主區(qū)1和第二主區(qū)3低，從而對于每一個像素區(qū)(第一像素區(qū)或第二像素區(qū))，均可有8中液晶倒向，在實現(xiàn)寬的視野角的同時，減少薄膜晶體管的數(shù)量，實現(xiàn)高開口率。另外，由于使用上述結(jié)構(gòu)對第一子區(qū)2和第二子區(qū)4進行放電，與現(xiàn)有技術(shù)相比，第一子區(qū)2或第二子區(qū)4的放電不需要通過與共享電容連接來實現(xiàn)，因此，上述結(jié)構(gòu)也減少了共享電容的使用，進一步提高了開口率。

在本發(fā)明另一個具體實施例中，第二子區(qū)4包括第三薄膜晶體管TFT3和第二子區(qū)像素電極40，第三薄膜晶體管TFT3的柵極與第二掃描線12相連，第三薄膜晶體管TFT3的漏極與第二子區(qū)像素電極40相連，第三薄膜晶體管TFT3的源極和第一薄膜晶體管TFT1的源極均與第二數(shù)據(jù)線22相連，第一薄膜晶體管TFT1的柵極與第三掃描線13相連。

進一步的，第一子區(qū)像素電極20與第二子區(qū)像素電極40的極性相反。

在本發(fā)明又一個具體實施例中，第二主區(qū)3包括第二主區(qū)像素電極30和第四薄膜晶體管TFT4，其中，第四薄膜晶體管TFT4的柵極與第二掃描線12相連，第四薄膜晶體管TFT4的漏極與第二主區(qū)像素電極30相連，第四薄膜晶體管TFT4的源極與第二數(shù)據(jù)線22相連。

進一步的，第二主區(qū)像素電極30與第二子區(qū)像素電極40的極性相同。

在本發(fā)明一個具體實施例中，第一主區(qū)1包括第一主區(qū)1像素電極和第五薄膜晶體管TFT5，其中，第五薄膜晶體管TFT5的柵極與第一掃描線11相連，第五薄膜晶體管TFT5的源極與第一數(shù)據(jù)線21相連，第五薄膜晶體管TFT5的漏極與第一主區(qū)1像素電極相連。

進一步的，第一主區(qū)像素電極10與第一子區(qū)像素電極20的極性相同。

上述結(jié)構(gòu)在工作時，首先與第一掃描線11連接的對應(yīng)像素區(qū)(第一主區(qū)1和第一子區(qū)2)充電完成，圖中與第一掃描線11和第一數(shù)據(jù)線21所連接的像素電極為正極性。第一掃描線11打開時，同時對第一掃描線11上的第一主區(qū)1像素電極和第一子區(qū)像素電極20進行充電，其極性為負極性。之后第一掃描線11關(guān)閉，第二掃描線12開啟，同時對第二掃描線12上的第二主區(qū)像素電極30和第二子區(qū)像素電極40進行充電，其極性為正極性。與此同時第一薄膜晶體管TFT1打開，對第一掃描線11和第二掃描線12上的第一子區(qū)像素電極20和第二子區(qū)像素電極40進行放電。通過控制第一薄膜晶體管TFT1的大小和各掃描線(第一掃描線11、第二掃描線12和第三掃描線13)的打開時間，來實現(xiàn)對各像素區(qū)子區(qū)像素電極(第一子區(qū)像素電極20和第二子區(qū)像素電極40)電位的控制。

本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板，包括：襯底基板以及上述實施例中的廣視角像素結(jié)構(gòu)，其中，廣視角像素結(jié)構(gòu)設(shè)置在襯底基板上。

雖然已經(jīng)參考優(yōu)選實施例對本發(fā)明進行了描述，但在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以對其進行各種改進并且可以用等效物替換其中的部件。尤其是，只要不存在結(jié)構(gòu)沖突，各個實施例中所提到的各項技術(shù)特征均可以任意方式組合起來。本發(fā)明并不局限于文中公開的特定實施例，而是包括落入權(quán)利要求的范圍內(nèi)的所有技術(shù)方案。