本發(fā)明涉及一種電連接結(jié)構(gòu)及一種陣列基板。
背景技術(shù)：
：液晶顯示面板通常包括陣列基板、對(duì)向基板及夾設(shè)在所述陣列基板與對(duì)向基板之間的液晶層，通過控制所述液晶層中液晶分子的旋轉(zhuǎn)以控制光線的通過量，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)畫面顯示。其中，該陣列基板包括諸如薄膜晶體管、存儲(chǔ)電容以及位于陣列基板周邊的連接墊、連接線等結(jié)構(gòu)。在形成上述結(jié)構(gòu)之后，通常形成一覆蓋上述結(jié)構(gòu)的絕緣覆蓋層，例如形成一平坦化層，并對(duì)所述絕緣覆蓋層進(jìn)行曝光。然而，對(duì)所述絕緣覆蓋層進(jìn)行曝光容易使絕緣覆蓋層的表面不平整，影響陣列基板的穩(wěn)定性。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：鑒于此，有必要提供一種電連接結(jié)構(gòu)，所述電連接結(jié)構(gòu)包括電連接單元、位于所述電連接單元一側(cè)的干涉層以及位于所述電連接單元遠(yuǎn)離所述干涉層的一側(cè)并覆蓋所述電連接單元的絕緣覆蓋層，所述電連接單元包括金屬層，所述干涉層靠近所述絕緣覆蓋層的一側(cè)對(duì)光線的反射率與所述金屬層對(duì)光線的反射率相同。還有必要提供一種陣列基板，所述陣列基板包括薄膜晶體管、位于所述薄膜晶體管一側(cè)的干涉層以及位于所述薄膜晶體管遠(yuǎn)離所述干涉層的一側(cè)并覆蓋所述薄膜晶體管的絕緣覆蓋層，所述薄膜晶體管包括金屬層，所述干涉層靠近所述絕緣覆蓋層的一側(cè)對(duì)光線的反射率與所述金屬層對(duì)光線的反射率相同。與現(xiàn)有技術(shù)相對(duì)比，本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的電連接結(jié)構(gòu)及陣列基板由于設(shè)置了干涉層，能夠降低反射至絕緣覆蓋層的光線強(qiáng)度，使絕緣覆蓋層不易被光線破壞，進(jìn)而得到平坦的絕緣覆蓋層。附圖說明圖1是本發(fā)明具體實(shí)施方式所提供的電連接結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2是本發(fā)明具體實(shí)施方式所提供的陣列基板的示意圖。圖3是本發(fā)明具體實(shí)施方式電連接結(jié)構(gòu)的制作方法的流程圖。圖4至圖8是圖3中各步驟的分步示意圖。圖9是本發(fā)明具體實(shí)施方式陣列基板的制作方法的流程圖。圖10至圖16是圖9中各步驟的分步示意圖。主要元件符號(hào)說明液晶顯示面板1陣列基板10對(duì)向基板11液晶層12基板100緩沖層105干涉層108第一干涉層108a第二干涉層108b柵極114連接墊118絕緣層122連接墊孔172接觸孔174通道層132源極142漏極144絕緣覆蓋層152像素電極162連接線146如下具體實(shí)施方式將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說明本發(fā)明。具體實(shí)施方式在液晶顯示器中陣列基板的形成過程中，經(jīng)常會(huì)在陣列基板上的電連接結(jié)構(gòu)上形成一絕緣覆蓋層，如鈍化層，之后對(duì)該絕緣覆蓋層進(jìn)行曝光以在所述絕緣覆蓋層上開孔或?qū)λ鼋^緣覆蓋層漂白。然而，對(duì)所述絕緣覆蓋層進(jìn)行曝光容易使該絕緣覆蓋層的表面不平整。經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，導(dǎo)致所述絕緣覆蓋層不平整的原因主要在于對(duì)所述絕緣覆蓋層進(jìn)行曝光時(shí)該由金屬層形成的電連接結(jié)構(gòu)會(huì)把曝光的光線反射至所述絕緣覆蓋層，導(dǎo)致該絕緣覆蓋層受到了雙重曝光，進(jìn)而使得該絕緣覆蓋層的表面被破壞。因此，在本發(fā)明具體實(shí)施方式中，通過在陣列基板上設(shè)置一對(duì)光線的反射率與連接線相同的干涉層，使該干涉層與連接線所反射的反射光形成干涉，降低由所述連接線反射至絕緣覆蓋層的光線強(qiáng)度，進(jìn)而得到平坦的絕緣覆蓋層。請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明具體實(shí)施方式所提供的電連接結(jié)構(gòu)10包括基板100、緩沖層105、干涉層108、連接墊118、絕緣層122、連接線146以及絕緣覆蓋層152。所述緩沖層105形成在所述基板100上并覆蓋所述基板100。所述干涉層108形成在所述緩沖層105上。所述連接墊118形成在所述干涉層108上。所述絕緣層122覆蓋所述干涉層108及所述連接墊118。所述絕緣層122對(duì)應(yīng)所述連接墊118的位置開設(shè)有連接墊孔172。所述連接線146形成在所述絕緣層122上且通過所述連接墊孔172與所述連接墊118電性連接。所述連接墊118與連接線146相互電性連接構(gòu)成一電連接單元。所述絕緣覆蓋層152覆蓋所述絕緣層122以及所述連接線146。所述絕緣覆蓋層152遠(yuǎn)離所述基板100的一側(cè)為平坦的表面。所述干涉層108能夠?qū)乃龈缮鎸?08遠(yuǎn)離所述基板100一側(cè)射向所述干涉層108的光線以一定的反射率反射，并將從所述干涉層108靠近所述基板100一側(cè)射向所述干涉層108的光線透射。所述干涉層108遠(yuǎn)離所述基板100的一側(cè)對(duì)光線的反射率與所述連接線146對(duì)光線的反射率相同。在本實(shí)施方式中，所述干涉層108在所述基板100上的投影面積不小于所述連接線146在所述基板100上的投影面積。優(yōu)選地，所述干涉層108在所述基板100上的投影面積為所述連接線146在所述基板100上的投影面積的1至10倍?？梢岳斫?，所述緩沖層105不是必要的，在其它實(shí)施方式中，所述干涉層108可直接形成在所述基板100上。在本實(shí)施方式中，所述基板100的材質(zhì)選自透明基材，例如玻璃、石英或有機(jī)聚合物等。所述緩沖層105的材質(zhì)選自透明絕緣材料，例如氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。在本實(shí)施方式中，所述干涉層108的材質(zhì)選自氧化鈮與二氧化硅的聚合物(Nb2O5-SiO2)。所述連接墊118與連接線146的材質(zhì)選自鋁、鈦、鉬、鉭、銅等金屬。在本實(shí)施方式中，所述絕緣層122的材質(zhì)選自透明絕緣材料，例如氧化鋁、氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。在本實(shí)施方式中，所述絕緣覆蓋層152為一鈍化層，所述絕緣覆蓋層152選自常作為鈍化層的有機(jī)材料，例如采用聚碳酸酯(PC)以及苯并環(huán)乙烯(BCB)等。本發(fā)明具體實(shí)施方式所提供的電連接結(jié)構(gòu)10由于在所述電連接結(jié)構(gòu)10中設(shè)置了與該連接線146反射率相同的該干涉層108，且所述干涉層108在所述基板100上的投影面積不小于所述連接線146在所述基板100上的投影面積，該干涉層108能夠與所述連接線146所反射的光線形成相互干涉，在對(duì)所述絕緣覆蓋層152進(jìn)行曝光時(shí)，能夠降低所述絕緣覆蓋層152與所述連接線146對(duì)應(yīng)位置的光線強(qiáng)度，使絕緣覆蓋層152不易被光線破壞，進(jìn)而得到平坦的絕緣覆蓋層152。同時(shí)，經(jīng)試驗(yàn)，當(dāng)所述干涉層108在所述基板100上的投影面積為所述連接線146在所述基板100上的投影面積的1至10倍時(shí)效果最佳，所述干涉層108在不與該連接線146對(duì)應(yīng)的位置基本不會(huì)反射多余的光線，因此基本不會(huì)對(duì)所述絕緣覆蓋層152進(jìn)行不必要的破壞。在本實(shí)施方式中，該電連接結(jié)構(gòu)10是形成在一陣列基板1中的非顯示區(qū)域，以下具體實(shí)施方式針對(duì)該陣列基板1的加以說明。請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明具體實(shí)施方式所提供的陣列基板1包括基板100、緩沖層105、第一干涉層108a、第二干涉層108b、柵極114、連接墊118、絕緣層122、通道層132、源極142、漏極144、連接線146、絕緣覆蓋層152以及像素電極162。所述緩沖層105形成在所述基板100上并覆蓋所述基板100。所述第一干涉層108a與第二干涉層108b分別形成在所述緩沖層105上，且所述第一干涉層108a與第二干涉層108b相互間隔設(shè)置。所述連接墊118形成在所述第一干涉層108a上。所述柵極114形成在所述第二干涉層108b上。所述絕緣層122覆蓋所述緩沖層105、第一干涉層108a、第二干涉層108b、柵極114與連接墊118。所述絕緣層122對(duì)應(yīng)所述連接墊118的位置開設(shè)有連接墊孔172。所述通道層132形成在所述絕緣層122上與所述柵極114對(duì)應(yīng)的位置。所述源極142與漏極144形成在所述絕緣層122上且分別覆蓋所述通道層132的兩端。所述連接線146形成在所述絕緣層122上并通過所述連接墊孔172與所述連接墊118電性連接。所述連接墊118與連接線146相互電性連接構(gòu)成一電連接單元。所述柵極114、通道層132、源極142與漏極144共同構(gòu)成一薄膜晶體管。所述絕緣覆蓋層152覆蓋所述絕緣層122、源極142、通道層132、漏極144、以及連接線146。所述絕緣覆蓋層152對(duì)應(yīng)所述連接線146的位置遠(yuǎn)離所述基板100的一側(cè)為平坦的表面。所述絕緣覆蓋層152對(duì)應(yīng)所述漏極144的位置開設(shè)有接觸孔174。所述像素電極162形成在所述絕緣覆蓋層152上并通過所述接觸孔174與所述漏極144電性連接。所述第一干涉層108a與第二干涉層108b能夠?qū)乃龅谝桓缮鎸?08a及第二干涉層108b遠(yuǎn)離所述基板100一側(cè)射向所述第一干涉層108a與第二干涉層108b的光線以一定的反射率反射，并將從所述第一干涉層108a與第二干涉層108b靠近所述基板100一側(cè)射向所述第一干涉層108a與第二干涉層108b的光線透射。所述第一干涉層108a與第二干涉層108b遠(yuǎn)離所述基板100的一側(cè)對(duì)光線的反射率與所述源極142、漏極144以及連接線146對(duì)光線的反射率相同。在本實(shí)施方式中，所述第一干涉層108a在所述基板100上的投影面積不小于所述連接線146在所述基板100上的投影面積。所述第二干涉層108b在所述基板100上的投影面積不小于所述源極142、通道層132以及漏極144在所述基板上的總投影面積。優(yōu)選地，所述第一干涉層108a在所述基板100上的投影面積為所述連接線146在所述基板100上的投影面積的1至10倍。所述第二干涉層108b在所述基板100上的投影面積為所述源極142、通道層132以及漏極144在所述基板上的總投影面積的1至10倍?？梢岳斫猓鼍彌_層105不是必要的，在其它實(shí)施方式中，所述干涉層108可直接形成在所述基板100上。在本實(shí)施方式中，所述基板100的材質(zhì)選自透明基材，例如玻璃、石英或有機(jī)聚合物等。所述緩沖層105的材質(zhì)選自透明絕緣材料，例如氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。在本實(shí)施方式中，所述干涉層108的材質(zhì)選自氧化鈮與二氧化硅的聚合物(Nb2O5-SiO2)。所述柵極114、連接墊118、源極142、漏極144以及連接線146與連接線146的材質(zhì)選自鋁、鈦、鉬、鉭、銅等金屬。在本實(shí)施方式中，所述絕緣層122的材質(zhì)選自透明絕緣材料，例如氧化鋁、氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。在本實(shí)施方式中，所述絕緣覆蓋層152為一鈍化層，所述絕緣覆蓋層152選自常作為鈍化層的有機(jī)材料，例如采用聚碳酸酯(PC)以及苯并環(huán)乙烯(BCB)等。在本實(shí)施方式中，所述像素電極162的材質(zhì)選自氧化銦錫(ITO)。本發(fā)明具體實(shí)施方式所提供的電連接結(jié)構(gòu)10由于在所述陣列基板1中設(shè)置了與該連接線146反射率相同的第一干涉層108a以及與該源極142與漏極144反射率相同的第二干涉層108b，且所述第一干涉層108a在所述基板100上的投影面積不小于所述連接線146在所述基板100上的投影面積，所述第二干涉層108b在所述基板100上的投影面積不小于所述源極142、通道層132以及漏極144在所述基板上的總投影面積，該第一干涉層108a與第二干涉層108b能夠與所述連接線146、源極142以及漏極144所反射的光線形成相互干涉，在對(duì)所述絕緣覆蓋層152進(jìn)行曝光時(shí)，能夠降低所述絕緣覆蓋層152與所述源極142、漏極144以及連接線146對(duì)應(yīng)位置的光線強(qiáng)度，使絕緣覆蓋層152不易被光線破壞，進(jìn)而得到平坦的絕緣覆蓋層152。同時(shí)，經(jīng)試驗(yàn)，當(dāng)于所述第一干涉層108a在所述基板100上的投影面積為所述連接線146在所述基板100上的投影面積的1至10倍，且所述第二干涉層108b在所述基板100上的投影面積為所述源極142、通道層132以及漏極144在所述基板上的總投影面積的1至10倍時(shí)效果最佳，所述第一干涉層108a與第二干涉層108b在不與所述連接線146、源極142以及漏極144對(duì)應(yīng)的位置不會(huì)基本反射多余的光線，因此基本不會(huì)對(duì)所述絕緣覆蓋層152進(jìn)行不必要的破壞。請(qǐng)參閱圖3，為本發(fā)明具體實(shí)施方式所提供的電連接結(jié)構(gòu)10的制作方法的流程圖。所應(yīng)說明的是，本發(fā)明電連接結(jié)構(gòu)10的制作方法并不受限于下述步驟的順序，且在其他實(shí)施方式中，本實(shí)施例電連接結(jié)構(gòu)10的制作方法可以只包括以下所述步驟的其中一部分，或者其中的部分步驟可以被刪除。下面結(jié)合圖3各流程步驟的說明對(duì)本發(fā)明具體實(shí)施方式所提供的電連接結(jié)構(gòu)10的制作方法進(jìn)行詳細(xì)介紹。步驟S201，請(qǐng)參閱圖4，提供基板100，在所述基板100上依次形成緩沖層105與干涉層108，并在所述干涉層108上形成連接墊118。具體地，首先在所述基板100上形成一覆蓋所述基板100的緩沖層105。然后，在所述緩沖層105上形成一覆蓋所述緩沖層105的干涉層108。接著，在所述干涉層108上形成一覆蓋所述干涉層108的金屬層。之后，通過黃光制程圖案化所述金屬層以形成所述連接墊118。在本實(shí)施方式中，所述基板100的材質(zhì)選自透明基材，例如玻璃、石英或有機(jī)聚合物等。所述緩沖層105的材質(zhì)選自透明絕緣材料，例如氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。所述干涉層108能夠?qū)乃龈缮鎸?08遠(yuǎn)離所述基板100一側(cè)射向所述干涉層108的光線以一定的反射率反射，并將從所述干涉層108靠近所述基板100一側(cè)射向所述干涉層108的光線透射。在本實(shí)施方式中，所述干涉層108的材質(zhì)選自氧化鈮與二氧化硅的聚合物(Nb2O5-SiO2)。所述連接墊118的材質(zhì)選自鋁、鈦、鉬、鉭、銅等金屬。可以理解，所述緩沖層105不是必要的，在其它實(shí)施方式中，所述干涉層108可直接形成在所述基板100上。步驟S202，請(qǐng)參閱圖5，形成覆蓋所述干涉層108以及連接墊118的絕緣層122，并在所述絕緣層122對(duì)應(yīng)所述連接墊118的位置形成連接墊孔172。具體地，首先形成覆蓋所述干涉層108以及連接墊118的絕緣層122。接著，通過黃光制程圖案化所述絕緣層122以在所述絕緣層122對(duì)應(yīng)所述連接墊118的位置形成連接墊孔172。在本實(shí)施方式中，所述絕緣層122的材質(zhì)選自透明絕緣材料，例如氧化鋁、氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。步驟S203，請(qǐng)參閱圖6，在所述絕緣層122上形成連接線146，所述連接線146通過所述連接墊孔172與所述連接墊118電性連接。具體地，首先在所述絕緣層122上形成一金屬層。之后通過黃光制程圖案化所述金屬層以形成所述連接線146。在本實(shí)施方式中，所述連接線146的材質(zhì)選自鋁、鈦、鉬、鉭、銅等金屬。所述干涉層108遠(yuǎn)離所述基板100的一側(cè)對(duì)光線的反射率與所述連接線146對(duì)光線的反射率相同。步驟S204，請(qǐng)參閱圖7，形成覆蓋所述連接線146以及絕緣層122上的絕緣覆蓋層152。所述絕緣覆蓋層152遠(yuǎn)離所述基板100的一側(cè)為平坦的表面。在本實(shí)施方式中，所述絕緣覆蓋層152為一鈍化層，所述絕緣覆蓋層152選自常作為鈍化層的有機(jī)材料，例如采用聚碳酸酯(PC)以及苯并環(huán)乙烯(BCB)等。步驟S205，請(qǐng)參閱圖8，對(duì)所述絕緣覆蓋層152進(jìn)行曝光，光線經(jīng)所述絕緣覆蓋層152射向所述連接線146，并經(jīng)過所述絕緣覆蓋層152以及絕緣層122射向所述干涉層108。射向所述連接線146與干涉層108的光線分別被所述連接線146與干涉層108反射至所述絕緣覆蓋層152。由于所述連接線146與所述干涉層108對(duì)光線的反射率相同，且所反射的光線均由同一光源射出，被所述連接線146與干涉層108反射的光線能夠產(chǎn)生相互干涉，使得反射至所述絕緣覆蓋層152的光線強(qiáng)度降低。因此，所述絕緣覆蓋層152的表面不會(huì)被所述反射光破壞，進(jìn)而所述絕緣覆蓋層152的表面能夠保持平坦。至此，所述電連接結(jié)構(gòu)10制作完成。由此，本發(fā)明具體實(shí)施方式所提供的電連接結(jié)構(gòu)10的制作方法由于在所述電連接結(jié)構(gòu)10中設(shè)置了與該連接線146反射率相同的該干涉層108，能夠與所述連接線146所反射的光線形成相互干涉，由此降低所述絕緣覆蓋層152與所述連接線146對(duì)應(yīng)位置的光線強(qiáng)度，使絕緣覆蓋層152不易被光線破壞，進(jìn)而得到平坦的絕緣覆蓋層152。請(qǐng)參閱圖9，為本發(fā)明具體實(shí)施方式所提供的陣列基板1的制作方法的流程圖。所應(yīng)說明的是，本發(fā)明陣列基板1的制作方法并不受限于下述步驟的順序，且在其他實(shí)施方式中，本實(shí)施例陣列基板1的制作方法可以只包括以下所述步驟的其中一部分，或者其中的部分步驟可以被刪除。下面結(jié)合圖9各流程步驟的說明對(duì)本發(fā)明具體實(shí)施方式所提供的陣列基板1的制作方法進(jìn)行詳細(xì)介紹。步驟S301，請(qǐng)參閱圖10，提供基板100，在所述基板100上形成緩沖層105，并在所述緩沖層105上形成第一干涉層108a與第二干涉層108b。具體地，首先在所述基板100上形成一覆蓋所述基板100的緩沖層105。接著，在所述緩沖層105上形成一覆蓋所述緩沖層105的干涉層。之后，通過黃光制程圖案化所述干涉層以形成所述第一干涉層108a與第二干涉層108b。在本實(shí)施方式中，所述基板100的材質(zhì)選自透明基材，例如玻璃、石英或有機(jī)聚合物等。所述緩沖層105的材質(zhì)選自透明絕緣材料，例如氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。所述第一干涉層108a與第二干涉層108b能夠?qū)乃龅谝桓缮鎸?08a與第二干涉層108b遠(yuǎn)離所述基板100一側(cè)射向所述第一干涉層108a與第二干涉層108b的光線以一定的反射率反射，并將從所述第一干涉層108a與第二干涉層108b靠近所述基板100一側(cè)射向所述第一干涉層108a與第二干涉層108b的光線透射。在本實(shí)施方式中，所述第一干涉層108a與第二干涉層108b的材質(zhì)選自氧化鈮與二氧化硅的聚合物(Nb2O5-SiO2)。可以理解，所述緩沖層105不是必要的，在其它實(shí)施方式中，所述第一干涉層108a與第二干涉層108b可直接形成在所述基板100上。步驟S302，請(qǐng)參閱圖11，在所述第一干涉層108a上形成連接墊118，并在所述第二干涉層108b上形成柵極114。具體地，首先在所述緩沖層105上形成一覆蓋所述緩沖層105、第一干涉層108a與第二干涉層108b的金屬層。之后，通過黃光制程圖案化所述金屬層以形成所述柵極114以及連接墊118。在本實(shí)施方式中，所述柵極114以及連接墊118的材質(zhì)選自鋁、鈦、鉬、鉭、銅等金屬。步驟S303，請(qǐng)參閱圖12，形成覆蓋所述緩沖層105、第一干涉層108a、第二干涉層108b、柵極114以及連接墊118的絕緣層122，在所述絕緣層122上與柵極114對(duì)應(yīng)的位置形成通道層132，并在所述絕緣層122對(duì)應(yīng)所述連接墊118的位置形成連接墊孔172。具體地，首先形成覆蓋所述緩沖層105、第一干涉層108a、第二干涉層108b、柵極114以及連接墊118的絕緣層122。接著，在所述絕緣層122上形成一覆蓋所述絕緣層122的半導(dǎo)體層。之后，通過黃光制程圖案化所述半導(dǎo)體層以形成所述通道層132。所述通道層132的位置與所述柵極114的位置相對(duì)應(yīng)。在圖案化所述半導(dǎo)體層以形成所述通道層132的同時(shí)，通過所述黃光制程圖案化所述絕緣層122以在所述絕緣層122對(duì)應(yīng)所述連接墊118的位置形成連接墊孔172。在本實(shí)施方式中，所述絕緣層122的材質(zhì)選自透明絕緣材料，例如氧化鋁、氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。所述通道層132的材質(zhì)為半導(dǎo)體，例如金屬氧化物、非晶硅或多晶硅等。步驟S304，請(qǐng)參閱圖13，在所述絕緣層122上形成源極142、漏極144以及連接線146，所述源極142與漏極144設(shè)置在所述絕緣層122上且分別覆蓋所述通道層132的兩端，所述連接線146設(shè)置在所述絕緣層122上且通過所述連接墊孔172與所述連接墊118電性連接。具體地，首先在所述絕緣層122與通道層132上形成一金屬層。之后通過黃光制程圖案化所述金屬層以形成所述源極142、漏極144與連接線146。在本實(shí)施方式中，所述源極142、漏極144以及連接線146的材質(zhì)選自鋁、鈦、鉬、鉭、銅等金屬。所述第一干涉層108a及第二干涉層108b遠(yuǎn)離所述基板100的一側(cè)對(duì)光線的反射率與所述源極142、漏極144以及連接線146對(duì)光線的反射率相同。步驟S305，請(qǐng)參閱圖14，形成覆蓋所述源極142、通道層132、漏極144、連接線146以及絕緣層122的絕緣覆蓋層152。所述絕緣覆蓋層152遠(yuǎn)離所述基板100的一側(cè)為平坦的表面。在本實(shí)施方式中，所述絕緣覆蓋層152為一鈍化層，所述絕緣覆蓋層152選自常作為鈍化層的有機(jī)材料，例如采用聚碳酸酯(PC)以及苯并環(huán)乙烯(BCB)等。步驟S306，請(qǐng)參閱圖15，通過一掩膜300遮擋所述絕緣覆蓋層152并透過所述掩膜300對(duì)所述絕緣覆蓋層152進(jìn)行曝光，所述掩膜300包括對(duì)應(yīng)所述漏極144的位置用于在所述絕緣覆蓋層152上開設(shè)接觸孔的第一掩膜區(qū)310以及所述第一掩膜區(qū)310周邊的第二掩膜區(qū)320，所述第二掩膜區(qū)320的透光率低于所述第一掩膜區(qū)310的透光率。經(jīng)過光線的照射，與該第一掩膜區(qū)310位置對(duì)應(yīng)的絕緣覆蓋層152被照射的最嚴(yán)重，能夠被光阻顯影液去除；與該第二掩膜區(qū)320位置對(duì)應(yīng)的絕緣覆蓋層152被光線漂白，增加了光線的透射率。同時(shí)，光線經(jīng)所述絕緣覆蓋層152射向所述連接線146，并經(jīng)過所述絕緣覆蓋層152以及絕緣層122射向所述第一干涉層108a。射向所述連接線146與第一干涉層108a的光線分別被所述連接線146與第一干涉層108a反射至所述絕緣覆蓋層152。由于所述連接線146與所述第一干涉層108a對(duì)光線的反射率相同，且所反射的光線均由同一光源射出，被所述連接線146與第一干涉層108a反射的光線能夠產(chǎn)生相互干涉，使得反射至所述絕緣覆蓋層152的光線強(qiáng)度降低。因此，所述絕緣覆蓋層152的表面不會(huì)被所述反射光破壞，進(jìn)而所述絕緣覆蓋層152的表面能夠保持平坦。相應(yīng)地，所述第二干涉層108b亦能夠降低所述源極142與漏極144反射光線的強(qiáng)度，保證該所述絕緣覆蓋層152的表面能夠保持平坦。步驟S307，請(qǐng)參閱圖16，去除所述絕緣覆蓋層152對(duì)應(yīng)所述第一掩膜區(qū)310的位置以形成接觸孔174，之后在所述絕緣覆蓋層152上形成通過所述接觸孔174與所述漏極144電性連接的像素電極162。具體地，首先，通過光阻顯影液去除所述絕緣覆蓋層152對(duì)應(yīng)所述第一掩膜區(qū)310的位置以形成接觸孔174。接著，在所述絕緣覆蓋層152上形成一透明導(dǎo)電層，之后通過黃光制程圖案化所述透明導(dǎo)電層以形成所述像素電極162。在本實(shí)施方式中，所述像素電極162的材質(zhì)選自氧化銦錫(ITO)。至此，所述陣列基板1制作完成。本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的陣列基板1的制作方法由于在所述陣列基板1中設(shè)置了與該連接線146反射率相同的第一干涉層108a以及與該源極142與漏極144反射率相同的第二干涉層108b，能夠與所述連接線146、源極142以及漏極144所反射的光線形成相互干涉，在對(duì)所述絕緣覆蓋層152進(jìn)行曝光時(shí)，能夠降低所述絕緣覆蓋層152與所述源極142、漏極144以及連接線146對(duì)應(yīng)位置的光線強(qiáng)度，使絕緣覆蓋層152不易被光線破壞，進(jìn)而得到平坦的絕緣覆蓋層152。以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，圖示中出現(xiàn)的上、下、左及右方向僅為了方便理解，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3