本發(fā)明涉及TFT顯示裝置領(lǐng)域，特別涉及一種用于改善液晶面板共電極穩(wěn)壓性的畫素結(jié)構(gòu)及工作方法、陣列基板。

背景技術(shù)：

串?dāng)_是TFT-LCD顯示不良中比較常見的一種現(xiàn)象，是指某一區(qū)域的畫面會影響到其他區(qū)域的畫面。TFT-LCD根據(jù)串?dāng)_的位置不同可以分為垂直串?dāng)_及水平串?dāng)_。以VA顯示模式為例，判斷串?dāng)_的畫面，若出現(xiàn)不良現(xiàn)象為水平向則為水平串?dāng)_。導(dǎo)致不同類型串?dāng)_的原因有所不同，在這里，我們只探討水平串?dāng)_的不良現(xiàn)象，通常情況下，驅(qū)動方式的不同將會導(dǎo)致不同宏觀表現(xiàn)的水平串?dāng)_，例如幀反轉(zhuǎn)可能會出現(xiàn)線狀水平串?dāng)_，而列反轉(zhuǎn)和點(diǎn)反轉(zhuǎn)的水平串?dāng)_現(xiàn)象就會很輕微。但是，無論哪種驅(qū)動方式，產(chǎn)生這種畫面不良的真因都是一致的，源于數(shù)據(jù)線路和共電極的電容耦合作用。當(dāng)數(shù)據(jù)線路電位發(fā)生變化時，便會經(jīng)由數(shù)據(jù)線路與公共電極線(ACOM)之間的寄生電容(C_DC)在公共電極線形成一個瞬間的電位跳變。若公共電極線(ACOM)的信號延遲較為嚴(yán)重或電壓驅(qū)動能力不足，則電位無法很快恢復(fù)到預(yù)設(shè)定電位，這個電位跳變會通過儲存電容Cst的耦合作用拉低像素跨壓，導(dǎo)致像素亮度降低從而形成水平串?dāng)_。以VA顯示模式、Row Inversion(行反轉(zhuǎn))的驅(qū)動方式為例，其中一條數(shù)據(jù)線的驅(qū)動電壓始終為128灰階電位，另一條的驅(qū)動電壓有2/3的時間為128灰階電位、1/3的時間為255灰階電位，兩條數(shù)據(jù)線的電位周期性反轉(zhuǎn)，導(dǎo)致公共電極線的電位也發(fā)生相應(yīng)的變化，公共電極線電位變化導(dǎo)致的結(jié)果是畫面整體偏暗，而255灰階電位的橫向區(qū)域則會由于公共電極線電位變化更大而出現(xiàn)顏色更暗的水平區(qū)塊。通常情況下，水平串?dāng)_的解決方案是采用列反轉(zhuǎn)(Column Inversion)或者行反轉(zhuǎn)(Dot Inversion)的驅(qū)動方式，但是這種解決方案容易受到制程變化帶來的影響，使得左右兩條數(shù)據(jù)線對公共電極線的電容耦合作用不同，使得水平串?dāng)_不能被完全消除。

在4MASK制程下，數(shù)據(jù)線和公共電極線之間的電容C_DC結(jié)構(gòu)依次有第一金屬層(Metal1)，N+層，AS層(烷基硅烷薄膜)，SiNx層(絕緣層)及第二金屬層(Metal2)，Metal1和Metal2之間存在著AS層和N+層，導(dǎo)致了在正幀和負(fù)幀驅(qū)動下C_DC的大小存在差異，分別表示為C_DC+和C_DC-，這樣的變化使得左右兩條數(shù)據(jù)線對公共電極線的電容耦合作用存在較大差異。

現(xiàn)有技術(shù)中，龍骨結(jié)構(gòu)是橫向貫穿在一起的，并通過兩邊的金屬線提供DC驅(qū)動電壓，這種設(shè)計易導(dǎo)致公共電極線ACOM驅(qū)動能力不足。因此，提供一種公共電極線ACOM驅(qū)動能力強(qiáng)的結(jié)構(gòu)及方法就很有必要。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有技術(shù)中存在的公共電極線ACOM驅(qū)動能力不足的技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種將公共電極線ACOM與柵極信號線以一定方式短接在一起，提高公共電極線ACOM的驅(qū)動能力的畫素結(jié)構(gòu)。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明提供了一種畫素結(jié)構(gòu)，所述畫素結(jié)構(gòu)包括數(shù)據(jù)線、柵極、像素電極以及驅(qū)動所述柵極的公共電極線；所述公共電極線與像素電極之間的電容為存儲電容；所述公共電極線與柵極電性連接。

進(jìn)一步地，所述公共電極線與所述柵極同層設(shè)置且連接。

進(jìn)一步地，公共電極線通過搭接金屬線與柵極短接。

進(jìn)一步地，所述公共電極線電位與柵極電位相等；所述柵極中第n級柵極信號與所述第n+1級存儲電容的公共電極線電位相等；其中，n＝1,2,3，…。

本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括所述的畫素結(jié)構(gòu)，每一所述畫素結(jié)構(gòu)內(nèi)的所述公共電極線和與其對應(yīng)的一條柵極線電性連接。

進(jìn)一步地，每一所述畫素結(jié)構(gòu)內(nèi)的所述公共電極線和與其對應(yīng)的一條柵極線電性連接。

本發(fā)明還提供了一種畫素結(jié)構(gòu)的工作方法，所述畫素結(jié)構(gòu)如權(quán)利要求1所述，所述方法包括：

(1)第n級柵極信號電位關(guān)閉后，保持在低電位，此時第n+1級存儲電容的公共電極線的電位為低電位；

(2)第n+1級柵極信號電位開啟后，為高電位，第n+1級存儲電容的像素電極正常充電，第n+1級存儲電容的公共電極線的電位維持為低電位，第n+2級存儲電容的公共電極線的電位為高電位；

(3)第n+1級柵極信號電位關(guān)閉后，為低電位，第n+2級存儲電容的公共電極線的電位為低電位；

(4)第n+2級柵極線信號電位開啟后，為高電位，第n+2級存儲電容的像素電極正常充電，第n+2級存儲電容的公共電極線的電位維持為低電位；

(5)重復(fù)步驟(1)～(4)。

進(jìn)一步地，所述工作方法中，第n級柵極信號電位開啟之前，所述第n級存儲電容的公共電極線的電位為低電位。

進(jìn)一步地，所述第n級柵極信號電位關(guān)閉后經(jīng)過時間t后開啟，第n+1級柵極信號電位開啟。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比公共電極線ACOM與掃描驅(qū)動?xùn)艠O(Gate line)以一定方式短接在一起，提高公共電極線ACOM的驅(qū)動能力，在每條掃描驅(qū)動?xùn)艠OGate開啟之前，公共電極線ACOM都可以維持一個穩(wěn)定的電位Vlow不變。這種利用掃描驅(qū)動?xùn)艠OGate line驅(qū)動公共電極線ACOM的有益效果在于：掃描驅(qū)動?xùn)艠OGate line的電位由IC獨(dú)立進(jìn)行控制，其驅(qū)動能力相比一般設(shè)計強(qiáng)，且可以減少單獨(dú)控制公共電極線的WOA走線(非COM信號陣列外布線(Wire on array，WOA))，為液晶面板的其他設(shè)計結(jié)構(gòu)提供更為寬泛的空間。

本發(fā)明的有益效果：

效果一，提高了公共電極線的驅(qū)動能力；

效果二，減少公共電極線ACOM的WOA走線；

效果三，節(jié)省液晶面板的設(shè)計空間。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明的等效電路圖；

圖3是本發(fā)明公共電極線ACOM與第n級柵極線信號波形示意圖；

圖4本發(fā)明的工作方法流程圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合實施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

如圖1和圖2所示，本發(fā)明提供一種改善液晶面板共電極穩(wěn)壓性的畫素結(jié)構(gòu)，包括數(shù)據(jù)線3(DATA)、柵極1(Gate)、像素電極4(Pixel)以及驅(qū)動所述柵極的公共電極線2(ACOM)；所述公共電極線2(ACOM)與像素電極4(Pixel)之間的電容為存儲電容Cst；所述公共電極線2(ACOM)與柵極1短接，公共電極線2與下方的柵極1為斷開設(shè)置。

所述柵極1的電位由IC集成電路獨(dú)立進(jìn)行控制。所述公共電極線2(ACOM)及柵極1電位相等。

如圖2，所述柵極1，第n級柵極信號Gate n與所述第n+1級存儲電容Cst n+1的公共電極線2(ACOM)電位相等；其中，n＝1,2,3，…。

所述用于改善液晶面板共電極穩(wěn)壓性的畫素結(jié)構(gòu)用于TFT-LCD顯示裝置，其中，陣列基板包括所述的畫素結(jié)構(gòu)，每一所述畫素結(jié)構(gòu)內(nèi)的所述公共電極線2和與其對應(yīng)的一條柵極1電性連接。

如圖2，為本實施例所述結(jié)構(gòu)的等效電路圖?；诖?，本實施例還提供一種用于改善液晶面板共電極穩(wěn)壓性的畫素結(jié)構(gòu)的工作方法，如圖4所示，所述方法包括：

(1)第n級柵極信號電位Gate n關(guān)閉后，保持在低電位Vlow，此時第n+1級存儲電容Cstn+1的公共電極線2(ACOM)的電位為低電位Vlow；

(2)第n+1級柵極信號電位Gate n+1開啟后，為高電位Vhigh，第n+1級存儲電容Cstn+1的像素電極4(Pixel)正常充電，第n+1級存儲電容Cstn+1的公共電極線2(ACOM)的電位維持為低電位Vlow，第n+2級存儲電容Cstn+2的公共電極線2(ACOM)的電位為高電位Vhigh；

(3)第n+1級柵極信號電位Gate n+1關(guān)閉后，為低電位Vlow，第n+2級存儲電容Cstn+2的公共電極線2(ACOM)的電位為低電位Vlow；

(4)第n+2級柵極信號電位Gate n+2開啟后，為高電位Vhigh，第n+2級存儲電容Cstn+2的像素電極4(Pixel)正常充電，第n+2級存儲電容Cst n+2的公共電極線2(ACOM)的電位維持為低電位Vlow；

(5)重復(fù)步驟(1)～(4)。

如圖3和圖4所示，所述方法中，第n級柵極信號電位開啟之前，所述第n級存儲電容Cstn的公共電極線(ACOM)的電位為低電位Vlow。所述第n級柵極信號電位關(guān)閉后經(jīng)過時間t后開啟，第n+1級柵極信號電位Gate n+1開啟。

作為本發(fā)明的另一種實施方式，公共電極線還可以通過搭接其他層的金屬線以過孔連接?xùn)艠O線。如在絕緣層中設(shè)置一層導(dǎo)電層，使公共電極線與柵極連接。

盡管上面對本發(fā)明說明性的具體實施方式進(jìn)行了描述，以便于本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明，但是本發(fā)明不僅限于具體實施方式的范圍，對本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，只要各種變化只要在所附的權(quán)利要求限定和確定的本發(fā)明精神和范圍內(nèi)，一切利用本發(fā)明構(gòu)思的發(fā)明創(chuàng)造均在保護(hù)之列。