本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種薄膜晶體管陣列基板及顯示面板。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)的薄膜晶體管陣列基板中的像素單元內(nèi)設(shè)置有像素電極。該像素電極包括條狀電極和主干電極。

所述條狀電極設(shè)置于所述主干電極所劃分的像素分區(qū)中。所述條狀電極用于在所述像素分區(qū)中形成均勻的電場作用力，否則所述電場作用力會聚集于所述像素分區(qū)中的局部區(qū)域，此時像素電極便無法使得所述電場作用力均勻遍布于所述像素單元中。

在實踐中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題：

因此，由于所述像素分區(qū)中兩所述條狀電極之間具有間隙，該間隙會削弱所述像素單元的電場作用力，從而使得所述像素單元的穿透率較低。

故，有必要提出一種新的技術(shù)方案，以解決上述技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板及顯示面板，其能提高像素單元的穿透率。

為解決上述問題，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板包括：至少兩像素單元行，至少兩所述像素單元行沿第一方向以陣列的形式排列，所述像素單元行包括至少兩像素單元，所述像素單元行中的至少兩所述像素單元沿第二方向以陣列的形式排列；至少兩像素單元列，至少兩所述像素單元列沿所述第二方向以陣列的形式排列，所述像素單元列包括至少兩所述像素單元，所述像素單元列中的至少兩所述像素單元沿所述第一方向以陣列的形式排列；其中，所述像素單元包括：一主干電極，所述主干電極將所述像素單元劃分為至少四像素分區(qū)；至少四條狀電極陣列，所述條狀電極陣列設(shè)置在所述像素分區(qū)內(nèi)，所述條狀電極陣列包括至少兩條狀電極；至少四連接電極，所述連接電極設(shè)置在所述像素分區(qū)內(nèi)，所述連接電極與位于所述像素分區(qū)內(nèi)的至少兩所述條狀電極相連，所述連接電極用于提高所述像素單元的穿透率。

在上述薄膜晶體管陣列基板中，在所述像素分區(qū)內(nèi)，所述連接電極的長度方向與所述條狀電極的長度方向的夾角處于1度至89度的范圍內(nèi)。

在上述薄膜晶體管陣列基板中，所述連接電極的長度方向與所述第一方向平行。

在上述薄膜晶體管陣列基板中，所述連接電極的長度方向與所述第二方向平行。

在上述薄膜晶體管陣列基板中，位于同一所述像素單元行中的任意兩所述像素單元的所述連接電極的長度方向相同，位于同一所述像素單元列中的任意兩所述像素單元的所述連接電極的長度方向相同；或者位于同一所述像素單元行中的任意兩所述像素單元的所述連接電極的長度方向相同，位于同一所述像素單元列中的相鄰兩所述像素單元的所述連接電極的長度方向垂直；或者位于同一所述像素單元行中的相鄰兩所述像素單元的所述連接電極的長度方向垂直，位于同一所述像素單元列中的相鄰兩所述像素單元的所述連接電極的長度方向垂直。

一種顯示面板，所述顯示面板包括：彩膜基板；液晶層；薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板包括：至少兩像素單元行，至少兩所述像素單元行沿第一方向以陣列的形式排列，所述像素單元行包括至少兩像素單元，所述像素單元行中的至少兩所述像素單元沿第二方向以陣列的形式排列；至少兩像素單元列，至少兩所述像素單元列沿所述第二方向以陣列的形式排列，所述像素單元列包括至少兩所述像素單元，所述像素單元列中的至少兩所述像素單元沿所述第一方向以陣列的形式排列；其中，所述像素單元包括：一主干電極，所述主干電極將所述像素單元劃分為至少四像素分區(qū)；至少四條狀電極陣列，所述條狀電極陣列設(shè)置在所述像素分區(qū)內(nèi)，所述條狀電極陣列包括至少兩條狀電極；至少四連接電極，所述連接電極設(shè)置在所述像素分區(qū)內(nèi)，所述連接電極與位于所述像素分區(qū)內(nèi)的至少兩所述條狀電極相連，所述連接電極用于提高所述像素單元的穿透率。

在上述顯示面板中，在所述像素分區(qū)內(nèi)，所述連接電極的長度方向與所述條狀電極的長度方向的夾角處于1度至89度的范圍內(nèi)。

在上述顯示面板中，所述連接電極的長度方向與所述第一方向平行。

在上述顯示面板中，所述連接電極的長度方向與所述第二方向平行。

在上述顯示面板中，位于同一所述像素單元行中的任意兩所述像素單元的所述連接電極的長度方向相同，位于同一所述像素單元列中的任意兩所述像素單元的所述連接電極的長度方向相同；或者位于同一所述像素單元行中的任意兩所述像素單元的所述連接電極的長度方向相同，位于同一所述像素單元列中的相鄰兩所述像素單元的所述連接電極的長度方向垂直；或者位于同一所述像素單元行中的相鄰兩所述像素單元的所述連接電極的長度方向垂直，位于同一所述像素單元列中的相鄰兩所述像素單元的所述連接電極的長度方向垂直。

相對現(xiàn)有技術(shù)，由于本發(fā)明的連接電極增加了所述像素電極在所述像素單元中所占據(jù)的總面積，因此可以增加所述像素電極施加給所述液晶層中的液晶分子的電場作用力，從而可以使得所述像素單元的開口率不變的情況下，提高所述像素單元的穿透率。

為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。

【附圖說明】

圖1為本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板中的像素單元的第一實施例的示意圖；

圖2為本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板中的像素單元的第二實施例的示意圖；

圖3至圖5為本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板中像素單元的三種排列方式的示意圖；

圖6為在第一視角下關(guān)于本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的像素單元的第一實施例、第二實施例與傳統(tǒng)的像素單元的模擬效果及穿透率對比的示意圖；

圖7為在第一視角下關(guān)于本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的像素單元的第一實施例、第二實施例與傳統(tǒng)的像素單元的穿透率與電壓關(guān)系的示意圖；

圖8為在第二視角下關(guān)于本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的像素單元的第一實施例、第二實施例與傳統(tǒng)的像素單元的模擬效果及穿透率對比的示意圖；

圖9為在第二視角下關(guān)于本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的像素單元的第一實施例、第二實施例與傳統(tǒng)的像素單元的穿透率與電壓關(guān)系的示意圖；

圖10為在第三視角下關(guān)于本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的像素單元的第一實施例、第二實施例與傳統(tǒng)的像素單元的模擬效果及穿透率對比的示意圖；

圖11為在第三視角下關(guān)于本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的像素單元的第一實施例、第二實施例與傳統(tǒng)的像素單元的穿透率與電壓關(guān)系的示意圖。

【具體實施方式】

本說明書所使用的詞語“實施例”意指實例、示例或例證。此外，本說明書和所附權(quán)利要求中所使用的冠詞“一”一般地可以被解釋為“一個或多個”，除非另外指定或從上下文可以清楚確定單數(shù)形式。

本發(fā)明的顯示面板可以是TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯示面板)等。

本發(fā)明的顯示面板的第一實施例包括彩膜基板、液晶層和薄膜晶體管陣列基板，所述液晶層設(shè)置于所述彩膜基板和所述薄膜晶體管陣列基板之間。

參考圖1、圖3至圖5，圖1為本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板中的像素單元101的第一實施例的示意圖，圖3至圖5為本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板中像素單元101的三種排列方式的示意圖。

所述薄膜晶體管陣列基板包括至少兩掃描線301、至少兩數(shù)據(jù)線302、至少兩像素單元行、至少兩像素單元列。

至少兩所述像素單元行沿第一方向103以陣列的形式排列，所述像素單元行包括至少兩像素單元101，所述像素單元行中的至少兩所述像素單元101沿第二方向102以陣列的形式排列。所述第一方向103為與所述數(shù)據(jù)線302平行的方向，所述第二方向102為與所述掃描線301平行的方向。

至少兩所述像素單元列沿所述第二方向102以陣列的形式排列，所述像素單元列包括至少兩所述像素單元101，所述像素單元列中的至少兩所述像素單元101沿所述第一方向103以陣列的形式排列。

所述掃描線301和所述數(shù)據(jù)線302均與所述像素單元101連接。其中，所述像素單元101包括一主干電極1011、至少四條狀電極1012陣列和至少四連接電極1013。

所述主干電極1011將所述像素單元101劃分為至少四像素分區(qū)。所述條狀電極1012陣列設(shè)置在所述像素分區(qū)內(nèi)，所述條狀電極1012陣列包括至少兩條狀電極1012。所述連接電極1013設(shè)置在所述像素分區(qū)內(nèi)，所述連接電極1013與位于所述像素分區(qū)內(nèi)的至少兩所述條狀電極1012相連，所述連接電極1013用于提高所述像素單元101的穿透率。具體地，所述連接電極1013用于增加所述像素電極在所述像素單元101中所占據(jù)的總面積，以增加所述像素電極施加給所述液晶層中的液晶分子的電場作用力，從而提高所述像素單元101的穿透率。

所述連接電極1013還用于降低所述像素分區(qū)內(nèi)任意兩所述條狀電極1012之間的電場干擾。

在本實施例的薄膜晶體管陣列基板中，在所述像素分區(qū)內(nèi)，所述連接電極1013的長度方向與所述條狀電極1012的長度方向的夾角處于1度至89度的范圍內(nèi)。例如，所述夾角為1度、5度、9度、13度、17度、21度、25度、29度、33度、37度、41度、45度、49度、53度、57度、61度、65度、69度、73度、77度、81度、85度、89度。優(yōu)選地，所述夾角為45度。

所述像素單元101的四所述像素分區(qū)中的所述連接電極1013的長度方向均相同。

在本實施例的薄膜晶體管陣列基板中，所述連接電極1013的長度方向與所述第二方向102平行。

在本實施例的薄膜晶體管陣列基板中，位于同一所述像素單元行中的任意兩所述像素單元101的所述連接電極1013的長度方向相同，位于同一所述像素單元列中的任意兩所述像素單元101的所述連接電極1013的長度方向相同。

或者，位于同一所述像素單元行中的任意兩所述像素單元101的所述連接電極1013的長度方向相同，位于同一所述像素單元列中的相鄰兩所述像素單元101的所述連接電極1013的長度方向垂直。

或者，位于同一所述像素單元行中的相鄰兩所述像素單元101的所述連接電極1013的長度方向垂直，位于同一所述像素單元列中的相鄰兩所述像素單元101的所述連接電極1013的長度方向垂直。

圖2為本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板中的像素單元101的第二實施例的示意圖。本發(fā)明的顯示面板的第二實施例與上述第一實施例相似，不同之處在于：

所述連接電極1013的長度方向與所述第一方向103平行。

參考圖6，圖6為在第一視角(Theta0°，Phi0°)下關(guān)于本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的像素單元101的第一實施例、第二實施例與傳統(tǒng)的像素單元的模擬效果及穿透率對比的示意圖。其中，Theta0°是指所述第一視角所對應(yīng)的視線與所述薄膜晶體管陣列基板的法線的夾角為0°，Phi0°是指所述第一視角所對應(yīng)的視線與所述薄膜晶體管陣列基板的長邊方向或短邊方向的夾角為0°。

從圖6可以看出，在所述第一視角下，本發(fā)明的第一實施例中的所述像素單元101的穿透率為0.2540，相對傳統(tǒng)的像素單元的穿透率0.2485，提升比例為2.2％。同樣在所述第一視角下，本發(fā)明的第二實施例中的所述像素單元101的穿透率為0.2540，相對傳統(tǒng)的像素單元的穿透率0.2485，提升比例為2.2％。

參考圖7，圖7為在第一視角(Theta0°，Phi0°)下關(guān)于本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的像素單元101的第一實施例、第二實施例與傳統(tǒng)的像素單元的穿透率與電壓關(guān)系的示意圖。從圖7可以看出，在所述第一視角下，并且在施加至所述像素電極的電壓為5伏(V)至14伏的范圍內(nèi)的情況下，本發(fā)明的第一實施例中的所述像素單元101的穿透率702和本發(fā)明的第二實施例中的所述像素單元101的穿透率703均比傳統(tǒng)的像素單元的穿透率701高。

參考圖8，圖8為在第二視角(Theta60°，Phi0°)下關(guān)于本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的像素單元101的第一實施例、第二實施例與傳統(tǒng)的像素單元的模擬效果及穿透率對比的示意圖。其中，Theta60°是指所述第二視角所對應(yīng)的視線與所述薄膜晶體管陣列基板的法線的夾角為60°，Phi0°是指所述第二視角所對應(yīng)的視線與所述薄膜晶體管陣列基板的長邊方向或短邊方向的夾角為0°。

從圖8可以看出，在所述第二視角下，本發(fā)明的第一實施例中的所述像素單元101的穿透率為0.1900，相對傳統(tǒng)的像素單元的穿透率0.1856，提升比例為2.37％。同樣在所述第二視角下，本發(fā)明的第二實施例中的所述像素單元101的穿透率為0.1972，相對傳統(tǒng)的像素單元的穿透率0.1856，提升比例為6.25％。

參考圖9，圖9為在第二視角(Theta60°，Phi0°)下關(guān)于本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的所述像素單元101的第一實施例、第二實施例與傳統(tǒng)的像素單元的穿透率與電壓關(guān)系的示意圖。從圖9可以看出，在所述第二視角下，并且在施加至所述像素電極的電壓為5伏至14伏的范圍內(nèi)的情況下，本發(fā)明的第二實施例中的所述像素單元101的穿透率703比本發(fā)明的第一實施例中的所述像素單元101的穿透率702高，本發(fā)明的第一實施例中的所述像素單元101的穿透率702比傳統(tǒng)的像素單元的穿透率701高。

參考圖10，圖10為在第三視角(Theta60°，Phi90°)下關(guān)于本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的像素單元101的第一實施例、第二實施例與傳統(tǒng)的像素單元的模擬效果及穿透率對比的示意圖。其中，Theta60°是指所述第三視角所對應(yīng)的視線與所述薄膜晶體管陣列基板的法線的夾角為60°，Phi90°是指所述第三視角所對應(yīng)的視線與所述薄膜晶體管陣列基板的長邊方向或短邊方向的夾角為90°。

從圖10可以看出，在所述第三視角下，本發(fā)明的第一實施例中的所述像素單元101的穿透率為0.1972，相對傳統(tǒng)的像素單元的穿透率0.1856，提升比例為6.25％。同樣在所述第三視角下，本發(fā)明的第二實施例中的所述像素單元101的穿透率為0.1900，相對傳統(tǒng)的像素單元的穿透率0.1856，提升比例為2.37％。

參考圖11，圖11為在第三視角(Theta60°，Phi90°)下關(guān)于本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的像素單元101的第一實施例、第二實施例與傳統(tǒng)的像素單元的穿透率與電壓關(guān)系的示意圖。從圖11可以看出，在所述第三視角下，并且在施加至所述像素電極的電壓為5伏至14伏的范圍內(nèi)的情況下，本發(fā)明的第一實施例中的所述像素單元101的穿透率702比本發(fā)明的第二實施例中的所述像素單元101的穿透率703高，本發(fā)明的第二實施例中的像素單元101的穿透率703比傳統(tǒng)的像素單元的穿透率701高。

本發(fā)明的顯示面板的第三實施例與上述第一實施例或第二實施例相似，不同之處在于：

所述像素單元101中在所述第一方向103和所述第二方向102上相鄰的兩所述像素分區(qū)中的所述連接電極1013的長度方向垂直。

通過上述技術(shù)方案，由于連接電極1013增加了所述像素電極在所述像素單元101中所占據(jù)的總面積，因此可以增加所述像素電極施加給所述液晶層中的液晶分子的電場作用力，從而可以使得所述像素單元101的開口率不變的情況下，提高所述像素單元101的穿透率。此外，本發(fā)明還有利于改善所述顯示面板在大視角下出現(xiàn)的色偏問題。

綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，但上述優(yōu)選實施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準。