本發(fā)明涉及一種電連接結(jié)構(gòu)的制作方法、一種陣列基板的制作方法以及一種絕緣覆蓋層的制作方法。
背景技術(shù)：
：液晶顯示面板通常包括陣列基板、對向基板及夾設(shè)在所述陣列基板與對向基板之間的液晶層，通過控制所述液晶層中液晶分子的旋轉(zhuǎn)以控制光線的通過量，進而實現(xiàn)畫面顯示。其中，該陣列基板包括諸如薄膜晶體管、存儲電容以及位于陣列基板周邊的連接墊、連接線等結(jié)構(gòu)。在形成上述結(jié)構(gòu)之后，通常形成一覆蓋上述結(jié)構(gòu)的絕緣覆蓋層，例如形成一平坦化層，并對所述絕緣覆蓋層進行曝光。然而，對所述絕緣覆蓋層進行曝光容易使絕緣覆蓋層的表面不平整，影響陣列基板的穩(wěn)定性。技術(shù)實現(xiàn)要素：鑒于此，有必要提供一種電連接結(jié)構(gòu)的制作方法，包括：提供相互電性連接的連接墊與連接線，該連接墊與該連接線均為金屬層；形成覆蓋所述連接線的絕緣覆蓋層；以及通過一掩膜對所述絕緣覆蓋層進行曝光，其中，所述掩膜包括一第一半透光區(qū)與一第二半透光區(qū)，所述第一半透光區(qū)對應(yīng)所述距離該絕緣覆蓋層較近的金屬層的位置，所述第二半透光區(qū)對應(yīng)其他區(qū)域設(shè)置，所述第一半透光區(qū)的透光率低于所述第二半透光區(qū)的透光率。還有必要提供一種陣列基板的制作方法，包括：提供薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括源極、漏極、通道層以及柵極，所述源極、漏極與柵極均為金屬層；形成覆蓋所述薄膜晶體管的絕緣覆蓋層；以及通過一掩膜遮對所述絕緣覆蓋層進行曝光，所述掩膜包括第一掩膜區(qū)與第二掩膜區(qū)，所述第一掩膜區(qū)對應(yīng)所述距離該絕緣覆蓋層較近的金屬層的位置，所述第二掩膜區(qū)對應(yīng)其他區(qū)域設(shè)置，所述第一掩膜區(qū)的透光率低于所述第二掩膜區(qū)的透光率。還有必要提供一種絕緣覆蓋層的形成方法，包括：在一具有金屬層的基板上形成一覆蓋所述金屬層的絕緣覆蓋層；以及通過一掩膜對所述絕緣覆蓋層進行曝光，其中，所述掩膜包括一第一半透光區(qū)與一第二半透光區(qū)，所述第一半透光區(qū)對應(yīng)所述金屬層的位置，所述第二半透光區(qū)對應(yīng)其他區(qū)域設(shè)置，所述第一半透光區(qū)的透光率低于所述第二半透光區(qū)的透光率。與現(xiàn)有技術(shù)相對比，本發(fā)明具體實施方式提供的電連接結(jié)構(gòu)、陣列基板及絕緣覆蓋層的制作方法由于在曝光時使用不同透光率的掩膜遮蔽所述絕緣覆蓋層，能夠有效的降低在曝光時絕緣覆蓋層與金屬層對應(yīng)位置的光線強度，使絕緣覆蓋層不易被光線破壞，進而得到平坦的絕緣覆蓋層。附圖說明圖1是本發(fā)明具體實施方式電連接結(jié)構(gòu)的制作方法的流程圖。圖2至圖6是圖1中各步驟的分步示意圖。圖7是本發(fā)明具體實施方式陣列基板的制作方法的流程圖。圖8至圖13是圖7中各步驟的分步示意圖。主要元件符號說明液晶顯示面板1陣列基板10對向基板11液晶層12基板100緩沖層105柵極114連接墊118絕緣層122連接墊孔172接觸孔174通道層132源極142漏極144絕緣覆蓋層152像素電極162連接線146掩膜200、300第二半透光區(qū)220第一半透光區(qū)230第一掩膜區(qū)310第二掩膜區(qū)320子掩膜區(qū)330如下具體實施方式將結(jié)合上述附圖進一步說明本發(fā)明。具體實施方式在液晶顯示器中陣列基板的形成過程中，經(jīng)常會在陣列基板上的電連接結(jié)構(gòu)上形成一絕緣覆蓋層，如鈍化層，之后對該絕緣覆蓋層進行曝光以在所述絕緣覆蓋層上開孔或?qū)λ鼋^緣覆蓋層漂白。然而，對所述絕緣覆蓋層進行曝光容易使該絕緣覆蓋層的表面不平整。經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，導(dǎo)致所述絕緣覆蓋層不平整的原因主要在于對所述絕緣覆蓋層進行曝光時該由金屬層形成的電連接結(jié)構(gòu)會把曝光的光線反射至所述絕緣覆蓋層，導(dǎo)致該絕緣覆蓋層受到了雙重曝光，進而使得該絕緣覆蓋層的表面被破壞。因此，在本發(fā)明具體實施方式中，通過提供透光率有差異的掩膜，降低與所述電連接結(jié)構(gòu)金屬層對應(yīng)位置的掩膜的光線透射率，由此降低與所述電連接結(jié)構(gòu)對應(yīng)位置的光線強度，防止所述絕緣覆蓋層因光線強度過高而損壞，進而得到平坦的絕緣覆蓋層。下面詳細舉例進行說明。請參閱圖1，為本發(fā)明具體實施方式所提供的電連接結(jié)構(gòu)的制作方法的流程圖。所應(yīng)說明的是，本發(fā)明電連接結(jié)構(gòu)的制作方法并不受限于下述步驟的順序，且在其他實施方式中，本實施例電連接結(jié)構(gòu)的制作方法可以只包括以下所述步驟的其中一部分，或者其中的部分步驟可以被刪除。本實施方式中的電連接結(jié)構(gòu)是形成在一陣列基板的非顯示區(qū)域中。下面結(jié)合圖1各流程步驟的說明對本發(fā)明具體實施方式所提供的電連接結(jié)構(gòu)的制作方法進行詳細介紹。步驟S201，請參閱圖2，提供基板100，在所述基板100上形成緩沖層105，并在所述緩沖層105上形成連接墊118。具體地，首先在所述基板100上形成一覆蓋所述基板100的緩沖層105。接著，在所述緩沖層105上形成一覆蓋所述緩沖層105的金屬層。之后，通過黃光制程圖案化所述金屬層以形成所述連接墊118。在本實施方式中，所述基板100的材質(zhì)選自透明基材，例如玻璃、石英或有機聚合物等。所述緩沖層105的材質(zhì)選自透明絕緣材料，例如氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。所述連接墊118的材質(zhì)選自鋁、鈦、鉬、鉭、銅等金屬。可以理解，所述緩沖層105不是必要的，在其它實施方式中，所述連接墊118可直接形成在所述基板100上。步驟S202，請參閱圖3，形成覆蓋所述緩沖層105以及連接墊118的絕緣層122，并在所述絕緣層122對應(yīng)所述連接墊118的位置形成連接墊孔172。具體地，首先形成覆蓋所述緩沖層105以及連接墊118的絕緣層122。接著，通過黃光制程圖案化所述絕緣層122以在所述絕緣層122對應(yīng)所述連接墊118的位置形成連接墊孔172。在本實施方式中，所述絕緣層122的材質(zhì)選自透明絕緣材料，例如氧化鋁、氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。步驟S203，請參閱圖4，在所述絕緣層122上形成連接線146，所述連接線146通過所述連接墊孔172與所述連接墊118電性連接。在本實施方式中，所述連接線146在所述基板100上的投影面積大于所述連接墊118在所述基板100上的投影面積。具體地，首先在所述絕緣層122與通道層132上形成一金屬層。之后通過黃光制程圖案化所述金屬層以形成所述連接線146。在本實施方式中，所述連接線146的材質(zhì)選自鋁、鈦、鉬、鉭、銅等金屬。經(jīng)由上述步驟，該連接線146與該連接墊118經(jīng)由該連接墊孔172構(gòu)成電性連接，從而形成電連接結(jié)構(gòu)?？梢岳斫猓景l(fā)明的電連接結(jié)構(gòu)并不限于本實施例所列，還可包括其他層結(jié)構(gòu)，如具有半導(dǎo)體層結(jié)構(gòu)的其他類型電連接結(jié)構(gòu)。步驟S204，請參閱圖5，形成覆蓋所述連接線146以及絕緣層122上的絕緣覆蓋層152。在本實施方式中，所述絕緣覆蓋層152為一鈍化層，所述絕緣覆蓋層152選自常作為鈍化層的有機材料，例如采用聚碳酸酯(PC)以及苯并環(huán)乙烯(BCB)等。步驟S205，請參閱圖6，通過一掩膜200對所述絕緣覆蓋層152進行曝光，所述掩膜200對應(yīng)所述電連接結(jié)構(gòu)中金屬線所在區(qū)域，如連接線146，的位置定義有第一半透光區(qū)230，所述掩膜200對應(yīng)非金屬線所在區(qū)域的位置定義有第二半透光區(qū)220，所述第一半透光區(qū)230的透光率低于所述第二半透光區(qū)220的透光率。在本實施方式中，所述第一半透光區(qū)230透光率的范圍在5%-90%之間。優(yōu)選地，所述第一半透光區(qū)230透光率的范圍在20%-80%之間。經(jīng)過光線的照射，與該第二半透光區(qū)220位置對應(yīng)的絕緣覆蓋層152被光線漂白，增加了光線的透射率，從而形成了鈍化層；而與該第一半透光區(qū)230位置對應(yīng)的絕緣覆蓋層152由于被所述第一半透光區(qū)230遮蔽的光線多，光線強度低，因此即使光線被由金屬形成的連接線146所反射，減少對所述絕緣覆蓋層152的表面產(chǎn)生破壞，因此所述絕緣覆蓋層152的表面能夠更加平坦?？勺兏?，若該連接線146設(shè)置在該連接墊118下方，二者經(jīng)由該連接墊孔進行電性連接，由于該連接墊118較該連接線146距離該絕緣覆蓋層152的距離更近，該連接墊118相較該連接線146對光線的反射效應(yīng)更大，故該掩膜200的第一半透光區(qū)230優(yōu)選地對應(yīng)所述連接墊118設(shè)置?？梢岳斫?，優(yōu)選地，該掩膜200的第一半透光區(qū)230對應(yīng)所述電連接結(jié)構(gòu)中較該絕緣覆蓋層152距離近的金屬層設(shè)置。由此，本發(fā)明具體實施方式所提供的電連接結(jié)構(gòu)的制作方法由于使用該具有不同透光率的掩膜200，能夠有效的降低與金屬材質(zhì)的所述連接線146對應(yīng)位置的掩膜200的光線透射率，由此降低所述絕緣覆蓋層152與所述連接線146對應(yīng)位置的光線強度，使絕緣覆蓋層152不易被光線破壞，進而得到平坦的絕緣覆蓋層152。請參閱圖7，為本發(fā)明具體實施方式所提供的陣列基板的制作方法的流程圖。所應(yīng)說明的是，本發(fā)明陣列基板的制作方法并不受限于下述步驟的順序，且在其他實施方式中，本實施例陣列基板的制作方法可以只包括以下所述步驟的其中一部分，或者其中的部分步驟可以被刪除。下面結(jié)合圖7各流程步驟的說明對本發(fā)明具體實施方式所提供的陣列基板的制作方法進行詳細介紹。步驟S301，請參閱圖8，提供基板100，在所述基板100上形成緩沖層105，并在所述緩沖層105上形成柵極114以及連接墊118。具體地，首先在所述基板100上形成一覆蓋所述基板100的緩沖層105。接著，在所述緩沖層105上形成一覆蓋所述緩沖層105的金屬層。之后，通過黃光制程圖案化所述金屬層以形成所述柵極114以及連接墊118。在本實施方式中，所述基板100的材質(zhì)選自透明基材，例如玻璃、石英或有機聚合物等。所述緩沖層105的材質(zhì)選自透明絕緣材料，例如氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。所述柵極114以及連接墊118的材質(zhì)選自鋁、鈦、鉬、鉭、銅等金屬。可以理解，所述緩沖層105不是必要的，在其它實施方式中，所述柵極114以及連接墊118可直接形成在所述基板100上。步驟S302，請參閱圖9，形成覆蓋所述緩沖層105、柵極114以及連接墊118的絕緣層122，在所述絕緣層122上與柵極114對應(yīng)的位置形成通道層132，并在所述絕緣層122對應(yīng)所述連接墊118的位置形成連接墊孔172。具體地，首先形成覆蓋所述緩沖層105、柵極114以及連接墊118的絕緣層122。接著，在所述絕緣層122上形成一覆蓋所述絕緣層122的半導(dǎo)體層。之后，通過黃光制程圖案化所述半導(dǎo)體層以形成所述通道層132。所述通道層132的位置與所述柵極114的位置相對應(yīng)。在圖案化所述半導(dǎo)體層以形成所述通道層132的同時，通過所述黃光制程一并圖案化所述絕緣層122以在所述絕緣層122對應(yīng)所述連接墊118的位置形成連接墊孔172。在本實施方式中，所述絕緣層122的材質(zhì)選自透明絕緣材料，例如氧化鋁、氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。所述通道層132的材質(zhì)為半導(dǎo)體，例如金屬氧化物、非晶硅或多晶硅等。步驟S303，請參閱圖10，在所述絕緣層122上形成源極142、漏極144以及連接線146，所述源極142與漏極144設(shè)置在所述絕緣層122上且分別覆蓋所述通道層132的兩端，所述連接線146設(shè)置在所述絕緣層122上且通過所述連接墊孔172與所述連接墊118電性連接。所述源極142、通道層132以及漏極144在所述基板100上的總投影面積大于所述柵極114在所述基板100上的投影面積，所述連接線146在所述基板100上的投影面積大于所述連接墊118在所述基板100上的投影面積。具體地，首先在所述絕緣層122與通道層132上形成一金屬層。之后通過黃光制程圖案化所述金屬層以形成所述源極142、漏極144與連接線146。在本實施方式中，所述源極142、漏極144以及連接線146的材質(zhì)選自鋁、鈦、鉬、鉭、銅等金屬。經(jīng)由上述步驟，該連接線146與該連接墊118經(jīng)由該連接墊孔172構(gòu)成電性連接，從而形成一電連接結(jié)構(gòu)?？梢岳斫?，本發(fā)明的電連接結(jié)構(gòu)并不限于本實施例所列，還可包括其他層結(jié)構(gòu)，如具有半導(dǎo)體層結(jié)構(gòu)的其他類型電連接結(jié)構(gòu)。與此同時，經(jīng)上述步驟，所述柵極114、源極142、漏極144以及通道層132構(gòu)成一薄膜晶體管?？梢岳斫?，本發(fā)明的薄膜晶體管并不限于本實施例所列，還可以為其它結(jié)構(gòu)，例如一頂柵極型薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。步驟S304，請參閱圖11，形成覆蓋所述源極142、通道層132、漏極144、連接線146以及絕緣層122的絕緣覆蓋層152。在本實施方式中，所述絕緣覆蓋層152為一鈍化層，所述絕緣覆蓋層152選自常作為鈍化層的有機材料，例如采用聚碳酸酯(PC)以及苯并環(huán)乙烯(BCB)等。步驟S305，請參閱圖12，通過一掩膜300對所述絕緣覆蓋層152進行曝光，所述掩膜300包括第一掩膜區(qū)310及第二掩膜區(qū)320，該第一掩膜區(qū)310對應(yīng)所述源極142、連接線146以及漏極144設(shè)置，其他區(qū)域定義所述第二掩膜區(qū)320。該第一掩膜區(qū)310進一步包括一子掩膜區(qū)330，該子掩膜區(qū)330對應(yīng)部分漏極144的位置，用于在所述絕緣覆蓋層152上開設(shè)接觸孔，所述第二掩膜區(qū)320的透光率低于所述子掩膜區(qū)330的透光率，所述第一掩膜區(qū)310的透光率低于所述第二掩膜區(qū)320的透光率。在本實施方式中，所述第一掩膜區(qū)310透光率的范圍在5%-90%之間。優(yōu)選地，所述第一掩膜區(qū)310透光率的范圍在20%-80%之間。經(jīng)過光線的照射，與該子掩膜區(qū)330位置對應(yīng)的絕緣覆蓋層152被照射的最嚴重，能夠被光阻顯影液去除；與該第二掩膜區(qū)320位置對應(yīng)的絕緣覆蓋層152被光線漂白，增加了光線的透射率；而與該第一掩膜區(qū)310位置對應(yīng)的絕緣覆蓋層152由于被所述第一掩膜區(qū)310遮蔽的光最多，光線強度最低，因此即使光線被由金屬形成的所述源極142、漏極144以及連接線146所反射，仍不會對所述絕緣覆蓋層152的表面產(chǎn)生破壞，進而所述絕緣覆蓋層152的表面能夠保持平坦?？勺兏?，若該連接線146設(shè)置在該連接墊118下方，且源極142與漏極144設(shè)置在該柵極114下方，由于該連接墊118較該連接線146距離該絕緣覆蓋層152的距離更近，且該柵極114距離該源極142與漏極144距離該絕緣覆蓋層152的距離更近，該連接墊118相較該連接線146對光線的反射效應(yīng)更大，且該柵極114相較該源極142與漏極144對光線的反射效應(yīng)更大，故該掩膜200的第一掩膜區(qū)310優(yōu)選地對應(yīng)所述連接墊118與柵極114設(shè)置?？梢岳斫猓瑑?yōu)選地，該掩膜200的第一掩膜區(qū)310對應(yīng)所述電連接結(jié)構(gòu)中較該絕緣覆蓋層152距離近的金屬層設(shè)置。步驟S306，請參閱圖13，去除所述絕緣覆蓋層152對應(yīng)所述子掩膜區(qū)330的位置以形成接觸孔174，之后在所述絕緣覆蓋層152上形成通過所述接觸孔174與所述漏極144電性連接的像素電極162。具體地，首先，通過光阻顯影液去除所述絕緣覆蓋層152對應(yīng)所述子掩膜區(qū)330的位置以形成接觸孔174。接著，在所述絕緣覆蓋層152上形成一透明導(dǎo)電層，之后通過黃光制程圖案化所述透明導(dǎo)電層以形成所述像素電極162。在本實施方式中，所述像素電極162的材質(zhì)選自氧化銦錫(ITO)。本發(fā)明具體實施方式提供的陣列基板的制作方法由于使用該不同透光率的掩膜300，能夠有效的降低與金屬材質(zhì)的所述源極142、漏極144以及連接線146對應(yīng)位置的掩膜300的光線透射率，由此降低與所述源極142、漏極144以及連接線146對應(yīng)位置的光線強度，使絕緣覆蓋層152不易被光線破壞，進而得到平坦的絕緣覆蓋層152?？梢岳斫?，在一具有金屬層的基板上形成覆蓋所述金屬層的絕緣覆蓋層并對所述絕緣覆蓋層進行曝光時，均可使用本發(fā)明所使用的具有不同透光率的掩膜，具體而言，該掩膜包括一第一半透光區(qū)與一第二半透光區(qū)，所述第一半透光區(qū)對應(yīng)所述金屬層的位置，所述第二半透光區(qū)對應(yīng)其他區(qū)域設(shè)置，所述第一半透光區(qū)的透光率低于所述第二半透光區(qū)的透光率，由此即可降低所述金屬層對應(yīng)位置的光線強度，使絕緣覆蓋層不易被光線破壞，進而得到平坦的絕緣覆蓋層。以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，圖示中出現(xiàn)的上、下、左及右方向僅為了方便理解，盡管參照較佳實施例對本發(fā)明進行了詳細說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進行修改或等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。當(dāng)前第1頁1 2 3