用于電子裝置的絕緣基板的盲孔的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種用于電子裝置的絕緣基板的盲孔的制造方法，尤其涉及一種利用 光阻層形成絕緣基板的盲孔的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 以往通常利用物理鉆孔的方式在用于電子裝置的玻璃基板上形成盲孔，但這種方 法會產(chǎn)生許多粉塵顆粒，而造成后續(xù)加工制程上的困難，例如產(chǎn)生油墨涂料無法涂布上去 等問題。因此，近年來已改用化學(xué)蝕刻的方式在玻璃基板上形成盲孔。
[0003] 為了選擇性地在玻璃基板上的特定區(qū)域蝕刻出盲孔，通常會先在玻璃基板上貼附 一抗蝕膜，再利用激光切割出玻璃基板上的待蝕刻區(qū)域，接著將玻璃基板浸于蝕刻溶液中， 以在玻璃基板上的待蝕刻區(qū)域中形成盲孔。然而，抗蝕膜與玻璃基板之間的貼附性不佳，常 使得蝕刻溶液流進(jìn)抗蝕膜與玻璃基板之間，進(jìn)而產(chǎn)生明顯的側(cè)蝕現(xiàn)象。據(jù)此，目前亟需一種 用于電子裝置的絕緣基板的盲孔的制造方法，以解決傳統(tǒng)制造方法所面臨的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，有必要提供一種可改善蝕刻液的側(cè)蝕現(xiàn)象的用于電子裝置的絕緣基板 的盲孔的制造方法。
[0005] -種用于電子裝置的絕緣基板的盲孔的制造方法。此制造方法包含以下步驟：形 成圖案化光阻層于絕緣基板上；圖案化光阻層具有開口，且開口暴露一部份絕緣基板；進(jìn) 行濕蝕刻制程，以移除暴露的絕緣基板，且于開口內(nèi)形成盲孔。
[0006] 在其中一實(shí)施例中，上述絕緣基板為玻璃基板。
[0007] 在其中一實(shí)施例中，形成上述圖案化光阻層于絕緣基板上包含以下步驟。形成光 阻層于絕緣基板上；覆蓋光罩于光阻層上；以及進(jìn)行光刻工藝，以形成圖案化光阻層。
[0008] 在其中一實(shí)施例中，上述光阻層的材料為正光阻，且光罩為明光罩。
[0009] 在其中一實(shí)施例中，上述光阻層的材料為負(fù)光阻，且光罩為暗光罩。
[0010] 在其中一實(shí)施例中，進(jìn)行上述濕蝕刻制程包含將覆蓋有圖案化光阻層的絕緣基板 浸于含氫氟酸（HF)的蝕刻溶液中。
[0011] 在其中一實(shí)施例中，上述氫氟酸（HF)于蝕刻溶液中的濃度為10~15v/v%，較佳 為 12v/v% 〇
[0012] 在其中一實(shí)施例中，上述蝕刻溶液更包含氫氯酸（HC1)。
[0013] 在其中一實(shí)施例中，上述氫氯酸（HC1)于蝕刻溶液中的濃度為7~8v/v%。
[0014] 在其中一實(shí)施例中，上述盲孔的形狀包含長方形、方形、圓形、橢圓形、菱形或多邊 形。
[0015] 在其中一實(shí)施例中，上述盲孔具有邊緣區(qū)，且邊緣區(qū)具有弧邊，其中弧邊由下而上 具有第一傾斜角、第二傾斜角及第三傾斜角。
[0016] 在其中一實(shí)施例中，上述第一傾斜角呈10~20度，第二傾斜角呈40~55度，且 第三傾斜角大于55度。
[0017] 由于該用于電子裝置的絕緣基板的盲孔的制造方法，其利用光阻層在絕緣基板上 形成盲孔，其可明顯改善蝕刻液的側(cè)蝕現(xiàn)象及降低盲孔邊緣的殘留寬度，進(jìn)而提升利用濕 蝕刻法形成盲孔的精密程度。
【附圖說明】
[0018] 圖1A~1C為一實(shí)施例的在絕緣基板上形成盲孔的各階段剖面圖；以及
[0019] 圖2為圖1C中區(qū)域A的局部放大圖。
[0020] 主要元件符號說明
[0021] 110:絕緣基板
[0022] 120:圖案化光阻層
[0023] 122:開口
[0024] 112:盲孔
[0025] A:區(qū)域
[0026] wl :殘留寬度
[0027] w2 :側(cè)蝕寬度
[0028] 1 :第一傾斜角
[0029] 2 :第二傾斜角
[0030] 3 :第三傾斜角
【具體實(shí)施方式】
[0031] 接著以實(shí)施例并配合附圖以詳細(xì)說明本發(fā)明，在附圖或描述中，相似或相同的部 分使用相同的符號或編號。在附圖中，實(shí)施例的形狀或厚度可能擴(kuò)大，以簡化或方便標(biāo)示， 而附圖中元件的部分將以文字描述。可了解的是，未示出或未描述的元件可為本領(lǐng)域普通 技術(shù)人員所知的各種樣式。本實(shí)施方式為本發(fā)明的理想化實(shí)施例（及中間結(jié)構(gòu)）以示意性 的橫截面來說明，且本領(lǐng)域技術(shù)人員可預(yù)期本實(shí)施方式中制造方法、形狀及/或公差的合 理改變。因此，不應(yīng)將本發(fā)明的實(shí)施例理解為限制本發(fā)明所請求的范圍。
[0032] 圖1A~1C為一實(shí)施例的在絕緣基板上形成盲孔的各階段剖面圖。在圖1A中，圖 案化光阻層120形成于絕緣基板110上，且圖案化光阻層120具有開口 122,以暴露一部份 的絕緣基板110。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，絕緣基板110為玻璃基板，例如鈉玻璃、鋁硅酸玻 璃、無堿玻璃或其類，但不以此為限制。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，絕緣基板110為用于指紋辨 識裝置的玻璃蓋板（cover glass)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，圖案化光阻層120具有開口 122 的形狀包含長方形、方形、圓形、橢圓形、菱形或多邊形。
[0033] 在本發(fā)明的實(shí)施例中，形成圖案化光阻層120于絕緣基板110上包含以下步驟：形 成光阻層（未示出）于絕緣基板110上。覆蓋光罩（未繪示）于光阻層上。接著進(jìn)行光刻 工藝，以形成圖案化光阻層120。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，上述光阻層的材料為正光阻，且光罩 為明光罩。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，上述光阻層的材料為負(fù)光阻，且光罩為暗光罩。
[0034] 接著，進(jìn)行濕蝕刻制程，以移除暴露的絕緣基板110,且于開口 122內(nèi)形成盲孔 112,如圖1B所示。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，進(jìn)行濕蝕刻制程包含將覆蓋有圖案化光阻層120 的絕緣基板110浸于含氫氟酸（HF)的蝕刻溶液中。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，上述氫氟酸（HF) 于蝕刻溶液中的濃度為10~15v/v%，較佳為12v/v%。在本發(fā)明的實(shí)施例中，蝕刻溶液更 包含氫氯酸（HC1)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，上述氫氯酸