1.一種畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述畫素結(jié)構(gòu)包括數(shù)據(jù)線(3)、柵極(1)、像素電極(4)以及驅(qū)動所述柵極的公共電極線(2)；所述公共電極線(2)與像素電極(4)之間的電容為存儲電容；所述公共電極線(2)與柵極(1)電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述公共電極線(2)與所述柵極(1)同層設(shè)置且連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于：公共電極線(2)通過搭接金屬線與柵極(1)短接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述公共電極線(2)電位與柵極(1)電位相等；所述柵極(1)中第n級柵極信號與所述第n+1級存儲電容的公共電極線電位相等；其中，n＝1,2,3，…。
5.一種陣列基板，其特征在于：包括如權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，每一所述畫素結(jié)構(gòu)內(nèi)的所述公共電極線(2)和與其對應(yīng)的一條柵極(1)電性連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于：每一所述畫素結(jié)構(gòu)內(nèi)的所述公共電極線(2)和與其對應(yīng)的一條柵極(1)電性連接。
7.一種畫素結(jié)構(gòu)的工作方法，其特征在于，所述畫素結(jié)構(gòu)如權(quán)利要求1所述，所述方法包括：
(1)第n級柵極信號電位關(guān)閉后，保持在低電位，此時(shí)第n+1級存儲電容的公共電極線(2)的電位為低電位；
(2)第n+1級柵極信號電位開啟后，為高電位，第n+1級存儲電容的像素電極(4)正常充電，第n+1級存儲電容的公共電極線(2)的電位維持為低電位，第n+2級存儲電容的公共電極線(2)的電位為高電位；
(3)第n+1級柵極信號電位關(guān)閉后，為低電位，第n+2級存儲電容的公共電極線(2)的電位為低電位；
(4)第n+2級柵極線信號電位開啟后，為高電位，第n+2級存儲電容的像素電極(4)正常充電，第n+2級存儲電容的公共電極線的電位維持為低電位；
(5)重復(fù)步驟(1)～(4)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的畫素結(jié)構(gòu)的工作方法，其特征在于：所述工作方法中，第n級柵極信號電位開啟之前，所述第n級存儲電容的公共電極線(2)的電位為低電位。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的畫素結(jié)構(gòu)的工作方法，其特征在于：所述第n級柵極信號電位關(guān)閉后經(jīng)過時(shí)間t后開啟，第n+1級柵極信號電位開啟。