本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板的制作方法及陣列基板。

背景技術(shù)：

在目前的LCD中，陣列基板中的掃描線12與數(shù)據(jù)線16經(jīng)常出現(xiàn)交錯(cuò)、重疊的情況(如圖1及2所示)，進(jìn)而形成電容(以中間的絕緣層為電介質(zhì)，如SiNx等)，在陣列基板制程中，掃描線12所在的第一金屬層2與數(shù)據(jù)線16所在的第二金屬層6上都會(huì)積累電荷，從而在所述第一金屬層2與所述第二金屬層6之間形成電壓，當(dāng)這個(gè)電壓達(dá)到電容的擊穿電壓時(shí)，會(huì)擊穿所述第一金屬層2與所述第二金屬層6之間的絕緣層，使所述第一金屬層2與所述第二金屬層6短路，造成面板功能異常，這是目前常見(jiàn)的一種靜電釋放。實(shí)際制程中，靜電釋放較容易在所述第一金屬層2與所述第二金屬層6之間發(fā)生，而在透明導(dǎo)電薄膜層與第一金屬層或者透明導(dǎo)電薄膜層與所述第二金屬層之間均無(wú)靜電釋放發(fā)生，因此可將掃描線12與數(shù)據(jù)線16跨線處之所述第二金屬層6替換為透明導(dǎo)電薄膜層，但透明導(dǎo)電薄膜層導(dǎo)電性遠(yuǎn)不如第二金屬層的導(dǎo)電性，用透明導(dǎo)電薄膜層代替第二金屬層的跨線可能由于走線阻值過(guò)大發(fā)生透明導(dǎo)電薄膜熔斷的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種陣列基板的制作方法及陣列基板，以減少靜電釋放，防止掃描線所在的第一導(dǎo)電層與數(shù)據(jù)線所在的第二導(dǎo)電層之間發(fā)生短路。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種陣列基板的制作方法，所述方法包括：

提供一基板；

在所述基板表面設(shè)置第一導(dǎo)電層，用于形成掃描線；

在所述第一導(dǎo)電層表面設(shè)置透明導(dǎo)電薄膜層，用于形成像素電極；及

在所述透明導(dǎo)電薄膜層表面設(shè)置第二導(dǎo)電層，用于形成數(shù)據(jù)線。

其中，“在所述基板表面設(shè)置第一導(dǎo)電層，用于形成掃描線”的步驟還包括：在所述第一導(dǎo)電層上形成開(kāi)關(guān)管的控制電極，所述開(kāi)關(guān)管的控制電極與所述掃描線電連接。

其中，“在所述基板表面設(shè)置第一導(dǎo)電層，用于形成掃描線”與“在所述第一導(dǎo)電層表面設(shè)置透明導(dǎo)電薄膜層，用于形成像素電極”之間還包括步驟：在所述第一導(dǎo)電層表面設(shè)置第一絕緣層，在所述第一絕緣層表面設(shè)置半導(dǎo)體層。

其中，“在所述第一導(dǎo)電層表面設(shè)置第一絕緣層，在所述第一絕緣層表面設(shè)置半導(dǎo)體層”的步驟包括：在所述半導(dǎo)體層上形成所述開(kāi)關(guān)管的漏極及源極，所述開(kāi)關(guān)管的漏極通過(guò)導(dǎo)通孔與所述透明導(dǎo)電薄膜上的像素電極電連接，所述開(kāi)關(guān)管的源極通過(guò)導(dǎo)通孔與所述數(shù)據(jù)線電連接。

其中，“在所述第一絕緣層表面設(shè)置半導(dǎo)體層”的步驟還包括：在所述第一絕緣層上設(shè)置非晶硅半導(dǎo)體層，在所述非晶硅半導(dǎo)體層上設(shè)置高濃度摻雜的N型導(dǎo)電層。

其中，“在所述第一導(dǎo)電層表面設(shè)置透明導(dǎo)電薄膜層，用于形成像素電極”與“在所述透明導(dǎo)電薄膜層表面設(shè)置第二導(dǎo)電層，用于形成數(shù)據(jù)線”之間還包括步驟：將所述開(kāi)關(guān)管的溝道內(nèi)的高濃度摻雜的N型導(dǎo)電層蝕刻掉。

其中，在所述第二導(dǎo)電層表面設(shè)置有第二絕緣層。

其中，所述第一絕緣層及所述第二絕緣層的材料為氮化硅。

其中，所述透明導(dǎo)電薄膜處于懸浮狀態(tài)而不導(dǎo)電。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種陣列基板，所述陣列基板由包括如權(quán)利要求1-9任一所述陣列基板的制作方法制成。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明的所述陣列基板制作方法及陣列基板通過(guò)在設(shè)置有掃描線的第一導(dǎo)電層與設(shè)置有數(shù)據(jù)線的第二導(dǎo)電層之間設(shè)置透明導(dǎo)電薄膜層，以減少靜電釋放的發(fā)生，進(jìn)而防止所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間發(fā)生短路。

附圖說(shuō)明

圖1是現(xiàn)有的陣列基板上的第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層重疊的俯視圖；

圖2是現(xiàn)有的陣列基板上的第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層重疊的截面圖；

圖3是本發(fā)明的陣列基板的制作方法的流程圖；

圖4是本發(fā)明的陣列基板上的第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層重疊的俯視圖；

圖5是本發(fā)明的陣列基板上的第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層重疊的截面圖。

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參閱圖3至圖5，是本發(fā)明的陣列基板的制作方法的流程圖及陣列基板的第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層重疊的俯視圖及截面圖。所述陣列基板的制作方法包括：

步驟S1：提供一基板10。

掃描線、數(shù)據(jù)線、像素電極和開(kāi)關(guān)管是陣列基板中電路的主要元件，而一片干凈的、表面平滑的玻璃則作為陣列基板的基底材料。以玻璃為基底，通過(guò)在基底上進(jìn)行鍍膜、蝕刻等工藝，從而在基底上形成掃描線、數(shù)據(jù)線、像素電極和開(kāi)關(guān)管等主要元件。本實(shí)施方式中，開(kāi)關(guān)管為薄膜晶體管，開(kāi)關(guān)管的控制電極、輸入電極以及輸出電極分別對(duì)應(yīng)為薄膜晶體管的柵極、源極以及漏極。

步驟S2：在所述基板10上形成第一導(dǎo)電層20，所述第一導(dǎo)電層20用于形成掃描線21和開(kāi)關(guān)管的控制電極(即薄膜晶體管的柵極)，使兩者相互電連接，以在后續(xù)制程中通過(guò)掃描線向薄膜晶體管的柵極提供掃描信號(hào)。

步驟S3：在形成掃描線21和開(kāi)關(guān)管的控制電極后，在掃描線21和開(kāi)關(guān)管的控制電極上形成第一絕緣層30。

在本實(shí)施例中，所述第一絕緣層30的材料為氮化硅。

步驟S4：在掃描線21和開(kāi)關(guān)管的控制電極之上形成第一絕緣層30后，在開(kāi)關(guān)管的控制電極對(duì)應(yīng)的第一絕緣層30上形成半導(dǎo)體層40。

具體地，在所述第一絕緣層30上設(shè)置非晶硅半導(dǎo)體層，在所述非晶硅半導(dǎo)體層上設(shè)置高濃度摻雜的N型導(dǎo)電層。

在第一絕緣層30上形成半導(dǎo)體層40，掃描線和薄膜晶體管的柵極與半導(dǎo)體層40之間通過(guò)第一絕緣層30電性絕緣。半導(dǎo)體層40用于形成薄膜晶體管的源極及漏極，并且，在形成過(guò)程中，使得薄膜晶體管的源極和漏極分別與半導(dǎo)體層40連接。薄膜晶體管通過(guò)半導(dǎo)體層40實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)的作用。具體地，薄膜晶體管的柵極作為控制電極，當(dāng)掃描線向薄膜晶體管的柵極提供掃描信號(hào)時(shí)，半導(dǎo)體層40導(dǎo)通，使薄膜晶體管處于打開(kāi)狀態(tài)，作為薄膜晶體管的輸入電極的源極和作為輸出電極的漏極通過(guò)半導(dǎo)體層40電性連接；當(dāng)薄膜晶體管的柵極沒(méi)有輸入掃描信號(hào)時(shí)，半導(dǎo)體層40不導(dǎo)通，使薄膜晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)，源極和漏極電性絕緣。

步驟S5：在所述半導(dǎo)體層40上設(shè)置透明導(dǎo)電薄膜層50，所述透明導(dǎo)電薄膜層50用于形成像素電極。

其中，所述透明導(dǎo)電薄膜層50在形成透明的像素電極時(shí)，使像素電極和開(kāi)關(guān)管的輸出電極(即薄膜晶體管的漏極)電連接，以在后續(xù)制程中通過(guò)開(kāi)關(guān)管的輸出電極向像素電極輸入顯示信號(hào)。其中，所述透明導(dǎo)電薄膜層50處于懸浮狀態(tài)而不導(dǎo)電。

步驟S6：在所述透明導(dǎo)電薄膜50上形成第二導(dǎo)電層60，第二導(dǎo)電層60用于形成數(shù)據(jù)線61，所述數(shù)據(jù)線61通過(guò)導(dǎo)通孔與開(kāi)關(guān)管的輸入電極電(即薄膜晶體管的源極)電連接。

具體地，在導(dǎo)通孔所在的區(qū)域，形成第二導(dǎo)電層60，第二導(dǎo)電層60用于形成數(shù)據(jù)線，第二導(dǎo)電層60上的數(shù)據(jù)線61能通過(guò)導(dǎo)通孔與作為開(kāi)關(guān)管的薄膜晶體管的源極電連接，以在后續(xù)制程中通過(guò)數(shù)據(jù)線向開(kāi)關(guān)管的源極輸入數(shù)據(jù)信號(hào)。

其中，在步驟S5與步驟S6之間還包括步驟：將所述開(kāi)關(guān)管的溝道內(nèi)的高濃度摻雜的N型導(dǎo)電層蝕刻掉。

步驟S7：在完成第二導(dǎo)電層60后，在第二導(dǎo)電層60上形成第二絕緣層70。

本實(shí)施方式中，所述第二絕緣層70的材料為氮化硅，第二絕緣層70可以是鈍化層，也可以是其他具有絕緣特性的絕緣層，在此不做具體限制。

經(jīng)過(guò)上述步驟后，所述基板10上已形成了掃描線、數(shù)據(jù)線(由第二導(dǎo)電層60形成)以及像素電極，而所形成的半導(dǎo)體層40、柵極、源極以及漏極則構(gòu)成了所述基板10所需的薄膜晶體管。在掃描線向薄膜晶體管的柵極輸入掃描信號(hào)時(shí)，半導(dǎo)體層40導(dǎo)通，使薄膜晶體管打開(kāi)，數(shù)據(jù)線通過(guò)導(dǎo)通孔向薄膜晶體管的源極輸入顯示信號(hào)，顯示信號(hào)從漏極輸出至像素電極。

所述陣列基板制作方法通過(guò)在設(shè)置有掃描線的第一導(dǎo)電層與設(shè)置有數(shù)據(jù)線的第二導(dǎo)電層之間設(shè)置透明導(dǎo)電薄膜層，以減少靜電釋放的發(fā)生，進(jìn)而防止所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間發(fā)生短路。

請(qǐng)繼續(xù)參閱圖4及圖5，所述陣列基板包括基板10；設(shè)置于基板10上的第一導(dǎo)電層20，用于形成相互電連接的掃描線和開(kāi)關(guān)管的控制電極(即薄膜晶體管的柵極)；設(shè)置于掃描線和開(kāi)關(guān)管的控制電極上的第一絕緣層30；設(shè)置于第一絕緣層30上的半導(dǎo)體層40，用于形成所述開(kāi)關(guān)管的輸入電極及輸出電極(即薄膜晶體管的漏極及源極)；設(shè)置于所述半導(dǎo)體層40上的透明導(dǎo)電薄膜層50，用于形成透明的像素電極，其中，所述開(kāi)關(guān)管的輸出電極(即薄膜晶體管的漏極)與像素電極電連接，輸入電極與輸出電極之間設(shè)置有半導(dǎo)體層40；設(shè)置于透明導(dǎo)電薄膜層50上的第二導(dǎo)電層60，用于形成數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線通過(guò)導(dǎo)通孔與開(kāi)關(guān)管的輸入電極(即薄膜晶體管的源極)電連接；設(shè)置于第二導(dǎo)電層60上的第二絕緣層70。

值得注意的是，為了能夠清楚示意本發(fā)明陣列基板電路中的主要元件結(jié)構(gòu)分布，圖4及圖5所示的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖為簡(jiǎn)略結(jié)構(gòu)圖，所述陣列基板的具體結(jié)構(gòu)示意圖并不限于本發(fā)明。

本實(shí)施方式的陣列基板，通過(guò)在設(shè)置有掃描線的第一導(dǎo)電層與設(shè)置有數(shù)據(jù)線的第二導(dǎo)電層之間設(shè)置透明導(dǎo)電薄膜層，以減少靜電釋放，進(jìn)而防止所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間發(fā)生短路。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。