1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一基板；
在所述基板表面設(shè)置第一導(dǎo)電層，用于形成掃描線；
在所述第一導(dǎo)電層表面設(shè)置透明導(dǎo)電薄膜層，用于形成像素電極；及
在所述透明導(dǎo)電薄膜層表面設(shè)置第二導(dǎo)電層，用于形成數(shù)據(jù)線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，“在所述基板表面設(shè)置第一導(dǎo)電層，用于形成掃描線”的步驟還包括：在所述第一導(dǎo)電層上形成開關(guān)管的控制電極，所述開關(guān)管的控制電極與所述掃描線電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，“在所述基板表面設(shè)置第一導(dǎo)電層，用于形成掃描線”與“在所述第一導(dǎo)電層表面設(shè)置透明導(dǎo)電薄膜層，用于形成像素電極”之間還包括步驟：在所述第一導(dǎo)電層表面設(shè)置第一絕緣層，在所述第一絕緣層表面設(shè)置半導(dǎo)體層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，“在所述第一導(dǎo)電層表面設(shè)置第一絕緣層，在所述第一絕緣層表面設(shè)置半導(dǎo)體層”的步驟包括：在所述半導(dǎo)體層上形成所述開關(guān)管的漏極及源極，所述開關(guān)管的漏極通過導(dǎo)通孔與所述透明導(dǎo)電薄膜上的像素電極電連接，所述開關(guān)管的源極通過導(dǎo)通孔與所述數(shù)據(jù)線電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，“在所述第一絕緣層表面設(shè)置半導(dǎo)體層”的步驟還包括：在所述第一絕緣層上設(shè)置非晶硅半導(dǎo)體層，在所述非晶硅半導(dǎo)體層上設(shè)置高濃度摻雜的N型導(dǎo)電層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，“在所述第一導(dǎo)電層表面設(shè)置透明導(dǎo)電薄膜層，用于形成像素電極”與“在所述透明導(dǎo)電薄膜層表面設(shè)置第二導(dǎo)電層，用于形成數(shù)據(jù)線”之間還包括步驟：將所述開關(guān)管的溝道內(nèi)的高濃度摻雜的N型導(dǎo)電層蝕刻掉。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在所述第二導(dǎo)電層表面設(shè)置有第二絕緣層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一絕緣層及所述第二絕緣層的材料為氮化硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電薄膜處于懸浮狀態(tài)而不導(dǎo)電。
10.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板由包括如權(quán)利要求1-9任一所述陣列基板的制作方法制成。