本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)：

在現(xiàn)有液晶產(chǎn)品的常規(guī)像素設計中，柵源電容Cgs較大，為了便于說明，以最簡單的TN模式 a-Si 5Mask工藝為例，如圖1所示，第一層金屬層101和第二層金屬層102交疊面積比較大，且距離較小，會導致跳變電壓（feed through）電壓△Vp會比較大，△Vp≈[Cgs/（Cst+Clc）]*（Vgh-Vgl），其中，Cst為存儲電容、Clc為液晶電容，Vgh和Vgl是柵級高電壓和柵極低電壓，真空電極電壓△Vp較大的情況下，會增加液晶屏幕出現(xiàn)閃爍（flicker）的風險，影響液晶屏幕的正常顯示。

目前，可以通過減小柵源電容Cgs來降低△Vp，但往往存儲電容Cst也會跟著減小，并不能有效降低△Vp，于是如何在減小柵源電容Cgs的同時，保證存儲電容Cst不變甚至增大，是當前急需解決的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中液晶屏幕存在出現(xiàn)閃爍（flicker）的風險。本發(fā)明提供的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，第一絕緣層的厚度不小于3000埃，可增加第一金屬層、第二金屬層之間的距離，減小柵源電容Cgs，第一絕緣層上開設有位于公共電極線上方的第一孔、第二絕緣層上開設有位于漏極上方的第二孔，像素電極層的部分進入第一孔和第二孔內(nèi)，能夠增加存儲電容Cst，既能減小柵源電容Cgs，又能增加存儲電容Cst，從而解決閃爍（flicker）的問題，結(jié)構(gòu)簡單，工藝容易實現(xiàn)，具有良好的應用前景。

為了達到上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：

一種像素結(jié)構(gòu)，包括基板、位于該基板上的由下而上依次分布的第一金屬層、第一絕緣層、半導體層、第二金屬層、第二絕緣層、像素電極層，所述第一金屬層刻蝕形成柵極和公共電極線，所述第二金屬層刻蝕形成源極和漏極，所述第一絕緣層上開設有位于所述公共電極線上方的第一孔，所述第一孔與所述公共電極線之間存在第一絕緣層；所述第二絕緣層上開設有位于所述漏極上方的第二孔，形成所述像素電極層的材料進入所述第一孔和第二孔內(nèi)。

前述的一種像素結(jié)構(gòu)，所述像素電極層采用ITO材料制成。

前述的一種像素結(jié)構(gòu)，所述第一絕緣層的厚度不小于3000埃。

前述的一種像素結(jié)構(gòu)，所述第一絕緣層的厚度大于所述第二絕緣層的厚度。

前述的一種像素結(jié)構(gòu)，所述第一孔的深度為所述第一絕緣層厚度的80%以上。

前述的像素結(jié)構(gòu)，所述第一絕緣層為單層結(jié)構(gòu)。

基于上述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟，

步驟（A）：在基板上沉積第一金屬層，且在該第一金屬層刻蝕形成柵極和公共電極線；

步驟（B）：形成覆蓋所述第一金屬層的第一絕緣層；

步驟（C）：在第一絕緣層上開設位于公共電極線上方的第一孔，該第一孔與所述公共電極線之間存在第一絕緣層；

步驟（D）：在所述第一絕緣層上形成半導體層；

步驟（E）：在半導體層上沉積第二金屬層，且在該第二金屬層刻蝕形成源極和漏極；

步驟（F）：形成覆蓋第二金屬層的第二絕緣層；

步驟（G）：在第二絕緣層上開設位于漏極上方的第二孔；

步驟（H）：沉積由ITO材料制成的像素電極層，且ITO材料進入所述第一孔、第二孔，ITO材料電性連接像素電極層和漏極。

前述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，步驟（B），所述第一絕緣層的厚度不小于3000埃。

前述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，步驟（B），所述第一絕緣層為單層結(jié)構(gòu)。

前述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，步驟（C），所述第一孔深度為所述第一絕緣層厚度的80%以上。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明提供的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，第一絕緣層的厚度不小于3000埃，可增加第一金屬層、第二金屬層之間的距離，減小柵源電容Cgs；第一絕緣層上開設有位于公共電極線上方的第一孔、第二絕緣層上開設有位于漏極上方的第二孔，像素電極層的部分進入第一孔和第二孔內(nèi)，能夠增加存儲電容Cst，既能減小柵源電容Cgs，又能增加存儲電容Cst，從而解決閃爍（flicker）的問題，結(jié)構(gòu)簡單，工藝容易實現(xiàn)，具有良好的應用前景。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有的TN模式 a-Si 5Mask工藝像素結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖2是本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明的第二孔所在位置的俯視圖。

附圖中標記的含義如下：

101：第一層金屬層；102：第二層金屬層；201：基板；202：第一金屬層；2021：柵極；2022：公共電極線；203：第一絕緣層；204：半導體層；205：第二金屬層；2051：源極；2052：漏極；206：第二絕緣層；207：像素電極層；208：第一孔；209：第二孔。

具體實施方式

下面將結(jié)合說明書附圖，對本發(fā)明作進一步的說明。

如圖2及圖3所示，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，包括基板201、位于該基板201上的由下而上依次分布的第一金屬層202、第一絕緣層203、半導體層204、第二金屬層205、第二絕緣層206、像素電極層207，第一金屬層202刻蝕形成柵極2021和公共電極線2022，第二金屬層205刻蝕形成源極2051和漏極2052，第一絕緣層203上開設有位于公共電極線2022上方的第一孔208，第一孔208與公共電極線2022之間存在第一絕緣層203，

優(yōu)選的第一絕緣層203的厚度大于第二絕緣層206的厚度，第一孔208的深度為第一絕緣層203厚度的80%以上，使第一孔208位于第一絕緣層203內(nèi)，且不與公共電極線2022的上表面聯(lián)通，使第一孔208與公共電極線2022之間留有部分的第一絕緣層203；

優(yōu)選的第一絕緣層203的厚度不小于3000埃，埃為長度單位，1埃＝10^(-10) 米，能夠增加第一金屬層202、第二金屬層205之間的距離，從而可減小柵源電容Cgs；

所述第二絕緣層206上開設有位于漏極2052上方的第二孔209，形成像素電極層207的材料進入第一孔208和第二孔209內(nèi)，第二孔209能夠增加存儲電容Cst，根據(jù)真空電極電壓△Vp≈Cgs/（Cst+Clc），能夠減小真空電極電壓△Vp，從而減少液晶屏幕出現(xiàn)閃爍（flicker）的風險，保證液晶屏幕的正常顯示。

優(yōu)選的像素電極層207采用ITO材料制成。

優(yōu)選的第一絕緣層203為單層結(jié)構(gòu)。

上述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟，

步驟（A）：在基板201上沉積第一金屬層202，且在該第一金屬層202刻蝕形成柵極2021和公共電極線2022；

步驟（B）：形成覆蓋第一金屬層202的第一絕緣層203，第一絕緣層203為單層結(jié)構(gòu)，且厚度203不小于3000埃；

步驟（C）：在第一絕緣層203上開設位于公共電極線2022上方的第一孔208，該第一孔208與公共電極線2022之間存在第一絕緣層，優(yōu)選的第一孔208的深度為第一絕緣層203厚度的80%以上，從而使第一孔208位于第一絕緣層203上，且不與公共電極線2022的上表面相聯(lián)通；

步驟（D）：在第一絕緣層203上形成半導體層204；

步驟（E）：在半導體層204上沉積第二金屬層205，且在該第二金屬層205刻蝕形成源極2051和漏極2052；

步驟（F）：形成覆蓋第二金屬層205的第二絕緣層206；

步驟（G）：在第二絕緣層206上開設位于漏極2052上方的第二孔209；

步驟（H）：沉積由ITO材料制成的像素電極層207，且ITO材料進入第一孔208、第二孔209，ITO材料電性連接像素電極層207和漏極2052。

本發(fā)明的制造方法中，所有層的制作都要經(jīng)歷“成膜、光阻膠涂布、利用mask曝光、顯影、刻蝕、光阻膠剝離”等工序，本發(fā)明為了簡要說明，都只提到成膜以及刻蝕兩個工序，而省略了其他幾個常規(guī)工序，實際上都是要有的。比如深淺孔刻蝕完，利用mask（或者halftone mask）刻蝕第一孔或者第二孔，其中，mask為光罩或掩膜板刻蝕方式，halftone mask為多階調(diào)掩膜板或半透膜掩膜板刻蝕方式，具體步驟應是深淺孔刻完后，涂布光阻膠，（這里沒有成膜而直接涂布光阻膠是因為膜已經(jīng)在之前成好了），利用mask（或者halftone mask）在光阻膠上曝光出第一或者第二孔的圖形，然后顯影，然后對光阻膠被顯影掉的沒有保護處的膜進行刻蝕，第一或者第二孔形成，然后光阻膠剝離，接著做下一層（如像素電極層），本發(fā)明由于第二絕緣層需要刻蝕深淺孔，所以如果沒有插入其他金屬層做阻擋的方案的話，第二孔就無法與深淺孔一起刻蝕，而必須在深淺孔刻完后，另利用一張mask專門做第二孔，執(zhí)行上述的工序，只省去成膜，所謂的第二孔，是相對深、淺孔而言，只是表達深度不同，而并非真的是孔狀圖形，而是一大片，第二孔的目的用于增加存儲電容Cst。

綜上所述，本發(fā)明提供的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，第一絕緣層的厚度不小于3000埃，可增加第一金屬層、第二金屬層之間的距離，減小柵源電容Cgs；第一絕緣層上開設有位于公共電極線上方的第一孔、第二絕緣層上開設有位于漏極上方的第二孔，像素電極層的部分進入第一孔和第二孔內(nèi)，能夠增加存儲電容Cst，既能減小柵源電容Cgs，又能增加存儲電容Cst，從而解決閃爍（flicker）的問題，結(jié)構(gòu)簡單，工藝容易實現(xiàn)，具有良好的應用前景。

以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征及優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應該了解，本發(fā)明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。