本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種像素bank結(jié)構(gòu)及制作方法。

背景技術(shù)：

采用溶液加工制作OLED以及QLED器件，由于其低成本、高產(chǎn)能、易于實現(xiàn)大尺寸等優(yōu)點，是未來顯示技術(shù)發(fā)展的重要方向。其中，印刷技術(shù)被認(rèn)為是實現(xiàn)OLED以及QLED低成本和大面積全彩顯示的最有效途徑。

但作為一個新興技術(shù)，溶液法印刷技術(shù)和印刷工藝一直未能得到很好的解決。雖然研究者們從材料及噴印設(shè)備對其進(jìn)行了改進(jìn)，但是印刷出的薄膜形貌不均勻等問題一直都未能有效解決。

在常規(guī)印刷OLED或QLED器件中，像素界定層(PDL或bank)呈現(xiàn)上窄下寬的結(jié)構(gòu)，以限制墨水在印刷時向四周溢出，其結(jié)構(gòu)如圖1所示，在基板10上制作像素電極11，像素電極11所在區(qū)域為像素發(fā)光區(qū)13，像素發(fā)光區(qū)13兩側(cè)為像素bank區(qū)12，這種結(jié)構(gòu)是通過曝光掩膜來制作的，曝光掩膜1如圖2所示，分為不透光區(qū)3和透光區(qū)2，其中不透光區(qū)3對應(yīng)與像素發(fā)光區(qū)13，透光區(qū)2對應(yīng)像素bank區(qū)12，曝光顯影后，不透光區(qū)3下的光阻材料被顯影掉，形成像素發(fā)光區(qū)13，而透光區(qū)2下方的光阻無法被顯影液去除而形成像素bank區(qū)12，像素bank區(qū)12的上表面與內(nèi)側(cè)壁均勻光滑表面，具有相同的親疏液特性。為保證墨水成膜的均勻性，bank內(nèi)部需與墨水呈現(xiàn)親液性質(zhì)，即小角度接觸角；而同時為避免墨滴鋪展到相連像素，bank上半部分需要與液體呈現(xiàn)疏液性質(zhì)，及大角度接觸角。為了實現(xiàn)bank上部與下部墨水不同的接觸角區(qū)別，bank往往由多種材料組成并經(jīng)過多次復(fù)雜工序制成。通過此方式以保證墨水對bank親疏液性，但這種方式存在多次對位、曝光、顯影和刻蝕工序，導(dǎo)致制程復(fù)雜、效率低、成本大幅增加，極大的限制了印刷技術(shù)在大尺寸顯示器制造方向上的運用。

因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種像素bank結(jié)構(gòu)及制作方法，旨在解決現(xiàn)有的bank結(jié)構(gòu)制程復(fù)雜、效率低、成本高等問題。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種像素bank結(jié)構(gòu)，其中，包括像素bank區(qū)以及位于相鄰像素bank區(qū)之間的像素發(fā)光區(qū)，所述像素bank區(qū)的上表面具有多個微納結(jié)構(gòu)。

所述的像素bank結(jié)構(gòu)，其中，所述像素bank區(qū)的厚度為1~1.5μm。

所述的像素bank結(jié)構(gòu)，其中，所述微納結(jié)構(gòu)的尺寸為50~500nm。

所述的像素bank結(jié)構(gòu)，其中，所述微納結(jié)構(gòu)為半球狀凸起、柱狀凸起或橢球狀凸起。

所述的像素bank結(jié)構(gòu)，其中，所述像素bank區(qū)為負(fù)性光阻。

一種如上所述的像素bank結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，包括步驟：

A、在基板上制作像素電極；

B、再在像素電極上沉積一層光阻；

C、利用曝光掩膜對光阻進(jìn)行曝光，其中，曝光掩膜具有透光區(qū)和不透光區(qū)，其中不透光區(qū)對應(yīng)于像素發(fā)光區(qū)，透光區(qū)對應(yīng)于像素bank區(qū)，所述透光區(qū)包括全透光區(qū)以及具有微納尺寸的半透光區(qū)；

D、對光阻進(jìn)行顯影；

E、對未被去除的光阻進(jìn)行烘干，形成像素bank結(jié)構(gòu)。

所述的像素bank結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，所述半透光區(qū)的尺寸為50~500nm。

所述的像素bank結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，所述步驟C中，曝光后，半透光區(qū)下方的光阻形成微納結(jié)構(gòu)。

所述的像素bank結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，所述步驟B中沉積的光阻厚度為1~1.5μm。

所述的像素bank結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，所述光阻為負(fù)性光阻。

有益效果：本發(fā)明在像素bank區(qū)上表面形成微納結(jié)構(gòu)，使其上表面凹凸不平，從而放大像素bank區(qū)上表面的親疏液性，形成像素bank區(qū)的內(nèi)側(cè)壁與上表面形成不同程度親疏液性結(jié)構(gòu)，從而形成有利于印刷工藝的像素bank結(jié)構(gòu)，大大簡化了現(xiàn)有適用于印刷工藝的bank制作工藝，提高了制作效率，節(jié)約了制作成本。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種像素bank結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中一種曝光掩膜的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本發(fā)明中一種像素bank結(jié)構(gòu)較佳實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為一種像素bank結(jié)構(gòu)的制作方法較佳實施例的流程圖。

圖5為本發(fā)明中一種曝光掩膜較佳實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

本發(fā)明提供一種像素bank結(jié)構(gòu)及制作方法，為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確，以下對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

請參閱圖3，圖3為本發(fā)明一種像素bank結(jié)構(gòu)較佳實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，其包括像素bank區(qū)22以及位于相鄰像素bank區(qū)22之間的像素發(fā)光區(qū)23，所述像素bank區(qū)22的上表面具有多個微納結(jié)構(gòu)221。

本發(fā)明實施例中，先在基板20上形成像素電極21，像素電極21所在區(qū)域即為像素發(fā)光區(qū)23，像素發(fā)光區(qū)23兩側(cè)即為像素bank區(qū)22，而像素bank區(qū)22上表面的微納結(jié)構(gòu)221即為微納尺寸的結(jié)構(gòu)，由于在像素bank區(qū)的上表面形成微納結(jié)構(gòu)221，使其上表面形成了凹凸不平的表面，從而放大像素bank區(qū)22上表面的親疏液性，形成像素bank區(qū)22內(nèi)側(cè)壁與像素bank區(qū)22上表面不同程度親疏液性結(jié)構(gòu)，這種bank結(jié)構(gòu)有利于印刷工藝的實施，可以大大簡化現(xiàn)有適用于印刷工藝的bank結(jié)構(gòu)的制作，節(jié)約了制作成本，提高了制作效率。

所述微納結(jié)構(gòu)221可以是半球狀凸起、柱狀凸起或橢球狀凸起，當(dāng)然也可以是隨機的無規(guī)則凸起等。另外也可以是其他凸起結(jié)構(gòu)，只要能在像素bank區(qū)22上表面形成凹凸不平表面即可。所述微納結(jié)構(gòu)221的尺寸優(yōu)選為50~500nm，即微納結(jié)構(gòu)221的長和寬均限制在50~500nm以內(nèi)，或者直徑限制在50~500nm以內(nèi)。

所述像素bank區(qū)22的厚度優(yōu)選為1~1.5μm，例如為1μm。

所述像素bank區(qū)22優(yōu)選為負(fù)性光阻。這是因為負(fù)性光阻經(jīng)過曝光后會發(fā)生膨脹，且膨脹程度隨曝光量的不同而不同，本發(fā)明可通過在負(fù)性光阻區(qū)形成微納尺寸的不同曝光量區(qū)域，由于膨脹程度的區(qū)別形成微納尺寸的凹凸不平表面，即具有微納結(jié)構(gòu)221的表面。

請參閱圖4，圖4為本發(fā)明一種像素bank結(jié)構(gòu)的制作方法較佳實施例的流程圖，如圖所示，其包括步驟：

S1、在基板上制作像素電極；

S2、再在像素電極上沉積一層光阻；

S3、利用曝光掩膜對光阻進(jìn)行曝光，其中，曝光掩膜具有透光區(qū)和不透光區(qū)，其中不透光區(qū)對應(yīng)于像素發(fā)光區(qū)，透光區(qū)對應(yīng)于像素bank區(qū)，所述透光區(qū)包括全透光區(qū)以及具有微納尺寸的半透光區(qū)；

S4、對光阻進(jìn)行顯影；

S5、對未被去除的光阻進(jìn)行烘干，形成像素bank結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明實施例的制作方法相對于傳統(tǒng)的制作方法，其主要不同之處在于步驟S3中，所采用的曝光掩膜與傳統(tǒng)的曝光掩膜有所不同。

具體來說，如圖5所示，本發(fā)明實施例中的曝光掩膜4其具有透光區(qū)5和不透光區(qū)6，不透光區(qū)6對應(yīng)于像素發(fā)光區(qū)23，曝光顯影后，不透光區(qū)6下的光阻材料由于未被曝光所以會被顯影液去除，形成像素發(fā)光區(qū)23。而在透光區(qū)5中除了包括傳統(tǒng)的全透光區(qū)之外，還包括具有微納尺寸的半透光區(qū)，其中的全透光區(qū)在曝光顯影后，其下方的光阻無法被顯影液去除而形成像素bank區(qū)22，但同時由于具有微納尺寸的半透光區(qū)，所以在整個透光驅(qū)會存在不同曝光量的區(qū)域，所以在曝光和顯影后形成的像素bank區(qū)22上表面會形成凹凸不平的微納結(jié)構(gòu)221，即在半透光區(qū)下方的光阻形成微納結(jié)構(gòu)221。

其中，所述半透光區(qū)的尺寸為50~500nm，以使形成的微納結(jié)構(gòu)221的尺寸為50~500nm，即微納結(jié)構(gòu)221的長和寬均限制在50~500nm以內(nèi)，或者直徑限制在50~500nm以內(nèi)。

所述步驟S2中沉積的光阻厚度優(yōu)選為1~1.5μm，例如為1μm。

所述光阻為負(fù)性光阻。本發(fā)明可通過在負(fù)性光阻區(qū)形成微納尺寸的不同曝光量區(qū)域，由于膨脹程度的區(qū)別形成微納尺寸的凹凸不平表面，即具有微納結(jié)構(gòu)的表面。

綜上所述，本發(fā)明在像素bank區(qū)上表面形成微納結(jié)構(gòu)，使其上表面凹凸不平，從而放大像素bank區(qū)上表面的親疏液性，形成像素bank區(qū)的內(nèi)側(cè)壁與上表面形成不同程度親疏液性結(jié)構(gòu)，從而形成有利于印刷工藝的像素bank結(jié)構(gòu)，大大簡化了現(xiàn)有適用于印刷工藝的bank制作工藝，提高了制作效率，節(jié)約了制作成本。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的應(yīng)用不限于上述的舉例，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換，所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。