1.一種CMOS邏輯單元，包括CMOS驅(qū)動單元，其特征在于，還包括：
輸出電壓補償單元，分別與所述CMOS驅(qū)動單元的輸出端和高電平端連接，用于當所述CMOS驅(qū)動單元的輸出端輸出的電壓大于預(yù)定電壓時控制所述CMOS驅(qū)動單元的輸出端與所述高電平端連接。
2.如權(quán)利要求1所述的CMOS邏輯單元，其特征在于，所述輸出電壓補償單元包括：
反相模塊，輸入端與所述CMOS驅(qū)動單元的輸出端連接；以及，
補償PMOS管，柵極與所述反相模塊的輸出端連接，第一極與所述高電平端連接，第二極與所述CMOS驅(qū)動單元的輸出端連接。
3.如權(quán)利要求2所述的CMOS邏輯單元，其特征在于，所述輸出電壓補償單元還包括：
補償電容，第一端與所述CMOS驅(qū)動單元的輸出端連接，第二端接地。
4.如權(quán)利要求1至3中任一權(quán)利要求所述的CMOS邏輯單元，其特征在于，所述CMOS驅(qū)動單元包括：
第一PMOS管，柵極與所述CMOS驅(qū)動單元的輸入端連接，第一極與所述高電平端連接，第二極與所述CMOS驅(qū)動單元的輸出端連接；以及，
第一NMOS管，柵極與所述CMOS驅(qū)動單元的輸入端連接，第一極與低電平端連接，第二極與所述CMOS驅(qū)動單元的輸出端連接。
5.一種CMOS邏輯電路，其特征在于，包括N個級聯(lián)的CMOS驅(qū)動單元；N為大于1的整數(shù)；
除了第一級CMOS驅(qū)動單元之外，每一級CMOS驅(qū)動單元的輸入端與相鄰上一級CMOS驅(qū)動單元的輸出端連接；
第一級CMOS驅(qū)動單元的輸入端為所述CMOS邏輯電路的輸入端；
所述CMOS邏輯電路還包括：輸出電壓補償單元電路，分別與高電平端和每一級所述CMOS驅(qū)動單元的輸出端連接，用于當所述CMOS驅(qū)動單元通過其輸出端輸出的電壓大于預(yù)定電壓時控制該輸出端與所述高電平端連接。
6.如權(quán)利要求5所述的CMOS邏輯電路，其特征在于，所述輸出電壓補償單元電路包括：
第一反相模塊，輸入端與第(2m-1)級CMOS驅(qū)動單元的輸出端連接；
第二反相模塊，輸入端與第2m級CMOS驅(qū)動單元的輸出端連接；以及，
N個補償PMOS管；
每一補償PMOS管分別與一級所述CMOS驅(qū)動單元對應(yīng)；
所述第一反相模塊的輸出端和與奇數(shù)級CMOS驅(qū)動單元對應(yīng)的所有補償PMOS管的柵極都連接；
所述第二反相模塊的輸出端和與偶數(shù)級CMOS驅(qū)動單元對應(yīng)的所有補償PMOS管的柵極都連接；
每一補償PMOS管的第一極都與所述高電平端連接；
與一級CMOS驅(qū)動單元對應(yīng)的補償PMOS管的第二極與該級CMOS驅(qū)動單元的輸出端連接；
m為任一正整數(shù)，2m小于或等于N。
7.如權(quán)利要求6所述的CMOS邏輯電路，其特征在于，所述輸出電壓補償單元電路還包括N個補償電容；
每一補償電容分別與一級所述CMOS驅(qū)動單元對應(yīng)；
與一級CMOS驅(qū)動單元對應(yīng)的補償電容的第一端與該級CMOS驅(qū)動單元的輸出端連接，所述N個補償電容的第二端都接地。
8.如權(quán)利要求5至7中任一權(quán)利要求所述的CMOS邏輯電路，其特征在于，每一級CMOS驅(qū)動單元分別包括：
第一PMOS管，柵極與該級CMOS驅(qū)動單元的輸入端連接，第一極與所述高電平端連接，第二極與該級CMOS驅(qū)動單元的輸出端連接；以及，
第一NMOS管，柵極與該級CMOS驅(qū)動單元的輸入端連接，第一極與低電平端連接，第二極與該級CMOS驅(qū)動單元的輸出端連接。
9.一種柵極驅(qū)動電路，其特征在于，所述柵極驅(qū)動電路包括如權(quán)利要求1至4中任一權(quán)利要求所述的CMOS邏輯單元，或者，所述柵極驅(qū)動電路包括如權(quán)利要求5至8中任一權(quán)利要求所述的CMOS邏輯電路。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的柵極驅(qū)動電路。