技術(shù)編號(hào)：12128162
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及CMOS電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)邏輯電單元、邏輯電路、柵極驅(qū)動(dòng)電路和顯示裝置。背景技術(shù)現(xiàn)有的CMOS驅(qū)動(dòng)單元包括第一PMOS管和第一NMOS管，當(dāng)CMOS驅(qū)動(dòng)單元的輸入端接入低電平時(shí)，CMOS驅(qū)動(dòng)單元的輸出端輸出高電平，此時(shí)該第一PMOS管存在寄生二極管，該第一NMOS管存在寄生二極管?，F(xiàn)有的CMOS驅(qū)動(dòng)單元在其輸入端接入低電平時(shí)由于該第一NMOS管的漏電流、以及該P(yáng)MOS寄生二...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。