專利名稱：芳香族聚酰胺薄膜和使用該薄膜的磁記錄媒體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種芳香族聚酰胺薄膜、特別是適于用作磁記錄媒體用帶基薄膜的芳香族聚酰胺薄膜和使用該薄膜的磁記錄媒體，所說的芳香族聚酰胺薄膜在薄膜卷繞時不產(chǎn)生皺紋和卷帶不整齊，且薄膜表面的耐磨耗性優(yōu)良。
背景技術(shù)：
近幾年來，隨著數(shù)字記錄技術(shù)的進(jìn)步、向計算機(jī)外部存儲器的擴(kuò)展等，更加強(qiáng)烈地要求適于薄膜化、高密度記錄化、高耐久性的磁記錄媒體的薄膜。與迄今為止一直用于磁記錄媒體的帶基薄膜聚對苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚酯薄膜相比，芳香族聚酰胺薄膜由于剛性高，能夠制成薄膜，是一種適于大容量磁記錄媒體的原料。
但是，為了在有效利用這種優(yōu)良特性的小型化、薄膜化的領(lǐng)域中使用芳香族聚酰胺薄膜，從前，膜卷的皺紋對生產(chǎn)性和得到的制品的品質(zhì)有不利影響。另外，作為用于達(dá)到高輸出的磁性層，在形成極薄涂布型磁性層或是在薄膜上形成直接形成磁性層的蒸鍍型磁性層的場合下，由于帶基薄膜的表面變得更平滑，更容易產(chǎn)生皺紋，并發(fā)生由該皺紋引起的薄膜平滑性惡化和電磁變換特性惡化。
作為為了改善這種在薄膜卷繞時產(chǎn)生皺紋或是隨時間的推移產(chǎn)生皺紋的芳香族聚酰胺薄膜，特開平3-119512號公報、特開平3-114830號公報和特開平8-230124號公報等中公開了使惰性粒子的粒徑與層合厚度之比、楊氏模量、吸濕率和卷繞硬度處于特定的范圍。
但是，對于通過含有上述惰性粒子而在薄膜表面上形成突起、改善皺紋的產(chǎn)生的芳香族聚酰胺薄膜，在近幾年的加工工序中提速等的要求在極端苛刻的條件下，存在著如下應(yīng)解決的課題。
第一，由于向芳香族聚酰胺中添加與芳香族聚酰胺性質(zhì)相異的無機(jī)粒子或由交聯(lián)高分子形成的有機(jī)粒子等粒子，但由于芳香族聚酰胺的強(qiáng)分子間力使粒子與構(gòu)成薄膜的芳香族聚酰胺之間的親和性降低。其結(jié)果，粒子容易脫落，而且薄膜表面容易被磨削，使薄膜表面的耐磨耗性降低，容易產(chǎn)生皺紋。
第二，用于芳香族聚酰胺制膜的溶液制膜法中，粒子間排斥力小的惰性粒子容易發(fā)生粒子凝集。其結(jié)果，薄膜表面上形成粗大突起，在制作磁記錄媒體時，電磁變換特性容易發(fā)生惡化，而且還會發(fā)生噪聲。
第三，芳香族聚酰胺薄膜，在加工工序中或者在最終制品的使用階段，多是在導(dǎo)輥或?qū)тN上運(yùn)行，由于無機(jī)粒子和交聯(lián)高分子粒子相當(dāng)硬，磨削導(dǎo)桿的表面，產(chǎn)生的粉末附著在導(dǎo)桿和薄膜上，特別地，在導(dǎo)桿由塑料制成的場合下和在薄膜反復(fù)運(yùn)行、高速運(yùn)行的場合下容易發(fā)生附著。
除了上述的那種使用惰性粒子的方法以外，特開平7-44857號公報中公開了這樣一種方法使芳香族聚酰胺中含有溶解性比它更差的異種芳香族聚酰胺，在制膜時發(fā)生相分離，從而在薄膜表面上形成突起。
但是，芳香族聚酰胺，特別是對位取向性的聚酰胺，其原有的溶解性不是很好，如果再在其中共混溶解性差的芳香族聚酰胺，該聚合物溶液乍一看似乎完全溶解了，但實際上很難完全混合。
本發(fā)明者的研究結(jié)果判明，在將這樣制成的聚合物溶液薄膜化的場合下，也存在微小的突起，但大量存在高度在150nm以上的粗大突起，而且薄膜表面上存在火山口狀的凹凸等而產(chǎn)生表面粗糙。另外，溶解性低的芳香族聚酰胺在制膜工序初期析出，使薄膜失去透明性，而且變成伸長度低而且脆的薄膜。另一方面還判明，在共混一種結(jié)構(gòu)與主要成分芳香族聚酰胺非常接近的、即溶解性幾乎相同的芳香族聚酰胺的場合下，由于與主要成分芳香族聚酰胺完全混合，幾乎不形成突起。因此，采用該公報中公開的技術(shù)很難均勻地形成微細(xì)的突起。
另外，特開平4-8763號公報中，公開了在芳香族聚酰胺/聚醚砜組合物的制造方法中，在芳香族聚酰胺聚合結(jié)束前添加聚醚砜的方法，但對于成型體(薄膜等)的特性，特別是設(shè)計并實現(xiàn)怎樣的表面完全沒有記載。
另一方面，特開平3-237135號公報中，公開了一種由芳香族聚酰胺和可溶性樹脂制成的耐熱性薄膜，其中，可溶性樹脂的重量比為10重量％～95重量％，但是，這是提高化學(xué)特性和經(jīng)濟(jì)性的專利，對于形成微細(xì)表面的技術(shù)思想既沒有記載也沒有提示。進(jìn)一步地，由于芳香族聚酰胺中含有大量的可溶性樹脂，失去了作為芳香族聚酰胺特征的高機(jī)械特性、特別是高楊氏模量。例如，該公報的實施例中，即使是最高的楊氏模量，也不過是6.2GPa(實施例2)。作為其它同樣的例子，特開平3-286680號公報、特開平3-227290號公報、特開平4-117433號公報和特開平4-27110號公報等都是同樣的。
聚酰亞胺薄膜中，為了改善薄膜的運(yùn)行性，特開昭59-122547號公報、特開昭62-68746號公報等中，公開了這樣一種層合膜，它是將使聚酰亞胺中含有0.01重量％～10重量％的芳香族聚砜類聚合物層層合到以聚酰亞胺為主體的薄膜的一面上而形成的。但是，聚酰亞胺與聚酰胺由于薄膜化時的特性差異很大，其制備方法的技術(shù)領(lǐng)域也不同。例如，聚酰亞胺是在有機(jī)溶劑中、在溫和的條件下進(jìn)行聚合，而聚酰胺是在溶劑中使用硫酸、而且聚合過程中產(chǎn)生氯化氫等的嚴(yán)酷的條件下進(jìn)行聚合。進(jìn)一步地，由于用于制膜的聚合物溶液中含有上述的氯化氫或其中和產(chǎn)物，所以很難對薄膜表面進(jìn)行控制。另外，如果上述中和產(chǎn)物殘存在薄膜中，則成為制成磁記錄媒體時噪聲的原因，如果急劇地除去上述的中和產(chǎn)物，則薄膜上產(chǎn)生厚度差異。更何況該公報中完全沒有記載和提示改善薄膜卷繞時皺紋的產(chǎn)生和卷帶不整齊的技術(shù)思想。
發(fā)明的公開本發(fā)明的目的是，通過使芳香族聚酰胺與溶液狀態(tài)下相溶的異種聚合物在成型時微分離，使該異種聚合物分散于薄膜中，由此提供這樣一種芳香族聚酰胺薄膜和使用該薄膜的磁記錄媒體，其中，該薄膜在卷繞時沒有皺紋產(chǎn)生和卷帶不整齊，而且由于與芳香族聚酰胺的親和性高，故使薄膜表面的耐摩擦性優(yōu)良。
即，本發(fā)明的芳香族聚酰胺薄膜是至少2層的層合膜，其特征在于，該薄膜的至少一側(cè)最外層(A層)含有芳香族聚酰胺和一種以上的異種聚合物，該異種聚合物的含量為0.1重量％～10重量％，而且，當(dāng)A層的厚度為d(μm)、異種聚合物的相當(dāng)于圓的直徑為t(μm)、長徑為L(μm)、短徑為s(μm)時，滿足以下公式0.01≤t/d≤0.50.05≤s/L≤1實施發(fā)明的最佳方案所說的本發(fā)明的芳香族聚酰胺，是具有下述通式(I)和/或通式
(II)表示的重復(fù)單元的聚酰胺。
NH-Ar1-NHCO-Ar2-CO(I)NH-Ar3-CO (II)此處，Ar1、Ar2、Ar3可以舉出例如

等，X、Y選自-O-、-CH2-、-CO-、-CO2-、-S-、-SO2-、-C(CH3)2-等。進(jìn)一步地，這些芳香環(huán)上的一部分氫原子可以被氟、溴、氯等鹵素基(特別是氯)、硝基、甲基、乙基、丙基等烷基(特別是甲基)、甲氧基、乙氧基、丙氧基等烷氧基等取代基取代，由于使吸濕率降低，故其隨濕度變化的尺寸變化減小，可以抑制隨時間而發(fā)生的皺紋，因此是優(yōu)選的。另外，構(gòu)成聚合物的酰胺鍵中的氫也可以被其他取代基取代。
本發(fā)明中使用的芳香族聚酰胺，具有對位取向性的上述芳香環(huán)優(yōu)選共計占總芳香環(huán)的80％以上，更優(yōu)選占90％以上。此處所說的對位取向性是指構(gòu)成芳環(huán)上的主鏈的2價鍵處于相互同軸或平行的狀態(tài)。這種對位取向性不足80％的場合下，有時薄膜的剛性和耐熱性會不夠。
本發(fā)明是由至少2層構(gòu)成的芳香族聚酰胺的層合膜，該薄膜的至少一側(cè)最外層(A層)中，含有芳香族聚酰胺和一種以上的異種聚合物，A層中異種聚合物的含量為0.1重量％以上、1O重量％以下。從提高抑制皺紋的效果來看，優(yōu)選為1重量％～8重量％，更優(yōu)選為2重量％～7重量％。異種聚合物的含量不足0.1重量％時，不能完全獲得抑制皺紋發(fā)生的效果，而超過10重量％時，薄膜的楊氏模量降低，不能保持作為芳香族聚酰胺薄膜的特征的高剛性，而且不能對抗卷繞時的高張力和張力變化。
進(jìn)一步地，該異種聚合物的相當(dāng)于園的直徑t(μm)與A層的厚度d(μm)之比(t/d)為0.01～0.5。從提高抑制皺紋的效果來看，優(yōu)選為0.02～0.3，更優(yōu)選為0.05～0.2。t/d不足0.01時，在將薄膜卷成卷狀時，由于膜卷層間的摩擦系數(shù)大，產(chǎn)生靜電而容易形成皺紋。另外，t/d超過0.5時，膜卷層間的摩擦系數(shù)小，會發(fā)生卷帶不整齊。
進(jìn)一步地，異種聚合物的短徑s(μm)與長徑L(μm)之比(s/L)為0.05～1。從提高抑制卷帶不整齊的效果來看，優(yōu)選為0.1～1，更優(yōu)選為0.2～1。s/L不足0.05時，膜卷層間的摩擦系數(shù)小，會發(fā)生卷帶不整齊。
另外，本發(fā)明的芳香族聚酰胺薄膜的A層中含有的異種聚合物，它選自可溶于制膜原液的溶劑的聚合物，但從與構(gòu)成薄膜的芳香族聚酰胺的親和性考慮，優(yōu)選聚砜類聚合物、聚醚酰亞胺類聚合物、聚苯醚類聚合物、聚酯類聚合物、聚酮類聚合物、聚碳酸酯類聚合物、聚酰亞胺類聚合物及其前體。進(jìn)一步地，如果是以聚砜為代表的、重復(fù)單元中至少有1個磺?；?SO2-的芳香族聚砜類聚合物，具體地說，如果是具有通式(III)所示重復(fù)單元的公知芳香族聚砜類聚合物，則由于卷繞形態(tài)更好而是更優(yōu)選的。

此處，n為正整數(shù)，從耐熱性和對溶劑的溶解性方面考慮，優(yōu)選為5～1000。
本發(fā)明的芳香族聚酰胺薄膜，如果A層中含有0.001重量％～0.1重量％的平均粒徑為5nm～200nm的無機(jī)粒子和/或有機(jī)粒子，則A層表面具有適當(dāng)?shù)挠捕龋虼司砝@形態(tài)更好，因而是優(yōu)選的。作為優(yōu)選的無機(jī)粒子，可以舉出例如SiO2、TiO2、Al2O3、CaSO4、BaSO4、CaCO3、碳黑、沸石以及其他金屬微粉末等。另外，作為優(yōu)選的有機(jī)粒子，可以舉出例如交聯(lián)聚乙烯基苯、交聯(lián)聚丙烯酸、交聯(lián)聚苯乙烯、聚酯粒子、聚酰亞胺粒子、聚酰胺粒子、氟樹脂粒子等有機(jī)高分子粒子、或者表面上用上述有機(jī)高分子進(jìn)行被覆等處理的無機(jī)粒子。
本發(fā)明的芳香族聚酰胺薄膜，如果A層相反側(cè)的最外層(B層)中含有0.05重量％～5重量％的平均粒子為5nm～500nm的無機(jī)粒子和/或有機(jī)粒子，則在加工工序或最終制品的使用階段中的導(dǎo)輥或?qū)тN上運(yùn)行時的運(yùn)行性更好，因此是優(yōu)選的。更優(yōu)選為0.2重量～5重量％，進(jìn)一步優(yōu)選為0.3重量％～1重量％。作為優(yōu)選的無機(jī)粒子和有機(jī)粒子，可以舉出上述那些粒子。
本發(fā)明的芳香族聚酰胺薄膜，如果上述A層的表面上具有高度在5nm以上的突起為2×106個/mm2以上、高度在30nm以上的突起為5×103個/mm2以上、且高度在50nm以上的突起為5×104個/mm2以下，則在A層上形成磁性層、制成磁記錄媒體時，電磁變換特性和對與磁頭摩擦的耐久性變得更好，因而是優(yōu)選的。
另外，本發(fā)明的芳香族聚酰胺薄膜的A層在寬度方向上的厚度差異優(yōu)選在50％以下，更優(yōu)選在30％以下。A層在寬度方向上的厚度差異超過50％的場合下，薄膜表面不均勻，制成磁記錄媒體時，與磁頭的接觸面積減小，S/N比減小，而且由于薄膜的一部分表面上受到強(qiáng)力作用，使該部分的磁性層剝落。而且，還會發(fā)生卷縮。
本發(fā)明的芳香族聚酰胺薄膜，非常適用于柔性印刷基板、電容器、打印機(jī)帶、音響振動板、太陽能電池的帶基薄膜等各種用途，如果作為至少一面上設(shè)置磁性層的磁記錄媒體使用，可以充分發(fā)揮出兼有高輸出、高耐久性的本發(fā)明芳香族聚酰胺薄膜的效果，因此是特別優(yōu)選的。此時，優(yōu)選在本發(fā)明的A層表面上設(shè)置磁性層。
磁記錄媒體的形態(tài)并不特別限定于圓盤狀、卡片狀、帶狀等，但是為了與有效利用本發(fā)明芳香族聚酰胺薄膜的優(yōu)良的表面性和高楊氏模量的薄膜化相對應(yīng)，作為由芳香族聚酰胺薄膜制成的帶基薄膜厚度在6.5μm以下、寬度在2.3μm～13.0μm、長度在100m/卷以上的磁記錄媒體，在制成記錄密度(非壓縮時)在8千字節(jié)/mm2以上的長拷貝、高密度磁帶時，可以進(jìn)一步地發(fā)揮出作為本發(fā)明特征的在嚴(yán)酷條件下抑制皺紋發(fā)生和卷帶不整齊的效果，因此是特別優(yōu)選的。應(yīng)予說明，此處所說的記錄密度由下述公式計算記錄密度＝記錄容量/(帶寬×帶長)帶基薄膜的厚度優(yōu)選在5.0μm以下，更優(yōu)選在4.0μm以下。A層的厚度為0.1μm～3.0μm，更優(yōu)選為0.5μm～2.5μm，此時由于卷繞形態(tài)更好而是優(yōu)選的。另外，作為磁記錄媒體，其記錄密度優(yōu)選在25千字節(jié)/mm2以上，更優(yōu)選在34千字節(jié)/mm2以上。
另外，本發(fā)明作為磁記錄媒體，可以適用于民用、專業(yè)用、D-1，D-2，D-3等的廣播電臺用數(shù)字視頻磁帶用途、DDS-2，3，4、數(shù)字8mm、QIC等的數(shù)據(jù)存儲用途，特別適用于極其重視數(shù)據(jù)失蹤等的可靠性的數(shù)據(jù)存儲用途。
使用本發(fā)明薄膜的高密度記錄媒體，其磁性層沒有特別的限定，為強(qiáng)磁性金屬薄膜層。
作為強(qiáng)磁性金屬薄膜層的形成方法，可以采用例如蒸鍍法中的傾斜蒸鍍法或垂直蒸鍍法來形成，可以使用以Co、Ni、Fe等為主的金屬薄膜或以他們的合金為主的金屬薄膜。例如可以舉出Co、Ni、Fe等強(qiáng)磁性金屬和Fe-Co、Co-Ni、Fe-Co-Ni、Fe-Cu、Co-Au、Co-Pt、Mn-Bi、Mn-Al、Fe-Cr、Co-Cr、Ni-Cr、Fe-Co-Cr、Co-Ni-Cr、Fe-Co-Ni-Cr等強(qiáng)磁性合金。這些金屬薄膜可以是單層膜，也可以是多層膜。另外，作為蒸鍍方法，優(yōu)選在真空下加熱強(qiáng)磁性材料使其蒸發(fā)、使其堆積在薄膜上的真空蒸鍍法，也可以使用在放電中蒸發(fā)強(qiáng)磁性材料的離子電鍍法、在氨氣為主要成分的氣氛中引起輝光放電、以產(chǎn)生的氬離子趕出靶的表面原子的噴濺法等的所謂PVD技術(shù)。磁性薄膜形成之后，作為卷縮對策，優(yōu)選在150℃～250℃下進(jìn)行熱處理。另外，為了提高磁記錄媒體的耐久性和耐候性，也可以根據(jù)需要，在由金屬磁性薄膜構(gòu)成的磁性層的表面上，采用噴濺法或CVD法設(shè)置硬質(zhì)碳膜，還可以通過設(shè)置潤滑層來進(jìn)一步提高基于磁性材料粒子狀突起的形狀的運(yùn)行性。作為潤滑劑，可以舉出例如脂肪酸和脂肪酸酯。進(jìn)一步地，還可以在與磁性層相反的表面上設(shè)置背面涂層。背面涂層可以使用例如將碳、碳酸鈣等的非磁性顏料分散到聚氨酯、氯乙烯-醋酸乙烯共聚物等粘合劑中而形成的涂層材料。
另外，強(qiáng)磁性金屬薄膜層的形成方法使用涂布法的場合下，優(yōu)選使用多層涂布法?？梢耘e出例如1)凹槽輥涂布、輥涂、刮板涂布或者使用擠出涂布裝置等，在支持體上先形成非磁性層，使該非磁性層處于濕潤狀態(tài)之后，通過支持體加壓型擠出涂布裝置形成磁性層的方法；2)使用由帶有2個涂布液用狹縫的單一涂布頭構(gòu)成的涂布裝置，在支持體上幾乎同時形成磁性層和非磁性層的方法；3)使用帶有托模輥的擠出涂布裝置，在支持體上幾乎同時形成磁性層和非磁性層的方法等。此時，磁性層的厚度優(yōu)選為0.03～0.3μm，非磁性層的厚度優(yōu)選為0.2～1.5μm。而且，也可以與蒸鍍法同樣，在磁性層上設(shè)置潤滑層，在與磁性層相反的表面上設(shè)置背面涂層。
另外，將本發(fā)明的芳香族聚酰胺薄膜制成磁帶使用的場合下，1μsec/-8dB下的噪聲數(shù)優(yōu)選在800個/分以下。如果噪聲數(shù)超過該范圍，則數(shù)據(jù)的失蹤多，作為磁帶缺乏可靠性。磁帶，特別是數(shù)據(jù)存儲用磁帶，近年來向著大容量的方向發(fā)展，記錄密度快速提高。因此，由薄膜表面上略微粗大的突起造成數(shù)據(jù)的失蹤。而且，本發(fā)明的薄膜，通過規(guī)定A層的厚度差異，可進(jìn)一步提高薄膜表面的均勻性。
本發(fā)明的芳香族聚酰胺薄膜，至少一個方向上的拉伸楊氏模量優(yōu)選在9.8GPa以上。高楊氏模量可以對抗卷繞時的高張力和張力變化，使卷繞形態(tài)更好。而且，本發(fā)明的芳香族聚酰胺薄膜的至少一個方向上的楊氏模量，更優(yōu)選為11.7GPa以上，進(jìn)一步優(yōu)選為12.7GPa以上。而且，各方向上的楊氏模量優(yōu)選為9.8GPa以上。如上所述，為了滿足運(yùn)些特性，有效的是使本發(fā)明中所用的芳香族聚酰胺中，具有對位取向性的芳香環(huán)優(yōu)選占總芳香環(huán)的80％以上，更優(yōu)選占90％以上。
本發(fā)明的薄膜的伸長度，優(yōu)選為10％以上，更優(yōu)選為20％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為30％以上，這樣可使磁帶具有適當(dāng)?shù)娜彳浶?，因此是?yōu)選的。
本發(fā)明的薄膜的吸濕率，優(yōu)選在5％以下，更優(yōu)選在3％以下，進(jìn)一步優(yōu)選在2％以下，這樣可以抑制隨濕度變化所引起的皺紋，保持良好的電磁變換特性，因此是優(yōu)選的。
本發(fā)明的薄膜在200℃、10分鐘下的熱收縮率優(yōu)選為0.5％以下，更優(yōu)選為0.3％以下，這樣，隨溫度變換所產(chǎn)生的磁帶尺寸變化小，可以保持良好的電磁變換特性，因此是優(yōu)選的。
可以將本發(fā)明的薄膜卷到卷芯等上形成膜卷。卷芯的材質(zhì)沒有特別的限定，可以使用紙、塑料等公知的材料。而且，優(yōu)選使用外徑在1英寸以上、10英寸以下，特別是在2英寸以上、8英寸以下的卷芯。優(yōu)選使用150mm～2000mm長，特別是500mm～1500mm長的卷芯。卷芯的卷繞硬度優(yōu)選為85～100，更優(yōu)選為90～100。卷繞硬度小于上述范圍時，隨著時間的推移，容易在寬度方向上發(fā)生纏繞皺紋，而超過上述范圍時，容易在長度方向上發(fā)生纏繞皺紋。
本發(fā)明的薄膜可以采用例如以下的方法進(jìn)行制造，但本發(fā)明不受這些方法的限定。
首先，芳香族聚酰胺在由芳香族二酰氯和芳香族二胺制得的場合下，是在N-甲基吡咯烷酮、二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺等的非質(zhì)子性有機(jī)極性溶劑中采用溶液聚合法合成的。
此時，為了抑制低分子量產(chǎn)物的生成，應(yīng)避免混入阻礙反應(yīng)的水和其它物質(zhì)，優(yōu)選采用有效的攪拌手段。另外，也可以添加作為溶解助劑的氯化鈣、氯化鎂、氯化鋰、溴化鋰和硝酸鋰等。
單體使用芳香族二酰氯和芳香族二胺時，副產(chǎn)出氯化氫，在將其中和的場合下，可以使用由周期表I族或II族的陽離子與氫氧根離子、碳酸根離子等陰離子形成的鹽為代表的無機(jī)中和劑、或者環(huán)氧乙烷、環(huán)氧丙烷、氨、三乙胺、三乙醇胺、二乙醇胺等有機(jī)中和劑。另外，為了改善帶基薄膜的濕度特性，也可以向聚合結(jié)束后的體系中加入氯化苯甲酰、苯二甲酸酐、醋酸酰氯、苯胺等，將聚合物的末端封端。
為了獲得本發(fā)明的薄膜，聚合物的特性粘度(將聚合物0.5g在硫酸中制成100ml的溶液，在30℃下的測定值)優(yōu)選為0.5以上。
作為制膜原液，可以直接使用中和后的聚合物溶液，一旦將聚合物分離出來后，也可以將其再次溶解于有機(jī)溶劑中來使用。
異種聚合物的添加，可以在聚合之前使其與單體一起溶解到溶劑中，也可以將其混合到聚合之后的聚合物溶液中，也可以與分離出來的芳香族聚酰胺一起再次溶解，也可以在制膜之前利用靜態(tài)混合器等進(jìn)行混合。而且，可以作為粉末狀或顆粒狀添加，一旦溶解于聚合溶劑等有機(jī)溶劑中之后，即使與聚合物溶液混合也沒有關(guān)系。
另外，添加粒子的場合下，為了在薄膜中均勻分散，優(yōu)選在添加之前使其分散于優(yōu)選10泊以下、更優(yōu)選1泊以下的溶劑中。不使粒子預(yù)先分散于溶劑中，而是添加到直接用于制膜的聚合物溶液中的場合下，平均粒徑增大，而且粒徑分布也增大，其結(jié)果，會使薄膜表面粗糙。作為所使用的溶劑，優(yōu)選與制膜原液相同的溶劑，如果對制膜性沒有什么特別的不良影響，使用其它的溶劑也沒有關(guān)系。作為分散方法，可以將粒子加入上述溶劑中，用攪拌式分散器、球磨機(jī)、砂磨機(jī)、超聲波分散器等進(jìn)行分散?？梢詫⑦@樣分散的粒子添加混合到聚合物溶液中，也可以添加到聚合之前的溶劑中或者在配制聚合物溶液的工序中添加。而且，也可以在流延之前添加。制膜原液中的聚合物濃度，優(yōu)選為2～40重量％左右。
上述那樣配制的制膜原液，可以采用干法、干濕法、濕法、半干半濕法等進(jìn)行薄膜化，從容易控制表面形態(tài)來看，優(yōu)選干濕法，以下舉例說明干濕法。
將上述原液從口模中擠出到轉(zhuǎn)鼓、環(huán)形帶等支持體上制成薄膜，接著，使溶劑從這種薄膜層中揮發(fā)，干燥薄膜。干燥溫度優(yōu)選為100～210℃，更優(yōu)選為120～180℃。另外，干燥時間優(yōu)選為4～12分鐘，更優(yōu)選為5～10分鐘。接著，將終止干燥的薄膜從支持體上剝離下來，導(dǎo)入濕式工序，進(jìn)行脫鹽、脫溶劑等。如果不通過該濕式工序，而直接對剝離下來的膠狀薄膜進(jìn)行拉伸和熱處理，則表面增大，發(fā)生卷縮，因此是不優(yōu)選的。然后，進(jìn)行拉伸、干燥、熱處理，制成薄膜。
為了使本發(fā)明中的異種聚合物的形態(tài)處于本發(fā)明的規(guī)定之內(nèi)，拉伸條件是特別重要的。
本發(fā)明中，為了使0.01≤t/d≤0.5和0.05≤s/L≤1，當(dāng)異種聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為Tg(℃)時，必須將拉伸條件設(shè)定成為使溫度T(℃)與風(fēng)速r(m/秒)滿足(T-Tg)×r≤500(T-Tg)×r＞500時，異種聚合物的短徑s(μm)與長徑L(μm)之比(s/L)不能滿足本發(fā)明的范圍。拉伸倍率，按面積倍率(面積倍率定義為拉伸后的薄膜面積除以拉伸前的薄膜面積的值。1以下意味著松弛)計，優(yōu)選為1.2～3.5，更優(yōu)選為1.2～3.0。
通常在薄膜的拉伸過程中或者拉伸之后進(jìn)行熱處理，熱處理溫度優(yōu)選為200～350℃。
另外，使拉伸后或熱處理后的薄膜緩慢冷卻，對于抑制因熱收縮引起的皺紋是有效的，而且以50℃/秒以下的速度冷卻是有效的。
為了使本發(fā)明的芳香族聚酰胺薄膜兼有適于高密度磁帶的平滑的表面性和薄膜卷繞時防止皺紋和卷帶不整齊的特性，要向薄膜的兩個表面賦予不同的性質(zhì)。因此，本發(fā)明的薄膜必須為2層以上的層合結(jié)構(gòu)。為了形成本發(fā)明的層合膜，可以采用公知的方法，例如特開昭56-162617號公報中所述的方法，使相當(dāng)于A層的制膜原液與相當(dāng)于A層以外其它層的制膜原液在合流管中層合，或在口模內(nèi)層合來形成。而且，也可以用任一種制膜原液形成薄膜，在其上流延其它的制膜原液，脫除溶劑，制成層合膜。此時，使相當(dāng)于A層的制膜原液層合形成最外層，優(yōu)選在不與環(huán)形帶或轉(zhuǎn)鼓等支持體接觸的那一側(cè)層合形成最外層。
另外，在合流管或口模中層合的場合下，優(yōu)選將原液的粘度調(diào)節(jié)至100泊～1000泊。如果小于該范圍，則原液從口模中流出之前，原液之間容易發(fā)生混合。相反，如果超過該范圍，則容易發(fā)生熔體破裂而使表面粗糙。
進(jìn)一步地，優(yōu)選各層的粘度相同，但也可以有一定的粘度差，如果將粘度差在50％以內(nèi)作為標(biāo)準(zhǔn)，則可以抑制因干燥速度的不同引起的卷縮，在這一點上是優(yōu)選的。
采用干法和干濕法的場合下，各制膜原液有時在干燥工序中發(fā)生混合。如果將流延到支持體上的原液加熱，則粘度會一下子降低，然后隨著溶劑的蒸發(fā)粘度上升。此時，如果粘度低于10泊，則各原液容易發(fā)生混合，因此優(yōu)選充分調(diào)節(jié)干燥條件，以使粘度優(yōu)選不低于10泊，更優(yōu)選不低于50泊。例如，在干燥溫度不超過220℃的溫度下進(jìn)行干燥，或者分為至少2個階段逐步提高干燥溫度的方法都是有效的。
將這樣獲得的層合膜的輥軸(mill roll)裝到中心卷取與表面卷取復(fù)合方式的切膜機(jī)上，卷取一定長度，完成層合膜卷。卷繞硬度的調(diào)節(jié)，有效的方法是在由輥軸卷成制品卷時的切膜機(jī)上，控制膜幅張力和與膜卷接觸的壓緊輥的表面壓力。
本發(fā)明的特性值按以下測定方法和評價基準(zhǔn)求出。
(1)A層的厚度d(μm)、異種聚合物的相當(dāng)于圓的直徑t(μm)、長徑L(μm)、短徑s(μm)和A層在薄膜寬度方向上的厚度差異使用透射式電子顯微鏡(TEM)，以20000倍的倍率觀察薄膜的截面，由透射電子射線密度的濃淡觀察添加物的種類和量的變化，由10個觀測點的平均值求出A層的厚度d(μm)。
A層在薄膜寬度方向上的厚度差異，是用A層厚度的最大值與最小值之差a除以平均值b得到的值再乘以100來計算的。但是，將除去膜卷兩端各15mm部分后的整個寬度分成5等份，測定各等份的中央部位。
異種聚合物在A層中為海島結(jié)構(gòu)，用TEM以100000倍的倍率觀察薄膜的截面，由透射電子射線密度的差異，由10個觀測點的平均值求出海島的長徑L(μm)和短徑s(μm)。另外，異種聚合物的相當(dāng)于圓的直徑t(μm)由下式求出t＝(L+s)/2(2)突起的高度及個數(shù)使用原子間力顯微鏡(AFM)，按以下的條件測定A層那一側(cè)表面的10處，求出平均值。
裝置NanoScope III AFM (Digital Instruments公司制)懸臂(cantilever)硅單晶掃描模式放液(tapping)模式掃描范圍30μm×30μm掃描速度0.5Hz測定環(huán)境25℃，相對濕度65％(3)膜卷的卷繞硬度由高分子計器(株)生產(chǎn)的硬度測定儀(C型)，從膜卷的外側(cè)推按地進(jìn)行測定。將除去膜卷兩端各10mm部分的整個寬度分成5等份進(jìn)行測定，求出平均值。調(diào)整壓緊輥的表面壓力，以使卷繞硬度在90±1以內(nèi)。
(4)卷繞形態(tài)目視觀察卷好的膜卷，將不發(fā)生皺紋和卷帶不整齊的評價為○，將發(fā)生皺紋或卷帶不整齊的評價為×。
(5)初期輸出特性將采用真空蒸鍍法在A層那一側(cè)表面上形成磁性層的薄膜切割成寬6.35mm、長150mm，裝入磁帶盒中，然后以最適宜的記錄電流記錄6.5MHz的正弦波，以市售的DVC磁帶為標(biāo)準(zhǔn)，按以下基準(zhǔn)，由再生輸出之差進(jìn)行評價?！饕陨媳硎緸閷嵱盟健?br> ○與標(biāo)準(zhǔn)帶之差為+0.5dB以上△與標(biāo)準(zhǔn)帶之差為-0.5dB以上，不足+0.5dB×與標(biāo)準(zhǔn)帶之差不足-0.5dB(6)噪聲(個/分)上述磁帶盒用視頻走帶機(jī)構(gòu)走帶，記錄27兆赫茲的信號，將該磁帶重放，用大倉ィンダストリ-(株)制造的噪聲計數(shù)器測定在1μsec/-8dB下20分鐘之內(nèi)的噪聲數(shù)，換算成每分鐘的噪聲數(shù)(個/分)。
(8)耐久性在25℃、55％RH的環(huán)境氣氛中，使上述(5)中得到的磁帶與外徑6mmφ的導(dǎo)銷的角度θ＝π/2(rad)，入側(cè)張力T1＝200g，以1000m/分的速度運(yùn)行100次，然后測定輸出特性，按以下基準(zhǔn)進(jìn)行評價。△以上表示為實用水平。
○與初期輸出特性之差不足1dB△與初期輸出特性之差在1dB以上，不足3dB×與初期輸出特性之差在3dB以上(9)運(yùn)行性使用磁帶運(yùn)行性試驗機(jī)SFT-700型((株)橫浜システム研究所制)，在40℃、80％RH環(huán)境氣氛下使分割成1/2英寸寬的帶狀薄膜運(yùn)行，由下式求出第50次的摩擦系數(shù)。
μk＝0.733log(T2/T1)此處，T1為入側(cè)張力，T2為出側(cè)張力。導(dǎo)軸直徑為6mmφ，導(dǎo)軸的材質(zhì)為聚甲醛(表面粗糙度為20～40nm左右)，盤繞角為90°，運(yùn)行速度為3.3cm/秒，往返行程為15cm。將采用該方法測定的第1次測定值作為μk(1)，將第100次測定值作為μk(100)，此時，按以下基準(zhǔn)進(jìn)行評價?！饕陨媳硎緸閷嵱盟?。
○｜(μk(100)-μk(1))/μk(1)｜≤0.05△0.05＜｜(μk(100)-μk(1))/μk(1)｜≤1.0×｜(μk(100)-μk(1))/μk(1)｜＞1.0以下，基于實施例更具體地說明本發(fā)明。應(yīng)予說明，以下的實施例中，NMP表示N-甲基吡咯烷酮，CTPC表示2-氯對苯二酰氯，CPA表示2-氯對苯二胺，DPE表示4，4′-二氨基二苯基醚。
作為異種聚合物，可以使用以下聚合物。
·出光石油化學(xué)(株)生產(chǎn)的聚碳酸酯(PC)，牌號FN3000A，分子量＝30200，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度150℃，粉末·旭チバ(株)生產(chǎn)的ケルィミド(雙馬來酰亞胺樹脂)，牌號601，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度300℃以上(交聯(lián)時)，粉末·三井東壓化學(xué)(株)生產(chǎn)的聚醚砜(PES)，牌號E2010，比濃粘度0.41，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度230℃，顆粒芳香族聚酰胺薄膜是使全部膜的總厚度為4.4μm地進(jìn)行制膜。實施例1便相當(dāng)于90摩爾％的CPA與相當(dāng)于10摩爾％的DPE溶解于脫了水的NMP中，向其中添加相當(dāng)于98.5摩爾％的CTPC，攪拌2小時進(jìn)行聚合，然后用碳酸鋰中和，獲得聚合物濃度為11重量％的芳香族聚酰胺溶液。
使干燥的PC溶解于脫了水的NMP中，使其濃度為20重量％，然后過濾。將該P(yáng)C溶液添加到芳香族聚酰胺溶液中，以使PC為芳香族聚酰胺的3重量％。
另一方面，向脫了水的NMP中添加20重量％一次粒徑為45nm的二氧化硅，用超聲波分散器分散10個小時后過濾。將該粒子的溶液添加到聚合前的單體溶液中，使二氧化硅為芳香族聚酰胺的1.8重量％，然后，采用與上述同樣的方法聚合，獲得芳香族聚酰胺溶液。
用2臺擠出機(jī)將上述那樣配制的2種聚合物溶液供給到口模，在口模內(nèi)層合成2層，在鏡面狀表面的不銹鋼帶上流延。使含有PC的溶液(A層用溶液)處于不接觸鋼帶的那一側(cè)，使含有二氧化硅粒子的溶液(B層用溶液)處于接觸鋼帶的那一側(cè)，通過調(diào)節(jié)擠出量來決定條件，使最終薄膜的各層厚度為A層3.3μm，B層1.1μm。使該流延的聚合物溶液先在160℃的熱風(fēng)下、然后在180℃的熱風(fēng)下分別加熱1分鐘，使溶劑蒸發(fā)，然后，使薄膜在水槽內(nèi)通過2分鐘，對殘存溶劑和中和產(chǎn)生的無機(jī)鹽進(jìn)行水萃取。這期間，在薄膜的縱向上拉伸1.2倍。然后在拉幅機(jī)中，在溫度220℃、風(fēng)速5m/秒的熱風(fēng)下，在薄膜的橫向上拉伸1.3倍，然后，在240℃下進(jìn)行1.5分鐘的熱處理。將這樣獲得的總厚度為4.4μm的芳香族聚酰胺薄膜置于中心收卷機(jī)和表面卷取機(jī)合并方式的切膜機(jī)上，分割成600mm寬，在外徑6英寸的塑芯上纏繞6000m長，使卷繞硬度在90±1以內(nèi)。
觀察纏繞形態(tài)，形態(tài)良好。進(jìn)一步將薄膜分割制成磁帶，采用上述的方法進(jìn)行評價，如表2所示。綜合判斷為，作為磁記錄媒體，在實用水平以上。實施例2使異種聚合物為ケルィミド，其添加量為芳香族聚酰胺的4重量％，與實施例1同樣地配制A層用芳香族聚酰胺溶液。
使A層厚度為0.8μm，拉伸條件除了使拉幅機(jī)熱風(fēng)溫度為270℃，風(fēng)速為13m/秒以外，采用與實施例1同樣的方法制膜。
觀察纏繞形態(tài)，形態(tài)良好。進(jìn)一步將薄膜分割制成磁帶，采用上述的方法進(jìn)行評價，如表2所示。綜合判斷為，作為磁記錄媒體，在實用水平以上。實施例3向脫了水的NMP中添加20重量％一次粒徑為80nm的二氧化硅，用超聲波分散器分散10小時后過濾。將該粒子的溶液添加到聚合前的單體溶液中，使二氧化硅為芳香族聚酰胺的0.05重量％，然后采用與實施例1同樣的方法進(jìn)行聚合。將干燥的PES溶解于脫了水的NMP中，使其濃度為20重量％，然后過濾。將該P(yáng)ES溶液添加到上述芳香族聚酰胺溶液中，以使PES為芳香族聚酰胺的3重量％，將其作為A層用溶液。
另一方面，向脫了水的NMP中添加20重量％一次粒徑為80nm的二氧化硅，用超聲波分散器分散10小時后過濾。將該粒子的溶液添加到聚合前的單體溶液中，使二氧化硅為芳香族聚酰胺的0.5重量％，然后，采用與上述同樣的方法聚合，獲得B層用芳香族聚酰胺的溶液。
使A層厚度為2.2μm，拉伸條件除了使拉幅機(jī)熱風(fēng)溫度為250℃，風(fēng)速為5m/秒以外，采用與實施例1同樣的方法制膜。
觀察纏繞形態(tài)，形態(tài)良好。進(jìn)一步將薄膜分割制成磁帶，采用上述的方法進(jìn)行評價，如表2所示。綜合判斷為，作為磁記錄媒體，是優(yōu)良的。實施例4使B層中添加的二氧化硅的一次粒徑為45nm，使添加量為芳香族聚酰胺的1.8重量％，除此之外，采用與實施例3同樣的方法制膜(拉伸條件為，拉幅機(jī)熱風(fēng)溫度250℃，風(fēng)速5m/秒，拉伸倍率1.3倍)。
觀察纏繞形態(tài)，形態(tài)良好。進(jìn)一步將薄膜分割制成磁帶，采用上述的方法進(jìn)行評價，如表2所示。綜合判斷為，作為磁記錄媒體，是優(yōu)良的。實施例5使A層中添加的PES的添加量為芳香族聚酰胺的6重量％，使一次粒徑80nm的二氧化硅的添加量為芳香族聚酰胺的0.08重量％，使B層中添加的二氧化硅的一次粒徑為80nm，使添加量為芳香族聚酰胺的1.2重量％，使A層的厚度為1.0μm，除此之外，采用與實施例3同樣的方法制膜(拉伸條件為，拉幅機(jī)熱風(fēng)溫度250℃，風(fēng)速5m/秒，拉伸倍率1.3倍)。
觀察纏繞形態(tài)，形態(tài)良好。進(jìn)一步將薄膜分割制成磁帶，采用上述的方法進(jìn)行評價，如表2所示。綜合判斷為，作為磁記錄媒體，是優(yōu)良的。實施例6向A層中添加為芳香族聚酰胺2重量％的ケルィミド，使一次粒徑80nm的二氧化硅的添加量為芳香族聚酰胺的0.02重量％，使B層中添加的二氧化硅的一次粒徑為120nm，使添加量為芳香族聚酰胺的0.3重量％，使A層的厚度為3.0μm，拉伸條件為拉幅機(jī)熱風(fēng)溫度270℃，風(fēng)速13m/秒，拉伸倍率1.4倍，除此之外，采用與實施例3同樣的方法制膜。
觀察纏繞形態(tài)，形態(tài)良好。進(jìn)一步將薄膜分割制成磁帶，采用上述的方法進(jìn)行評價，如表2所示。綜合判斷為，作為磁記錄媒體，是優(yōu)良的。實施例7使A層中添加的PES的添加量為芳香族聚酰胺的8重量％，使一次粒徑80nm的二氧化硅的添加量為芳香族聚酰胺的0.05重量％，使B層中添加的二氧化硅的一次粒徑為45nm，使添加量為芳香族聚酰胺的1.8重量％。
另外，將實施例4中獲得的薄膜粉碎成細(xì)粉，然后添加到NMP溶液中，使聚合物濃度為10重量％，再添加氯化鋰(使每100份聚合物中含有25份(重量))，在60℃下攪拌8小時，制成均勻的溶液。使該再次溶解的溶液通過5μm粒度級的過濾器，制成C層用溶液。
使用3層層合用進(jìn)料頭，將C層用溶液作為中間層進(jìn)行層合，使A層厚度為0.6μm，使B層厚度為2.2μm，拉伸條件為拉幅機(jī)熱風(fēng)溫度250℃，風(fēng)速5m/秒，拉伸倍率1.5倍，除此之外，采用與實施例3同樣的方法制膜。
觀察纏繞形態(tài)，形態(tài)良好。進(jìn)一步將薄膜分割制成磁帶，采用上述的方法進(jìn)行評價，如表2所示。綜合判斷為，作為磁記錄媒體，是優(yōu)良的。比較例1向A層中添加為芳香族聚酰胺0.05重量％的PES，使一次粒徑80nm的二氧化硅的添加量為芳香族聚酰胺的0.05重量％，使B層中一次粒徑為45nm的二氧化硅為芳香族聚酰胺的1.8重量％，除此之外，采用與實施例3同樣的方法制膜(拉伸條件為，拉幅機(jī)熱風(fēng)溫度250℃，風(fēng)速5m/秒，拉伸倍率1.3倍)。
觀察纏繞形態(tài)，形態(tài)不良。進(jìn)一步將薄膜分割制成磁帶，采用上述的方法進(jìn)行評價，如表2所示。綜合判斷為，作為磁記錄媒體，不能滿足實用水平。比較例2向A層中添加為芳香族聚酰胺30重量％的PES，使一次粒徑80nm的二氧化硅的添加量為芳香族聚酰胺的0.05重量％，使B層中一次粒徑為45nm的二氧化硅為芳香族聚酰胺的1.8重量％，除此之外，采用與實施例3同樣的方法制膜(拉伸條件為拉幅機(jī)熱風(fēng)溫度250℃，風(fēng)速5m/秒，拉伸倍率1.3倍)。
觀察纏繞形態(tài)，形態(tài)不良。進(jìn)一步將薄膜分割制成磁帶，采用上述的方法進(jìn)行評價，如表2所示。綜合判斷為，作為磁記錄媒體，不能滿足實用水平。比較例3向A層中添加為芳香族聚酰胺1重量％的PC，使一次粒徑80nm的二氧化硅的添加量為芳香族聚酰胺的0.05重量％，使B層中一次粒徑為80nm的二氧化硅為芳香族聚酰胺的0.02重量％，使A層厚度為3.1μm，拉伸條件為拉幅機(jī)熱風(fēng)溫度270℃，風(fēng)速5m/秒，拉伸倍率1.3倍，除此之外，采用與實施例3同樣的方法制膜。
觀察纏繞形態(tài)，形態(tài)不良。進(jìn)一步將薄膜分割制成磁帶，采用上述的方法進(jìn)行評價，如表2所示。綜合判斷為，作為磁記錄媒體，不能滿足實用水平。比較例4向A層中添加為芳香族聚酰胺3重量％的PES，使一次粒徑80nm的二氧化硅的添加量為芳香族聚酰胺的0.05重量％，使B層中一次粒徑為45nm的二氧化硅為芳香族聚酰胺的1.8重量％，拉伸條件為，拉幅機(jī)熱風(fēng)溫度280℃，風(fēng)速16m/秒，拉伸倍率1.5倍，除此之外，采用與實施例3同樣的方法制膜。
觀察纏繞形態(tài)，形態(tài)不良。進(jìn)一步將薄膜分割制成磁帶，采用上述的方法進(jìn)行評價，如表2所示。綜合判斷為，作為磁記錄媒體，不能滿足實用水平。比較例5不向A層中添加異種聚合物，添加占芳香族聚酰胺0.05重量％的一次粒徑為80nm的二氧化硅，使B層中一次粒徑為45nm的二氧化硅為芳香族聚酰胺的1.8重量％，除此之外，采用與實施例3同樣的方法制膜(拉伸條件為拉幅機(jī)熱風(fēng)溫度250℃，風(fēng)速5m/秒，拉伸倍率1.3倍)。
觀察纏繞形態(tài)，形態(tài)不良。另外，將薄膜分割制成磁帶，采用上述的方法進(jìn)行評價，如表2所示。綜合判斷為，作為磁記錄媒體，不能滿足實用水平。比較例6不向A層中添加異種聚合物，添加占芳香族聚酰胺1.8重量％的一次粒徑為45nm的二氧化硅，使B層中一次粒徑為45nm的二氧化硅為芳香族聚酰胺的1.8重量％，除此之外，采用與實施例3同樣的方法制膜(拉伸條件為拉幅機(jī)熱風(fēng)溫度250℃，風(fēng)速5m/秒，拉伸倍率1.3倍)。
觀察纏繞形態(tài)，形態(tài)良好，但是，將薄膜分割制成磁帶，采用上述的方法進(jìn)行評價，如表2所示，噪聲非常多。綜合判斷為，作為磁記錄媒體，不能滿足實用水平。比較例7不向A層中添加異種聚合物，添加占芳香族聚酰胺0.05重量％的一次粒徑為120nm的交聯(lián)聚苯乙烯，使B層中一次粒徑為45nm的二氧化硅為芳香族聚酰胺的1.8重量％，除此之外，采用與實施例3同樣的方法制膜(拉伸條件為拉幅機(jī)熱風(fēng)溫度250℃，風(fēng)速5m/秒，拉伸倍率1.3倍)。
觀察纏繞形態(tài)，形態(tài)不良。將薄膜分割制成磁帶，采用上述的方法進(jìn)行評價，如表2所示，噪聲非常多。綜合判斷為，作為磁記錄媒體，不能滿足實用水平。
表1

<p>表2

產(chǎn)業(yè)上的利用可能性本發(fā)明通過使芳香族聚酰胺與熔融狀態(tài)下處于相溶狀態(tài)的異種聚合物在成型時微觀分離，使該異種聚合物分散于薄膜中，由此制得在薄膜卷繞時沒有皺紋產(chǎn)生和卷帶不整齊、而且與芳香族聚酰胺的親和性高、薄膜表面的耐摩擦性優(yōu)良的芳香族聚酰胺薄膜，可以有效地用于磁記錄媒體。
權(quán)利要求
1.一種芳香族聚酰胺薄膜，它是至少由2層構(gòu)成的層合膜，其特征在于，該薄膜的至少一側(cè)最外層(A層)含有芳香族聚酰胺和一種以上的異種聚合物，該異種聚合物的含量為0.1重量％～10重量％，而且，當(dāng)A層的厚度為d(μm)、異種聚合物的相當(dāng)于園的直徑為t(μm)、長徑為L(μm)、短徑為s(μm)時，滿足以下公式0.01≤t/d≤0.50.05≤s/L≤1。
2.權(quán)利要求1中所述的芳香族聚酰胺薄膜，其中，形成A層的相反側(cè)最外層的那一層(B層)含有0.05重量％～5重量％的平均粒徑為5nm～500nm的無機(jī)粒子和/或有機(jī)粒子。
3.權(quán)利要求1或2中所述的芳香族聚酰胺薄膜，其中，A層含有0.001重量％～0.1重量％的平均粒徑為5nm～200nm的無機(jī)粒子和/或有機(jī)粒子。
4.權(quán)利要求1～3任一項中所述的芳香族聚酰胺薄膜，其中，異種聚合物為選自聚砜類聚合物、聚醚酰亞胺類聚合物、聚苯醚類聚合物、聚酯類聚合物、聚酮類聚合物、聚碳酸酯類聚合物、聚酰亞胺類聚合物及其前體中的至少一種。
5.權(quán)利要求1～4任一項中所述的芳香族聚酰胺薄膜，其中，在A層表面上，高度在5nm以上的突起有2×106個/mm2以上，高度在30nm以上的突起有5×103個/mm2以上，且高度在50nm以上的突起在5×104個/mm2以下。
6.權(quán)利要求1～5任一項中所述的芳香族聚酰胺薄膜，其中，A層的薄膜寬度方向的厚度差異在50％以下。
7.一種磁記錄媒體，其特征在于，在權(quán)利要求1～6任一項中所述的芳香族聚酰胺薄膜的至少一面上具有磁性層。
8.由權(quán)利要求7中所述的磁記錄媒體構(gòu)成的磁帶，其寬度為2.3～13mm，支持體厚度在6.5μm以下，長度在100m/卷以上，作為磁記錄媒體的記錄密度在8兆字節(jié)/mm2以上。
9.權(quán)利要求8中所述的磁帶，其中，制成磁記錄媒體時，在1μsec/-8dB下的噪聲數(shù)為800個/分以下。
全文摘要
本發(fā)明的芳香族聚酰胺薄膜為由至少2層構(gòu)成的層合膜,其特征在于,該薄膜的至少一側(cè)最外層(A層)含有芳香族聚酰胺和一種以上的異種聚合物,該異種聚合物的含量為0.1重量%～10重量%,而且,當(dāng)A層的厚度為d(μm)、異種聚合物的相當(dāng)于圓的直徑為t(μm)、長徑為L(μm)、短徑為s(μm)時,滿足以下公式:0.01≤t/d≤0.5 0.05≤sL/≤1。本發(fā)明的芳香族聚酰胺薄膜,在薄膜卷繞時不產(chǎn)生皺紋和卷帶不整齊,而且薄膜表面的耐磨耗性優(yōu)良,因此,作為生產(chǎn)性高的磁記錄媒體的帶基薄膜特別有用。
文檔編號B32B27/06GK1242739SQ98801560
公開日2000年1月26日 申請日期1998年10月20日 優(yōu)先權(quán)日1997年10月22日
發(fā)明者末岡雅則, 堀內(nèi)光弘, 佃明光 申請人:東麗株式會社