一種單銀low-e鍍膜玻璃的制作方法
【專利摘要】一種單銀LOW-E鍍膜玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次設有SixNy基膜層、第一TiO2膜層、第一NiCr阻擋層、Cu介質層、Ag層、第二NiCr阻擋層、第二TiO2膜層、以及SixNy頂膜層。本發(fā)明具有如下優(yōu)點：1、利用SixNy作為基膜層和頂膜層，使膜層具有較好的粘結性和較佳機械強度；同時，利用TiO2提高玻璃的透光率，利用Cu作為介質層，既可減少Ag的使用量，又能保證膜層的電導率不變，在保證膜系的性能不變的前提，降低了生產成本。2、本玻璃的透過率≥50％，輻射率≤0.10，反射率≤20，遮陽系數SC≤0.42，光學性能良好。
【專利說明】一種單銀LOW-E鍍膜玻璃

【技術領域】
:
[0001]本發(fā)明涉及一種單銀LOW-E鍍膜玻璃。

【背景技術】
:
[0002]LOff-E玻璃，是一種新型高端的低輻射玻璃，是在玻璃基材表面鍍制包括銀層在內的多層金屬及其它化合物組成的膜系產品。但現有LOW-E玻璃，其膜層粘結力較差，機械強度不佳，容易出現脫膜、氧化等質量缺陷。同時，Ag的使用量較多，生產成本較高。
[0003]故有必要對現有的LOW-E玻璃作出改進，以提供一種具有較好粘結性、較佳機械強度、且可減少Ag的使用量、降低生產成本的LOW-E鍍膜玻璃。


【發(fā)明內容】

:
[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種單銀LOW-E鍍膜玻璃，其具有較好的粘結性和較佳機械強度，且可減少Ag的使用量，降低生產成本。
[0005]一種單銀LOW-E鍍膜玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次設有SixNy基膜層、第一 T12膜層、第一 NiCr阻擋層、Cu介質層、Ag層、第二 NiCr阻擋層、第二 T12膜層、以及SixNy頂膜層。
[0006]本發(fā)明可通過如下方案進行改進:
[0007]所述SixNy基膜層的厚度為15?25nm，所述SixNy頂膜層的厚度為30?40nm。
[0008]所述第一 T12膜層的厚度為15?30nm，第二 T12膜層的厚度為20?30nm。
[0009]所述第一 NiCr阻擋層的厚度為2?1nm,第二 NiCr阻擋層的厚度為3?10nm。
[0010]所述Cu介質層的厚度為5?10nm。
[0011]所述Ag層的厚度為I?3nm。
[0012]所述SixNy基膜層、所述SixNy頂膜層為Si3N4介質層。
[0013]本發(fā)明具有如下優(yōu)點:1、利用SixNy作為基膜層和頂膜層，使膜層具有較好的粘結性和較佳機械強度；同時，利用T12提高玻璃的透光率，利用Cu作為介質層，既可減少Ag的使用量，又能保證膜層的電導率不變，在保證膜系的性能不變的前提，降低了生產成本。2、本玻璃的透過率> 50%，輻射率< 0.10，反射率< 20，遮陽系數SCS 0.42 ;本玻璃顏色顯灰色，通過色度儀可以測得如下顏色坐標值:a* = -2.5?-3, b* = -4?-5,光學性能良好。

【專利附圖】

【附圖說明】
:
[0014]圖1為本發(fā)明結構剖視圖。

【具體實施方式】
:
[0015]如圖所示，一種單銀LOW-E鍍膜玻璃，包括玻璃基材I，所述玻璃基材I的上表面由下而上依次設有SixNy基膜層2、第一 T12膜層3、第一 NiCr阻擋層4、Cu介質層5、Ag層6、第二 NiCr阻擋層7、第二 T12膜層8、以及SixNy頂膜層9。
[0016]進一步地，所述SixNy基膜層2的厚度為15?25nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源、氬氣作為濺射氣體、氮氣作反應氣體濺射硅鋁靶(硅鋁質量百分比92:8)制備而成，其中，氬氮比為(400SCCM?420SCCM): (450SCCM?500SCCM)，氬氮比是該膜層的核心，決定了成膜的質量。
[0017]再進一步地，所述第一 T12膜層3的厚度為15?30nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源、以氬氣為濺射氣體、氧氣作反應氣體射陶瓷鈦靶制備而成，其中，氬氧比為(400SCCM?420SCCM): (50SCCM?60SCCM)，氬氧比是該膜層的核心。
[0018]更進一步地，所述第一 NiCr阻擋層4的厚度為2?10nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射鎳鉻合金、用氬氣作為濺射氣體制備而成。
[0019]又進一步地，所述Cu介質層5的厚度為5?10nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射銅靶、用氬氣作為濺射氣體制備而成，氣體流量500?550SCCM。
[0020]再進一步地，所述Ag層6的厚度為I?3nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射銀靶、用氬氣作為濺射氣體制備而成，氣體流量500?550SCCM。
[0021]再進一步地，所述第二 NiCr阻擋層7的厚度為3?10nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射鎳鉻合金、用氬氣作為濺射氣體制備而成。
[0022]再進一步地，所述第二 T12膜層8的厚度為20?30nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源、以氬氣為濺射氣體、氧氣作反應氣體射陶瓷鈦靶制備而成，其中，氬氧比為(400SCCM?420SCCM): (50SCCM?60SCCM)，氬氧比是該膜層的核心。
[0023]再進一步地，所述SixNy頂膜層9的厚度為30?40nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源、氬氣作為濺射氣體、氮氣作反應氣體濺射硅鋁靶(硅鋁質量百分比92:8)制備而成，其中，氬氮比為(400SCCM?420SCCM): (450SCCM?500SCCM)，氬氮比是該膜層的核心，決定了成膜的質量。
[0024]具體地，所述SixNy基膜層2、所述SixNy頂膜層9為Si3N4介質層。
[0025]本發(fā)明利用SixNy作為基膜層和頂膜層，使膜層具有較好的粘結性和較佳機械強度；同時，利用T12提高玻璃的透光率，利用Cu作為介質層，既可減少Ag的使用量，又能保證膜層的電導率不變，在保證膜系的性能不變的前提，降低了生產成本。本發(fā)明的透過率^ 50%，輻射率< 0.10，反射率< 20，遮陽系數SCS 0.42 ;本發(fā)明顏色顯灰色，通過色度儀可以測得如下顏色坐標值:a* = -2.5?-3，b* = -4?_5，光學性能良好。
[0026]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并非用來限定本發(fā)明實施的范圍，凡依本發(fā)明專利范圍所做的同等變化與修飾，皆落入本發(fā)明專利涵蓋的范圍。
【權利要求】
1.一種單銀LOW-E鍍膜玻璃，包括玻璃基材，其特征在于:所述玻璃基材的上表面由下而上依次設有SixNy基膜層、第一 T12膜層、第一 NiCr阻擋層、Cu介質層、Ag層、第二 NiCr阻擋層、第二 T12膜層、以及SixNy頂膜層。
2.根據權利要求1所述的一種單銀LOW-E鍍膜玻璃，其特征在于:所述SixNy基膜層的厚度為15?25nm，所述SixNy頂膜層的厚度為30?40nm。
3.根據權利要求1所述的一種單銀LOW-E鍍膜玻璃，其特征在于:所述第一T12膜層的厚度為15?30nm，第二 T12膜層的厚度為20?30nm。
4.根據權利要求1所述的一種單銀LOW-E鍍膜玻璃，其特征在于:所述第一NiCr阻擋層的厚度為2?10nm，第二 NiCr阻擋層的厚度為3?10nm。
5.根據權利要求1所述的一種單銀LOW-E鍍膜玻璃，其特征在于:所述Cu介質層的厚度為5?10nm。
6.根據權利要求1所述的一種單銀LOW-E鍍膜玻璃，其特征在于:所述Ag層的厚度為I ?3nm。
7.根據權利要求1或2所述的一種單銀LOW-E鍍膜玻璃，其特征在于:所述SixNy基膜層、所述SixNy頂I吳層為Si3N4介質層。
【文檔編號】C03C17/36GK104275878SQ201410607148
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2014年10月30日 優(yōu)先權日:2014年10月30日
【發(fā)明者】陳圓, 禹幸福 申請人:中山市亨立達機械有限公司