專利名稱：：C0g多層陶瓷電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本申請涉及一種陶瓷電容器，其具有貴金屬或賤金屬的電極，所述陶瓷電容器符合針對溫度系數(shù)標(biāo)準(zhǔn)COG的電子工業(yè)聯(lián)合會(EIA)標(biāo)準(zhǔn)No.l98-1-F-2002。美國專利No.7,172,985通過引用并入本文。
背景技術(shù)：
：COG電容器具有很低的溫漂，其電容溫度系數(shù)(TCC)《+/-30ppm/'C。陶瓷的基本成分包括鈦酸鎂或者鈦酸鋇釹。為電容器使用如鎳、銅或者80鎳:20銅的賤金屬電極，能夠相對諸如鉑、鈀、銀或其組合的貴金屬電極提供顯著的材料成本優(yōu)勢。鎳和銅是相對便宜的導(dǎo)電金屬，其處于純凈物的形態(tài)時不易于氧化。這兩種金屬都可以在通常用于沉積貴金屬的相同設(shè)備上通過絲網(wǎng)印刷處理沉積為電極。鎳具有較高的熔點(diǎn)(鎳的熔點(diǎn)為1450°;銅的熔點(diǎn)為1083°—韋斯特化學(xué)與物理手冊(WeastHandbookofChemistry&Physics)第46版)，對于在較高溫度進(jìn)行燒制的多層陶瓷電容器(MLCC)來說是優(yōu)選的。盡管本發(fā)明的陶瓷電介質(zhì)可以與貴金屬一起使用來得到COGMLCC電容器(其可能會在氧化環(huán)境中燒制)，BME(賤金屬電極)電容器仍是優(yōu)選的。美國專利No.5,204,301、No.6,118,648、No.6,295,196、No.6,329,311、No.6,387，835、No.6,396,681、No.6,327,311、No.6，525，628、No.6，572，793、No.6,645,897、No.6,656,863、No.6,858，554和No.7,172,985，以及已公開的專利申請US2005/0111163、US2003/0186802和US2004/0220043已經(jīng)公開了眾多的合成物，用于非還原型電介質(zhì)陶瓷合成物。這些公開關(guān)注于Ca、Sr、Zr、Ti和Ba的氧化物包括(或者不包括)少量摻雜物氧化物或堿、堿土以及稀土金屬的各種組合，其中各種前體(precursor)被燒制形成陶瓷基體。盡管這些陶瓷具有優(yōu)點(diǎn)，但在整體電容性能上仍顯不足。在該
技術(shù)領(lǐng)域：
中始終存在著提供具有改進(jìn)特性的電容器的努力，具體來說，涉及能夠提供改進(jìn)電容器的陶瓷。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的第一個目的是提供具有高CV(單位體積電容)的賤金屬電極(BME)多層陶瓷電容器(MLCC)器件。本發(fā)明的第二個目的是制造符合COG規(guī)格的電容溫度系數(shù)《+/-30ppm廠C的MLCC器件。本發(fā)明的另一個目的是提供符合C0G規(guī)格的、能夠以相對于諸如符合C0H、C0J、C0K、SL、R2J、X7R等以及更低規(guī)格的低性能器件具有競爭力的價格進(jìn)行制造的MLCC電容器，并且該MLCC電容器符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的可靠性。這些及其它優(yōu)點(diǎn)能夠由多層陶瓷電容器中具有如下化學(xué)式的電介質(zhì)陶瓷合成物提供{[(CaO)t(SrO)i-t]m[(Zr02)v(Ti02)!_v]}!-S_XASEX其中A是過渡金屬氧化物；E是從包括Ge、Si、Ga及其組合的組中選出的元素的氧化物；m取0.98至1.02;t取0.50至0.90;v取0.8至1.0;s和x從包括a)0《x《0.08，0.0001《s《0.043并且x》1.86s;和b)0《x《0.0533，0.0001《s《0.08并且x《0.667s的組中選擇。在形成電容器的方法中提供了另一個實(shí)施例，所述方法包括a)把包含[(CaO)t(SrO)i_t]m[(Zr02)v(Ti02)t-v]的材料磨成小于1.0um的D50，其中m取0.98至1.02;并且t取0.50至0.卯；并且v取0.8至1.0;從而形成第一成分(Cl);b)把Mn02、MnC03或Mn的其它氧化物形式磨成小于1.0Pm的D50，來形成第二成分(C2);c)把Si02磨成小于0.5um的D50,來形成第三成分(C3);d)用比例為ClLajC2aC3e的溶劑將第一成分、第二成分和第三成分混合，形成涂層(coating)溶液；e)把所述涂層溶液涂敷到條帶上，涂敷的量從如下組中選出，即a)足夠形成厚度超過4.5um的陶瓷層，其中a和0被限定為0《P《0.08，0.0001《a《0.043，和P》1.86a;和b)足夠形成厚度不超過4.5um的陶瓷層，其中a和p被限定為0《6《0.0533，0.0001《a《0.08，3《0.667a;f)烘干涂層溶液以形成綠色(green)涂層；g)在所述綠色涂層上沉積包含電極材料的墨水(ink)來形成帶電極的綠色層；h)堆疊無電極的綠色層和帶電極的綠色層來形成綠色電容器堆疊；i)切割電容器堆疊來形成多個單片綠色多層芯片；j)在P02為10-6至10'16的氣氛中燒制所述多個單片綠色多層芯片；以及k)用電極材料在電接觸點(diǎn)形成端子。圖1是根據(jù)本發(fā)明的多層陶瓷電容器的側(cè)視圖。具體實(shí)施例方式在電容器電極中使用賤金屬作為導(dǎo)電金屬能夠在降低材料成本的同時保持電容器的性能。圖l是多層或堆疊陶瓷電容器l的側(cè)視圖。導(dǎo)電片3和5用作電極并交替地連接至兩端7和9。這些電極被電介質(zhì)陶瓷11分隔或隔離。樹脂12，按本領(lǐng)域公知的方式封裝電容器的一部分。電極3和5可以用任何導(dǎo)電材料制成，但通常由貴金屬如鉑、鈀、金或銀制成。由于貴金屬難以氧化，于是在燒制綠色堆疊板時可以使用高溫和氧化性的氣氛，并且可以得到高介電常數(shù)的陶瓷。也可以得到良好的電容溫度系數(shù)。使用賤金屬需要改變陶瓷的合成物和燒制的條件。需要具有低電容溫度系數(shù)(TCC)、優(yōu)選地符合EIAC0G標(biāo)準(zhǔn)(《+/-30ppm/。C)的陶瓷的組分(formulation)。通過不斷的研究，合成物與電介質(zhì)厚度之間的復(fù)雜關(guān)系已被確定。一般來說，在陶瓷厚度超過4.5um時，相對富含III族氧化物或IV族氧化物的合成物在電容器性能上表現(xiàn)出顯著的提高；而在陶瓷厚度低于4.5um時，相對富含過渡金屬氧化物的合成物在電容器性能上表現(xiàn)出顯著的提高，如文中詳細(xì)討論所述。根據(jù)化學(xué)式(1)定義優(yōu)選的陶瓷。([(CaO)t(SrOh.tU(Zr02)v(Ti02)卜v]h曙s.xAsEx(1)在化學(xué)式(1)中，A是過渡金屬氧化物，過渡金屬氧化物優(yōu)選地從Cu、Mn、Mo、W、Co、Ta、Sc、Y、Hf、V、Nb、Cr及其組合中選擇；最優(yōu)選的是A為氧化錳。E是從Ge、Si、Ga及其組合中選出的III族或IV族元素的氧化物?；瘜W(xué)式(1)中的下標(biāo)具有如下的值m取0.98至1.02;t取0.50至0.90;v取0.8至1.0。當(dāng)陶瓷應(yīng)用在厚度超過4.5nm時，下標(biāo)s和x被定義為0.0001《s《0.043，0《x《0.08并且x》1.86s。當(dāng)陶瓷應(yīng)用在厚度不超過4.5um時，下標(biāo)s和x被定義為0扁l《s《0肌0《x《0.0533并且x《0.667s?；瘜W(xué)式(1)的化合物的獨(dú)特性體現(xiàn)在定義為m[(Zr02)v(Ti02)^v]的前體材料與適量的摻雜物氧化物前體混合。本領(lǐng)域中通常采用的方法包括對氧化物前體的混合物(如碳酸鹽)進(jìn)行燒制，取決于反應(yīng)物的比例和相成分而形成基本材料的單相以及第二相(secondaryphase)。氧化物前體是在如本文所述進(jìn)行加熱之后的氧化物材料。特別優(yōu)選的氧化物前體包括氧化物、碳酸鹽、草酸鹽、過氧化物、醋酸鹽、硝酸鹽等等。在本申請中，初相被預(yù)定為(Ca,Sr)(Zr,Ti)03材料，摻雜物添加到其中，這些摻雜物可能形成與通過燒制鈣、鍶、鋯、鈦的氧化物和摻雜物的前體所形成的相不同的相。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的，組成成分上的很小改變，無論整體的還是局部的，都會導(dǎo)致相的不可測和不可控。因此，使用現(xiàn)有技術(shù)時，可能會無意中形成第二相，并且每一批次、每一個電容器之間都不相同。本文所提供的材料提供一種具有高度改善的一致性的陶瓷，并且相對于按照現(xiàn)有技術(shù)形成的陶瓷材料具有前所未有的關(guān)于C0G的優(yōu)勢。所提供的特別優(yōu)選的組分具有基材料(CaO)o.7(SrO)o.3(Zr02)o.97(Ti02)o.o3，該基材料優(yōu)選地?fù)诫s有MnO、Mn02、MnC03禾nSiO2中的一種或多種。所有的組分都在生料或泥釉階段在適當(dāng)?shù)难心ト軇┲羞M(jìn)行研磨，所述溶劑例如是水、酒精、甲苯或其組合，或者是二氫松油醇(DHT)或其它適當(dāng)?shù)难心ト軇?，其中使用大小為D50ca.<1.0iim的適當(dāng)介質(zhì)。使用刮漿刀使生料在承載膜材料上擴(kuò)展。優(yōu)選通過使用導(dǎo)電墨水進(jìn)行絲網(wǎng)印刷來沉積電極。芯片在不高于10-6的還原性P02氣氛中進(jìn)行堆疊、切割、熔斷和燒制。可以選擇從1200'C到1350'C的均熱溫度?？梢允褂迷诹可险?至8%摩爾百分比的Mn02和Si02來制造C0G陶瓷電容器。當(dāng)陶瓷厚度超過4.5um時，Mn02的摩爾比率為至少0.01摩爾百分比至不超過4.3摩爾百分比，Si02的摩爾百分比至少為Mn02的摩爾百分比的1.86倍。當(dāng)陶瓷的厚度為不超過4.5um時，Mn02的摩爾比率至少為0.01摩爾百分比至不超過8摩爾百分比，Si02在低于為Mn02的摩爾百分比的0.667倍的前提下不超過5.33摩爾百分比。堆疊陶瓷電容器的制備見諸各種文獻(xiàn)，本發(fā)明不對制造工藝作出相對于領(lǐng)域內(nèi)公知標(biāo)準(zhǔn)流程的任何明顯改變。作為制造工藝的示例，通過利用水中或有機(jī)溶劑中的分散劑來混合并研磨文中所述的陶瓷化合物來制備陶瓷生料，其中所述有機(jī)溶劑例如是乙醇、異丙醇、甲苯、醋酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、礦物油精或其它適用的烴類液體，或者它們的混合物。研磨之后，通過添加粘合劑與增塑劑來控制其流變特性并給予條帶一定的強(qiáng)度，從而制備好用于流延處理(tape-casting)的陶瓷生料。然后通過在平坦聚合物薄膜上進(jìn)行流延處理來把所得的泥釉處理成綠色薄板。在把薄板烘干后，在薄板上通過使用例如絲網(wǎng)印刷方法形成印刷陶瓷板來成形多種電極。層疊的綠色主體或堆疊是通過在諸如聚碳酸酯、聚合酯的物質(zhì)上進(jìn)行堆疊或者類似的方法來制備的1)一定數(shù)量的未印制陶瓷板作為底部覆蓋，然后2)方向交錯的一定數(shù)量的印制陶瓷板，用于創(chuàng)建終止在相對末端的交錯電極，以及3)—定數(shù)量的未印制陶瓷板作為頂部覆蓋。利用本發(fā)明的電介質(zhì)材料，可以在印制板和未印制板的堆疊次序上進(jìn)行變動。然后在2CTC和120'C之間對該堆疊加壓，以促進(jìn)所有層疊層的粘著。然后將層疊的綠色主體切割成單獨(dú)的綠色芯片。加熱綠色芯片以移除粘合劑?？梢栽诖蠹s200-700"、在空氣或中性氣體或者輕微還原性氣氛中加熱約0.5至48小時以移除粘合劑。然后在不超過1350'C的溫度下、氧分壓為10-6至10"6atm的還原性氣氛中燒結(jié)電介質(zhì)。優(yōu)選的溫度約為1200至1325°C。在燒結(jié)之后，通過在氧分壓約為IO-5至10"、tm的氣氛中將電介質(zhì)加熱至不超過IIO(TC來進(jìn)行再氧化。更優(yōu)選的是，在大約為800至IIOO'C的溫度下進(jìn)行再氧化。在此階段獲得的材料通常稱為燒結(jié)芯片。如現(xiàn)有技術(shù)一樣，燒結(jié)芯片通過滾筒或噴沙來研磨末端表面，然后通過輸送外部電極涂膠(paste)來形成外部電極。此后進(jìn)一步進(jìn)行烘培來完成外部電極的形成。所述進(jìn)一步的烘培通常在氮?dú)饣蜉p微氧化性氣氛中、在約為600-1000'C的溫度下進(jìn)行0.1至1小時。鎳、錫或其它適用的焊劑成分可以置于外部電極上，以增強(qiáng)可焊性并防止外部電極的氧化。示例1基本組分(CaO)0.7(SrO)0.3(ZrO2)0.97(TiO2)0.03已混合到研磨溶10液中，并且在帶有1毫米球形介質(zhì)的臥式珠磨機(jī)中研磨為D5()=0.35um。分別將Mn02和Si02混入研磨溶液，并在罐磨機(jī)中使用1毫米的介質(zhì)研磨至低于ca.0.4ixm。Mn02和Si02與基本組分混合。通過流延機(jī)使用刮漿刀來涂敷條帶，以獲得厚度約為6um的目標(biāo)燒制電介質(zhì)。使用適當(dāng)?shù)哪ㄟ^絲網(wǎng)印刷來沉積鎳電極。在層疊綠色堆疊并進(jìn)行切割以獲得單片的綠色多層芯片器件之后，對多個單片的MLCC進(jìn)行熱燒蝕處理以移除有機(jī)材料。分別在1305'C和1325°C、在約為10_6至1(T"atm的還原性氣氛中燒制芯片。隨后對芯片進(jìn)行圓角處理并端接適當(dāng)?shù)你~端子。如表1所示制成類似的芯片，其中Mn02占0至6.9摩爾百分比，Si02占0至6.9摩爾百分比。表1示出了作為合成物與燒制溫度函數(shù)的物理特性的比較。針對每種合成物，用HP4275ALCR表在IV、lMHz的條件下測量了電容和耗散系數(shù)的30個樣本。用Saunders&Associate腔室在IV、lMHz、-55°C和125'C測量電容溫度系數(shù)(TCC)(每組6個樣本)。在表l中僅報告了-55'C和125""C之間的TCC的最大值。在Saunders&Associate腔室中、在直流50V、25'C和125。C的條件下測量絕緣電阻(6個樣本)。25'C組的絕緣電阻都很高，處在TQ的范圍，在表1中未作報告。使用Rod-LElectronics公司的H100DC測試儀來測量擊穿電壓(UVBD)。表l:示例1各樣本的合成物和電氣特性<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>如表1所示，絕大多數(shù)樣本都具有高電容值和低DF。除了一個樣本以外的所有樣本都給出了符合COG規(guī)格的TCC。IR遠(yuǎn)高于COG規(guī)格(125°CRC乘積>100Q.F)。接下來對當(dāng)前樣本的可靠性進(jìn)行測試并在表2中進(jìn)行總結(jié)。在表2中，Si和Mn代表每種成分的摩爾比例。TH是以nm計的燒制電介質(zhì)厚度。Cap代表相對電容。DF是相對耗散系數(shù)。IR是相對絕緣電阻。HALT是在175°C、8倍額定電壓的狀態(tài)下進(jìn)行92小時的高度加速壽命測試的結(jié)果，其中等級"好"表示其故障前平均時間(MTTF)超過3000分鐘，"中"代表超過500分鐘但低于3000分鐘的MTTF，"差"代表低于500分鐘的MTTF。在每批次中取77片在125'C、2倍額定電壓的狀態(tài)下進(jìn)行IOOO小時的的壽命測試。測量的標(biāo)準(zhǔn)是測試前后的各片的絕緣電阻，其中等級"好"表示沒有一片因?yàn)榻^緣電阻降級至低于電子工業(yè)協(xié)會(EIA)建議的IR限值而失效，"中"表示77片中有1至3片失效，"差"表示77片中超過3片失效。耐濕測試在額定電壓、85'C和85%的相對濕度的條件下進(jìn)行1000小時，其測試標(biāo)準(zhǔn)同壽命測試相同。如表2所示，僅在Si為0至0.08、Mn在0.0001和0.043之間并且Si》1.86*Mn的情況下獲得良好的可靠性(全部3項(xiàng)HALT、壽命測試和耐濕測試表現(xiàn))。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>*超出本發(fā)明范圍的合成物。本文所公開類型的電容器可以替代聚合物薄膜電容器、Al電容器、Nb電容器和Ta電容器，或者替代現(xiàn)有的基于貴金屬或賤金屬電極的MLCC電容器。在此組分族中，低成本同時高性能的TCC是可行的。示例2如表3所示，其中制備了一系列包括(CaO)0.7(SrO)0.3(Zr02)0.97(Ti02)o.03和附加的Si02及Mn02的陶瓷組分。對合成物施加涂層以得到3um的目標(biāo)燒制電介質(zhì)厚度，測量了各種物理特性并記錄在表3中。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>*超出本發(fā)明范圍的合成物。如表2和表3所示，測試結(jié)果取決于MLCC的合成物和電介質(zhì)厚度。對于中間比率的過渡金屬氧化物和ni/iv族氧化物，所得電容器的性能比本發(fā)明范圍內(nèi)的要降低。本發(fā)明被公開為針對特定示例的討論，這些示例不限定本發(fā)明的范圍。對本領(lǐng)域技術(shù)人員顯見的修改包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種多層陶瓷電容器中的電介質(zhì)陶瓷合成物，包括化學(xué)式為{[(CaO)t(SrO)1-t]m[(ZrO2)v(TiO2)1-v]}1-s-xAsEx的合成物，其中A是過渡金屬氧化物；E是從包括Ge、Si、Ga及其組合的組中選出的元素的氧化物；m取0.98至1.02；t取0.50至0.90；v取0.8至1.0；s和x從包括a)0≤x≤0.08，0.0001≤s≤0.043并且x≥1.86s；和b)0≤x≤0.0533，0.0001≤s≤0.08并且x≤0.667s的組中選擇。2.如權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器中的電介質(zhì)陶瓷合成物，其中s和x被限定為0《x《0.08，0.0001《s《0.043和x》l,86s，并且所述合成物具有超過4.5"m的層厚。3.如權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器中的電介質(zhì)陶瓷合成物，其中s和x被限定為0《x《0.0533，0.0001《s《0.08和x《0.667s，并且所述合成物具有不超過4.5um的層厚。4.如權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器中的電介質(zhì)陶瓷合成物，其中從包括Cu、Mn、Mo、W、Co、Ta、Sc、Y、Hf、V、Nb、Cr及其組合的組中選擇A。5.如權(quán)利要求4所述的多層陶瓷電容器中的電介質(zhì)陶瓷合成物，其中A是氧化錳。6.如權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器中的電介質(zhì)陶瓷合成物，其中A是MnO，E是Si02。7.如權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器中的電介質(zhì)陶瓷合成物，其中所述電介質(zhì)陶瓷合成物在120(TC和1350'C之間的溫度下進(jìn)行燒制。8.如權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器中的電介質(zhì)陶瓷合成物，其中所述電容器還包括賤金屬作為內(nèi)部電極材料。9.如權(quán)利要求4所述的多層陶瓷電容器中的電介質(zhì)陶瓷合成物，其中所述電容器還包括賤金屬作為內(nèi)部電極材料。10.如權(quán)利要求6所述的多層陶瓷電容器中的電介質(zhì)陶瓷合成物，其中所述電容器還包括賤金屬作為內(nèi)部電極材料。11.如權(quán)利要求IO所述的多層陶瓷電容器中的電介質(zhì)陶瓷合成物，其中從包括Ni或Cu及其組合的組中選擇賤金屬。12.如權(quán)利要求11所述的多層陶瓷電容器中的電介質(zhì)陶瓷合成物，其中所述電介質(zhì)陶瓷合成物在還原性氣氛中進(jìn)行燒制。13.如權(quán)利要求12所述的多層陶瓷電容器中的電介質(zhì)陶瓷合成物，還包括從Ni和Cu組成的組中選擇的金屬電極。14.如權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器中的電介質(zhì)陶瓷合成物，還具有《+/-3(^111/°(:的電容溫度系數(shù)。15.—種形成電容器的方法，包括把包含[(CaO)t(SrOUm[(Zr02)v(Ti02)卜v]的材料磨成小于1.0Pm的固，其中m取0.98至1.02;并且t取0.50至0.90;并且V取0.8至1.0;從而形成第一成分，即C1;把Mn02、MnC03或Mn的其它氧化物形式磨成小于l.Oum的D50,來形成第二成分，即C2;把SiO2磨成小于0.5um的D50，來形成第三成分，即C3;用比例為Ch.a-eC2。C3e的溶劑將第一成分、第二成分和第三成分混合，形成涂層溶液；把所述涂層溶液涂敷到條帶上，涂敷的量從如下組中選出，即a)足夠形成厚度超過4.5Um的陶瓷層，其中a和e被限定為0《e《0.08，0.0001《a《0.043，并且P》1.86a;和b)足夠形成厚度不超過4.5ym的陶瓷層，其中a和p被限定為0《P《0.0533,0.0001《a《0.08，P《0.667a;烘干涂層溶液以形成綠色涂層；在所述綠色涂層上沉積包含電極材料的墨水來形成帶電極的綠色層；堆疊無電極的綠色層和帶電極的綠色層來形成綠色電容器堆疊；切割所述電容器堆疊來形成多個單片綠色多層芯片；在P02為lO—6至10'16的氣氛中燒制所述多個單片綠色多層芯片；以及用所述電極材料在電接觸點(diǎn)形成端子。16.如權(quán)利要求15所述的方法還包括在混合三種成分的步驟之前混合Mn02和所述Si02并研磨所述混合物。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法形成的電容器。18.如權(quán)利要求17所述的電容器具有《+/-30ppm廠C的電容溫度系數(shù)。全文摘要本發(fā)明涉及一種C0G多層陶瓷電容器，該多層陶瓷電容器中的電介質(zhì)陶瓷合成物包括化學(xué)式為{[(CaO)_t(SrO)_1-t]_m[(ZrO₂)_v(TiO₂)_1-v]}_1-s-xA_sE_x的合成物，其中A是過渡金屬氧化物；E是從Ge、Si、Ga及其組合中選出的元素的氧化物；m取0.98至1.02；t取0.50至0.90；v取0.8至1.0；s和x從包括a)0≤x≤0.08，0.0001≤s≤0.043并且x≥1.86s；和b)0≤x≤0.0533，0.0001≤s≤0.08并且x≤0.667s的組中選擇。文檔編號C04B35/49GK101456731SQ200810167339公開日2009年6月17日申請日期2008年10月22日優(yōu)先權(quán)日2007年10月22日發(fā)明者X·徐,丹尼爾·E·巴伯,伊恩·伯恩,包斯卡·潘瑟盧,湯姆·普爾,科里·安東尼亞德斯,詹姆斯·比森,邁克爾·S·蘭德爾,阿比吉特·古拉夫,阿齊祖丁·塔杰丁申請人:凱米特電子公司