專利名稱：：復(fù)合微波介質(zhì)陶瓷材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種復(fù)合微波介質(zhì)陶瓷材料，屬于介質(zhì)陶瓷領(lǐng)域。技術(shù)背景近年來，隨著移動通訊技術(shù)的迅猛發(fā)展，終端設(shè)備的便攜化、微型化、高穩(wěn)定及片式化、低成本已成為發(fā)展的必然趨勢。其中，包括多層濾波器、雙工器、片式天線等在內(nèi)的多層片式微波器件得到了很快的發(fā)展。多層微波器件發(fā)展的同時也對微波介質(zhì)陶瓷提出了更高的要求。微波元器件的多層片式化，需要微波介質(zhì)材料能與高電導(dǎo)率的金屬電極如Pt，Pd，Au,Cu,Ag等共燒。從經(jīng)濟(jì)性以及環(huán)境保護(hù)角度考慮，一般采用高電導(dǎo)的Cu或Ag作為電極材料，因此，以發(fā)展能夠與Cu或Ag共燒的低燒結(jié)溫度的微波介質(zhì)陶瓷(LowTemperatureCo-firedCeramic,簡稱LTCC)成為微波介質(zhì)材料發(fā)展的主流。作為LTCC材料，不僅要求具有合適的介電常數(shù)，低的介電損耗與小的諧振頻率溫度系數(shù)，更要求材料能在較低的燒結(jié)溫度下燒結(jié)(一般在90(TC左右)，以便能與高導(dǎo)電率的銅或銀金屬內(nèi)電極共燒。但是，目前大多數(shù)商用微波介質(zhì)陶瓷的燒結(jié)溫度均在12001500°C，如Ba2Ti902()、BaTi409、(Pb,Ca)(Zr,Ti)03以及(Zn,Sn)Ti04,它們的燒結(jié)溫度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于Cu、Ag的熔點(diǎn)。因此，為了實(shí)現(xiàn)與賤金屬共燒，必須尋找新的具有低燒結(jié)溫度的材料或?qū)ΜF(xiàn)有的材料進(jìn)行低溫化研究。目前，國內(nèi)外科技人員為了降低微波介質(zhì)陶瓷材料的燒結(jié)溫度，常采用的方法一般有三種摻加適當(dāng)?shù)难趸锘蛘叩腿埸c(diǎn)玻璃等燒結(jié)助劑、采用化學(xué)合成等先進(jìn)制粉方法制備燒結(jié)活性高的超細(xì)或納米粉體作起始原料以及尋找選用新的固有燒結(jié)溫度低的介質(zhì)材料。盡管氧化物或低熔點(diǎn)玻璃的摻加可以有效的降低陶瓷材料的燒結(jié)溫度，但由于對許多的微波介質(zhì)陶瓷材料而言，需摻加的添加劑量比較大，從而對材料的微波介電性能帶來了不同程度的損壞；采用化學(xué)合成方法則需要復(fù)雜的處理步驟，會大大增加微波介質(zhì)元器件的生產(chǎn)成本和時間。目前，總的說來，由于研究的介質(zhì)材料體系本身特性等原因，存在介電常數(shù)范圍窄、燒結(jié)溫度高、材料低溫化與介電性能不能兼?zhèn)洹㈦y與高電導(dǎo)的Ag或Cu等賤金屬或其合金進(jìn)行共燒等問題，真正產(chǎn)業(yè)化的低溫?zé)Y(jié)微波介質(zhì)陶瓷材料很少，阻礙了多層微波器件的發(fā)展。因此，研究開發(fā)本身具有低燒結(jié)溫度的材料體系并對其進(jìn)行低溫?zé)Y(jié)研究已經(jīng)引起了國內(nèi)外研究人員的極大興趣。Li20-Nb205-Ti02體系是一種燒結(jié)溫度比較低(U0(TC)的材料體系。2001年，Borisevich禾卩Davies等人研究報道了"M-相"LiHx.yNbLx.3yTix+4y03材料，發(fā)現(xiàn)其具有較高的介電常數(shù)、高的(^f值以及可調(diào)的諧振頻率溫度系數(shù)。最近，我們在該體系中發(fā)現(xiàn)了另一種具有Li2Ti03固溶體(Li2Ti03ss)結(jié)構(gòu)的LNT材(Li2+xNb3JV^03)，其具有相對較低的介電常數(shù)(S產(chǎn)1525)以及高的(^f值。由于這兩種材料具有相同的元素，以及燒結(jié)溫度都不高(1100°C)并且均具有優(yōu)異的微波介電性能，因此根據(jù)復(fù)合法則，可望在該體系中通過簡單復(fù)合這兩相陶瓷來調(diào)節(jié)出具有合適介電常數(shù)值的微波介電性能優(yōu)異的新型LNT陶瓷材料。將上述兩種陶瓷材料，艮卩"M-相"和Li2Ti03ss兩種材料進(jìn)行簡單的復(fù)合以調(diào)節(jié)其介電常數(shù)等微波介電性能的研究，目前還未見有類似的報道。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是從微波器件的多層片式化對微波介質(zhì)陶瓷材料的要求出發(fā)，提供一種可低溫?zé)Y(jié)的介電常數(shù)可調(diào)的復(fù)合微波介質(zhì)陶瓷及其制備方法，選擇固有燒結(jié)溫度低的Li20-Nb205-Ti02體系，在該體系中通過組分設(shè)計，將"M-相"和Li2Ti03ss兩相進(jìn)行復(fù)合以獲得具有可調(diào)的介電常數(shù)的微波介質(zhì)陶瓷。并且通過摻雜少量的低熔點(diǎn)氧化物B203，成功地降低其燒結(jié)溫度至90(TC左右，同時保持優(yōu)異的微波介電性能。此材料是一種極具價值的低溫?zé)Y(jié)微波介質(zhì)陶瓷材料。本發(fā)明提出的一種低溫?zé)Y(jié)的介電常數(shù)可調(diào)的復(fù)合微波介質(zhì)陶瓷材料，具體包括以下內(nèi)容①原料按下列配方進(jìn)行配料xLi1+a.bNb1.a.3bTia+4b03+(l-x)Liz+dNb^TiMdO"其中0<x<l,0.05<a<0.2,0<b<0.18，0<d<0.2;其最終結(jié)構(gòu)是Li2Ti03ss和M-相的復(fù)合結(jié)構(gòu)。②實(shí)驗(yàn)原料采用高純的Li2C03、Nb205和Ti02。將原料分別按LiHa.bNb!+3bTia+4b03(0.05<a<0.2，0<b<0.18)禾卩Li2+dNb3dTiMd03((Kd0.2)的化學(xué)配比進(jìn)行配料，按混合料與去離子水的重量比為1:13分別加入去離子水，濕式球磨法混合24~36h，100150。C烘干，分別裝入高鋁坩堝內(nèi)，在70(TC90(TC預(yù)燒5h8h，分別合成所需的主晶相。@預(yù)燒后粉料將上述分別預(yù)合成后的粉料按化11+;,-1，恥1_,1;1^1,0:,+(1-x)LiwNbJi,—4d03(0<x〈l)的配比進(jìn)行混合，加入0.015wt%B2O3或不加入B203，添加劑B203將在燒結(jié)過程中完全揮發(fā)，按混合料與乙醇的重量比為13，加入乙醇，在轉(zhuǎn)速為200-400r/min滾動磨混合18-36h，60-100°C烘干，加入5。/。PVA溶液，在60-100Mpa的壓力下壓制成小圓柱片，在840-950。C燒結(jié)，保溫l-4h，得到本發(fā)明材料。采用上述配方及工藝組成的本發(fā)明，可得到介電常數(shù)^在18~70之間，(^f值高(Q為品質(zhì)因數(shù))，諧振頻率溫度系數(shù)Tf小且可調(diào)，并且固有燒結(jié)溫度較低(1100°C)的新型微波介質(zhì)陶瓷材料。另外，通過摻雜少量的低熔點(diǎn)氧化物8203，在90(TC左右的燒結(jié)溫度下獲得了具有優(yōu)異微波介電性能的陶瓷材料。該發(fā)明材料是一種極具發(fā)展前途的材料，可望成為一種LTCC新材料。本發(fā)明具有以下特點(diǎn)①該LNT微波介質(zhì)陶瓷是一種具有特殊結(jié)構(gòu)且性能優(yōu)異的復(fù)合陶瓷材料。②這種LNT復(fù)合微波介質(zhì)陶瓷，其固有燒結(jié)溫度低(~IIO(TC)，燒結(jié)氣氛為空氣，壓力條件為常壓。③該陶瓷微波介電性能十分優(yōu)異介電常數(shù)(S。為18~70、Q*f值(Q為品質(zhì)因數(shù))高、小且可調(diào)；該微波介質(zhì)陶瓷材料的微波介電性能((^f值、諧振頻率溫度系數(shù)Tf以及介電常數(shù))可以通過簡單的調(diào)整兩相所占比例的方法而進(jìn)行有效的調(diào)節(jié)。④對這種固有燒結(jié)溫度低的材料摻雜少量的助燒劑，其燒結(jié)溫度可以降低至90(TC左右，同時保持優(yōu)異的微波介電性能。⑤本發(fā)明使用常用的設(shè)備，運(yùn)用簡單易行的工藝路線，材料成本低、工藝穩(wěn)定且簡單、重現(xiàn)性好，有利于工業(yè)化生產(chǎn)。⑥可以用來制備應(yīng)用于微波頻段、可集成化的多層片式濾波器、介質(zhì)諧振器等片式元件。圖1(a-d)分別示出了本發(fā)明實(shí)施例1-4中樣品在IIO(TC燒結(jié)的陶瓷X-Ray衍射圖。圖2實(shí)施例2中IIO(TC燒結(jié)的陶瓷材料的掃描電鏡照片。圖3(a-e)實(shí)施例5樣品(x=02，0.4，0.5，0.6，0.8)在1100°C燒結(jié)陶瓷的X-Ray衍射圖。圖4實(shí)施例5中x=0.5的陶瓷材料在IIO(TC燒結(jié)的掃描電鏡照片。圖5實(shí)施例6中90(TC燒結(jié)的B203摻雜的陶瓷材料掃描電鏡照片。具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述，但不僅限于下述實(shí)施例。實(shí)施例1本實(shí)驗(yàn)采用高純的Li2C03、地205和Ti02原料。將原料分別按配方組成中a=0.05,b=0.075;d=0.01的化學(xué)配比進(jìn)行配料，按混合料與去離子水的重量比為1:1.8分別加入去離子水，濕式球磨法混合24~36h，100150。C烘干，分別裝入高鋁坩堝內(nèi)，在700。C卯0。C預(yù)燒5h8h，分別合成所需的主晶相。將上述分別預(yù)合成后的粉料再按1:1的摩爾配比進(jìn)行混合，按混合料與酒精的重量比為1:1.2加入酒精，濕法球磨24h36h后出料、100150。C烘干，采用4%8%PVA造粒，在100200MPa的壓強(qiáng)下壓制成小圓片，在60070(TC排膠。未摻雜B203的陶瓷樣品放在氧化鋁坩堝內(nèi)在100(TC120(TC之間進(jìn)行燒結(jié)13h自然冷卻，即得到本發(fā)明材料。陶瓷樣品經(jīng)砂紙雙面磨平后待測試，用Hakki-Colemen圓柱介質(zhì)諧振法測試其介電性能(室溫)，其中諧振頻率溫度系數(shù)在25t:85"C范圍內(nèi)獲得。該組成材料在不同燒結(jié)溫度下的微波介電性能如表1。用X-Ray鑒定了在IIO(TC燒結(jié)的陶瓷片的物相組成(圖1(a)示出了該實(shí)施例1樣品在IIO(TC燒結(jié)陶瓷的X-Ray衍射圖)，從X-Ray圖中可看到陶瓷中Li2Ti03ss與M-相兩相的相對含量百分比仍基本保持在1:1。表l實(shí)施例1不同燒結(jié)溫度下的微波介電性能<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>實(shí)施例2本實(shí)驗(yàn)采用高純的Li2C03、Nb205和Ti02原料。將原料分別按a=0.05,b=0.05;d=0.03的化學(xué)配比進(jìn)行配料，按實(shí)施例1所描述的制備工藝，分別合成上述組成的主晶相。將上述分別預(yù)合成后的粉料再按l:l的摩爾配比進(jìn)行混合，采取與實(shí)施例1所描述的制備工藝，制備上述組成的陶瓷材料，陶瓷樣品經(jīng)砂紙雙面磨平后待測試。通過對微波性能的測試，該組成瓷料在不同燒結(jié)溫度下的微波介電性能如表2，并用X-Ray鑒定了樣品在IIO(TC燒結(jié)的陶瓷片的物相組成(附圖Kb)示出了該實(shí)施例2樣品在IIO(TC燒結(jié)陶瓷的X-Ray衍射圖)，XRD結(jié)果顯示該陶瓷中Li2Ti03sS和M-相兩相的比例仍然基本保持為l:1。110(TC燒結(jié)材料的顯微結(jié)構(gòu)照片見圖2。從圖2可以看到，該陶瓷材料具有特殊的結(jié)構(gòu)，可看到單一的板狀晶粒以及近軸狀的晶粒里面還存在有一特殊的片狀相間的類珠光體子結(jié)構(gòu)，右上角為這種特殊子結(jié)構(gòu)的放大照片。同時，對單一的板狀晶粒以及兩層片狀相間的晶粒成分進(jìn)行了EDS分析，結(jié)合XRD圖譜，可知該陶瓷材料中單一的板狀晶粒呈現(xiàn)出M-相結(jié)構(gòu)，另夕卜，M-相以及Li2Ti03Ss共同構(gòu)成片狀相間的類珠光體子結(jié)構(gòu)。表2實(shí)施例3不同燒結(jié)溫度下的微波介電性能<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>實(shí)施例3本實(shí)驗(yàn)采用高純的Li2C03、Nb20s和Ti02原料。將原料分別按a=0.05,b=0.1;d=0.07的化學(xué)配比進(jìn)行配料，按混合料與去離子水的重量比為1:1.8分別加入去離子水，濕式球磨法混合24~36h，100150°C烘干，分別裝入高鋁坩堝內(nèi)，在70(TC90(TC預(yù)燒5h8h，分別合成所需的主晶相。將上述分別預(yù)合成后的粉料再按l:l的摩爾配比進(jìn)行混合，按混合料與酒精的重量比為h1.2加入酒精，濕法球磨24h36h后出料、100150。C烘干，采用4%8%PVA造粒，在100~200MPa的壓強(qiáng)下壓制成小圓片，在60070(TC排膠。未摻雜B203的陶瓷樣品放在氧化鋁坩堝內(nèi)在100(TC120(TC之間進(jìn)行燒結(jié)13h自然冷卻，即得到本發(fā)明材料。陶瓷樣品經(jīng)砂紙雙面磨平后待測試，用Hakki-Colemen圓柱介質(zhì)諧振法測試其介電性能(室溫)，其中諧振頻率溫度系數(shù)在25°C85°C范圍內(nèi)獲得。該組成材料在不同燒結(jié)溫度下的微波介電性能如表3。圖l(c)示出了該實(shí)施例3樣品在IIO(TC燒結(jié)陶瓷的X-Ray衍射圖。根據(jù)XRD中兩相的主峰強(qiáng)度之比推斷出Li2TiCMs與M-相兩相的相對含量百分比仍為1:1，與配方中兩相的相對比例保持一致。表3實(shí)施例3不同燒結(jié)溫度下的微波介電性能<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>實(shí)施例4:本實(shí)驗(yàn)采用高純的Li2C03、Nb205和Ti02原料。將原料分別按a=0.1，b=0.1;d=1.2的化學(xué)配比進(jìn)行配料，按實(shí)施例1所描述的制備工藝，分別合成上述組成的主晶相。將上述分別預(yù)合成后的粉料再按1:1的摩爾配比進(jìn)行混合，采取與實(shí)施例1所描述的制備工藝，制備上述組成的陶瓷材料，陶瓷樣品經(jīng)砂紙雙面磨平后待測試。表四列出了該組成瓷料在不同燒結(jié)溫度下的微波介電性能。圖1(d)示出了樣品在IIO(TC燒結(jié)的陶瓷片的物相組成，根據(jù)XRD中兩相的主峰強(qiáng)度之比可推斷出Li2Ti03ss與M-相兩相的相對含量百分比大致為1:表4實(shí)施例4不同燒結(jié)溫度下的微波介電性能<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>實(shí)施例5本實(shí)驗(yàn)采用高純的Li2C03、Nb20s和Ti02原料。將原料分別按a=0.1，b=0.1;d=0.09的化學(xué)配比進(jìn)行配料，按實(shí)施例1所描述的制備工藝，分別合成上述組成的主晶相。將上述分別預(yù)合成后的粉料再按x:(l-x)(其中x=0.2，0.4，0.5，0.6，0.8)的摩爾配比進(jìn)行簡單混合，采取與實(shí)施例1所描述的制備工藝，制備上述組成的陶瓷材料，陶瓷樣品經(jīng)砂紙雙面磨平后待測試。通過對微波性能的測試，該組成瓷料在不同燒結(jié)溫度下的微波介電性能如表2?？梢姡沾傻慕殡姵?shù)、(^f值以及頻率溫度系數(shù)值都可以通過調(diào)節(jié)陶瓷中兩相所占的比例(x值)而進(jìn)行調(diào)節(jié)。用X-Ray鑒定了各樣品在IIO(TC燒結(jié)的陶瓷片的物相組成(圖3(a-e)示出了該實(shí)施例2樣品(x=0.2，0.4，0.5，0.6，0.8)在1100。C燒結(jié)陶瓷的X-Ray衍射圖)，XRD結(jié)果顯示該陶瓷均由Li2Ti03ss和M-相兩相構(gòu)成，且兩相的主峰強(qiáng)度比值隨著x值的不同而相應(yīng)發(fā)生變化。IIO(TC燒結(jié)的陶瓷材料(x=0.5)的顯微結(jié)構(gòu)照片見圖4。從圖4可以看到，該復(fù)合陶瓷材料也具有與實(shí)施例2陶瓷樣品中相類似的顯微結(jié)構(gòu)。表5實(shí)施例2不同燒結(jié)溫度下的微波介電性富<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>實(shí)施例6本實(shí)驗(yàn)采用高純的Li2C03、Nb20s和Ti02原料。將原料分別按a=0.1，b=0.1;d=0.09的化學(xué)配比進(jìn)行配料，按實(shí)施例1所描述的制備工藝，分別合成上述組成的主晶相。將上述分別預(yù)合成后的粉料按4:6的摩爾配比進(jìn)行混合，并在預(yù)合成的粉料中添加lwt%B203。按混合料與酒精的重量比為l:1.2加入酒精，濕法球磨24h36h后出料、10015(TC烘干，采用4%8%PVA造粒，在100200MPa的壓強(qiáng)下壓制成小圓片，在60070(TC排膠。摻雜B203的陶瓷樣品放在氧化鋁坩堝內(nèi)在84(TC95(TC之間進(jìn)行燒結(jié)25h，自然冷卻，即得到本發(fā)明材料。用X-Ray鑒定了樣品在90(TC燒結(jié)的陶瓷片的物相組成，從XRD圖譜看，該B203摻雜的陶瓷具有與未摻雜陶瓷相同的相結(jié)構(gòu)，其仍為Li2Ti03ss與"M-相"兩相復(fù)合結(jié)構(gòu)。90(TC燒結(jié)的陶瓷材料的顯微結(jié)構(gòu)照片見圖5。從圖5可以看到，摻雜B203后，陶瓷的顯微結(jié)構(gòu)發(fā)生了較大的變化，出現(xiàn)在未摻雜陶瓷中的由Li2Ti03ss與"M-相，，構(gòu)成的片狀相間的類珠光體子結(jié)構(gòu)已經(jīng)完全轉(zhuǎn)變成分離的Li2Ti03ss(深顏色的晶粒)與"M-相"(淺顏色的晶粒)。陶瓷樣品經(jīng)砂紙雙面磨平后待測試。該摻雜B203的瓷料在不同燒結(jié)溫度下的微波介電性能如表六。從表六可見，摻雜B203進(jìn)行低溫?zé)Y(jié)后，燒結(jié)溫度成功地降低至900°C左右，同時保持優(yōu)良的微波介電性能，該實(shí)施例中900。C燒結(jié)的樣品，其介電常數(shù)為42.5，Qxf值為5369GHz，諧振頻率溫度系數(shù)Tf為3.97ppm/°C。表6實(shí)施例6不同燒結(jié)溫度下的微波介電性能<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>權(quán)利要求1、復(fù)合微波介質(zhì)陶瓷材料，其特征在于其化學(xué)組成為xLi1+a-bNb1-a-3bTia+4bO3+(1-x)Li2+dNb3dTi1-4dO3，其中0＜x＜1，0.05＜a＜0.2，0＜b＜0.18，0＜d＜0.2；其結(jié)構(gòu)為ss相Li2TiO3固溶體和M-相Li2TiO3固溶體的復(fù)合結(jié)構(gòu)。2、一種如權(quán)利要求1所述復(fù)合微波介質(zhì)陶瓷材料的制備方法，其特征在于將原料配料，并經(jīng)過球磨、烘干、研磨、合成、成型、排膠及燒結(jié)，制成陶瓷，其特征在于包括以下步驟(1)選用Li2C03、Nb20^tlTi02為原料，分別按xLUh—:!hTi』3+(1-x)Li2+dNb3dTi卜4A，其中0〈x〈1，0.05〈a<0.2，0<b〈0.18，0〈d〈0.2;按混合料與去離子水的重量比為1:13分別加入去離子水，濕式球磨法混合，烘干，分別裝入高鋁坩堝內(nèi)，在70(TC90(TC預(yù)燒5h8h，分別合成所需的主晶相。(2)將上述分別預(yù)合成后的粉料按xLih—hNb卜a-:iJia+4b0:s+(l-x)Li2+dNb3JiHd03，0〈x<l的配比進(jìn)行混合，并在其中加入0.015wt.%的8203，按混合料與酒精的重量比為1:13加入酒精，濕法球磨，烘干，采用4G/o8y。PVA造粒，壓制成小圓片，排膠，將陶瓷樣品放在氧化鋁坩堝內(nèi)燒結(jié)，自然冷卻。3、一種如權(quán)利要求1所述復(fù)合微波介質(zhì)陶瓷材料的制備方法，其特征在于將原料配料，并經(jīng)過球磨、烘干、研磨、合成、成型、排膠及燒結(jié)，制成陶瓷，其特征在于包括以下步驟(l)選用Li2C03、Nb20^PTi02為原料，分別按xLi1+a—bNVa—:,Jia+4b0:i+a-x)Li2化Nb3dTi卜4d03，其中0〈x〈1，0.05<a<0.2，0〈b〈0.18，0<d〈0.2;按混合料與去離子水的重量比為1:13分別加入去離子水，濕式球磨法混合，烘干，分別裝入高鋁坩堝內(nèi)，在70(TC90(TC預(yù)燒5h8h，分別合成所需的主晶相。(2)將上述分別預(yù)合成后的粉料按乂1^1+^恥[^0^1遞0:,+(l-x)Li2+dNb3jiHdO:,，0〈x〈1的配比進(jìn)行混合，按混合料與酒精的重量比為1:13加入酒精，濕法球磨，烘干，采用4%8%PVA造粒，壓制成小圓片，排膠，將陶瓷樣品放在氧化鋁坩堝內(nèi)在1000℃1200℃之間進(jìn)行燒結(jié)l3h，自然冷卻。4、按權(quán)利要求2所述的復(fù)合微波介質(zhì)陶瓷材料的制備方法，其特征在于燒結(jié)條件為840℃950℃燒結(jié)25h。5、按權(quán)利要求3所述的復(fù)合微波介質(zhì)陶瓷材料的制備方法，其特征在于燒結(jié)條件為1000℃1200℃燒結(jié)13h。6、一種如權(quán)利要求1所述復(fù)合微波介質(zhì)陶瓷材料適用于賤金屬內(nèi)電極的片式元件。全文摘要本發(fā)明涉及一種復(fù)合微波介質(zhì)陶瓷材料，屬介質(zhì)陶瓷領(lǐng)域。該微波介質(zhì)陶瓷是Li₂O-Nb₂O₅-TiO₂系材料，其由Li₂TiO₃固溶體(Li₂TiO₃ss相)和M-相固溶體兩相構(gòu)成。這種材料的組成為xLi_1+a-bNb_1-a-3bTi_a+4bO₃+(1-x)Li_2+dNb_3dTi_1-4dO₃，其中0＜x＜1，0.05＜a＜0.2，0＜b＜0.18，0＜d＜0.2；將原料按傳統(tǒng)工藝制備，即得到本發(fā)明材料。本發(fā)明的復(fù)合微波介質(zhì)陶瓷，其燒結(jié)溫度低(～1100℃)，并且微波介電性能優(yōu)異，其具有可調(diào)的介電常數(shù)(ε_r為18～70)，高的Q*f值以及較低的諧振頻率溫度系數(shù)(τ_f)；適用于賤金屬內(nèi)電極的片式元件。文檔編號C04B35/462GK101164968SQ200710046738公開日2008年4月23日申請日期2007年9月30日優(yōu)先權(quán)日2007年9月30日發(fā)明者施劍林,群曾,蔚李,郭景坤申請人:中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所