一種微波介質(zhì)陶瓷及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種微波介質(zhì)陶瓷及其制備方法。微波介質(zhì)陶瓷包括主晶相，主晶相的化學表達式為Zr0.6Sn0.1(Co1/3Nb2/3)0.3TiO4。經(jīng)實驗表明，本發(fā)明提供的微波介質(zhì)陶瓷材料具有良好的微波介電性能：介電常數(shù)εr＝40～42，且在此范圍內(nèi)可調(diào)節(jié)；品質(zhì)因數(shù)Q*f＝50000GHz～62000GHz；頻率溫度系數(shù)τf＝+3.6～+12.3×10?6/℃范圍內(nèi)可調(diào)節(jié)，溫度特性穩(wěn)定。本發(fā)明提供的微波介質(zhì)陶瓷制備方法燒結(jié)溫度較低，節(jié)約了能源成本，符合低碳環(huán)保理念。同時制備工藝簡單，無需特殊設(shè)備和苛刻工藝條件，適合工業(yè)化生產(chǎn)。
【專利說明】
一種微波介質(zhì)陶瓷及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明屬于電子材料與元器件領(lǐng)域，尤其涉及一種微波介質(zhì)陶瓷及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 微波介質(zhì)材料是最近20年來迅速發(fā)展起來的一種新型功能電子陶瓷材料。它是濾 波器、雙工器、諧振器及介質(zhì)波導(dǎo)回路等微波器件中的關(guān)鍵材料，被廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通信、 移動通信、電子對抗及機載通信等微波通信設(shè)備中，是當前介質(zhì)材料的熱點之一。
[0003] Zn).8SnQ.2Ti04陶瓷作為一種傳統(tǒng)的微波介質(zhì)材料，在毫米波頻段具有中介電常數(shù) (e r~40)、高的品質(zhì)因數(shù)Q*f、近零的諧振頻率溫度系數(shù)Tf等微波介電性能，但存在燒結(jié)溫度 高(高于1400°C)，制備過程能耗大，不符合低碳環(huán)保的理念，品質(zhì)因數(shù)Q* f偏低等的缺點。
[0004] 隨著移動通訊技術(shù)不斷發(fā)展，對微波器件的小型化和高品質(zhì)提出更高的要求，這 就要求微波介質(zhì)陶瓷介質(zhì)材料應(yīng)滿足以下要求：（1)具有適的中介電常數(shù)(2)高品質(zhì)因 數(shù)Q* f; (3)溫度系數(shù)Tf近零；（4)低碳節(jié)能。因此本領(lǐng)域有必要提供一種微波介電性能較好且 價格較低的微波介質(zhì)陶瓷及其制備方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 有鑒于此，一種微波介質(zhì)陶瓷，其特征在于：包括主晶相，所述主晶相的化學表達 式為 Zr〇.6Sn〇.i(C〇i/3Nb2/3)o.3Ti〇4〇
[0006] 優(yōu)選地，還包括改性添加劑，所述的改性添加劑為W03和V2O5。
[0007] 優(yōu)選地，所述的W〇3與主晶相的質(zhì)量比為0.01~0.05:1;所述的v2〇5與主晶相的質(zhì) 量比為0.005~0.02:1。
[0008] 本發(fā)明還提供了一種微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，包括以下步驟：
[0009] (1)按照主晶相的化學表達式的化學計量比取Zr〇2、Sn〇2、CoO、Nb2〇5、Ti〇2后進行第 一次球磨或沙磨制得第一混合物；
[0010] (2)將第一混合物置于干燥箱內(nèi)烘干后過篩；
[0011] (3)將所述的第一混合物過篩后進行預(yù)燒得到粉料；
[0012] (4)將所述的粉料加入改性添加劑后進行第二次球磨或沙磨混合均勻得到第二混 合物；
[0013] (5)將第二混合物置于干燥箱內(nèi)烘干后過篩；
[0014] (6)將所述的第二混合物過篩后加入粘合劑造粒、壓制成型后制得生培。
[0015] (7)燒結(jié)生培得到微波介質(zhì)陶瓷。
[0016] 優(yōu)選地，所述的步驟(1)中，第一次球磨或沙磨時間為8~16小時。
[0017]優(yōu)選地，所述的步驟(4)中，第二次球磨或沙磨時間為8~24小時。
[0018]優(yōu)選地，所述的步驟(3)中，第一混合物過篩后進行800°C~1000°C預(yù)燒得到粉料。 [0019]優(yōu)選地，所述的步驟(7)中，于1200°C~1300°C燒結(jié)生培得到微波介質(zhì)陶瓷。
[0020]優(yōu)選地，所述步驟(1)中，第一次球磨或沙磨制的第一混合物中粒子的中位粒徑為 3 ~5μπι〇
[0021] 優(yōu)選地，所述的步驟(4)中第二次球磨或沙磨制的第二混合物中粒子的中位粒徑 為1~2μηι〇
[0022] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明制備得到的微波介質(zhì)陶瓷材料以下優(yōu)勢：
[0023] (1)具有良好的微波介電性能：介電常數(shù)^ = 40~42,且在此范圍內(nèi)可調(diào)節(jié)；品質(zhì) 因數(shù)Q*f = 50000~62000GHz ;頻率溫度系數(shù)Tf = +3 · 6~+12 · 3 X 10-6/°C范圍內(nèi)可調(diào)節(jié)，溫度 特性穩(wěn)定；
[0024] (2)本發(fā)明制備過程中燒結(jié)溫度較低，節(jié)約了能源成本，符合低碳環(huán)保理念；
[0025] (3)本發(fā)明制備工藝簡單，無需特殊設(shè)備和苛刻工藝條件，適合工業(yè)化生產(chǎn)。
[0026] 由此可知，本發(fā)明提供的微波介質(zhì)陶瓷材料具有廣泛的應(yīng)用前景。
【附圖說明】
[0027]圖 1 為Zr().6Sn().1(Co1/3Nb 2/3)().3Ti04微波介質(zhì)陶瓷的SEM圖。
【具體實施方式】
[0028] 下面結(jié)合具體實施例的方式對本發(fā)明的權(quán)利要求做進一步的詳細說明，在下面的 描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描 述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進，因 此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。
[0029] 本發(fā)明提供了一種微波陶瓷介質(zhì)材料，一實施方式的微波陶瓷介質(zhì)材料包括主晶 相，主晶相的化學表達式為Zr〇.6Sru).i(Coi/3Nb2/3)().3Ti〇4。
[0030] 上述，微波介質(zhì)陶瓷除了屬離子型晶體結(jié)構(gòu)多晶材料外，往往還是復(fù)相材料，通常 由主晶相，一個或多個雜項，氣孔等組成。
[0031] 其中，主晶相中Ti4+、Zr4+、C〇3+離子的存在與微波介質(zhì)陶瓷的高介電常數(shù)相關(guān)，再 者通過調(diào)節(jié)Sn 4+的含量可以使頻率溫度系數(shù)調(diào)節(jié)為零。
[0032] 需要理解的是，結(jié)構(gòu)及組分簡單的鈮酸鹽是近年來開發(fā)的新型微波介質(zhì)陶瓷材 料，所有的鈮酸鹽都是鈮鐵礦結(jié)構(gòu)，并且if為負值。
[0033] 優(yōu)選地，還包括改性添加劑，所述的改性添加劑為W03和V205。
[0034] 上述，加入氧化劑W03和V205 ,能夠降低微波介質(zhì)陶瓷的介電損耗，同時上述，利用 摻加改性添加劑W〇3和V2〇5實現(xiàn)微波介質(zhì)陶瓷的低溫燒結(jié)，較為經(jīng)濟、有效。W〇3和V 2〇5均屬于 熔點較低的氧化物，燒結(jié)時產(chǎn)生的液相加速了顆?；蚓Я５闹嘏?，從而降低了燒結(jié)溫度，即 形成活性液相燒結(jié)?；钚砸合酂Y(jié)時由于顆粒之間存在的液相從而產(chǎn)生了巨大的毛細管 力，使得顆粒發(fā)生滑移和重排，同時液相所產(chǎn)生的毛細管力也會引起固相顆粒的溶解-淀析 過程，使較小的顆粒溶解，較大的顆粒長大。在顆粒接觸點，較大毛細管力使固相溶解度增 高，物質(zhì)便由高溶解度區(qū)迀移至低溶解度區(qū)，從而使接觸區(qū)的顆粒漸趨平坦而互相靠近，使 坯體收縮而達致密化，進行較為致密的燒結(jié)，減少了氣孔，降低了燒結(jié)溫度，從而進行低溫 燒結(jié)。
[0035] 優(yōu)選地，所述的W〇3與主晶相的質(zhì)量比為0.01~0.05:1;所述的V2〇5與主晶相的質(zhì) 量比為0.005~0.02:1。
[0036] 在高溫過程中陶瓷內(nèi)部分Ti4+還原為Ti3+，其中，上述微波介質(zhì)陶瓷通過摻雜W6+離 子和V 5+離子吸引自由電子將其變?yōu)榫o束縛的電子，可以抑制Ti離子的還原，防止在燒結(jié)過 程中由于氧氣不足，從而導(dǎo)致介電損耗增加，微波介質(zhì)陶瓷的介電性能惡化。
[0037] 上述，復(fù)相材料的介電常數(shù)變化服從對數(shù)混合規(guī)則，控制雜項含量，特別是減少氣 孔含量，使陶瓷樣品燒結(jié)致密顯得尤為重要。
[0038] 改性添加劑的用量過高時，陶瓷在燒結(jié)過程中產(chǎn)生的液相會更多，促進晶粒生長 的同時也會導(dǎo)致個別晶粒異常長大，晶粒尺寸均勻性變差，出現(xiàn)大量孔洞，反而不利于密度 的提高，即當液相量超過最佳含量也不再利于致密化過程了。
[0039]經(jīng)實驗證明，上述微波介質(zhì)陶瓷材料具有較好的介電性能，介電常數(shù)er = 40~42， 且在此范圍內(nèi)可調(diào)節(jié)；品質(zhì)因數(shù)Q*f = 50000~62000GHz;頻率溫度系數(shù)Tf = +3.6~+12.3 X 1(T6/°C范圍內(nèi)可調(diào)節(jié)，溫度特性穩(wěn)定。
[0040]本發(fā)明還提供了一種微波介質(zhì)陶瓷材料的制備方法，包括以下步驟：
[0041 ] 步驟（1):按照主晶相的化學表達式的化學計量比取Zr〇2、Sn〇2、CoO、Nb2〇5、Ti〇2后 進行第一次球磨或沙磨制得第一混合物。
[0042] 上述，步驟（1)中以純度大于99 %的Zr02、Sn02、CoO、Nb2〇5、Ti0 2為初始原料;放入球 磨機中球磨。
[0043] 第一次球磨的目的是為了使粉料細化并混合均勻。
[0044] 優(yōu)選地，初始原料放入聚酯罐中，加入去離子水，加入鋯球，在行星式球磨機上球 磨若干小時，轉(zhuǎn)速為300~800轉(zhuǎn)/分。
[0045] 可以理解的是，去離子水還可以為酒精。
[0046] 優(yōu)選地，初始原料、鋯球、去離子水(酒精)的體積比為1:5:0.7~1.5。
[0047] 所述的行星式研磨機由球磨罐、罐座、轉(zhuǎn)盤、固定帶輪和電動機等組成，在轉(zhuǎn)盤上 有四個球磨罐，當轉(zhuǎn)盤轉(zhuǎn)動時，球磨罐隨轉(zhuǎn)盤圍繞同一軸心即中心軸作行星式運動，罐中磨 料在高速運動中研磨和混合被淹沒的原料。該種球磨罐轉(zhuǎn)速快，球磨效率高，結(jié)構(gòu)緊湊，操 作方便，密封取樣，安全可靠，噪聲低，無污染，無損耗。
[0048]當然可以理解的是，還可以采用其他的球磨方式以及其他的混磨機。
[0049] 需要了解的是，利用高純原料，能夠降低粉料粒徑，制備比表面積大、活性高的純 超細粉末，可以增大燒結(jié)動力，促進活性燒結(jié)，從而有效的降低燒結(jié)溫度。
[0050] 步驟(2):將第一混合物置于干燥箱內(nèi)烘干后過篩；
[00511優(yōu)選地，球磨后的初始原料放入干燥箱中，于100~120 °C烘干，然后過40目篩，過 篩后的初始原料分散均勻，便于預(yù)燒。
[0052] 步驟(3):將所述的第一混合物過篩后進行預(yù)燒得到粉料；
[0053] 上述，預(yù)燒的目的是為了讓原始氧化物進行初步的反應(yīng)，并能大部分形成所需的 主體晶相，利用主晶相，減少瓷料的收縮變形，改變原料的結(jié)構(gòu)以利于成型和燒結(jié)，從而改 善陶瓷的介電性能，以保證最終產(chǎn)品的質(zhì)量。
[0054]避免了成型后直接燒結(jié)時，陶瓷收縮率大，陶瓷易發(fā)生形變開裂等。
[0055] 優(yōu)選地，預(yù)燒后得到的粉料，保溫2~6小時。
[0056] 步驟(4):將所述的粉料加入改性添加劑后進行第二次球磨或沙磨混合均勻得到 第二混合物；
[0057] 前述，改性添加劑主要對微波介質(zhì)陶瓷介電性能的主要三個參數(shù)介電常數(shù)、品質(zhì) 因數(shù)和諧振頻率溫度系數(shù)進行改善和優(yōu)化。微波介質(zhì)陶瓷主要由晶相、晶界、氣孔等組成， 屬于離子型結(jié)構(gòu)的多晶材料。陶瓷材料密度的升高與單位體積內(nèi)粒子數(shù)的增加可以提高介 電常數(shù)。降低氣孔率，陶瓷體樣品燒結(jié)過程中會形成許多氣孔，這正是降低材料密度導(dǎo)致介 電常數(shù)下降的重要原因之一。
[0058] 另一種對陶瓷材料的宏觀調(diào)控介電常數(shù)的方法是可以選用不同半徑大小、不同極 化率的離子，通過對其主相的A位、B位進行離子置換，從而使晶胞體積與極化率發(fā)生改變。 陶瓷材料的第二相也同樣會影響介電常數(shù)的變化，所以控制第二相的生成量也是重要考慮 的因素之一。
[0059]經(jīng)試驗證實W03、V205具有改善微波陶瓷介質(zhì)材料的介電性能、降低燒結(jié)溫度的作 用。
[0060]再者，步驟(4)中第二次球磨使得，預(yù)燒粉料與改性添加劑混勻并細化，在預(yù)燒后 的粉料中很可能還存在沒有固相反效完全的初始原料，這時再一次球磨，促使中間過程物 或者初始原料提供了增大了反應(yīng)的機會。
[0061 ]若沒有預(yù)燒后的二次球磨過程，將導(dǎo)致晶粒較大并且大小不均，也影響了陶瓷燒 結(jié)過程的晶粒重排和致密化。
[0062] 步驟(5)中，將第二混合物置于干燥箱內(nèi)烘干后過篩；
[0063] 上述，優(yōu)選地，球磨后的粉料與改性添加劑以及燒結(jié)助劑的混合物放入干燥箱中， 于100~120 °C烘干，而后過40目篩，分散均勻。
[0064] 步驟(6)中，將所述的第二混合物過篩后加入粘合劑造粒、壓制成型后燒結(jié)得到微 波介質(zhì)陶瓷。
[0065] 上述，造粒是壓制成型的一個先行工藝；因為陶瓷粉料較為細小，而粉粒越細，表 面活性越大，則其表面吸附的氣體也就越多，因而其堆積密度也越小，所以要加上粘合劑提 高干壓后的坯體密度。可以理解的是，加入粘合劑的量應(yīng)當適量，過少則成型困難，過多則 會降低樣品的致密度，影響其性能。
[0066] 膠黏劑可以為聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol，PVA)、石蠟或酚醛清漆。可以理解， 在實際應(yīng)用中，膠黏劑也可以為其他類型的膠黏劑。
[0067] 優(yōu)選地，粘合劑采用質(zhì)量百分比為8%~10%的聚乙稀醇（Polyvinyl alcohol， PVA)溶液，作為粘合劑進行造粒，造粒后過80目篩，用粉末壓片機以4MPa的壓力制成生坯， 生還直徑為l〇mm，厚度為5mm。
[0068] 優(yōu)選地，粘合劑采用質(zhì)量百分比為8%聚乙稀醇(Polyvinyl alcohol，PVA)溶液。
[0069]優(yōu)選地，第二混合物加入粘合劑造粒后過80目篩。
[0070]優(yōu)選地，生培在一定溫度下排膠。
[0071 ]可以理解的是，排膠時升溫不宜過快，造成生培內(nèi)存在氣孔。
[0072]優(yōu)選地，將生坯在600 °C排膠4h，然后按照3~5°C/min的速率升至燒結(jié)時所需的溫 度保溫若干小時。
[0073]步驟(7)中：于1200°C~1300°C燒結(jié)生培得到微波介質(zhì)陶瓷。
[0074]當提高燒結(jié)溫度時，微波介質(zhì)陶瓷，Q*f值先增加，然后開始下降或者飽和的。
[0075]優(yōu)選地，燒結(jié)后制得的微波介質(zhì)陶瓷應(yīng)隨燒結(jié)爐冷卻。
[0076]綜上所述，本發(fā)明提供微波介質(zhì)陶瓷的制備方法包括步驟（1)~步驟(7);利用固 相反應(yīng)法，將初始原料按照預(yù)定配比用物理的方法混合均勻，經(jīng)預(yù)燒后，添加改性添加劑改 善了主晶相的晶體結(jié)構(gòu)，同時提高了燒結(jié)生培時晶體內(nèi)的致密度，減少氣孔，從而實現(xiàn)了步 驟(7)中的燒結(jié)為低溫液相燒結(jié)，降低了固相反應(yīng)法中的燒結(jié)溫度。該方法工藝十分成熟、 簡單、成本低廉、便于工業(yè)化生產(chǎn)，為工業(yè)化生產(chǎn)的首選方法。
[0077]優(yōu)選地，所述的步驟(1)中，第一次球磨或沙磨時間為8~16小時。
[0078] 上述，優(yōu)選地，第一次球磨時間為6~14小時，球磨機轉(zhuǎn)速為300~800轉(zhuǎn)/分。
[0079] 優(yōu)選地，將初始原料放入聚酯罐中，加入去離子水，加入鋯球，在行星式球磨機上 第一次球磨10小時，轉(zhuǎn)速為400轉(zhuǎn)/分。
[0080] 優(yōu)選地，所述的步驟(4)中，第二次球磨或沙磨時間為8~24小時。
[0081 ] 上述，優(yōu)選地，第二次球磨時間為8~18小時，球磨機轉(zhuǎn)速為300~800轉(zhuǎn)/分。
[0082]優(yōu)選地，將粉料和改性添加劑放入聚酯罐中，加入去離子水，加入鋯球，在行星式 球磨機上球磨16小時，轉(zhuǎn)速為400轉(zhuǎn)/分。
[0083]優(yōu)選地，所述的步驟(3)中，第一混合物過篩后進行800°C~1000°C預(yù)燒得到粉料。
[0084] 上述，預(yù)燒溫度不宜過高，預(yù)燒溫度過高，預(yù)燒粉料的團聚嚴重，難以進行二次球 磨。預(yù)燒溫度過低則會影響陶瓷燒結(jié)過程的晶粒重排和致密化。
[0085] 預(yù)燒過程，可以有效改善混合粉末的成分的結(jié)構(gòu)，保證制備的產(chǎn)品的體積穩(wěn)定性 和外形尺寸的準確性，提尚廣品的性能。
[0086] 再者，預(yù)燒后過篩可以將預(yù)燒粉末進行有效地分散，從而可以縮短第二次球磨或 研磨的時間。
[0087] 優(yōu)選地，所述的步驟(3)中，第一混合物過篩后進行1000°C預(yù)燒后的粉料，保溫4小 時。
[0088]優(yōu)選地，所述的步驟(7)中，于1200°C~1300°C燒結(jié)生培得到微波介質(zhì)陶瓷。
[0089] 上述，燒結(jié)溫度應(yīng)控制在一定范圍內(nèi)，燒結(jié)溫度過低，晶粒長大速度過慢，甚至無 法長大。隨著燒結(jié)溫度提高晶粒明顯長大，粒界間隙減少，晶粒發(fā)育充分，表面氣孔率降低。 但燒結(jié)溫度過高時，晶粒將出現(xiàn)異常長大，表面氣孔率升高，晶粒生長的均勻性、一致性下 降。同時，過大的晶粒當中位錯、氧空位等缺陷出現(xiàn)的幾率增加，導(dǎo)致了 Q*f值迅速下降。
[0090] 因此過高和過低燒結(jié)溫度都會影響晶粒的正常生長。
[0091 ]優(yōu)選地，所述步驟(1)中，第一次球磨或沙磨制的第一混合物中粒子的中位粒徑為 3 ~5ym〇
[0092] 優(yōu)選地，所述的步驟(4)中第二次球磨或沙磨制的第二混合物中粒子的中位粒徑 為1~2μηι〇
[0093] 上述，球磨或研磨后混合中粒子的中位粒徑應(yīng)屬于微米級別，需要了解的是，利用 高純原料，降低粉料粒徑，制備比表面積大、活性高的純超細粉末，可以增大燒結(jié)動力，促進 活性燒結(jié)，從而有效的降低燒結(jié)溫度。
[0094]以下，通過具體實施例進一步闡述。
[0095]具體實施例及相關(guān)工藝參數(shù)詳見表1。
[0096] W03與主晶相的質(zhì)量比為0.01~0.05:1;所述的V2〇5與主晶相的質(zhì)量比為0.005~ 0.02:1。
[0097] 表 1
[0098]
[0099] 具體實施例的相關(guān)微波介電性能的測試結(jié)果詳見表2。
[0100] 表2
[0102] 上述實施例1~實施例10制備得到的微波介質(zhì)陶瓷具有良好的微波介電性能:介 電常數(shù)er = 40~42,且在此范圍內(nèi)可調(diào)節(jié)；品質(zhì)因數(shù)Q*f = 50000~62000GHz;頻率溫度系數(shù) 1￡ = +3.6~+12.3\10^6/°〇范圍內(nèi)可調(diào)節(jié)，溫度特性穩(wěn)定。
[0103] 以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并 不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員 來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保 護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。
【主權(quán)項】
1. 一種微波介質(zhì)陶瓷，其特征在于:包括主晶相，所述主晶相的化學表達式為Zro.sSno.i (C〇l/3Nb2/3 ) 0. 3T1O4 O2. 如權(quán)利要求1所述的微波介質(zhì)陶瓷，其特征在于:還包括改性添加劑，所述的改性添 加劑為WO3和V2O 5。3. 如權(quán)利要求2所述的微波介質(zhì)陶瓷，其特征在于:所述的WO3與主晶相的質(zhì)量比為0.01 ~0.05:1;所述的V 2O5與主晶相的質(zhì)量比為0.005~0.02:1。4. 一種如權(quán)利要求1所述的微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于： (1) 按照主晶相的化學表達式的化學計量比取2池、51102、(：〇0、他20 5、1102后進行第一次 球磨或沙磨制得第一混合物； (2) 將第一混合物置于干燥箱內(nèi)烘干后過篩； (3) 將所述的第一混合物過篩后進行預(yù)燒得到粉料； (4) 將所述的粉料加入改性添加劑后進行第二次球磨或沙磨混合均勻得到第二混合 物； (5) 將第二混合物置于干燥箱內(nèi)烘干后過篩； (6) 將所述的第二混合物過篩后加入粘合劑造粒、壓制成型后燒結(jié)得到微波介質(zhì)陶瓷。 (7) 燒結(jié)生培得到微波介質(zhì)陶瓷。5. 如權(quán)利要求4所述的微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于:所述的步驟（1)中，第一 次球磨或沙磨時間為8~16小時。6. 如權(quán)利要求4所述的微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于:所述的步驟(4)中，第二 次球磨或沙磨時間為8~24小時。7. 如權(quán)利要求4所述的微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于:所述的步驟(3)中，第一 混合物過篩后進行800°C~1000°C預(yù)燒得到粉料。8. 如權(quán)利要求4所述的微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于:所述的步驟（7)中，于 1200 °C~1300 °C燒結(jié)生培得到微波介質(zhì)陶瓷。9. 如權(quán)利要求4所述的微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中，第一次 球磨或沙磨制的第一混合物中粒子的中位粒徑為3~5μηι。10. 如權(quán)利要求4所述的微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于，所述的步驟(4)中第二 次球磨或沙磨制的第二混合物中粒子的中位粒徑為1~2μπι。
【文檔編號】C04B35/622GK105884351SQ201610226990
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年4月13日
【發(fā)明人】張少林, 崔立成, 周志鵬
【申請人】蘇州子波電子科技有限公司