一種微波介質(zhì)陶瓷及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種微波介質(zhì)陶瓷及其制備方法。微波介質(zhì)陶瓷包括主晶相，主晶相的化學表達式為Zr1?x(Zn1/3Ta2?y/3Vy/3)xTiO4，其中：0.2≤x≤0.5，0.5≤y≤1。經(jīng)實驗表明，本發(fā)明提供的微波介質(zhì)陶瓷材料具有良好的微波介電性能：介電常數(shù)εr＝36～40，且在此范圍內(nèi)可調(diào)節(jié)；品質(zhì)因數(shù)Q*f＝40000GHz～55000GHz；頻率溫度系數(shù)τf＝?15.5～+8.5×10?6/℃范圍內(nèi)可調(diào)節(jié)，溫度特性穩(wěn)定。本發(fā)明提供的微波介質(zhì)陶瓷制備方法燒結(jié)溫度較低，節(jié)約了能源成本，符合低碳環(huán)保理念。同時制備工藝簡單，無需特殊設(shè)備和苛刻工藝條件，適合工業(yè)化生產(chǎn)。
【專利說明】
一種微波介質(zhì)陶瓷及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明屬于電子材料與元器件領(lǐng)域，尤其涉及一種微波介質(zhì)陶瓷及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 微波介質(zhì)材料是最近20年來迅速發(fā)展起來的一種新型功能電子陶瓷材料。它是濾 波器、雙工器、諧振器及介質(zhì)波導回路等微波器件中的關(guān)鍵材料，被廣泛應用于衛(wèi)星通信、 移動通信、電子對抗及機載通信等微波通信設(shè)備中，是當前介質(zhì)材料的熱點之一。
[0003] Zr〇.8Sn〇.2Ti〇4陶瓷作為一種傳統(tǒng)的微波介質(zhì)材料，微波波段為_米波段(波長范 圍：1~IOmm)時，具有中介電常數(shù)40)、高的品質(zhì)因數(shù)Q*f、近零的諧振頻率溫度系數(shù)Tf 等微波介電性能，但存在燒結(jié)溫度高(高于1400°C)，制備過程中能耗較大，不符合低碳環(huán)保 的理念。
[0004] 隨著移動通訊技術(shù)不斷發(fā)展，對微波器件的小型化和高品質(zhì)提出更高的要求，這 就要求微波介質(zhì)陶瓷介質(zhì)材料應滿足以下要求：（1)具有適的中介電常數(shù)(2)高品質(zhì)因 數(shù)Q*f; (3)溫度系數(shù)Tf近零；（4)低碳節(jié)能。因此本領(lǐng)域有必要提供一種微波介電性能較好且 價格較低的微波介質(zhì)陶瓷及其制備方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 有鑒于此，本發(fā)明提供了一種微波介質(zhì)陶瓷，包括主晶相，所述主晶相的化學表達 式為 Zn-x( Zm/3Ta2-y/3Vy/3 )xTi〇4，其中：0.2<x<0.5,0.5<y《l。
[0006] 在某些實施方式中，還包括改性添加劑，所述的改性添加劑為AI2O3和Ga2O3的混合 物。
[0007]在某些實施方式中，所述的改性添加劑在微波介質(zhì)陶瓷中所占的重量百分比為3 ~8wt% 〇
[0008] 在某些實施方式中，所述的燒結(jié)助劑在微波介質(zhì)陶瓷中所占的重量百分比為 5wt% 〇
[0009] 本發(fā)明還提供了一種微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，包括以下步驟：
[0010] ⑴按照主晶相的化學表達式的化學計量比取2抑2、2110、1&20 5、￥205、1102后進行第 一次球磨或沙磨后干燥得到第一混合物；
[0011] (2)將所述的第一混合物預燒得到粉料；
[0012] (3)將所述的粉料加入改性添加劑后進行第二次球磨或沙磨，干燥后得到第二混 合物；
[0013] (4)將所述的第二混合物加入粘合劑造粒、壓制成型后制得生培；
[0014] (5)所述的生培經(jīng)燒結(jié)得到微波介質(zhì)陶瓷。
[0015] 在某些實施方式中，所述的步驟(2)中，第一混合物經(jīng)800°C~1000°C預燒得到粉 料;所述的步驟(5)中，生培經(jīng)1300 °C~1360 °C燒結(jié)得到微波介質(zhì)陶瓷。
[0016] 在某些實施方式中，所述的步驟(5)中，生培經(jīng)1340°C燒結(jié)得到微波介質(zhì)陶瓷。
[0017] 在某些實施方式中，所述的步驟⑴中，第一次球磨或沙磨時間為8~16小時;所述 的步驟(3)中，第二次球磨或沙磨時間為8~24小時。
[0018] 在某些實施方式中，所述的步驟(2)中，第一混合物預燒得到粉料前還包括將所述 的第一混合物過40目篩的操作。
[0019] 在某些實施方式中，所述的步驟(4)中，第二混合物加入粘合劑造粒、壓制成型后 制得生培前還包括將所述的第二混合物過40目篩的操作。
[0020] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的微波介質(zhì)陶瓷具有以下優(yōu)勢：
[0021] (1)微波介電性能較好:介電常數(shù)er = 36~40,且在此范圍內(nèi)可調(diào)節(jié)；品質(zhì)因數(shù)Q*f = 40000GHz~55000GHz ;頻率溫度系數(shù)Tf = -15.5~+8.5 X 10-6/°C范圍內(nèi)可調(diào)節(jié)，溫度特性 穩(wěn)定。
[0022] (2)本發(fā)明提供的微波介質(zhì)陶瓷的制備方法中，燒結(jié)溫度較低，節(jié)約了能源成本， 符合低碳環(huán)保的理念；
[0023] (3)本發(fā)明制備工藝簡單，無需特殊設(shè)備和苛刻工藝條件，適合工業(yè)化生產(chǎn)。
[0024] 由此可知，本發(fā)明提供的微波介質(zhì)陶瓷具有廣泛的應用前景。
【具體實施方式】
[0025]下面結(jié)合具體實施例的方式對本發(fā)明的權(quán)利要求做進一步的詳細說明，在下面的 描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。
[0026] 但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以 在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。
[0027] 本發(fā)明提供了一種微波介質(zhì)陶瓷，包括主晶相，主晶相的化學表達式為zri-x(zm/ 3Ta2-y/3Vy/3) xTi〇4,其中：0.2<x<0.5,0.5<y< 1。
[0028] 上述，微波介質(zhì)陶瓷除了屬離子型晶體結(jié)構(gòu)多晶材料外，往往還是復相材料，通常 由主晶相，一個或多個雜項，氣孔等組成。
[0029] 其中，主晶相中114+^4+、￥5+&5+離子的存在與微波介質(zhì)陶瓷的高介電常數(shù)相關(guān)。 其中介電常數(shù)Q*f值大小與Zn、Ta原子規(guī)則排列的程度密切相關(guān)，而規(guī)則排列的程度又與燒 結(jié)工藝密切相關(guān)。
[0030] 優(yōu)選地，還包括改性添加劑，所述的改性添加劑為Al2O3和Ga 2O3的混合物。
[0031] 上述，利用摻加燒結(jié)助劑來實現(xiàn)微波介質(zhì)陶瓷的低溫燒結(jié)，較為經(jīng)濟、有效。
[0032] Al2O3屬于三角晶系R-3C空間群，具有剛玉結(jié)構(gòu)，Al3+廣位于氧八面體中心，而氧八 面體為共棱的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。Al2O3陶瓷具有良好的介電性能，介電損耗低，熱導率好，是理想的 基板材料和電子封裝材料。Al 2O3陶瓷有著較好的介電性能:Q*f = 360000GHz，其超高的品質(zhì) 因數(shù)能夠改善微博介質(zhì)陶瓷的介電性能。但其諧振頻率溫度系數(shù)是一個較大的負值，因而 摻入品質(zhì)因數(shù)高同時又有著正的較大溫度系數(shù)材料TiO 2可補償諧振頻率溫度系數(shù)。
[0033]上述，離子替代對微波陶瓷介質(zhì)材料的內(nèi)部結(jié)構(gòu)變化與所產(chǎn)生的相應的介電性能 改變不同，通過對改性主晶相的相結(jié)構(gòu)、顯微組織、介電性能分析，可以發(fā)現(xiàn)不同的離子半 徑、極化率、電負性和價態(tài)的離子摻雜對主晶相的性能影響較大，經(jīng)實驗證明Ga 2O3均具有改 善微波陶瓷介質(zhì)材料的介電性能、降低燒結(jié)溫度的作用。
[0034]降低燒結(jié)溫度，形成活性液相燒結(jié)時由于顆粒之間存在的液相從而產(chǎn)生了巨大的 毛細管力，使得顆粒發(fā)生滑移和重排，同時液相所產(chǎn)生的毛細管力也會引起固相顆粒的溶 解-淀析過程，使較小的顆粒溶解，較大的顆粒長大。在顆粒接觸點，較大毛細管力使固相溶 解度增高，物質(zhì)便由高溶解度區(qū)迀移至低溶解度區(qū)，從而使接觸區(qū)的顆粒漸趨平坦而互相 靠近，使坯體收縮而達致密化，進行較為致密的燒結(jié)。
[0035] 優(yōu)選地，所述的改性添加劑在微波介質(zhì)陶瓷中所占的重量百分比為3~8wt%。
[0036] 上述，復相材料的介電常數(shù)變化服從對數(shù)混合規(guī)則，控制雜項含量，特別是減少氣 孔含量，使陶瓷樣品燒結(jié)致密顯得尤為重要。
[0037] 改性添加劑的用量過高時，陶瓷在燒結(jié)過程中產(chǎn)生的液相會更多，促進晶粒生長 的同時也會導致個別晶粒異常長大，晶粒尺寸均勻性變差，反而不利于密度的提高，即當液 相量超過最佳含量也不再利于致密化過程。
[0038] 因此，為防止微波介質(zhì)陶瓷介電性能的惡化，兩者的重量百分比應在適當范圍內(nèi)， 控制介電損耗的同時，降低燒結(jié)微波介質(zhì)陶瓷時的溫度。
[0039] 當然，摻雜改性添加劑的方式分為兩種:一是先合成主晶相化合物，再摻雜改性添 加劑;二是在合成主晶相化合物的原料配料階段就摻雜改性添加劑。
[0040] 優(yōu)選地，所述的改性添加劑在微波介質(zhì)陶瓷中所占的重量百分比比為5wt%。
[0041] 上述，改性添加劑在微波介質(zhì)陶瓷中所占的重量百分比為5wt%時，燒結(jié)的致密度 達到最好時，幾乎看不到氣孔，晶粒發(fā)育較完全，晶粒大小一致性較好。但超過該值時，微波 介質(zhì)陶瓷的表面液相逐漸增多，晶粒大小一致性較差，將影響陶瓷的致密性。
[0042]經(jīng)實驗證明，上述微波介質(zhì)陶瓷材料具有低損耗和良好的微波介電性能：介電常 數(shù)卜=36~4〇,且在此范圍內(nèi)可調(diào)節(jié)；品質(zhì)因數(shù)Q*f = 40000GHz~55000GHz;頻率溫度系數(shù)τ f = -15.5~+8.5X10_6/ °C范圍內(nèi)可調(diào)節(jié)，溫度特性穩(wěn)定。
[0043]本發(fā)明提供了一種微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，包括以下步驟：
[0044] (1)按照主晶相的化學表達式的化學計量比取2汾、211〇、了&2〇5、￥2〇 5、1102后進行第 一次球磨或沙磨后干燥得到第一混合物；
[0045] 上述，步驟（1)中，優(yōu)選地，以純度大于99%的2抑2、211〇、了&2〇5、￥ 2〇5、1102為初始原 料;放入球磨機中球磨。第一次球磨的目的是為了使粉料細化并混合均勻。
[0046]優(yōu)選地，初始原料放入聚酯罐中，加入去離子水，加入鋯球，在行星式球磨機上球 磨若干小時，轉(zhuǎn)速為300~800轉(zhuǎn)/分。
[0047]可以理解的是，去離子水還可以為酒精。
[0048] 優(yōu)選地，初始原料、鋯球、去離子水(酒精)的體積比為1:5:0.7~1.5。
[0049] 所述的行星式研磨機由球磨罐、罐座、轉(zhuǎn)盤、固定帶輪和電動機等組成，在轉(zhuǎn)盤上 有四個球磨罐，當轉(zhuǎn)盤轉(zhuǎn)動時，球磨罐隨轉(zhuǎn)盤圍繞同一軸心即中心軸作行星式運動，罐中磨 料在高速運動中研磨和混合被淹沒的原料。該種球磨罐轉(zhuǎn)速快，球磨效率高，結(jié)構(gòu)緊湊，操 作方便，密封取樣，安全可靠，噪聲低，無污染，無損耗。
[0050] 當然可以理解的是，還可以采用其他的球磨方式以及其他的混磨機。
[0051] 需要了解的是，利用高純原料，能夠降低粉料粒徑，制備比表面積大、活性高的純 超細粉末，可以增大燒結(jié)動力，促進活性燒結(jié)，從而有效的降低燒結(jié)溫度。
[0052]優(yōu)選地，球磨后的初始原料放入干燥箱中，于100~120°C烘干。
[0053]步驟(2):將所述的第一混合物預燒得到粉料。
[0054] 上述，預燒的目的是為了讓原始氧化物進行初步的反應，并能大部分形成所需的 主體晶相，利用主晶相，減少瓷料的收縮變形，改變原料的結(jié)構(gòu)以利于成型和燒結(jié)，從而改 善陶瓷的介電性能，以保證最終產(chǎn)品的質(zhì)量。
[0055] 避免了成型后直接燒結(jié)時，陶瓷收縮率大，陶瓷易發(fā)生形變開裂等。
[0056] 步驟(3):將所述的粉料加入改性添加劑進行第二次球磨或沙磨，干燥后得到第二 混合物；
[0057] 前述，改性添加劑主要對微波介質(zhì)陶瓷介電性能的主要三個參數(shù)介電常數(shù)、品質(zhì) 因數(shù)和諧振頻率溫度系數(shù)進行改善和優(yōu)化。微波介質(zhì)陶瓷主要由晶相、晶界、氣孔等組成， 屬于離子型結(jié)構(gòu)的多晶材料。陶瓷材料密度的升高與單位體積內(nèi)粒子數(shù)的增加可以提高介 電常數(shù)。降低氣孔率，陶瓷體樣品燒結(jié)過程中會形成許多氣孔，這正是降低材料密度導致介 電常數(shù)下降的重要原因之一。
[0058] 另一種對陶瓷材料的宏觀調(diào)控介電常數(shù)的方法是可以選用不同半徑大小、不同極 化率的離子，通過對其主相的A位、B位進行離子置換，從而使晶胞體積與極化率發(fā)生改變。 陶瓷材料的第二相也同樣會影響介電常數(shù)的變化，所以控制第二相的生成量也是重要考慮 的因素之一。
[0059]經(jīng)試驗證實Al3+、Ga3+具有改善微波陶瓷介質(zhì)材料的介電性能、降低燒結(jié)溫度的作 用。
[0060] 優(yōu)選地，預燒后得到的粉料，保溫2~8小時。
[0061] 再者，步驟(3)中第二次球磨使得，預燒粉料與改性添加劑混勻并細化，在預燒后 的粉料中很可能還存在沒有固相反效完全的初始原料，這時再一次球磨，促使中間過程物 或者初始原料提供了增大了反應的機會。
[0062] 若沒有預燒后的二次球磨過程，將導致晶粒較大并且大小不均，也影響了陶瓷燒 結(jié)過程的晶粒重排和致密化。
[0063]優(yōu)選地，球磨后的粉料與改性添加劑的混合物放入干燥箱中，于100~120°C烘干。
[0064] 步驟(4):將所述的第二混合物加入粘合劑造粒、壓制成型后制得生培。
[0065] 上述，造粒是壓制成型的一個先行工藝；因為陶瓷粉料較為細小，而粉粒越細，表 面活性越大，則其表面吸附的氣體也就越多，因而其堆積密度也越小，所以要加上粘合劑提 高干壓后的坯體密度。可以理解的是，加入粘合劑的量應當適量，過少則成型困難，過多則 會降低樣品的致密度，影響其性能。
[0066] 膠黏劑可以為聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol，PVA)、石蠟或酚醛清漆?？梢岳斫猓?在實際應用中，膠黏劑也可以為其他類型的膠黏劑。
[0067] 優(yōu)選地，粘合劑采用質(zhì)量百分比為8%~10%的聚乙稀醇（Polyvinyl alcohol， PVA)溶液，作為粘合劑進行造粒，造粒后過80目篩，用粉末壓片機以4MPa的壓力制成生坯， 生還直徑為l〇mm，厚度為5mm。
[0068] 優(yōu)選地，粘合劑采用質(zhì)量百分比為8%聚乙稀醇(Polyvinyl alcohol，PVA)溶液。
[0069]優(yōu)選地，第二混合物加入粘合劑造粒后過80目篩。
[0070]優(yōu)選地，生培在一定溫度下排膠。
[0071 ]可以理解的是，排膠時升溫不宜過快，造成生培內(nèi)存在氣孔。
[0072]優(yōu)選地，將生坯在600°C排膠4h，然后按照3~5°C/min的速率升至燒結(jié)時所需的溫 度保溫若干小時。
[0073] 步驟(5):所述的生培經(jīng)燒結(jié)得到微波介質(zhì)陶瓷。
[0074] 當提高燒結(jié)溫度時，對于0.2<x<0.5,0.5《y^l的微波介質(zhì)陶瓷，Q*f值都是先 增加，然后開始下降或者飽和的。
[0075]優(yōu)選地，燒結(jié)后制得的微波介質(zhì)陶瓷應隨燒結(jié)爐冷卻。
[0076]綜上所述，本發(fā)明提供微波介質(zhì)陶瓷的制備方法包括步驟（1)~步驟(5);利用固 相反應法，將初始原料按照預定配比用物理的方法混合均勻，經(jīng)預燒后，添加改性添加劑改 善了主晶相的晶體結(jié)構(gòu)，同時加入了燒結(jié)助劑提高了燒結(jié)生培時晶體內(nèi)的致密度，減少氣 孔，從而實現(xiàn)了步驟(5)中的燒結(jié)為低溫液相燒結(jié)，降低了固相反應法中的燒結(jié)溫度。該方 法工藝十分成熟、簡單、成本低廉、便于工業(yè)化生產(chǎn)，為工業(yè)化生產(chǎn)的首選方法。
[0077] 優(yōu)選地，所述的步驟(2)中，第一混合物經(jīng)800°C~1000°C預燒得到粉料;所述的步 驟(5)中，生培經(jīng)1300 °C~1360 °C燒結(jié)得到微波介質(zhì)陶瓷。
[0078] 上述，預燒溫度不宜過高，預燒溫度過高，預燒粉料的團聚嚴重，難以進行二次球 磨。預燒溫度過低則會影響陶瓷燒結(jié)過程的晶粒重排和致密化。
[0079] 再者，燒結(jié)溫度應控制在一定范圍內(nèi)，燒結(jié)溫度過低，晶粒長大速度過慢，甚至無 法長大。隨著燒結(jié)溫度提高晶粒明顯長大，粒界間隙減少，晶粒發(fā)育充分，表面氣孔率降低。 但燒結(jié)溫度過高時，晶粒將出現(xiàn)異常長大，表面氣孔率升高，晶粒生長的均勻性、一致性下 降。同時，過大的晶粒當中位錯、氧空位等缺陷出現(xiàn)的幾率增加，導致了 Q*f值迅速下降。
[0080] 因此過高和過低燒結(jié)溫度都會影響晶粒的正常生長。
[0081] 優(yōu)選地，所述的步驟(2)中，第一混合物經(jīng)1000°C預燒的粉料。
[0082] 優(yōu)選地，所述的步驟(2)中，第一混合物經(jīng)1000 tC預燒的粉料，預燒后保溫4小時。 [0083]優(yōu)選地，所述的步驟(5)中，生培經(jīng)1340Γ燒結(jié)得到微波介質(zhì)陶瓷。
[0084]經(jīng)實驗證實，生培經(jīng)1340Γ燒結(jié)得到微波介質(zhì)陶瓷晶粒發(fā)育完善，排列規(guī)則，氣孔 較少，致密程度較好。
[0085]優(yōu)選地，所述的步驟(5)中，生培經(jīng)1340Γ燒結(jié)后保溫6小時得到微波介質(zhì)陶瓷。
[0086] 優(yōu)選地，所述的步驟(1)中，第一次球磨或沙磨時間為8~16小時。
[0087] 優(yōu)選地，所述的步驟(1)中，第一次球磨或沙磨時間為10小時，轉(zhuǎn)速為400轉(zhuǎn)/分。 [0088]優(yōu)選地，所述的步驟(3)中，第二次球磨或沙磨時間為8~24小時。
[0089] 優(yōu)選地，所述的步驟(3)中，第二次球磨或沙磨時間為16小時，轉(zhuǎn)速為400轉(zhuǎn)/分。
[0090] 優(yōu)選地，所述的步驟(2)中，第一混合物預燒得到粉料前還包括將所述的第一混合 物過40目篩的操作。
[0091] 上述，第一混合物過篩后分散較為均勻，利于第一混合物于步驟(3)中的預燒較為 充分，不易發(fā)生結(jié)塊等現(xiàn)象。
[0092] 優(yōu)選地，所述的步驟(4)中，第二混合物加入粘合劑造粒、壓制成型后制得生培前 還包括將所述的第二混合物過40目篩的操作。
[0093] 上述，第二混合物過篩后分散較為均勻，利于第二混合物于步驟(5)中的燒結(jié)較為 充分，晶體中的晶粒均勻，氣孔較少且較小。
[0094]以下，通過具體實施例進一步闡述。
[0095]具體實施例及相關(guān)工藝參數(shù)詳見表1。

[0102] 上述實施例1~實施例16制備得到的微波介質(zhì)陶瓷具有良好的微波介電性能:介 電常數(shù)er = 36~40,且在此范圍內(nèi)可調(diào)節(jié)；品質(zhì)因數(shù)Q*f :40000GHz~55000GHz;頻率溫度系 數(shù)Tf = -15.5~+8.5 X 10_6/°C范圍內(nèi)可調(diào)節(jié)，溫度特性穩(wěn)定。
[0103] 以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并 不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員 來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保 護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權(quán)利要求為準。
【主權(quán)項】
1. 一種微波介質(zhì)陶瓷，其特征在于：包括主晶相，所述主晶相的化學表達式為zri- x (Zni/3Ta2-y/3Vy/3 )xTi〇4，其中：0.2<x<0.5,0.5<y<l。2. 如權(quán)利要求1所述的微波介質(zhì)陶瓷，其特征在于:還包括改性添加劑，所述的改性添 加劑為Al2〇3和Ga 2〇3的混合物。3. 如權(quán)利要求2所述的微波介質(zhì)陶瓷，其特征在于:所述的改性添加劑在微波介質(zhì)陶瓷 中所占的重量百分比為3~8wt%。4. 如權(quán)利要求3所述的微波介質(zhì)陶瓷，其特征在于:所述的改性添加劑在微波介質(zhì)陶瓷 中所占的重量百分比為5wt %。5. -種如權(quán)利要求1所述的微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于： (1) 按照主晶相的化學表達式的化學計量比取Zr02、Zn0、Ta205、V 205、Ti02后進行第一次 球磨或沙磨后干燥得到第一混合物； (2) 將所述的第一混合物預燒得到粉料； (3) 將所述的粉料加入改性添加劑后進行第二次球磨或沙磨，干燥后得到第二混合物； (4) 將所述的第二混合物加入粘合劑造粒、壓制成型后制得生培； (5) 所述的生培經(jīng)燒結(jié)得到微波介質(zhì)陶瓷。6. 如權(quán)利要求5所述的微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于:所述的步驟(2)中，第一 混合物經(jīng)800 °C~1000 °C預燒得到粉料;所述的步驟(5)中，生培經(jīng)1300 °C~1360 °C燒結(jié)得 到微波介質(zhì)陶瓷。7. 如權(quán)利要求6所述的微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于:所述的步驟(5)中，生培 經(jīng)1340°C燒結(jié)得到微波介質(zhì)陶瓷。8. 如權(quán)利要求5所述的微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于:所述的步驟（1)中，第一 次球磨或沙磨時間為8~16小時;所述的步驟(3)中，第二次球磨或沙磨時間為8~24小時。9. 如權(quán)利要求5所述的微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于:所述的步驟(2)中，第一 混合物預燒得到粉料前還包括將所述的第一混合物過40目篩的操作。10. 如權(quán)利要求5所述的微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于:所述的步驟(4)中，第 二混合物加入粘合劑造粒、壓制成型后制得生培前還包括將所述的第二混合物過40目篩的 操作。
【文檔編號】C04B35/626GK105859280SQ201610227051
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年4月13日
【發(fā)明人】張少林, 崔立成, 朱桂林, 張志鵬
【申請人】蘇州子波電子科技有限公司