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一種硅片預(yù)清洗設(shè)備的制作方法

文檔序號:1409461閱讀:164來源:國知局
專利名稱:一種硅片預(yù)清洗設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于太陽能硅片清洗技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種用于切割后太陽能硅片的預(yù)清洗設(shè)備,清除切割后硅片表面殘留的大量砂漿。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)的硅片預(yù)清洗方法依靠水的沖刷來達(dá)到清除硅片表面砂漿的目的,在太陽能行業(yè)初興時期,該方法取得了較好的效果,但是,隨著行業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展,對硅片產(chǎn)品的質(zhì)量要求越來越高,為了降低切割成本,回收砂、回收液的大量導(dǎo)入,硅片清洗的壓力和困難越來越大,傳統(tǒng)預(yù)清洗設(shè)備的缺陷越發(fā)突顯。首先,傳統(tǒng)預(yù)清洗方法設(shè)備構(gòu)造簡單,如圖1所示一套工裝,用于懸掛切割后的晶棒;兩只帶有密集針孔的噴管置于工裝兩側(cè),用于提供噴淋水;一只水壓表,用于調(diào)節(jié)噴淋水壓。預(yù)清洗過程始終處于晶棒靜止?fàn)顟B(tài),因此只能沖刷到硅片局部,效果較差,只能通過調(diào)高水壓或者延長清洗時間來達(dá)到更好的清洗效果,但是這種方法會帶來其它負(fù)面影響,例如若水壓過大或沖洗時間過長,硅片會從粘結(jié)基體上脫落,造成硅片崩邊等不良,甚至產(chǎn)生碎片。其次,傳統(tǒng)預(yù)清洗方法水溫不受控,隨季節(jié)變化較大。通常剛切割完畢的晶棒表面溫度達(dá)30-50°C,而冬天預(yù)清洗的水溫僅能達(dá)到10°C甚至更低,硅晶體在低溫時有較大的熱膨脹系數(shù),因此切割完的晶棒立刻進(jìn)行預(yù)清洗,容易造成大量裂片。另外,傳統(tǒng)預(yù)沖洗方法完全依靠沖洗進(jìn)行,然而吸附在硅片表面的雜質(zhì)有物理吸附和化學(xué)吸附兩種,化學(xué)吸附作用力較強(qiáng),僅靠沖洗雜質(zhì)難以從硅片表面解吸,從而難以達(dá)到脫膠前所需的硅片潔凈表面,因此容易在脫膠過程中產(chǎn)生污片。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供了一種硅片預(yù)清洗設(shè)備,提高了出片率,降低了硅片污染,具有良好的清洗效果。為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型的具體技術(shù)路線是—種硅片預(yù)清洗設(shè)備,包括一套用于懸掛晶棒的工裝和帶有水壓表的用于提供噴淋水的噴管,其特征在于所述工裝含有擺動機(jī)械臂。所述預(yù)清洗設(shè)備包含溫控輔助儲液槽。所述預(yù)清洗設(shè)備包含超聲漂洗槽。所述預(yù)清洗設(shè)備設(shè)有PLC系統(tǒng)。本實(shí)用新型采用包含可上下擺動機(jī)械臂的工裝,因此可以從上到下沖洗晶棒,而非局限在一個部位,克服了現(xiàn)有技術(shù)清洗部位單一的缺點(diǎn)。優(yōu)化地,本實(shí)用新型可設(shè)有溫控型輔助儲液槽,一來可以自動補(bǔ)水,二來內(nèi)設(shè)的溫控儀通過加熱管控制和調(diào)節(jié)儲液槽的溫度,從而控制預(yù)沖洗的水溫。本實(shí)用新型預(yù)清洗設(shè)備除了有單純的沖洗功能外,還可增設(shè)超聲清洗功能,通過超聲漂洗槽進(jìn)行超聲漂洗。
3[0014]另外,本實(shí)用新型的特點(diǎn)之一是采用全自動預(yù)清洗設(shè)備代替了傳統(tǒng)的預(yù)清洗設(shè)備,設(shè)有PLC系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)整個預(yù)清洗過程的自動化控制,整個預(yù)清洗過程經(jīng)噴淋和超聲漂洗的多次循環(huán),能達(dá)到良好的預(yù)清洗效果。本實(shí)用新型預(yù)清洗設(shè)備自動完成預(yù)清洗整個過程,溫度可以控制,避免了因環(huán)境溫度降低造成晶片脫落和裂片現(xiàn)象,因此提高了硅片出片率;改變了傳統(tǒng)靜止和單純依靠噴淋沖刷清洗的方法,實(shí)現(xiàn)了動靜結(jié)合、噴淋沖洗和超聲漂洗相結(jié)合,因此沖洗效果大大提高,硅片脫膠前的表面潔凈度大大提高,可以有效降低硅片臟污率。PLC系統(tǒng)Programmable logic Controller,可編程邏輯控制器,一種數(shù)字運(yùn)算操作的電子系統(tǒng),專為在工業(yè)環(huán)境應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。它采用一類可編程的存儲器,用于其內(nèi)部存儲程序,執(zhí)行邏輯運(yùn)算,順序控制,定時,計(jì)數(shù)與算術(shù)操作等面向用戶的指令,并通過數(shù)字或模擬式輸入/輸出控制各種類型的機(jī)械或生產(chǎn)過程。工裝即生產(chǎn)過程工藝裝備,指制造過程中所用的各種工具的總稱,包括刀具/夾
具/模具/量具/檢具/輔具/鉗工工具/工位器具等。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)預(yù)清洗設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖圖2為本實(shí)用新型預(yù)清洗設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖圖3為本實(shí)用新型漂洗槽內(nèi)結(jié)構(gòu)示意圖圖4為硅片臟污率對比圖圖5為硅片出片率對比圖其中PLC系統(tǒng)1,工裝2,機(jī)械臂3,漂洗槽4,儲液槽5,震動板6,噴管7,噴嘴70, 水壓表a,噴管b,工裝C。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型做進(jìn)一步的描述。如圖2所示,本方案硅片預(yù)清洗設(shè)備,包括用于懸掛晶棒的工裝2和帶有水壓表的用于提供噴淋水的噴管7,所述工裝2包含可上下擺動的機(jī)械臂3,因此可以從上到下沖洗晶棒,而非局限在一個部位,克服了現(xiàn)有技術(shù)清洗部位單一的缺點(diǎn);噴管7設(shè)置于漂洗槽4 內(nèi),可對稱設(shè)置,漂洗槽4內(nèi)還可設(shè)有超聲震動板6,具體結(jié)構(gòu)如圖3所示??稍O(shè)有溫控型輔助儲液槽5,一來可以自動補(bǔ)水,二來內(nèi)設(shè)的溫控儀通過加熱管控制和調(diào)節(jié)儲液槽的溫度,從而控制預(yù)沖洗的水溫。本實(shí)用新型預(yù)清洗設(shè)備除了有單純的沖洗功能外,還可增設(shè)超聲清洗功能,通過超聲漂洗槽進(jìn)行超聲漂洗。另外,本實(shí)用新型的特點(diǎn)之一是采用全自動預(yù)清洗設(shè)備代替了傳統(tǒng)的預(yù)清洗設(shè)備,設(shè)有PLC系統(tǒng)1,實(shí)現(xiàn)整個預(yù)清洗過程的自動化控制,整個預(yù)清洗過程經(jīng)噴淋和超聲漂洗的多次循環(huán),能達(dá)到良好的預(yù)清洗效果。本方案其中一種的硅片預(yù)清洗過程如下1.在PLC系統(tǒng)時間設(shè)定畫面設(shè)定預(yù)清洗時間,見表1。表1預(yù)清洗過程時間程序設(shè)定(單位s)
權(quán)利要求1.一種硅片預(yù)清洗設(shè)備,包括一套用于懸掛晶棒的工裝和帶有水壓表的用于提供噴淋水的噴管,其特征在于所述工裝含有擺動機(jī)械臂。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其特征在于所述預(yù)清洗設(shè)備包含溫控輔助儲液槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其特征在于所述預(yù)清洗設(shè)備包含超聲漂洗槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其特征在于所述預(yù)清洗設(shè)備設(shè)有PLC系統(tǒng)。
專利摘要本實(shí)用新型屬于太陽能硅片清洗技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種用于切割后太陽能硅片的預(yù)清洗設(shè)備,清除切割后硅片表面殘留的大量砂漿。包括一套用于懸掛晶棒的工裝和帶有水壓表的用于提供噴淋水的噴管,其特征在于所述工裝含有擺動機(jī)械臂。本實(shí)用新型提高了出片率,降低了硅片污染,具有良好的清洗效果。
文檔編號B08B3/02GK202018950SQ20102061521
公開日2011年10月26日 申請日期2010年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月19日
發(fā)明者黨鵬, 唐世文, 王雪芹, 鐘偉, 陳寶增 申請人:浙江昱輝陽光能源有限公司
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