技術(shù)特征:1.一種氣囊,所述氣囊包括:第一多孔隔膜,所述第一多孔隔膜包括第一微觀結(jié)構(gòu),所述第一微觀結(jié)構(gòu)構(gòu)造成響應(yīng)于流體的引入而在膨脹壓力下并以一膨脹速率膨脹到名義尺寸,并且在比灌注開始時(shí)的閾值灌注壓力低的壓力下抵抗流體流動通過所述第一多孔隔膜,以及第二多孔隔膜,所述第二多孔隔膜包括與所述第一微觀結(jié)構(gòu)不同的第二微觀結(jié)構(gòu),所述第二微觀結(jié)構(gòu)構(gòu)造成抵抗由所述第一多孔隔膜在膨脹時(shí)產(chǎn)生的流體靜力負(fù)載,其中,所述閾值灌注壓力等于或大于實(shí)現(xiàn)所述名義尺寸所需的膨脹壓力,以及其中,所述氣囊的最大工作壓力被超過時(shí)的最終壓力比所述閾值灌注壓力大,并且在所述最終壓力下,所述第一多孔隔膜的灌注率等于或大于所述膨脹速率。2.如權(quán)利要求1所述的氣囊,其特征在于,所述閾值灌注壓力等于或大于13個(gè)大氣壓。3.如權(quán)利要求1所述的氣囊,其特征在于,所述第一多孔隔膜和所述第二多孔隔膜包括ePTFE。4.如權(quán)利要求1所述的氣囊,其特征在于,所述第一多孔隔膜包括平均流動孔尺寸,所述平均流動孔尺寸在灌注之前和灌注過程中基本上相同。5.如權(quán)利要求1所述的氣囊,其特征在于,所述第一多孔隔膜和所述第二多孔隔膜構(gòu)造成灌注治療劑。6.如權(quán)利要求1所述的氣囊,其特征在于,所述氣囊是可順應(yīng)的。7.如權(quán)利要求1所述的氣囊,其特征在于,所述氣囊最小程度地?cái)U(kuò)大超過所述名義尺寸。8.如權(quán)利要求1所述的氣囊,其特征在于,具有中間部分的所述氣囊以基本上與在所述中間部段內(nèi)的每相鄰單位面積的速率相同的每單位面積的速率進(jìn)行灌注。9.如權(quán)利要求1所述的氣囊,其特征在于,所述第一多孔隔膜至少部分地設(shè)置在所述第二多孔隔膜內(nèi)。10.如權(quán)利要求1所述的氣囊,其特征在于,還包括第三多孔隔膜,其中所述第二多孔隔膜至少部分地位于所述第三多孔隔膜內(nèi),其中所述第三多孔隔膜便于粘合到細(xì)長構(gòu)件。11.如權(quán)利要求1所述的氣囊,其特征在于,治療劑設(shè)置在所述第一多孔隔膜的外表面上。12.如權(quán)利要求1所述的氣囊,其特征在于,所述氣囊在擴(kuò)張狀態(tài)下的尺寸能夠使體腔擴(kuò)開。13.如權(quán)利要求1所述的氣囊,其特征在于,所述氣囊在比所述閾值灌注壓力小的壓力下是可透氣的。14.如權(quán)利要求1所述的氣囊,其特征在于,還包括支架和粘合劑,其中所述支架設(shè)置在所述氣囊的至少一部分上,并且所述粘合劑將所述支架粘合到所述氣囊。15.如權(quán)利要求14所述的氣囊,其特征在于,還包括溶劑,其中所述溶劑能夠灌注通過所述第一多孔隔膜和所述第二多孔隔膜,并且溶解粘合劑。16.如權(quán)利要求1所述的氣囊,其特征在于,基于所述閾值灌注壓力,所述第一多孔隔膜是可選地可灌注的。17.如權(quán)利要求16所述的氣囊,其特征在于,所述第一多孔隔膜構(gòu)造成灌注第一劑并且不灌注第二劑。18.如權(quán)利要求17所述的氣囊,其特征在于,所述第二劑包括對比劑。19.一種氣囊裝置,所述氣囊裝置包括:多孔隔膜,所述多孔隔膜構(gòu)造成響應(yīng)于引入流體在第一壓力下并且以一膨脹速率而擴(kuò)張到擴(kuò)張狀態(tài),并且在比灌注開始時(shí)的第二壓力小的壓力下抵抗流體流動通過所述多孔隔膜,其中,流體在第二壓力以上開始灌注通過所述多孔隔膜,所述第二壓力是等于或大于所述第一壓力中的至少一種,以及治療劑,所述治療劑位于氣囊下方的細(xì)長構(gòu)件的部段上,其中,所述第二壓力等于或大于所述第一壓力,以及其中,所述氣囊的最大工作壓力被超過時(shí)的第三壓力比所述第二壓力大,并且在所述第三壓力下,所述多孔隔膜的灌注率等于或大于所述膨脹速率。20.如權(quán)利要求19所述的氣囊裝置,其特征在于,所述第二壓力等于或大于13個(gè)大氣壓。21.如權(quán)利要求19所述的氣囊裝置,其特征在于,規(guī)定劑量的治療劑灌注通過所述氣囊裝置。22.如權(quán)利要求19所述的氣囊裝置,其特征在于,所述多孔隔膜具有基本上等于每相鄰單位面積的灌注率的每單位面積的灌注率。23.一種氣囊,所述氣囊包括:多孔隔膜,所述多孔隔膜構(gòu)造成響應(yīng)于流體的引入而在第一壓力下并且以一膨脹速率來擴(kuò)張到擴(kuò)張狀態(tài),并且在第二壓力下灌注流體,其中所述多孔隔膜具有至少15平方米/克的微觀結(jié)構(gòu)表面積,其中,所述第二壓力等于或大于所述第一壓力,以及其中,所述氣囊的最大工作壓力被超過時(shí)的第三壓力比所述第二壓力大,并且在所述第三壓力下,所述多孔隔膜的灌注率等于或大于所述膨脹速率。24.如權(quán)利要求23所述的氣囊,其特征在于,所述微觀結(jié)構(gòu)表面積為至少20平方米/克。25.如權(quán)利要求23所述的氣囊,其特征在于,所述第二壓力為至少10個(gè)大氣壓。26.如權(quán)利要求23所述的氣囊,其特征在于,所述多孔隔膜包括ePTFE。27.一種氣囊,所述氣囊包括:多孔隔膜,所述多孔隔膜包括原纖維,并構(gòu)造成響應(yīng)于在第一壓力下引入流體而膨脹到名義尺寸,其中流體在第二壓力下開始基本上灌注通過氣囊,所述第二壓力至少等于或大于所述第一壓力,以及其中,所述氣囊的最大工作壓力被超過時(shí)的第三壓力比所述第二壓力大,并且在所述第三壓力下,所述多孔隔膜的灌注率等于或大于所述膨脹速率。28.一種氣囊,所述氣囊包括:隔膜,所述隔膜包括多孔微觀結(jié)構(gòu)并構(gòu)造成響應(yīng)于在第一壓力下引入流體而膨脹到名義尺寸,其中流體在第二壓力下開始基本上灌注通過氣囊,所述第二壓力至少等于或大于所述第一壓力,其中所述第二壓力至少是6個(gè)大氣壓,以及其中,所述氣囊的最大工作壓力被超過時(shí)的第三壓力比所述第二壓力大。29.一種制造氣囊裝置的方法,包括:制造包括滲漏控制層和加強(qiáng)層并限定內(nèi)部體積的氣囊,所述氣囊構(gòu)造成響應(yīng)于在第一壓力下引入流體而擴(kuò)張到名義尺寸,其中流體在第二壓力以上灌注通過氣囊,所述第二壓力是等于或大于第一壓力中的至少一種,且所述氣囊的最大工作壓力被超過時(shí)的第三壓力比所述第二壓力大;將所述氣囊設(shè)置在具有內(nèi)腔的細(xì)長構(gòu)件上;以及將所述氣囊的內(nèi)部體積置于與所述內(nèi)腔流體連通。30.如權(quán)利要求29所述的方法,其特征在于,其中所述氣囊最小程度地?cái)U(kuò)大超出所述名義尺寸。31.如權(quán)利要求29所述的方法,其特征在于,其中所述氣囊還包括密封層。32.如權(quán)利要求29所述的方法,其特征在于,制造氣囊包括帶纏繞第一多孔隔膜以形成滲漏控制層和將第二多孔隔膜帶纏繞到所述第一多孔隔膜的至少一部分周圍以形成所述加強(qiáng)層。33.如權(quán)利要求29所述的方法,其特征在于,所述滲漏控制層和所述加強(qiáng)層包括ePTFE。34.如權(quán)利要求29所述的方法,其特征在于,所述第一壓力在至少4個(gè)大氣壓到50個(gè)大氣壓之間。35.如權(quán)利要求29所述的方法,其特征在于,所述第二壓力是13個(gè)大氣壓。36.如權(quán)利要求29所述的方法,其特征在于,還包括用治療劑涂覆所述滲漏控制層。37.一種氣囊,所述氣囊包括:多孔隔膜,所述多孔隔膜構(gòu)造成響應(yīng)于在第一壓力下引入流體而膨脹到名義尺寸,其中流體在第二壓力下開始基本上灌注通過所述多孔隔膜,所述第二壓力至少等于或大于所述第一壓力,其中,所述氣囊能收縮到第三壓力以停止灌注,并且再膨脹到流體開始灌注的第四壓力,所述第四壓力在所述第二壓力的10%以內(nèi),以及其中,所述氣囊的最大工作壓力被超過時(shí)的第五壓力比所述第四壓力和所述第二壓力大。38.一種氣囊,所述氣囊包括:多孔隔膜,所述多孔隔膜具有外表面并構(gòu)造成響應(yīng)于在第一壓力下引入流體而膨脹到名義尺寸,其中流體在第二壓力下開始基本上灌注通過所述多孔隔膜,所述第二壓力至少等于或大于所述第一壓力;以及帶紋理網(wǎng)絡(luò),所述帶紋理網(wǎng)絡(luò)設(shè)置在所述多孔隔膜的外表面的至少一部分上,并包括多個(gè)空隙,其中,所述氣囊的最大工作壓力被超過時(shí)的第三壓力比所述第二壓力大,并且在所述第三壓力下,所述多孔隔膜的灌注率等于或大于所述膨脹速率。39.如權(quán)利要求38所述的氣囊,其特征在于,所述帶紋理網(wǎng)絡(luò)是熱塑性元件的連貫的不規(guī)則網(wǎng)絡(luò)。40.如權(quán)利要求38所述的氣囊,其特征在于,所述多孔隔膜的外表面的所述部分包括至少為35微米的Sp值。