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一種ar膜和af膜同爐鍍膜設(shè)備及鍍膜方法

文檔序號:3296730閱讀:482來源:國知局
一種ar膜和af膜同爐鍍膜設(shè)備及鍍膜方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種AR膜和AF膜同爐鍍膜設(shè)備,包括真空腔室、基片架系統(tǒng)和鍍膜沉積系統(tǒng),所述基片架系統(tǒng)位于所述真空腔室內(nèi)部,所述基片架系統(tǒng),包含多個可翻轉(zhuǎn)的單根立柱;所述鍍膜沉積系統(tǒng),包含安裝于真空腔室內(nèi)壁上至少一對濺射陰極、離子源和位于基片架系統(tǒng)內(nèi)側(cè)的蒸發(fā)源。通過位于真空腔體的內(nèi)壁上的濺射陰極對基片進(jìn)行AR膜鍍制,單根立柱將鍍完增透膜的基片翻轉(zhuǎn)到內(nèi)側(cè)通過蒸發(fā)源對基片進(jìn)行AF膜的鍍制,達(dá)到制作過程時間短,無需在AR制作完成后換一臺鍍膜機(jī)進(jìn)行AF制作,提高了批量化制作時的良率以及產(chǎn)能的效果,且表面不易被污染。
【專利說明】—種AR膜和AF膜同爐鍍膜設(shè)備及鍍膜方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及鍍膜【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其是涉及一種同爐鍍制AR膜和AF膜的設(shè)備及鍍膜方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前,消費(fèi)類電子產(chǎn)品的屏幕基本需要在屏幕表面鍍制AR膜和AF膜,其中,AR膜是Ant1-Reflect的縮寫,也稱增透膜,減反膜;AF膜是Ant1-Fingerprint的縮寫是防指紋膜。
[0003]在光學(xué)儀器中,光學(xué)元件表面的反射,不僅影響光學(xué)元件的通光能量,而且這些反射光還會在儀器中形成雜散光,影響光學(xué)儀器的成像質(zhì)量,為了解決這些問題,通常在光學(xué)元件的表面鍍上一定厚度的單層或多層AR膜,目的是為了減小元件表面的反射光。常用的AR膜,并沒有使透射光的光強(qiáng)達(dá)到最大,也就是說沒有使反射光達(dá)到最弱,主要是要增透的光往往不是單色的,而是有一定的頻寬,而對于一個增透膜只對某一波長的單色光有完全增透的作用。因此可以通過多層鍍膜技術(shù)來改善增透效果,同時也增加了透射光的線寬,也就是頻寬。
[0004]因此,AR膜一般的鍍膜方法是使用高低兩種折射率交替鍍膜,往往層數(shù)越多,對每一層膜厚控制要求越高。這種AR膜系通過真空蒸發(fā)鍍膜可以實(shí)現(xiàn)。為了保證每個基片表面的薄膜厚度一致,基本上都需要保持膜料與基片之間距離一致,這樣就形成蒸發(fā)鍍膜時基片都是放置在鍍膜機(jī)內(nèi)腔上方的一個類似傘狀的基片架上。同樣的原理,基片的尺寸如果太大(不論長寬),也會導(dǎo)致膜層厚度的不一致,所以對于同一臺鍍膜機(jī),基片尺寸基本都是有限制的。
[0005]基本上AF膜就只是一層薄膜,`通過專用的AF膜料來制作,制作原理同上述內(nèi)容,AF膜屬于功能類薄膜,對厚度一致性要求并不高,但對水滴角及耐刮要求則很嚴(yán)格。
[0006]目前的制作方法基本都是采用AR制作完成后換一臺鍍膜機(jī)再進(jìn)行AF制作,這樣的制作會導(dǎo)致中間過程時間長,表面易污染,會帶來批量化制作時良率下降以及產(chǎn)能降低等問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于,針對現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷,提供一種AR膜和AF膜同爐鍍膜設(shè)備,克服傳統(tǒng)制作過程時間長,表面易污染,導(dǎo)致批量化制作時良率下降以及產(chǎn)能降低等的缺陷。
[0008]本發(fā)明要解決的另一個技術(shù)問題在于:提供一種AR膜和AF膜同爐鍍膜的方法,該方法制備AR膜膜層一致,鍍膜效果好,適用于批量化生產(chǎn)。
[0009]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:提供一種AR膜和AF膜同爐鍍膜設(shè)備,包括真空腔室、基片架系統(tǒng)和鍍膜沉積系統(tǒng),所述基片架系統(tǒng)位于所述真空腔室內(nèi)部,
[0010]所述基片架系統(tǒng),包含多個可翻轉(zhuǎn)的單根立柱;[0011]所述鍍膜沉積系統(tǒng),包含安裝于真空腔室內(nèi)壁上至少一對濺射陰極、離子源和位于基片架系統(tǒng)內(nèi)側(cè)的蒸發(fā)源。
[0012]本發(fā)明的更進(jìn)一步優(yōu)選方案是:所述單根立柱上設(shè)置有磁性限位塊及磁性可動塊。
[0013]本發(fā)明的更進(jìn)一步優(yōu)選方案是:所述真空腔室頂部設(shè)置有帶動所述單根立柱翻轉(zhuǎn)的運(yùn)動機(jī)構(gòu)。
[0014]本發(fā)明的更進(jìn)一步優(yōu)選方案是:所述運(yùn)動機(jī)構(gòu)包括可伸縮的翻轉(zhuǎn)支柱,以及翻轉(zhuǎn)塊和保護(hù)頭,所述翻轉(zhuǎn)塊和所述保護(hù)塊是采用鉸鏈單邊鏈接。
[0015]本發(fā)明的更進(jìn)一步優(yōu)選方案是:所述基片架系統(tǒng)整體呈圓桶狀,所述多個單根立柱彼此平行排列構(gòu)成圓桶狀表面。
[0016]本發(fā)明的更進(jìn)一步優(yōu)選方案是:所述基片架系統(tǒng)還包括基片架底圈及用于裝卸和方便所述單根立柱轉(zhuǎn)動的上下圓環(huán)。
[0017]本發(fā)明的更進(jìn)一步優(yōu)選方案是:所述設(shè)備還包括基片轉(zhuǎn)動計數(shù)系統(tǒng),該基片轉(zhuǎn)動計數(shù)系統(tǒng)包括光纖探頭和計數(shù)孔,所述計數(shù)孔開設(shè)于基片架底圈上。
[0018]本發(fā)明的更進(jìn)一步優(yōu)選方案是:所述光纖探頭位于真空腔體底部并與基片架底圈上的計數(shù)孔相適應(yīng)的位置。
[0019]本發(fā)明的 更進(jìn)一步優(yōu)選方案是:所述真空腔室還包括真空室門,該真空室門至少為兩扇。
[0020]本發(fā)明的更進(jìn)一步優(yōu)選方案是:所述離子源和所述濺射陰極均設(shè)有可移動的擋板系統(tǒng),所述蒸發(fā)源設(shè)有固定機(jī)構(gòu)。
[0021 ] 本發(fā)明的更進(jìn)一步優(yōu)選方案是:所述擋板系統(tǒng)包括提供動力的電機(jī)、傳遞動力的軸、齒輪及擋板。
[0022]本發(fā)明的更進(jìn)一步優(yōu)選方案是:所述擋板上設(shè)置有擋板槽,該擋板槽與所述齒輪相(?合。
[0023]本發(fā)明的更進(jìn)一步優(yōu)選方案是:所述設(shè)備還包括對基片及基片架進(jìn)行加熱的加熱系統(tǒng),所述加熱系統(tǒng)位于真空腔體的內(nèi)壁上。
[0024]本發(fā)明的更進(jìn)一步優(yōu)選方案是:所述基片架系統(tǒng)還包括一驅(qū)動其自身轉(zhuǎn)動驅(qū)動裝置。
[0025]一種AR膜和AF膜的同爐鍍膜方法,包括以下步驟:
[0026]Α、將待鍍膜的基片裝載到基片架上,放入上述鍍膜設(shè)備;
[0027]B、開啟尚子源,鍛制AR月旲;
[0028]C、完成AR鍍膜后,基片架上所有單個立柱進(jìn)行翻轉(zhuǎn)180°至基片架內(nèi)側(cè)
[0029]開啟蒸發(fā)源,在基片架內(nèi)側(cè)的基片上鍍制AF膜。
[0030]本發(fā)明的更進(jìn)一步優(yōu)選方案是:所述基片架的轉(zhuǎn)速為1.0 — 8.5m/min。
[0031]本發(fā)明的更進(jìn)一步優(yōu)選方案是:所述的基片架上設(shè)置有對基片旋轉(zhuǎn)進(jìn)行計數(shù)的基片轉(zhuǎn)動計數(shù)系統(tǒng)。
[0032]本發(fā)明的更進(jìn)一步優(yōu)選方案是:所述步驟B前還包括步驟:對基片進(jìn)行離子清洗,所述離子清洗前后都包括,將所述真空腔室抽至本地真空。
[0033]本發(fā)明的更進(jìn)一步優(yōu)選方案是:所述步驟B還包括步驟:完成AF鍍膜后,對設(shè)備進(jìn)行冷卻處理,并充入氮?dú)膺M(jìn)行防氧化保護(hù),冷卻后對通入大氣使?fàn)t內(nèi)外氣壓一致,再打開
真空室門。
[0034]本發(fā)明的有益效果在于,現(xiàn)有技術(shù)是真空蒸發(fā)鍍制AR膜產(chǎn)品只能在傘狀基片架上,無法提高產(chǎn)量,而本發(fā)明將磁控濺射是一個圓桶面,如果相同直徑下,磁控濺射鍍膜的產(chǎn)量要比蒸發(fā)鍍膜的產(chǎn)量高很多;通過位于真空腔體的內(nèi)壁上的至少一對濺射陰極對基片進(jìn)行AR膜鍍制,可以實(shí)現(xiàn)AR膜的批量鍍制,AR膜鍍制完成后依次將所有單根立柱翻轉(zhuǎn)到內(nèi)側(cè)通過蒸發(fā)源對基片進(jìn)行AF膜的鍍制,達(dá)到制作過程時間短,無需在AR制作完成后換一臺鍍膜機(jī)進(jìn)行AF制作,提高了批量化制作時的良率以及產(chǎn)能的效果,且表面不易被污染。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0035]下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明,附圖中:
[0036]圖1是本發(fā)明實(shí)施例的一種AR膜和AF膜同爐鍍膜設(shè)備的平面結(jié)構(gòu)示意圖;
[0037]圖2是本發(fā)明實(shí)施例的一種AR膜和AF膜同爐鍍膜設(shè)備的離子源擋板系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖;
[0038]圖3是本發(fā)明實(shí)施例的一種AR膜和AF膜同爐鍍膜設(shè)備的基片架系統(tǒng)局部放大示意圖;
[0039]圖4是本發(fā)明實(shí)施例的一種AR膜和AF膜同爐鍍膜設(shè)備的基片架轉(zhuǎn)動計數(shù)系統(tǒng)局部放大示意圖;
[0040]圖5是AR膜不同厚度時反射率曲線圖;
[0041]圖6是AR膜不同厚度時反射率曲線圖;
[0042]圖7是AR膜不同厚度時透射率曲線圖;
[0043]圖8是AR膜不同厚度時透射率曲線圖;
【具體實(shí)施方式】
[0044]現(xiàn)結(jié)合附圖,對本發(fā)明的較佳實(shí)施例作詳細(xì)說明。
[0045]如圖1、圖2所示,提供一種AR膜和AF膜同爐鍍膜設(shè)備,包括真空腔室1、基片架系統(tǒng)2和鍍膜沉積系統(tǒng),該基片架系統(tǒng)2整體呈圓桶狀,還包含多個可翻轉(zhuǎn)的單根立柱21,所述多個單根立柱彼此平行排列構(gòu)成圓桶狀表面,所述基片架系統(tǒng)2位于所述真空腔室I的內(nèi)部,包括一驅(qū)動其自身轉(zhuǎn)動驅(qū)動裝置,該動驅(qū)動裝置驅(qū)動其繞圓桶面中心軸轉(zhuǎn)動,保證任一基片經(jīng)過靶材處鍍膜時與靶材的距離保持一致,以保障鍍膜的均勻性。
[0046]如圖1和圖2所示,本發(fā)明實(shí)施例所述鍍膜沉積系統(tǒng),包括安裝于真空腔室I的內(nèi)壁上至少一對濺射陰極31、離子源34和位于基片架系統(tǒng)內(nèi)側(cè)的蒸發(fā)源32,所述至少一對濺射陰極31用于鍍制AR膜,所述蒸發(fā)源32用于鍍制AF膜,所述離子源34用于鍍膜前對基片及基片架進(jìn)行離子清洗;所述濺射陰極、離子源34均帶有結(jié)構(gòu)相似的擋板系統(tǒng)30,所述蒸發(fā)源32設(shè)有固定機(jī)構(gòu)。所述真空腔室I還包括真空室門11,該真空室門11至少為兩扇,開啟一扇室門即是關(guān)閉另一扇室門,這樣可以實(shí)現(xiàn)一爐產(chǎn)品制作完成后出爐時即可將另一門關(guān)上進(jìn)行連續(xù)鍍膜制作。所述設(shè)備還包括對基片及基片架進(jìn)行加熱的加熱系統(tǒng)5,所述加熱系統(tǒng)5位于真空腔室I的內(nèi)壁上,并非所有產(chǎn)品都需要加熱,由于塑膠類的產(chǎn)品容易釋放其表面吸附的氣體,且釋放過程較為緩慢,遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于真空泵的抽氣能力,所以會有本地真空需要很長時間才能抽到;為了縮短抽氣時間,可對基片及基片架進(jìn)行加熱,使基片表面形成一定的溫度,以便其表面吸附的氣體釋放速度加快,從而縮短抽氣時間。
[0047]如圖2所示,所述離子源34和所述濺射陰極31均設(shè)有可移動的擋板系統(tǒng)30,所述擋板系統(tǒng)30包括提供動力的電機(jī)、傳遞動力的軸、齒輪及擋板,所述擋板上設(shè)置有擋板槽,該擋板槽與所述齒輪相嚙合。以離子源34的擋板系統(tǒng)30為例,該擋板系統(tǒng)30包括電機(jī)301、軸302、齒輪303和擋板304,所述擋板304上開設(shè)有擋板槽,所述擋板槽與所述齒輪303嚙合,所述電機(jī)301通過軸302將動力傳送給齒輪303,齒輪303與擋板槽處于嚙合狀態(tài),當(dāng)齒輪303轉(zhuǎn)動時,可帶動擋板槽進(jìn)行軌道內(nèi)的滑動,從而帶動擋板304移動,直到全部遮住離子源的開口位置;此時給電機(jī)301信號,使電機(jī)301不再運(yùn)動,實(shí)現(xiàn)了離子源341表面的遮擋。當(dāng)需要將擋板304移開時,可給電機(jī)301信號,使電機(jī)301向相反方向轉(zhuǎn)動,于是可通過齒輪303帶動擋板槽向另一方向滑動,從而離開離子源341開口位置。同理,濺射陰極31的擋板系統(tǒng)也是如此。
[0048]如圖3、圖4所示,所述基片架系統(tǒng)2包含多個可翻轉(zhuǎn)的單根立柱21、基片架20、基片架底圈23及用于裝卸和方便所述單根立柱21轉(zhuǎn)動的上下圓環(huán);所述單根立柱21上設(shè)置有磁性限位塊211及磁性可動塊212 ;所述真空腔室I頂部設(shè)置有帶動所述單根立柱21翻轉(zhuǎn)的運(yùn)動機(jī)構(gòu)24 ;所述運(yùn)動機(jī)構(gòu)24包括可伸縮的翻轉(zhuǎn)支柱241,以及翻轉(zhuǎn)塊242和保護(hù)頭243 ;所述翻轉(zhuǎn)塊242和所述保護(hù)塊243是采用鉸鏈單邊鏈接,可防止已翻轉(zhuǎn)過的磁性可動塊212與之接觸形成卡死。磁性限位塊211及磁性可動塊212由不同的磁鐵組成,可保證其相吸性,但同時吸力不要求太大,而固定在真空腔室I頂部的運(yùn)動機(jī)構(gòu)24則包含可伸縮的翻轉(zhuǎn)支柱241,以及翻轉(zhuǎn)塊242和保護(hù)頭243 ;當(dāng)我們需要將基片架20進(jìn)行翻轉(zhuǎn)時,則可將翻轉(zhuǎn)支柱241伸向基片架20,由翻轉(zhuǎn)塊242和保護(hù)頭243帶動磁性可動塊212進(jìn)行自轉(zhuǎn),當(dāng)遇到磁性限位塊211時即可實(shí)現(xiàn)相吸;而所有單根立柱21都實(shí)現(xiàn)翻轉(zhuǎn)后,將可伸縮的翻轉(zhuǎn)支柱241遠(yuǎn)離基片 架20,即表示翻轉(zhuǎn)完成。
[0049]如圖4所示,所述設(shè)備還包括基片轉(zhuǎn)動計數(shù)系統(tǒng)4,所述基片轉(zhuǎn)動計數(shù)系統(tǒng)4包括光纖探頭41和計數(shù)孔42,所述計數(shù)孔42開設(shè)于所述基片架底圈23上,所述光纖探頭41位于真空腔室I底部并與基片架底圈23上的開設(shè)的計數(shù)孔42相適應(yīng)的位置。當(dāng)基片架20轉(zhuǎn)動時,光纖探頭41探測到計數(shù)孔42的孔位,即可實(shí)現(xiàn)計數(shù);而設(shè)計不同孔數(shù)量是為了位置探測的精度提升。因?yàn)槲覀兓芟到y(tǒng)是采用伺服電機(jī)驅(qū)動,其轉(zhuǎn)動圈數(shù)是十分準(zhǔn)確的;但是從靜止?fàn)顟B(tài)到恒定速度的過程中,其轉(zhuǎn)動速度是變化的;為了避免此段時間對膜層厚度的影響,我們一般在程序中要求轉(zhuǎn)動固定圈數(shù)即可達(dá)到恒定速度。同理,由恒定速度降低成靜止?fàn)顟B(tài),也需要轉(zhuǎn)動固定圈數(shù)來實(shí)現(xiàn)。在鍍膜過程中,我們可能會采用不同旋轉(zhuǎn)速度來鍍膜,這一點(diǎn)在以下實(shí)施例中會做具體說明。
[0050]一種AR膜和AF膜的同爐鍍膜方法,包括以下步驟:
[0051]A、將待鍍膜的基片裝載到基片架上,放入上述鍍膜設(shè)備;
[0052]B、開啟尚子源,鍛制AR月旲;
[0053]C、完成AR鍍膜后,基片架上所有單個立柱進(jìn)行翻轉(zhuǎn)180°至基片架內(nèi)側(cè)開啟蒸發(fā)源,在基片架內(nèi)側(cè)的基片上鍍制AF膜。
[0054]所述基片架的轉(zhuǎn)速為1.0 — 8.5m/min ;所述的基片架上設(shè)置有對基片旋轉(zhuǎn)進(jìn)行計數(shù)的基片轉(zhuǎn)動計數(shù)系統(tǒng);所述步驟B前還包括步驟:對基片進(jìn)行離子清洗,所述離子清洗前后都包括,將所述真空腔室抽至本地真空;所述步驟B還包括步驟:完成AF鍍膜后,對設(shè)備進(jìn)行冷卻處理,并充入氮?dú)膺M(jìn)行防氧化保護(hù),冷卻后對通入大氣使?fàn)t內(nèi)外氣壓一致,再打開
真空室門。
[0055]一般而言,基片在靶表面停留時間越長,在基片表面形成的膜層厚度就越厚;也就是說鍍膜時基片的橫向運(yùn)動速度和膜層厚度成反比,也就是速度越快,膜層厚度越??;也可以說基片運(yùn)動速度和沉積速率成反比。而對于單體式鍍膜機(jī)而言,我們是在一個圓通面上裝載基片,所以其旋轉(zhuǎn)速度大小和旋轉(zhuǎn)圈數(shù)成正比。于是我們只要可以精確控制旋轉(zhuǎn)圈數(shù),即可實(shí)現(xiàn)膜層厚度的控制。
[0056]實(shí)施例1:我們按照光學(xué)模擬軟件模擬的一組AR膜系來進(jìn)行實(shí)例論證;此組膜系為如下表一所示:
【權(quán)利要求】
1.一種AR膜和AF膜同爐鍍膜設(shè)備,包括真空腔室、基片架系統(tǒng)和鍍膜沉積系統(tǒng),所述基片架系統(tǒng)位于所述真空腔室內(nèi)部,其特征在于: 所述基片架系統(tǒng),包含多個可翻轉(zhuǎn)的單根立柱; 所述鍍膜沉積系統(tǒng),包含安裝于真空腔室內(nèi)壁上至少一對濺射陰極、離子源和位于基片架系統(tǒng)內(nèi)側(cè)的蒸發(fā)源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其特征在于:所述單根立柱上設(shè)置有磁性限位塊及磁性可動塊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其特征在于:所述真空腔室頂部設(shè)置有帶動所述單根立柱翻轉(zhuǎn)的 運(yùn)動機(jī)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備,其特征在于:所述運(yùn)動機(jī)構(gòu)包括可伸縮的翻轉(zhuǎn)支柱,以及翻轉(zhuǎn)塊和保護(hù)頭,所述翻轉(zhuǎn)塊和所述保護(hù)塊是采用鉸鏈單邊鏈接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其特征在于:所述基片架系統(tǒng)整體呈圓桶狀,所述多個單根立柱彼此平行排列構(gòu)成圓桶狀表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其特征在于:所述基片架系統(tǒng)還包括基片架底圈及用于裝卸和方便所述單根立柱轉(zhuǎn)動的上下圓環(huán)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備,其特征在于:所述設(shè)備還包括基片轉(zhuǎn)動計數(shù)系統(tǒng),該基片轉(zhuǎn)動計數(shù)系統(tǒng)包括光纖探頭和計數(shù)孔,所述計數(shù)孔開設(shè)于基片架底圈上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備,其特征在于:所述光纖探頭位于真空腔體底部并與基片架底圈上的計數(shù)孔相適應(yīng)的位置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其特征在于:所述真空腔室還包括真空室門,該真空室門至少為兩扇。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其特征在于:所述離子源和所述濺射陰極均設(shè)有可移動的擋板系統(tǒng),所述蒸發(fā)源設(shè)有固定機(jī)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備,其特征在于:所述擋板系統(tǒng)包括提供動力的電機(jī)、傳遞動力的軸、齒輪及擋板。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備,其特征在于:所述擋板上設(shè)置有擋板槽,該擋板槽與所述齒輪相嚙合。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其特征在于:所述設(shè)備還包括對基片及基片架進(jìn)行加熱的加熱系統(tǒng),所述加熱系統(tǒng)位于真空腔體的內(nèi)壁上。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其特征在于:所述基片架系統(tǒng)還包括一驅(qū)動其自身轉(zhuǎn)動驅(qū)動裝置。
15.一種AR膜和AF膜的同爐鍍膜方法,包括以下步驟: A、將待鍍膜的基片裝載到基片架上,放入上述鍍膜設(shè)備; B、開啟尚子源,鍛制AR月旲; C、完成AR鍍膜后,基片架上所有單個立柱進(jìn)行翻轉(zhuǎn)180°至基片架內(nèi)側(cè)開啟蒸發(fā)源,在基片架內(nèi)側(cè)的基片上鍍制AF膜。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的鍍膜方法,其特征在于:所述基片架的轉(zhuǎn)速為1.0 — 8.5m/mirio
17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的鍍膜方法,其特征在于:所述的基片架上設(shè)置有對基片旋轉(zhuǎn)進(jìn)行計數(shù)的基片轉(zhuǎn)動計數(shù)系統(tǒng)。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的鍍膜方法,其特征在于:所述步驟B前還包括步驟:對基片進(jìn)行離子清洗,所述離子清洗前后都包括,將所述真空腔室抽至本地真空。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的鍍膜方法,其特征在于:所述步驟B還包括步驟:完成AF鍍膜后,對設(shè)備進(jìn)行冷卻處理,并充入氮?dú)膺M(jìn)行防氧化保護(hù),冷卻后對通入大氣使?fàn)t內(nèi)外氣壓一致,再打開真空室門。
【文檔編號】C23C14/24GK103668093SQ201310613534
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年11月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月27日
【發(fā)明者】宋光耀, 范文明, 檀曉兵 申請人:昂納信息技術(shù)(深圳)有限公司
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