技術(shù)特征：

1.一種氣體阻隔性膜，其在基材上依次具有錨固涂層、與所述錨固涂層接觸且通過真空成膜法形成的氣體阻隔層，

所述錨固涂層是對含有聚硅氮烷的層施加能量來進行改性處理而得到的層，且在將所述錨固涂層的厚度設(shè)為A、將所述錨固涂層整體的氮原子相對于硅原子的原子比即N/Si設(shè)為B時，A×B≤60，所述厚度以nm為單位。

2.如權(quán)利要求1所述的氣體阻隔性膜，其中，所述氣體阻隔層是以真空等離子體CVD法成膜的氣體阻隔層。

3.如權(quán)利要求1或2所述的氣體阻隔性膜，其中，所述氣體阻隔層是組成以SiC_x表示的組成分布的區(qū)域，

在厚度方向具有x為0.8～1.2的區(qū)域。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的氣體阻隔性膜，其中，所述能量的施加是通過照射真空紫外光而進行的。

5.如權(quán)利要求1～4中任一項所述的氣體阻隔性膜，其中，在與所述氣體阻隔層的基材側(cè)為相反側(cè)的面上，進一步具有對含有聚硅氮烷的層施加能量來進行改性處理而得到的層。

6.如權(quán)利要求5所述的氣體阻隔性膜，其中，所述能量的施加是通過照射真空紫外光而進行的。

7.一種電子設(shè)備，其中，包含：

權(quán)利要求1～6中任一項所述的氣體阻隔性膜，以及

形成于所述氣體阻隔性膜上的電子設(shè)備主體。