專利名稱：電路板制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板制作領(lǐng)域，尤其涉及電路板制作方法。
技術(shù)背景
所謂的原電池效應(yīng)是指活動(dòng)性(即氧化性)不同的兩種金屬或金屬和其他導(dǎo)電材料(如非金屬、氧化物等)通過(guò)導(dǎo)線連接之后，浸在電解質(zhì)溶液(如硫酸、雙氧水等酸性物質(zhì))中，發(fā)生氧化還原反應(yīng)，使得活動(dòng)性較強(qiáng)(即還原性較強(qiáng))的金屬發(fā)生氧化反應(yīng)而導(dǎo)致不斷被腐蝕的現(xiàn)象。
在制作基板過(guò)程中，對(duì)基板進(jìn)行選擇性鎳金處理之后，基板中同一個(gè)焊盤所在的線路網(wǎng)絡(luò)的表面裸露有金層和銅層。當(dāng)需要對(duì)基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理時(shí)，需要對(duì)種子層進(jìn)行微蝕處理，以對(duì)基板的表面進(jìn)行清潔處理，增加板面的粗糙度；但是用于微蝕處理的微蝕液的主要成分為硫酸和雙氧水，該微蝕液是一種較強(qiáng)的電解質(zhì)；而基板的焊盤所在的線路網(wǎng)絡(luò)中的金層和銅層通過(guò)鎳層相連，且浸入在微蝕液時(shí)，會(huì)產(chǎn)生較強(qiáng)的原電池效應(yīng)，使得活動(dòng)性較強(qiáng)的銅層被腐蝕；當(dāng)線路層的銅層被腐蝕嚴(yán)重時(shí)，可能會(huì)導(dǎo)致線路層銅層厚度較薄，從而影響到基板的電性能，繼而可能導(dǎo)致基板出現(xiàn)功能性缺陷，嚴(yán)重的還可能會(huì)導(dǎo)致基板報(bào)廢。發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供電路板制作方法，以解決在對(duì)基板進(jìn)行微蝕處理過(guò)程中，由于活動(dòng)性不同的金層和銅層產(chǎn)生原電池效應(yīng)而使得活動(dòng)性較強(qiáng)的銅層被腐蝕，從而導(dǎo)致該銅層厚度偏低，繼而導(dǎo)致基板報(bào)廢的問(wèn)題，以降低基板的報(bào)廢率。
一種電路板制作方法，包括
對(duì)完成選擇性電鍍鎳金后的基板進(jìn)行退膜處理，所述基板的鎳層連接金層和銅層；
對(duì)所述基板進(jìn)行干膜處理，在所述金層和銅層的表面上形成保護(hù)干膜，或者在所述銅層表面形成保護(hù)干膜；
對(duì)所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理。
較佳地，對(duì)所述基板進(jìn)行干膜處理，包括
在所述基板的金層表面、銅層表面和種子層表面形成干膜；對(duì)覆蓋在所述基板的種子層表面的干膜進(jìn)行曝光；對(duì)所述基板進(jìn)行顯影；對(duì)所述基板進(jìn)行微蝕處理，去除干膜中的非保護(hù)部分；在所述金層和銅層的表面上形成保護(hù)干膜；
或者，
在所述基板的金層表面、銅層表面和種子層表面形成干膜；對(duì)覆蓋在所述基板的種子層表面和金層表面的干膜進(jìn)行曝光；對(duì)所述基板進(jìn)行顯影；對(duì)所述基板進(jìn)行微蝕處理，去除干膜中的非保護(hù)部分；在所述銅層的表面上形成保護(hù)干膜。
較佳地，對(duì)所述基板進(jìn)行退膜，可包括采用退膜液對(duì)已經(jīng)完成電鍍鎳金后的基板進(jìn)行退膜處理，裸露所述基板的金層表面、銅層表面和種子層表面。較優(yōu)地，退膜液采用堿性的退膜液，如氫氧化鈉、氫氧化鉀等。
較佳地，對(duì)所述基板進(jìn)行顯影，可包括采用顯影液對(duì)曝光后的干膜進(jìn)行顯影，去除干膜中的非保護(hù)部分。
較佳地，對(duì)所述基板進(jìn)行微蝕處理，可包括采用微蝕液對(duì)所述基板進(jìn)行微蝕處理。較優(yōu)地，微蝕液采用酸性液體，如硫酸和雙氧水的混合液、硫酸和過(guò)硫酸鈉混合液等。
較佳地，對(duì)所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理，包括將所述種子層中露出的部蝕刻掉。
較佳地，對(duì)所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理之后，還包括對(duì)所述基板進(jìn)行保護(hù)干膜退膜處理。
較佳地，對(duì)所述基板進(jìn)行干膜處理，具體為對(duì)所述基板進(jìn)行絲印水干膜處理；
在所述基板的金層表面和銅層表面或者在銅層表面，形成保護(hù)干膜，所述保護(hù)干膜為水干膜。
較佳地，所述基板為基于加成法或半加成法工藝形成的基板。
采用本發(fā)明技術(shù)方案，對(duì)基板的種子層進(jìn)行蝕刻的處理流程中，在對(duì)種子層進(jìn)行蝕刻之前，在基板的金層和銅層表面形成保護(hù)干膜，或者在銅層表面形成保護(hù)干膜；再對(duì)基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理。采用本發(fā)明技術(shù)方案，由于銅層表面和金層表面覆蓋有保護(hù)干膜或者銅層表面覆蓋有保護(hù)干膜，從而防止了銅層和金層在微蝕液的作用下發(fā)生原電池效應(yīng)而使得銅層被腐蝕的問(wèn)題，從而避免了基板的銅層被腐蝕而導(dǎo)致銅層厚度變薄而影響基板電性能的問(wèn)題，繼而在一定程度上降低了基板的報(bào)廢率。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例中電路板的制作方法流程圖2為本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)完成選擇性電鍍鎳金后的基板進(jìn)行退膜之后的基板的結(jié)構(gòu)示意圖3為本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)基板進(jìn)行絲印水干膜處理后的基板的結(jié)構(gòu)示意圖4A為本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)基板進(jìn)行曝光、顯影處理之后的基板的結(jié)構(gòu)示意圖之
圖4B為本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)基板進(jìn)行曝光、顯影處理之后的基板的結(jié)構(gòu)示意圖之 --；
圖5A為本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)基板的水干膜進(jìn)行蝕刻處理之后的基板的結(jié)構(gòu)示意圖之一；
圖5B為本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)基板的水干膜進(jìn)行蝕刻處理之后的基板的結(jié)構(gòu)示意圖之二；
圖6為本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)基板進(jìn)行水印退膜處理之后的基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種電路板制作方法，以解決在對(duì)基板進(jìn)行微蝕處理時(shí)，由于活動(dòng)性不同的金層和銅層產(chǎn)生原電池效應(yīng)而使得活動(dòng)性較強(qiáng)的銅層被腐蝕，從而導(dǎo)致銅層厚度偏低，繼而導(dǎo)致基板報(bào)廢的問(wèn)題，從而降低基板的報(bào)廢率。該方法包括對(duì)完成選擇性電鍍鎳金后的基板進(jìn)行退膜處理，所述基板的鎳層連接金層和銅層；對(duì)所述基板進(jìn)行干膜處理，在所述金層和銅層的表面上形成保護(hù)干膜，或者在所述銅層表面形成保護(hù)干膜；對(duì)所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理。采用本發(fā)明技術(shù)方案，對(duì)基板的種子層進(jìn)行蝕刻的處理流程中，在對(duì)種子層進(jìn)行蝕刻之前，在基板的金層和銅層表面形成保護(hù)干膜，或者在銅層表面形成保護(hù)干膜；再對(duì)基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理。采用本發(fā)明技術(shù)方案，由于銅層表面和金層表面覆蓋有保護(hù)干膜或者銅層表面覆蓋有保護(hù)干膜， 從而防止了銅層和金層在微蝕液的作用下發(fā)生原電池效應(yīng)而使得銅層被腐蝕的問(wèn)題，從而避免了基板的銅層被腐蝕而導(dǎo)致銅層厚度變薄而影響基板電性能的問(wèn)題，繼而在一定程度上降低了基板的報(bào)廢率。
本發(fā)明提供一種電路板制作方法，其特征在于，包括
對(duì)完成選擇性電鍍鎳金后的基板進(jìn)行退膜處理，所述基板的鎳層連接金層和銅層；
對(duì)所述基板進(jìn)行干膜處理，在所述金層和銅層的表面上形成保護(hù)干膜，或者在所述銅層表面形成保護(hù)干膜；
對(duì)所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理。
此后，可通過(guò)進(jìn)行與現(xiàn)有技術(shù)大致相同的工藝進(jìn)行處理，最終制成電路板。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實(shí)施例中，對(duì)所述基板進(jìn)行干膜處理，包括
在所述基板的金層表面、銅層表面和種子層表面形成干膜；對(duì)覆蓋在所述基板的種子層表面的干膜進(jìn)行曝光；對(duì)所述基板進(jìn)行顯影；對(duì)所述基板進(jìn)行微蝕處理，去除干膜中的非保護(hù)部分；在所述金層和銅層的表面上形成保護(hù)干膜；
或者，
在所述基板的金層表面、銅層表面和種子層表面形成干膜；對(duì)覆蓋在所述基板的種子層表面和金層表面的干膜進(jìn)行曝光；對(duì)所述基板進(jìn)行顯影；對(duì)所述基板進(jìn)行微蝕處理，去除干膜中的非保護(hù)部分；在所述銅層的表面上形成保護(hù)干膜。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實(shí)施例中，對(duì)基板進(jìn)行退膜處理，包括采用退膜液對(duì)所述基板進(jìn)行退膜處理，裸露所述基板的金層表面、銅層表面和種子層表面，所述退膜液優(yōu)選為堿性退膜液。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實(shí)施例中，對(duì)所述基板進(jìn)行顯影，包括采用顯影液對(duì)曝光后的干膜進(jìn)行顯影，去除干膜中的非保護(hù)部分。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實(shí)施例中，對(duì)所述基板進(jìn)行微蝕處理，包括采用微蝕液對(duì)所述基板進(jìn)行微蝕處理，所述微蝕液優(yōu)選為酸性液體。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實(shí)施例中，所述微蝕液為硫酸和雙氧水的混合液，或者為硫酸和過(guò)硫酸鈉的混合液。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實(shí)施例中，對(duì)所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理，包括將所述種子層中露出的部分蝕刻掉。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實(shí)施例中，還包括
對(duì)所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理之后，對(duì)所述基板進(jìn)行保護(hù)干膜退膜處理。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實(shí)施例中，對(duì)所述基板進(jìn)行干膜處理，包括
對(duì)所述基板進(jìn)行絲印水干膜處理；
在所述基板的金層表面和銅層表面或者在銅層表面，形成保護(hù)干膜，所述保護(hù)干膜為水干膜。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實(shí)施例中，所述基板為基于加成法或半加成法工藝所形成的基板。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述基板可以用于非銅基電路板(例如鋁基電路板)，這樣相應(yīng)地可在非銅基材料層上形成保護(hù)干膜，以實(shí)現(xiàn)防腐蝕的作用。
下面結(jié)合說(shuō)明書附圖對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的描述。
參見圖1，為本發(fā)明實(shí)施例中制作電路板的方法，該方法包括
步驟101、對(duì)完成選擇性電鍍鎳金后的基板進(jìn)行退膜處理，所述基板的鎳層連接金層和銅層。
該步驟中，可采用退膜液(如堿性退膜液，如氫氧化鈉、氫氧化鉀等)對(duì)已經(jīng)完成電鍍鎳金后的基板進(jìn)行退膜處理，以裸露基板的金層表面、銅層表面和種子層表面。
步驟102、對(duì)所述基板進(jìn)行干膜處理，在所述基板的金層和銅層表面形成保護(hù)干膜，或者在銅層表面形成保護(hù)干膜。
步驟103、對(duì)所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理。
較佳地，上述流程步驟102中，在所述基板的金層和銅層表面形成保護(hù)干膜，可包括
步驟1)、在所述基板的金層表面、銅層表面和種子層表面形成干膜；
步驟2、、對(duì)覆蓋在所述基板的種子層表面的干膜進(jìn)行曝光；
步驟幻、對(duì)所述基板進(jìn)行顯影，去除干膜中的非保護(hù)部分(如種子層表面覆蓋的保護(hù)干膜)；
步驟4)對(duì)所述基板進(jìn)行微蝕處理；
步驟幻在所述金層和銅層的表面上形成保護(hù)干膜。
上述流程步驟102中，在所述基板的銅層表面形成保護(hù)干膜，可包括
步驟1’)在所述基板的金層表面、銅層表面和種子層表面形成干膜；
步驟2’ )對(duì)覆蓋在所述基板的種子層表面和金層表面的干膜進(jìn)行曝光；
步驟3’ )對(duì)所述基板進(jìn)行顯影，去除干膜中的非保護(hù)部分(如種子層表面和金層表面的保護(hù)干膜)；
步驟4’)對(duì)所述基板進(jìn)行微蝕處理；
步驟5 ’)在所述銅層的表面上形成保護(hù)干膜。
較佳地，上述步驟幻和步驟3’)中，采用顯影液對(duì)曝光后的干膜進(jìn)行顯影，去除干膜中的非保護(hù)部分。
較佳地，上述步驟4)和步驟4’)中，可采用微蝕液(微蝕液可以是酸性液體，如硫酸和雙氧水的混合物、硫酸和過(guò)硫酸鈉混合液等)對(duì)所述基板進(jìn)行微蝕處理。
步驟103中，對(duì)所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理，包括將所述種子層中裸露的部分種子層蝕刻掉。
較佳地，上述流程還可以包括6
步驟104、對(duì)所述基板進(jìn)行保護(hù)干膜退膜處理。
較佳地，由于絲印水干膜得到的水干膜的密度較大、覆蓋效果較好，上述步驟102 中對(duì)所述基板進(jìn)行干膜處理，包括對(duì)所述基板進(jìn)行絲印水干膜處理；在所述基板的金層表面和銅層表面，或者在所述銅層表面，形成的干膜為水干膜。
后續(xù)步驟2、和步驟2’ )進(jìn)行曝光、步驟幻和步驟3’ )進(jìn)行顯影，都是針對(duì)水干膜而言。
較佳地，本發(fā)明實(shí)施例中的基板為基于加成法或半加成法工藝所形成的基板。
本發(fā)明實(shí)施例中，完成選擇性電鍍鎳金的基板如圖2所示，基板包括種子層1、銅層2、鎳層3和金層4，其中，種子層1作為基板在電鍍時(shí)的導(dǎo)通層(功能類似于傳統(tǒng)流程中的沉銅)，即作為線路層的基礎(chǔ)層，當(dāng)對(duì)基板完成電鍍鎳金后需要將該種子層中裸露的部分種子層(如圖2中的11和12部分)去除，以避免線路層短路的問(wèn)題；鎳層3連接金層4和銅層2。
對(duì)基板進(jìn)行絲印水干膜處理，在基板的金層4表面、銅層2表面和種子層1表面形成的水干膜5，如圖3所示。
對(duì)基板進(jìn)行曝光和顯影，包括對(duì)覆蓋在所述基板的種子層1表面和金層4表面的水干膜進(jìn)行曝光并顯影，保留銅層2表面上的水干膜，如圖4A所示；對(duì)覆蓋在所述基板的種子層1表面的水干膜進(jìn)行曝光并顯影，保留在金層4表面和銅層2表面的水干膜，如圖4B 所示。
對(duì)如圖4A和圖4B所示的基板的種子層1進(jìn)行蝕刻處理時(shí)，將種子層1中裸露的部分種子層11和種子層12進(jìn)行蝕刻處理，得到如圖5A和圖5B所示的基板。
在對(duì)圖5A和如5B所示的基板進(jìn)行水干膜退膜處理之后，得到如圖6所示的基板。
本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)完成選擇性電鍍鎳金后的基板退膜，所述基板的鎳層連接金層和銅層；對(duì)退膜后的所述基板進(jìn)行絲印水干膜處理，并在所述基板的金層表面、銅層表面和種子層表面形成水干膜；對(duì)覆蓋在所述基板的種子層表面和金層表面的水干膜進(jìn)行曝光，或者，對(duì)覆蓋在所述基板的種子層表面的水干膜進(jìn)行曝光；對(duì)所述基板進(jìn)行顯影；對(duì)所述基板進(jìn)行微蝕處理；對(duì)所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理。采用本發(fā)明技術(shù)方案，在采用微蝕液對(duì)該基板進(jìn)行微蝕處理時(shí)，由于銅層表面，或者銅層表面和金層表面覆蓋有水干膜，從而避免了銅層和金層在微蝕液的作用下發(fā)生原電池效應(yīng)而使得銅層被腐蝕的問(wèn)題，從而避免了基板的銅層被腐蝕而導(dǎo)致銅層厚度變薄而影響基板電性能的問(wèn)題，繼而在一定程度上降低了基板的報(bào)廢率。
顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電路板制作方法，其特征在于，包括對(duì)完成選擇性電鍍鎳金后的基板進(jìn)行退膜處理，所述基板的鎳層連接金層和銅層；對(duì)所述基板進(jìn)行干膜處理，在所述金層和銅層的表面上形成保護(hù)干膜，或者在所述銅層表面形成保護(hù)干膜；對(duì)所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對(duì)所述基板進(jìn)行干膜處理，包括在所述基板的金層表面、銅層表面和種子層表面形成干膜；對(duì)覆蓋在所述基板的種子層表面的干膜進(jìn)行曝光；對(duì)所述基板進(jìn)行顯影；對(duì)所述基板進(jìn)行微蝕處理，去除干膜中的非保護(hù)部分；在所述金層和銅層的表面上形成保護(hù)干膜；或者，在所述基板的金層表面、銅層表面和種子層表面形成干膜；對(duì)覆蓋在所述基板的種子層表面和金層表面的干膜進(jìn)行曝光；對(duì)所述基板進(jìn)行顯影；對(duì)所述基板進(jìn)行微蝕處理，去除干膜中的非保護(hù)部分；在所述銅層的表面上形成保護(hù)干膜。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，對(duì)基板進(jìn)行退膜處理，包括采用退膜液對(duì)所述基板進(jìn)行退膜處理，裸露所述基板的金層表面、銅層表面和種子層表面，所述退膜液優(yōu)選為堿性退膜液。
4.如權(quán)利要求1 3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，對(duì)所述基板進(jìn)行顯影，包括采用顯影液對(duì)曝光后的干膜進(jìn)行顯影，去除干膜中的非保護(hù)部分。
5.如權(quán)利要求1 4任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，對(duì)所述基板進(jìn)行微蝕處理，包括 采用微蝕液對(duì)所述基板進(jìn)行微蝕處理，所述微蝕液優(yōu)選為酸性液體。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述微蝕液為硫酸和雙氧水的混合液，或者為硫酸和過(guò)硫酸鈉的混合液。
7.如權(quán)利要求1 6任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，對(duì)所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理，包括將所述種子層中露出的部分蝕刻掉。
8.如權(quán)利要求1 7任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，還包括對(duì)所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理之后，對(duì)所述基板進(jìn)行保護(hù)干膜退膜處理。
9.如權(quán)利要求1 8任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，對(duì)所述基板進(jìn)行干膜處理，包括對(duì)所述基板進(jìn)行絲印水干膜處理；在所述基板的金層表面和銅層表面或者在銅層表面，形成保護(hù)干膜，所述保護(hù)干膜為水干膜。
10.如權(quán)利要求1 9任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述基板為基于加成法或半加成法工藝所形成的基板。
全文摘要
本發(fā)明公開了電路板制作方法，以降低基板的報(bào)廢率。該方法包括對(duì)完成選擇性電鍍鎳金后的基板進(jìn)行退膜處理，所述基板的鎳層連接金層和銅層；對(duì)所述基板進(jìn)行干膜處理，在所述金層和銅層的表面上形成保護(hù)干膜，或者在所述銅層表面形成保護(hù)干膜；對(duì)所述基板的種子層進(jìn)行蝕刻處理。采用本發(fā)明技術(shù)方案，防止了銅層和金層在微蝕液的作用下發(fā)生原電池效應(yīng)而使得銅層被腐蝕的問(wèn)題，從而避免了基板的銅層被腐蝕而導(dǎo)致銅層厚度變薄而影響基板電性能的問(wèn)題，繼而在一定程度上降低了基板的報(bào)廢率。
文檔編號(hào)H05K3/28GK102548231SQ201010620498
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2010年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月23日
發(fā)明者朱興華, 蘇新虹 申請(qǐng)人:北大方正集團(tuán)有限公司