技術(shù)特征：

1.一種低損耗高隔離的倒裝芯片小節(jié)點(diǎn)陣列射頻開關(guān)，包括：M個串聯(lián)通路、Q個并聯(lián)通路和負(fù)載匹配電路；

任意第i個串聯(lián)通路包含N_i個串聯(lián)的晶體管單元；任意第i個串聯(lián)通路的第1個串聯(lián)的晶體管單元的漏極連接射頻信號的輸入端口；第N_i-1個晶體管單元的源極連接到第N_i個晶體管單元的漏極；任意所述第N_i個晶體管單元的源極連接所述射頻信號的第i個輸出端口；

任意第j個并聯(lián)通路有N_j個串聯(lián)的晶體管單元；任意第j個并聯(lián)通路的第1個串聯(lián)的晶體管單元的漏極分別連接所述射頻信號的第j個輸出端口；第N_j-1個晶體管單元的源極連接到第N_j個晶體管單元的漏極，任意所述第N_j個晶體管單元的源極接地；1≤i≤M且M≥2；1≤j≤Q且Q≥1；N_i≥2；N_j≥2；

所述射頻信號從所述M個串聯(lián)通路的第i個串聯(lián)通路的第1個串聯(lián)的晶體管單元的漏極進(jìn)入并經(jīng)過N_i個串聯(lián)的晶體管單元后，輸出至所述射頻信號的第i個輸出端口；

由所述倒裝芯片射頻開關(guān)的邏輯控制電路控制所述倒裝芯片射頻開關(guān)上所有晶體管單元的柵極，從而選擇所述射頻信號在所述M個串聯(lián)通路中的開關(guān)路徑；

所述負(fù)載匹配電路對經(jīng)過所述M個串聯(lián)通路中選定的開關(guān)路徑后的射頻信號進(jìn)行負(fù)載優(yōu)化匹配后輸出至天線；其特征是：

設(shè)置一組地線GND節(jié)點(diǎn)；所述地線GND是由Q個倒裝芯片小節(jié)點(diǎn)陣列組成，并分別設(shè)置在Q個并聯(lián)通路的接地端；其中，第j個倒裝芯片小節(jié)點(diǎn)陣列與第j個并聯(lián)通路的接地端相連；

設(shè)置一組射頻信號節(jié)點(diǎn)，所述射頻信號節(jié)點(diǎn)為M個串聯(lián)通路的輸入輸出端口，并由M+1或是M+2個倒裝芯片小節(jié)點(diǎn)陣列組成，其中，M個裝芯片小節(jié)點(diǎn)陣列分別設(shè)置在射頻信號的M個輸出端口上；第i個倒裝芯片小節(jié)點(diǎn)陣列與第i個串聯(lián)通路的輸出端口相連接；若所述倒裝芯片射頻開關(guān)為單刀多擲開關(guān)，則在所述射頻信號的輸入端口上設(shè)置一個倒裝芯片小節(jié)點(diǎn)陣列；若所述倒裝芯片射頻開關(guān)為雙刀多擲開關(guān)，則在所述射頻信號的輸入端口上設(shè)置兩個倒裝芯片小節(jié)點(diǎn)陣列。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝芯片小節(jié)點(diǎn)陣列射頻開關(guān)，其特征是：所述倒裝芯片小節(jié)點(diǎn)陣列為一個小倒裝節(jié)點(diǎn)，或?yàn)榇笥诘扔?個的小倒裝節(jié)點(diǎn)組成；所述小倒裝節(jié)點(diǎn)為直徑小于60微米的圓柱。

3.一種移動終端，其特征是：所述移動終端具有如權(quán)利要求1或2所述的倒裝芯片小節(jié)點(diǎn)陣列射頻開關(guān)。