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低損耗高隔離的倒裝芯片小節(jié)點陣列射頻開關及其移動終端的制作方法

文檔序號:12542360閱讀:533來源:國知局
低損耗高隔離的倒裝芯片小節(jié)點陣列射頻開關及其移動終端的制作方法與工藝

本實用新型涉及一種射頻開關,具體的說是一種采用高密度小節(jié)點的倒裝芯片工藝,并具有低損耗高隔離以及平衡散熱的射頻開關及其移動終端。



背景技術:

射頻發(fā)射前端模塊是射頻終端器件實現(xiàn)信號傳輸?shù)年P鍵元器件。當前隨著全球無線通信用戶的快速增長及用戶對無線通信的更高端的體驗需求,市場對無線通信的帶寬的需求快速增長。為了解決這種市場需求,全球開放出來的專用無線通信頻段越來越多并且越來越擁擠。手機無線通信頻段主要利用率高的調制解調方式,例如:3G的寬帶碼分多址(Wideband Code Division Multiple Access,WCDMA),帶碼分多址(Code Division Multiple Access,CDMA),時分同步碼分多址(Time Division Synchronous Code Division Multiple Access,TD-SCDMA),以及逐漸取代3G技術成為市場主流的4G技術的Long term evolution,LTE包括成對頻譜模式(Frequency domain duplexing,FDD)及非成對頻譜模式(Time domain duplexing,TDD)。這些頻段利用率高的各種調制解調方式都對無線通信終端提出更高的要求,例如:高質量的語音通話,減少數(shù)據(jù)通信中的錯誤,快速的語音數(shù)據(jù)傳輸?shù)那袚Q,等等。滿足全網通的射頻前端模塊在眾多擁擠的頻段(例如4G LTE有多于40個頻段)都能工作,其中必需多個射頻開關芯片來滿足頻段通路的選擇來配合射頻前端的射頻功率放大器。

由于射頻開關通常在射頻功率放大器之后,在天線之前,對于射頻發(fā)射前端的主力元器件之一射頻開關及其模塊來說,就意味著在新的更高頻更擁擠的頻段以及頻段利用率高的調制解調方式下,射頻開關必須具有較低的插入損耗,較高的隔離,較高的線性度來保障射頻信號能夠傳輸并且能夠盡量減少信號失真及避免信號受到的干擾。一般射頻開關可以是以獨立的芯片或是模塊的形式出現(xiàn)在無線通信系統(tǒng)之中,也可以與功率放大器,濾波器等其它射頻元器件集成在一個模塊中?,F(xiàn)有的功率放大器模塊一般采用多元件集成在一個基板上形成一個模塊(MCM),其模塊中可能包含不局限于以下的多個元件:功率放大器芯片,功率模式控制電路通常是CMOS工藝,輸出匹配電路可以采用無源分立元件或半導體無源器件,濾波器芯片以及射頻開關芯片。該射頻開關芯片通常是采用GaAs pHEMT工藝或是SOI技術。各個芯片與基板的連接方式基本有兩種,一種是通過飛線技術連接芯片上的焊盤和基板上的焊盤節(jié)點,另一種是倒裝芯片技術通過芯片上的金屬凸點和基板上的節(jié)點直接通過焊錫或是銅柱對接。

圖1顯示了常見的射頻開關,a是單刀雙擲開關,b是單刀多擲開關,c是雙刀雙擲開關,d是雙刀多擲開關。以常見射頻開關的連接方式為例,市場上已有的大部分射頻開關是通過飛線技術把射頻開關芯片與基板實現(xiàn)連接,這種情況下其中射頻開關接地方式大部分是飛線連接到基板的地線上。以簡單的單刀雙擲射頻開關為例,圖2顯示的是市場現(xiàn)有多數(shù)射頻開關的接地設計。圖2中201,202,……,20(N-1),20N(其中N是大于1的整數(shù),一般由該射頻開關的應用及最大功率決定)是市場常見的射頻開關的一條串聯(lián)通路中的大晶體管的基本單元,211,212,……,21(N-1),21N是另一條串聯(lián)通路中的大晶體管的基本單元。221,222,……,22(N-1),22N是射頻開關發(fā)射端(TX)一條并聯(lián)通路中的晶體管的基本單元,231,232,……,23(N-1),23N是射頻開關接收端(RX)一條并聯(lián)通路中的晶體管的基本單元,241,242,……,24(N-1),24N是射頻開關天線端(ANT)一條并聯(lián)通路中的晶體管的基本單元。以上每個基本單元可以由單晶體管組成也可能由多個更小的基本開關晶體管單元并聯(lián)組成。22(N+1)及24(N+1)代表射頻開關芯片上的接地焊盤GND,在GaAs pHEMT工藝或是SOI工藝里是通過該焊盤(bond pad)飛線到基板上的地線。200,20(N+1),210,21(N+1)代表了射頻開關射頻信號輸入輸出端在芯片上的焊盤bond pad,射頻信號輸入輸出都是通過這幾個芯片上焊盤bondpad飛線連接到基板上放大器的負載輸出匹配網絡以及天線端或是后置芯片的輸入端口。這種連接方法普遍用于射頻開關的設計。但是這種飛線連基板接地方式散熱效果不佳,飛線自身電感較大,也有一定的插入損耗,從而導致射頻開關的插入損耗未能優(yōu)化。

另一種市場常見芯片連接采用倒裝芯片技術通過芯片上的金屬凸點和基板上的節(jié)點直接通過焊錫球或是銅柱對接。這種方式常見于多管腳的高性能處理器芯片,近來市場上逐漸出現(xiàn)射頻開關的電路通過倒裝芯片技術把該射頻開關芯片與基板實現(xiàn)連接。這種設計一般是如圖2的飛線連接工藝直接到倒裝芯片的簡單改造而成。以簡單的單刀雙擲射頻開關為例,如圖3所示,301,302,……,30(N-1),30N(其中N是大于1的整數(shù),一般由該射頻開關的應用及最大功率決定)是市場常見的射頻開關的一條串聯(lián)通路中的大晶體管的基本單元,311,312,……,31(N-1),31N是另一條串聯(lián)通路中的大晶體管的基本單元。321,322,……,32(N-1),32N是射頻開關發(fā)射端(TX)一條并聯(lián)通路中的晶體管的基本單元,331,332,……,33(N-1),33N是射頻開關接收端(RX)一條并聯(lián)通路中的晶體管的基本單元,341,342,……,34(N-1),34N是射頻開關天線端(ANT)一條并聯(lián)通路中的晶體管的基本單元。以上每個基本單元可以由單晶體管組成也可能由多個更小的基本開關晶體管單元并聯(lián)組成。32(N+1)及34(N+1)代表射頻開關芯片上的接地倒裝節(jié)點GND,在GaAs pHEMT倒裝工藝或是SOI倒裝工藝里是通過該節(jié)點經過焊錫球或是銅柱連接到基板上的地線。300,30(N+1),310,31(N+1)代表了射頻開關射頻信號輸入輸出端在芯片上的倒裝節(jié)點,射頻信號輸入輸出都是通過這幾個芯片上倒裝節(jié)點經過焊錫球或是銅柱連接到基板上放大器的負載輸出匹配網絡以及天線端或是后置芯片的輸入端口。這種連接方法開始逐漸應用于高集成度模塊的射頻開關的設計。較飛線連基板接地方式這種倒裝節(jié)點接地散熱效果更佳,焊錫球或是銅柱的自身電感較飛線小,這種倒裝芯片設計的射頻開關的插入損耗比飛線連接的射頻開關更優(yōu)化。但是這種設計方案的缺點是由于倒裝芯片節(jié)點的大小統(tǒng)一(一般為較大的節(jié)點),導致實際設計射頻開關的版圖中的倒裝節(jié)點過大而引起了與射頻開關的串聯(lián)或是并聯(lián)通路的耦合作用,這種耦合作用在復雜倒裝芯片的射頻開關中更為常見,結果導致射頻開關的最大可工作功率以及線性度大大降低。



技術實現(xiàn)要素:

本實用新型為解決上述現(xiàn)有技術中存在的不足之處,提供了一種低損耗高隔離的倒裝芯片小節(jié)點陣列射頻開關及其應用,以期減少射頻開關電路中接地的插入損耗以及電感,同時能提高射頻開關的隔離性能;從而提高射頻開關的最大可工作功率以及線性度。

本實用新型為解決技術問題采用如下技術方案:

本實用新型一種低損耗高隔離的倒裝芯片小節(jié)點陣列射頻開關,包括:M個串聯(lián)通路、Q個并聯(lián)通路和負載匹配電路;

任意第i個串聯(lián)通路包含Ni個串聯(lián)的晶體管單元;任意第i個串聯(lián)通路的第1個串聯(lián)的晶體管單元的漏極連接射頻信號的輸入端口;第Ni-1個晶體管單元的源極連接到第Ni個晶體管單元的漏極;任意所述第Ni個晶體管單元的源極連接所述射頻信號的第i個輸出端口;

任意第j個并聯(lián)通路有Nj個串聯(lián)的晶體管單元;任意第j個并聯(lián)通路的第1個串聯(lián)的晶體管單元的漏極分別連接所述射頻信號的第j個輸出端口;第Nj-1個晶體管單元的源極連接到第Nj個晶體管單元的漏極,任意所述第Nj個晶體管單元的源極接地;1≤i≤M且M≥2;1≤j≤Q且Q≥1;Ni≥2;Nj≥2;

所述射頻信號從所述M個串聯(lián)通路的第i個串聯(lián)通路的第1個串聯(lián)的晶體管單元的漏極進入并經過Ni個串聯(lián)的晶體管單元后,輸出至所述射頻信號的第i個輸出端口;

由所述倒裝芯片射頻開關的邏輯控制電路控制所述倒裝芯片射頻開關上所有晶體管單元的柵極,從而選擇所述射頻信號在所述M個串聯(lián)通路中的開關路徑;

所述負載匹配電路對經過所述M個串聯(lián)通路中選定的開關路徑后的射頻信號進行負載優(yōu)化匹配后輸出至天線;其特點是:

設置一組地線GND節(jié)點;所述地線GND是由Q個倒裝芯片小節(jié)點陣列組成,并分別設置在Q個并聯(lián)通路的接地端;其中,第j個倒裝芯片小節(jié)點陣列與第j個并聯(lián)通路的接地端相連;

設置一組射頻信號節(jié)點,所述射頻信號節(jié)點為M個串聯(lián)通路的輸入輸出端口,并由M+1或是M+2個倒裝芯片小節(jié)點陣列組成,其中,M個裝芯片小節(jié)點陣列分別設置在射頻信號的M個輸出端口上;第i個倒裝芯片小節(jié)點陣列與第i個串聯(lián)通路的輸出端口相連接;若所述倒裝芯片射頻開關為單刀多擲開關,則在所述射頻信號的輸入端口上設置一個倒裝芯片小節(jié)點陣列;若所述倒裝芯片射頻開關為雙刀多擲開關,則在所述射頻信號的輸入端口上設置兩個倒裝芯片小節(jié)點陣列。

本實用新型所述的倒裝芯片小節(jié)點陣列射頻開關的特點也在于:所述倒裝芯片小節(jié)點陣列為一個小倒裝節(jié)點,或為大于等于2個的小倒裝節(jié)點組成;所述小倒裝節(jié)點為直徑小于60微米的圓柱;

本實用新型一種移動終端的特點是:所述移動終端具有如權利要求1或2所述的倒裝芯片小節(jié)點陣列射頻開關。

與已有技術相比,本實用新型有益效果體現(xiàn)在:

1、相比市場上大多數(shù)射頻開關采用飛線連接而言,本實用新型的倒裝芯片射頻開關采用高密度小倒裝節(jié)點即倒裝芯片小節(jié)點陣列連接射頻開關的接地端,以減少射頻開關電路中接地的插入損耗以及電感,采用單個或是高密度多個倒裝小節(jié)點連接射頻開關的信號輸入輸出端口,以降低其與射頻開關的串聯(lián)或是并聯(lián)通路的耦合作用,這種設計不但減少了飛線的使用,減少了射頻開關芯片的面積,而且減少了模塊的面積,同時大大減少了接地的電阻以及電感,從而能更平衡散熱,提高了射頻開關的插入損耗性能,提高了集成射頻開關的射頻模塊的效率,使模塊產品集成度更高,成本更低。

2、本實用新型的倒裝芯片射頻開關采用高密度小倒裝節(jié)點,相比市場上有些射頻開關采用統(tǒng)一大小的大倒裝節(jié)點而言,在射頻開關電路接地處采用高密度多個倒裝小節(jié)點的設計方案,能夠大大減少射頻開關并聯(lián)通路接地的電阻以及電感,從而提高了射頻開關的隔離特性,同時減少了射頻開關的插入損耗。本實用新型由于采用了統(tǒng)一的小倒裝節(jié)點,無論射頻開關采用基于SOI半導體的制程,還是三五族復合半導體材料(例如GaAs pHEMT)的制程,都避免了由于不均勻節(jié)點產生的半導體表面應力,從而避免了由封裝影響到半導體的導電特性。采用本實用新型的統(tǒng)一高密度小倒裝節(jié)點的倒裝芯片工藝在能夠提高射頻開關的射頻性能的基礎上,可以較少的影響其批量生產的產品良率。在實際應用中,這種倒裝工藝能夠更平衡的散熱,同時能夠提高射頻開關的最大工作功率,也能提高射頻開關的線性度。

3、由于射頻芯片的集成度比較高,多個串聯(lián)通路和并聯(lián)通路密集排列在很小的芯片面積上,現(xiàn)有的統(tǒng)一的倒裝芯片技術采用統(tǒng)一的較大的倒裝節(jié)點,具體的設計版圖中較大的倒裝節(jié)點常常與其它射頻通路過近,導致很多射頻信號的耦合從而降低了射頻開關的隔離程度,過多的耦合同時會降低該射頻開關的最大工作功率以及線性度。本實用新型的倒裝芯片射頻開關采用的統(tǒng)一大小的一種小倒裝節(jié)點的設計,多小節(jié)點接地能夠保持既有的射頻開關并聯(lián)通路的電阻和電感,能夠以較小的倒裝節(jié)點來連接射頻信號的輸入輸出端口,從而減小了該倒裝節(jié)點與其它射頻開關通路的耦合。綜合所述,高密度小倒裝芯片節(jié)點的設計能夠提高射頻開關的隔離特性,減小了插入損耗,提高了射頻開關的最大輸出功率和線性度。

4、市場上述方案中的射頻開關設計不僅僅針對2G網絡,3G網絡,或是4G網路,在其它無線通信標準下(例如ZigBee,WiFi,WLAN,Bluetooth,等等)也能提高射頻性能。本實用新型的射頻開關可以通過倒裝芯片工藝以及采用統(tǒng)一的高密度小倒裝節(jié)點,在不影響該射頻開關的量產良率以及產品可靠性的基礎上,通過提高射頻開關的插入損耗,提高了射頻開關的隔離程度,降低該射頻開關傳輸通路與其它通路的耦合程度,最終可以提高該射頻開關在不同模式下和/或不同通信制式下的射頻性能,提高了集成該射頻開關的射頻模塊的模塊效率。

5、市場上使用現(xiàn)有方案中的移動終端,需要多個射頻開關芯片或是射頻開關模塊來實現(xiàn)射頻通路的選擇和轉換。本實用新型的射頻開關,可以使移動終端減少面積/體積,可以節(jié)省移動終端的成本,同時由于其更好的射頻開關性能(低損耗高隔離),從而在各種射頻系統(tǒng)中提高了移動終端的線性度以及移動終端的效率。

附圖說明

圖1為常見的射頻開關的示意圖;

圖2為現(xiàn)有采用飛線技術的射頻開關原理圖;

圖3為現(xiàn)有采用倒裝芯片技術的射頻開關原理圖;

圖4a為本實用新型的倒裝芯片技術單刀多擲射頻開關的示意圖;

圖4b為本實用新型的倒裝芯片技術采用高密度小倒裝節(jié)點的單刀多擲射頻開關的一個串聯(lián)通路與一個并聯(lián)通路示意圖;

圖5為本實用新型的一種倒裝芯片技術的單刀雙擲射頻開關采用高密度小節(jié)點的原理圖;

圖6為本實用新型的另一種倒裝芯片技術的單刀雙擲射頻開關采用高密度小節(jié)點的原理圖;

圖7為現(xiàn)有采用統(tǒng)一大倒裝節(jié)點的倒裝芯片技術的單刀雙擲射頻開關版圖示意圖;

圖8為本實用新型采用高密度小倒裝節(jié)點的倒裝芯片技術應用在單刀雙擲射頻開關的版圖示意圖;

圖中標號:a,單刀雙擲;b,單刀多擲;c,雙刀雙擲;d,雙刀多擲。

具體實施方式

本實施例中,一種低損耗高隔離的倒裝芯片小節(jié)點陣列射頻開關,是利用至少兩個射頻開關電路形成的射頻通路以串聯(lián)或是并聯(lián)的通路方式連接,通過倒裝芯片的技術對射頻開關和基板進行連接,對該射頻開關中各個輸入輸出端口以倒裝小節(jié)點連接,對該射頻開關中各個并聯(lián)通路接地采用高密度多個倒裝小節(jié)點連接。該射頻開關由于采用了統(tǒng)一大小的一種倒裝小節(jié)點的倒裝芯片技術,在不影響該射頻開關的量產良率以及產品可靠性的基礎上,通過提高射頻開關的插入損耗,提高射頻開關的隔離程度,降低該射頻開關傳輸通路與其它通路的耦合程度,最終可以提高該射頻開關在不同模式下和/或不同通信制式下的射頻性能,提高集成該射頻開關的射頻模塊的模塊效率。具體的說,如圖4a和圖4b所示,包括:M個串聯(lián)通路、Q個并聯(lián)通路和負載匹配電路;

任意第i個串聯(lián)通路包含Ni個串聯(lián)的晶體管單元;任意第i個串聯(lián)通路的第1個串聯(lián)的晶體管單元的漏極連接射頻信號的輸入端口;第Ni-1個晶體管單元的源極連接到第Ni個晶體管單元的漏極;任意第Ni個晶體管單元的源極連接射頻信號的第i個輸出端口;

任意第j個并聯(lián)通路有Nj個串聯(lián)的晶體管單元;任意第j個并聯(lián)通路的第1個串聯(lián)的晶體管單元的漏極分別連接射頻信號的第j個輸出端口;第Nj-1個晶體管單元的源極連接到第Nj個晶體管單元的漏極,任意第Nj個晶體管單元的源極接地;1≤i≤M且M≥2;1≤j≤Q且Q≥1;Ni≥2;Nj≥2;

射頻信號從M個串聯(lián)通路的第i個串聯(lián)通路的第1個串聯(lián)的晶體管單元的漏極進入并經過Ni個串聯(lián)的晶體管單元后,輸出至射頻信號的第i個輸出端口;根據(jù)設計需要該射頻信號在該輸出端口同時也連接到某一個并聯(lián)通路的Nj個串聯(lián)的晶體管單元的一端;該并聯(lián)通路的Nj個串聯(lián)的晶體管單元另一端接地。

由倒裝芯片射頻開關的邏輯控制電路控制倒裝芯片射頻開關上所有晶體管單元的柵極,從而具體選擇射頻信號在M個串聯(lián)通路中的開關路徑;

負載匹配電路對經過M個串聯(lián)通路中選定的開關路徑后的射頻信號進行負載優(yōu)化匹配后輸出至天線;

由于射頻信號在選定的開關通路中流經Ni個晶體管但沒有放大并且會有因為開關自身引起的損耗即插入損耗(Insertion Loss)。因此,區(qū)別于市場現(xiàn)有大多數(shù)手機無線通信方案中的射頻開關采用的飛線連接工藝,本實施例中,在版圖上和實際電路芯片中,如圖4a和圖4b所示:

設置一組地線GND節(jié)點;地線GND是由Q個倒裝芯片小節(jié)點陣列組成,并分別設置在Q個并聯(lián)通路的接地端;其中,第j個倒裝芯片小節(jié)點陣列與第j個并聯(lián)通路的接地端相連;

設置一組射頻信號節(jié)點,射頻信號節(jié)點為射頻開關串聯(lián)通路的輸入輸出端口,并由M+1或是M+2個倒裝芯片小節(jié)點陣列組成,其中,M個裝芯片小節(jié)點陣列分別設置在射頻信號的M個輸出端口上;第i個倒裝芯片小節(jié)點陣列與第i個串聯(lián)通路的輸出端口相連接;若倒裝芯片射頻開關為單刀多擲開關,則在射頻信號的輸入端口上設置一個倒裝芯片小節(jié)點陣列;若倒裝芯片射頻開關為雙刀多擲開關,則在射頻信號的輸入端口上設置兩個倒裝芯片小節(jié)點陣列。

具體實施中,倒裝芯片小節(jié)點陣列為一個小倒裝節(jié)點,或為大于等于2個的小倒裝節(jié)點組成;小倒裝節(jié)點為直徑小于60微米的圓柱;

本實施例中,如圖4a所示單刀多擲射頻開關的M條串聯(lián)通路,Q條并聯(lián)通路,每條串聯(lián)通路均有射頻信號輸入輸出端口,每條并聯(lián)通路均有接地端口。任選其中一條串聯(lián)通路以及與之連接的并聯(lián)通路如圖4b所示,串聯(lián)通路電路的射頻開關電路中包含Ni個串聯(lián)單位晶體管單元,該串聯(lián)通路中第1個晶體管的漏極連接射頻信號輸入端口400a及400b,該第Ni-1個晶體管的源極連接到第Ni個晶體管的漏極,該第Ni個晶體管的源極連接射頻信號輸出端口40(Ni+1)a及40(Ni+1)b;該并聯(lián)通路的射頻開關電路中包含Nj個串聯(lián)單位晶體管單元,該第1個晶體管的漏極連接射頻信號輸入輸出端口40(Ni+1)a及40(Ni+1)b,該第Nj-1個晶體管的源極連接到第Nj個晶體管的漏極,該第Nj個晶體管的源極接地。

此外,以簡單的單刀雙擲開關為例,圖5以及圖6都顯示了本實施例中的倒裝芯片單刀雙擲射頻開關采用倒裝芯片技術并且保持一種高密度倒裝小節(jié)點,其中圖5采用小倒裝節(jié)點連接射頻開關的輸入輸出端口,采用多個小倒裝節(jié)點接地。圖6采用多個小倒裝節(jié)點連接射頻開關的輸入輸出端口,采用多個小倒裝節(jié)點接地。這種采用高密度多個小節(jié)點的接地連接減少接地電感以及損耗,單個小節(jié)點或是高密度小節(jié)點的射頻信號輸入輸出的連接方式以減少耦合。

此外已有的采用倒裝節(jié)點的射頻開關的射頻電路部分版圖示意圖如圖7所示,其中的701/702/703/704/705/706代表市場已有的倒裝芯片射頻開關上的統(tǒng)一倒裝節(jié)點,707/708是該單刀雙擲開關的兩條串聯(lián)通路,709/710/711代表該單刀雙擲開關的三條并聯(lián)通路。信號輸入輸出節(jié)點701/702/704/705因為統(tǒng)一采用較大節(jié)點,導致導通通路與該大節(jié)點容易耦合,降低了該射頻開關的隔離,最大工作功率以及線性度。相比之下,本實用新型采用兩種大小的倒裝節(jié)點的射頻開關的射頻電路部分版圖示意圖如圖8所示,其中的801/802/803a/803b/804/805/806a/806b代表本實用新型的倒裝芯片射頻開關上的統(tǒng)一的小的倒裝節(jié)點,807/808是該單刀雙擲開關的兩條串聯(lián)通路,809/810/811代表該單刀雙擲開關的三條并聯(lián)通路。信號輸入輸出節(jié)點801/802/804/805因為采用采用較小節(jié)點,這同已有的倒裝芯片功率放大器設計方案如圖7所示采用大倒裝節(jié)點不同,該小節(jié)點可以減少射頻開端中導通通路與該小節(jié)點的耦合,提高了該射頻開關的隔離性能,同時提高了該射頻開關的最大工作功率以及線性度。此外由于并聯(lián)通路接地采用高密度多個小節(jié)點(803a/803b,806a/806b),并聯(lián)通路接地電阻以及電感實際可能比圖7中大節(jié)點更小,進一步降低了射頻開關的插入損耗和提高的隔離性能。

此外本實用新型也可以采用局部多節(jié)點高密度節(jié)點的設計如圖6所示來連接射頻開關中的串聯(lián)通路輸入輸出端口。本實用新型應用的統(tǒng)一的高密度小節(jié)點的倒裝芯片射頻開關能發(fā)揮小節(jié)點在各自通路(串聯(lián)通路,并聯(lián)通路)的優(yōu)點,既減少了串聯(lián)通路的耦合程度,又能使并聯(lián)通路中的接地晶體管發(fā)射極電流流出直通過多個并聯(lián)的焊錫球或是銅柱到基板接地,較短的電路通路大大提高了射頻開關的隔離性能,減少了插入損耗,提高了該射頻開關的最大工作功率和線性度,從而提高了集成該射頻開關模塊的模塊效率。在實際應用中,這種倒裝芯片的接地方式還能夠節(jié)省芯片面積以及模塊的面積。

此外本實用新型的射頻開關不僅局限于上述描述的單刀雙擲開關,任何其它形式的射頻開關,例如單刀多擲開關(包括單刀三擲,單刀四擲,單刀五擲,單刀六擲,......單刀十擲,單刀十三擲,單刀十四擲,單刀十五擲,......等等),雙刀多擲開關,三刀多擲開關......等等在具體電路或芯片布局實現(xiàn)形式上的變化,都包括在本專利的涵蓋范圍之內。

本實用新型串聯(lián)通路采用單個或多個小節(jié)點的連接方式,并聯(lián)通路采用高密度小節(jié)點的接地的連接方式。其中射頻開關電路的設計可以是任何適合射頻開關的半導體技術,例如可以包括且不局限于CMOS的技術,SOI的技術,GaAs pHEMT的技術,GaN HEMT的技術,等等,甚至可以是多種半導體技術的組合。其中負載輸出匹配電路中的阻抗元件可以是無源分立元件,或者基于半導體集成技術的無源元件,或者是基于基板工藝,但不局限于上述實現(xiàn)方式,也可以是上述的多種技術的組合。

本實用新型主要應用可以在射頻終端設備包括并不局限于移動終端,平板電腦,筆記本電腦,車載電子的無線通信設備,物聯(lián)網的無線通信設備等等。此外本實用新型的射頻開關及其模塊也可以應用在其它無線通信設備之中,包括并不局限于通信基站,衛(wèi)星無線通信,軍用無線通信設備等等。因此本實用新型所提出的技術方案,可以應用于需要射頻開關芯片,射頻開關模塊以及集成該射頻芯片或模塊的其它射頻模塊的任何無線通信終端,并且不受具體通信頻段的限制。任何在具體電路或芯片布局實現(xiàn)形式上的變化,都包括在本專利的涵蓋范圍之內。

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