本實(shí)用新型屬于諧振器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種帶阻容環(huán)路的諧振器、基座及基座組。

背景技術(shù)：

目前市場上提供的近似產(chǎn)品是陶瓷諧振器，但石英晶體諧振器的頻率精度優(yōu)于10^-5，較陶瓷諧器的10^-3優(yōu)。壓電石英晶體諧振器因其頻率穩(wěn)定性好，是構(gòu)成微芯片時(shí)鐘的主要器件。

隨著生活中各種產(chǎn)品的微型化的發(fā)展，市場上對(duì)小型產(chǎn)品的需求日益增加。作為這些小型產(chǎn)品的基座，需要滿足小型化的要求，或通過整合其他組件縮減下游產(chǎn)品的占用空間。

傳統(tǒng)IC振蕩器組成，除IC內(nèi)部振蕩電路外，需在輸入/輸出端配上接地電容、串聯(lián)電阻和石英晶體諧振器。外部組件以獨(dú)立形式進(jìn)行組裝，除占用PCB板面積、空間，亦會(huì)增加貼片組裝成本。

可見，現(xiàn)有的諧振器在應(yīng)用中需外配電容、電阻，占用了PCB空間以及增加了貼片成本。因此，研發(fā)一種可節(jié)省PCB的占用面積以及電阻、電容的SMT成本的諧振器及其制作方法，已成為市場發(fā)展的一種需要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于提供一種帶阻容環(huán)路的諧振器、基座及基座組，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中的諧振器在應(yīng)用中需外配電容、電阻，占用了PCB空間以及增加了貼片成本的問題。

本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種帶阻容環(huán)路的諧振器，包括基座、石英晶體諧振子以及上蓋，所述上蓋蓋設(shè)于所述基座上，并且所述基座頂面與上蓋之間形成一個(gè)封閉的腔體，所述石英晶體諧振子安裝于所述腔體內(nèi)，所述基座包括基板，所述基板的底面設(shè)置有用作與外部焊接的若干焊盤，所述基板對(duì)應(yīng)于各個(gè)焊盤的位置沿基板的厚度方向開設(shè)有若干通孔，所述通孔內(nèi)嵌置有導(dǎo)電體；所述腔體內(nèi)還設(shè)置有下電極、電介質(zhì)、電阻層以及上電極；所述下電極與部分的導(dǎo)電體電連接，所述上電極的一端與所述電介質(zhì)以及部分的導(dǎo)電體電連接，其另一端與所述電阻層電連接；所述上電極與所述下電極、電介質(zhì)構(gòu)成電容器；所述上電極與所述電阻層構(gòu)成電阻器；所述電容器以及電阻器通過下電極、導(dǎo)電體與所述焊盤導(dǎo)通，構(gòu)成阻容環(huán)路；所述石英晶體諧振子與所述上電極電連接。

進(jìn)一步地，所述石英晶體諧振子通過導(dǎo)電膠與所述上電極固定連接。

本實(shí)用新型為解決上述技術(shù)問題，還提供了一種帶阻容環(huán)路的基座，所述基座包括基板，所述基板的底面設(shè)置有用作與外部焊接的若干焊盤，所述基板的頂面上設(shè)置有下電極；所述基板對(duì)應(yīng)于各個(gè)焊盤的位置沿基板的厚度方向開設(shè)有若干通孔，所述通孔內(nèi)嵌置有導(dǎo)電體；所述下電極設(shè)置于部分的導(dǎo)電體上，并與導(dǎo)電體電連接；所述下電極上覆蓋有電介質(zhì)，所述基板頂面上還覆蓋有電阻層；所述電介質(zhì)以及部分通孔上還鋪設(shè)有上電極，所述上電極的一端與所述電介質(zhì)以及部分通孔內(nèi)的導(dǎo)電體電連接，其另一端與所述電阻層電連接；所述上電極與所述下電極、電介質(zhì)構(gòu)成電容器；所述上電極與所述電阻層構(gòu)成電阻器；所述電容器以及電阻器通過下電極、導(dǎo)電體與所述焊盤導(dǎo)通，構(gòu)成阻容環(huán)路。

進(jìn)一步地，所述電阻器上覆蓋有絕緣層。

進(jìn)一步地，所述上電極以及下電極凸出于所述基板的頂面。

進(jìn)一步地，所述基板為燒結(jié)后的陶瓷基板。

本實(shí)用新型為解決上述技術(shù)問題，還提供了一種帶阻容環(huán)路的基座組，所述基座組包括若干個(gè)上述的基座，若干個(gè)所述的基座排列成矩陣，并且所述若個(gè)基座共用一塊母基板，所述母基板分割后形成若干個(gè)所述的基板。

本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，有益效果在于：本實(shí)用新型將阻容環(huán)路整合在同一基座上，在基座上裝配上石英晶體諧振子，封上上蓋后形成帶阻容環(huán)路的石英諧振器，無需再外配電容、電阻，因此節(jié)省了PCB的有限空間，使電子產(chǎn)品能滿足市場對(duì)小型化的需求；也節(jié)省了在PCB上貼裝電容、電阻的步驟，提高了生產(chǎn)效率，提高供應(yīng)量；并且免除了貼片電容器和電阻器的成本和風(fēng)險(xiǎn)。

另外，將阻容環(huán)路整合至石英晶體諧振器的基座內(nèi)，在生產(chǎn)調(diào)整過程中可將阻環(huán)路的誤差修正，減少外部組件誤差的影響，提高振蕩器的頻率精度。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種帶阻容環(huán)路的諧振器的縱向剖視示意圖。

圖2是圖1所示諧振器的分解結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是圖1中的基座的分解結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是圖1中的上蓋的立體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是圖1中的基座的制備流程圖。

圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種基座組的立體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種上蓋組的立體結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

一種帶阻容環(huán)路的諧振器，包括基座、石英晶體諧振子以及上蓋。上蓋蓋設(shè)于基座上，并且基座頂面與上蓋之間形成一個(gè)封閉的腔體。石英晶體諧振子安裝于腔體內(nèi)。

基座包括基板，所述基板的底面設(shè)置有用作與外部焊接的若干焊盤，基板對(duì)應(yīng)于各個(gè)焊盤的位置沿基板的厚度方向開設(shè)有若干通孔，通孔內(nèi)嵌置有導(dǎo)電體。

腔體內(nèi)還設(shè)置有下電極、電介質(zhì)、電阻層以及上電極。下電極與部分的導(dǎo)電體電連接，上電極的一端與電介質(zhì)以及部分的導(dǎo)電體電連接，其另一端與電阻層電連接；上電極與所述下電極、電介質(zhì)構(gòu)成電容器；上電極與電阻層構(gòu)成電阻器；電容器以及電阻器通過下電極、導(dǎo)電體與焊盤導(dǎo)通，構(gòu)成阻容環(huán)路；石英晶體諧振子與上電極電連接。

可見，上述的腔體內(nèi)設(shè)置有阻容環(huán)路，從而將阻容環(huán)路整合至諧振器內(nèi)。其中，本實(shí)用新型不限定阻容環(huán)路的具體設(shè)置位置，只要是位于腔體內(nèi)即在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)，例如，可以將阻容環(huán)路設(shè)置于基座上，也可以設(shè)置于上蓋上，也可以設(shè)置于基座與上蓋之間的空間內(nèi)。

下面的圖1至圖4，為本實(shí)用新型提供的將阻容環(huán)路設(shè)置于基座上的一個(gè)較佳實(shí)施例，一種帶阻容環(huán)路的諧振器，包括基座1、石英晶體諧振子2以及上蓋3。上蓋3蓋設(shè)于基座1上，并且基座1頂面與上蓋3之間形成一個(gè)封閉的腔體4。石英晶體諧振子2安裝于腔體4內(nèi)，并通過導(dǎo)電膠5與基座1固定連接。

其中，上述基座1包括基板11，基板11為燒結(jié)好的陶瓷基板，其底面設(shè)置有用于與外部焊接的若干焊盤12；基板11的頂面上設(shè)置有下電極13?；?1對(duì)應(yīng)于各個(gè)焊盤12的位置沿基板11的厚度方向開設(shè)有若干通孔111，通孔111內(nèi)嵌置有導(dǎo)電體112，導(dǎo)電體112可連通基板11頂面與底面的電路，為石英晶體諧振子2與外部連接提供回路。下電極13設(shè)置于部分的通孔111上，并與通孔111內(nèi)的導(dǎo)電體112電連接。下電極13上覆蓋有電介質(zhì)14，基板11頂面上還覆蓋有電阻層15；電介質(zhì)14以及部分的導(dǎo)電體112上還鋪設(shè)有上電極16，上電極16的一端與電介質(zhì)14以及部分通孔111內(nèi)的導(dǎo)電體112電連接，其另一端與電阻層15電連接。上電極16與下電極13、電介質(zhì)14構(gòu)成電容器。上電極16與電阻層15構(gòu)成電阻器，并與下電極13通過導(dǎo)電體112與焊盤12導(dǎo)通，構(gòu)成阻容環(huán)路。

進(jìn)一步地，電阻器上覆蓋有絕緣層17，下電極13凸出設(shè)于基板11的頂面，從而可避免石英晶體諧振子2的工作區(qū)與基板11頂面觸碰，影響性能。

本實(shí)施例將阻容環(huán)路整合在同一基座1上，在基座1上裝配上石英晶體諧振子2，封上上蓋3后形成帶阻容環(huán)路的石英諧振器，無需再外配電容、電阻，因此節(jié)省了PCB的有限空間，使電子產(chǎn)品能滿足市場對(duì)小型化的需求；也節(jié)省了在PCB上貼裝電容、電阻的步驟，提高了生產(chǎn)效率，提高供應(yīng)量；并且免除了貼片電容器和電阻器的成本和風(fēng)險(xiǎn)。

另外，將阻容環(huán)路整合至石英晶體諧振器的基座1內(nèi)，在生產(chǎn)調(diào)整過程中可將阻環(huán)路的誤差修正，減少外部組件誤差的影響，提高振蕩器的頻率精度。

請參見圖5，下面以單個(gè)基座1的制備過程為例，進(jìn)一步說明上述基座1的制備過程：

S11、打孔：用激光在燒結(jié)好的基板11上開設(shè)若干通孔111；

S12、填孔：用印刷或擠壓方式將導(dǎo)電槳料灌注入通孔111內(nèi)，燒結(jié)后將通孔111回填形成導(dǎo)電體112；

S13、印焊盤12：用印刷方式將導(dǎo)電槳料印刷在基板11底面，燒結(jié)后形成焊盤12；

S14、印下電極13：用印刷方式將導(dǎo)電槳料印刷在基板11頂面，燒結(jié)后形成下電極13；

S15、覆涂電介質(zhì)14：采用真空鍍膜方式，在下電極13上的局部區(qū)域覆涂電介質(zhì)14；

S16、覆涂電阻層15：在基板11上用印刷方式印上電阻槳料，燒結(jié)后形成電阻層15；

S17、印上電極16：用印刷方式在基板11上對(duì)應(yīng)于電介質(zhì)14、導(dǎo)電體112以及電阻層15的局部位置上覆涂一層導(dǎo)電槳料，形成上電極16。

S18、覆涂絕緣層17：用印刷方式將絕緣材料覆涂在電阻器上，燒結(jié)后形成絕緣層17。

請參見圖6及圖7，為了進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本，本實(shí)施例還提供了一種帶阻容環(huán)路的基座組10，基座組10包括若干個(gè)上述的基座1，若干個(gè)基座1排列成矩陣，并且，該組中的所有基座1共用一塊母基板100，該母基板分割后形成多個(gè)基板11。相應(yīng)地，本實(shí)施例還提供了一種上蓋組30，上蓋組30包括若干個(gè)上蓋3，該組的所有上蓋3共用一塊母底板300，該母底板300在分割前，先在母底板300上切割出多個(gè)凹槽31，并且，多個(gè)凹槽31排列成矩陣。待母底板300分割后即形成多個(gè)上蓋3。下面以矩陣形式的基座組10、上蓋組30為例，對(duì)基座組10、單個(gè)基座1以及單個(gè)諧振器的制備過程進(jìn)行說明：

S10、切割母基板100：在預(yù)先已經(jīng)燒結(jié)好的陶瓷板材上，根據(jù)需要制備的基座1數(shù)量及排列方式，切割出一塊母基板100；

S11、打孔：用激光在的母基板100上開設(shè)若干通孔111；

S12、填孔：用印刷或擠壓方式將導(dǎo)電槳料灌注入通孔111內(nèi)，燒結(jié)后將通孔111回填形成導(dǎo)電體112；

S13、印焊盤12：用印刷方式將導(dǎo)電槳料印刷在母基板100底面，燒結(jié)后形成焊盤12；

S14、印下電極13：用印刷方式將導(dǎo)電槳料印刷在母基板100頂面，燒結(jié)后形成下電極13；

S15、覆涂電介質(zhì)14：采用真空鍍膜方式，在下電極13上的局部區(qū)域覆涂電介質(zhì)14；

S16、覆涂電阻層15：在母基板100上用印刷方式印上電阻槳料，燒結(jié)后形成電阻層15；

S17、印上電極16：用印刷方式在基板上對(duì)應(yīng)于電介質(zhì)14、導(dǎo)電體112以及電阻層15的局部位置上覆涂一層導(dǎo)電槳料，形成上電極16；

S18、覆涂絕緣層17：用印刷方式將絕緣材料覆涂在電阻器上，燒結(jié)后形成絕緣層17，即制得基座組10；

S19、分割基座組10：在基座組10的母基板100上按矩陣要求用激光劃上指定深度的分割線，然后施加適當(dāng)壓力使基座組10分裂成若干單個(gè)的基座1；

S20、制作母底板300：在預(yù)先已經(jīng)燒結(jié)好的陶瓷板材上，根據(jù)需要制備的上蓋3的數(shù)量及排列方式，切割出一塊母底板300；

S21、切割凹槽：采用激光，在母底板300指定的位置施加激光束(能)，使材料加熱氣化；移動(dòng)激光束使其由點(diǎn)變線，再由線變面；凹槽31深度可以通過調(diào)整激光功率和加工次數(shù)，一層一層地將材料移除，直至凹槽31達(dá)到所需深度；

S20、分割上蓋組30：在上蓋組30的母底板300上按矩陣要求用激光劃上指定深度的分割線，然后施加適當(dāng)壓力使上蓋組30分裂成若干單個(gè)的上蓋3；

S21、安裝石英晶體諧振子2：在基座1上涂布導(dǎo)電膠5，放上石英晶體諧振子2，需要時(shí)可在石英晶體諧振子2上再涂布上導(dǎo)電膠5強(qiáng)化結(jié)構(gòu)；待導(dǎo)電膠5固化后，進(jìn)行參數(shù)調(diào)整，調(diào)整后用封蓋膠6將上蓋3與基座1粘合，形成腔體使石英晶體諧振子2與外部隔絕形成一種帶電阻、電容環(huán)路的石英諧振器。

優(yōu)化地，上述的基板1材料包括氧化鋁類、氧化鋯類、玻璃類基板。

上述開設(shè)通孔111是在基板1上指定位置鉆孔并灌穿基板1，采用激光打孔方式，激光的高聚焦能量使加工的位置溫度瞬間升高，使材料氣化而形成通孔。

上述的填孔是在基板1的通孔111位置灌入導(dǎo)電槳料，導(dǎo)電材料包括鎢槳、錳鉬槳、銀槳、銀鈀槳、銅槳中的至少一種，經(jīng)燒結(jié)基板1的頂面與底面導(dǎo)通。通過專用模具，在基板1的通孔111上方將導(dǎo)電槳料擠壓回填至通孔111內(nèi)，在此過程中，在基板11下方放置透氣紙，以便孔內(nèi)空氣能排出并防止導(dǎo)電槳料外溢。經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后形成導(dǎo)電材料并回填穿孔使其氣密。

絲印焊盤12時(shí)，絲印的圖形由網(wǎng)板決定，網(wǎng)板是按焊盤設(shè)計(jì)要求加工，在基板11上通過絲印方式將導(dǎo)電槳料印刷在基板11底面的指定位置，導(dǎo)電料包括銀槳、銀鈀槳和金槳中的至少一種，燒結(jié)后形成焊盤12。

上述的印下電極13是在基板11上通過絲印方式將導(dǎo)電槳料印刷在基板11的頂面。絲印下電極13時(shí)，絲印的圖形由網(wǎng)板決定，網(wǎng)板是按下電極13設(shè)計(jì)要求加工，使導(dǎo)電槳料覆涂在基板11頂面的指定位置；導(dǎo)電料包括銀槳、銀鈀槳和金槳中的至少一種，燒結(jié)后形成下電極13。

上述的覆涂電介質(zhì)14是通過印刷或真空鍍膜方式將電介質(zhì)14覆涂在基板11頂面并局部覆蓋下電極13；所述的電介質(zhì)14包括玻璃釉類或金屬氧化類。絲印電介質(zhì)14時(shí)，絲印的圖形由網(wǎng)板決定，網(wǎng)板是按電介質(zhì)14設(shè)計(jì)要求加工，使導(dǎo)電槳料覆涂在基板11指定位置，經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后形成電介質(zhì)14。電介質(zhì)14用真空鍍膜生成時(shí)，鍍膜的圖形是由掩膜板決定的，掩板按電介質(zhì)14設(shè)計(jì)要求加工的，在鍍膜過程中掩膜板將基板11覆蓋，只露出需覆涂的區(qū)域，使電介質(zhì)14按設(shè)計(jì)求覆涂在基板11的指定位置。鍍膜過程中，材料可以是過蒸鍍、濺射或化學(xué)氣相沉積的方式進(jìn)行。電介質(zhì)14材料相對(duì)介電常數(shù)ξr、厚度和上、下電極16、13的面積決定電容器的電容值。當(dāng)電容值較小，電極面積較大時(shí)，電介質(zhì)14厚度增加，可選用絲印方式，選用液態(tài)的電質(zhì)料，如賀利氏的電介質(zhì)槳料，并通過網(wǎng)板的乳槳厚度調(diào)整燒結(jié)后的電介質(zhì)厚度。當(dāng)容值較大或極積不足時(shí)，可選用空鍍膜方式將電介質(zhì)14涂在基板11指定位置上。

上述的覆涂電阻層15是在基板11上通過絲印方式將厚膜電阻槳料或負(fù)溫度系數(shù)電阻槳料印刷在基板11表面，燒后形成電阻層15。絲印電阻槳料時(shí)，絲印的圖形由網(wǎng)板決定，網(wǎng)板是按電阻器設(shè)計(jì)要求加工。

上述的印上電極16是在基板11上通過絲印或真空鍍膜方式將導(dǎo)電槳料印刷在基板11上對(duì)應(yīng)于電介質(zhì)14、導(dǎo)電體112以及電阻層15的局部位置。絲印上電極16時(shí)，絲印的圖形由網(wǎng)板決定，網(wǎng)板是按上電極16設(shè)計(jì)要求加工。上電極16用真空鍍膜生成時(shí)，鍍膜的圖形是由掩膜板決定的，掩板按上電極16設(shè)計(jì)要求加工的，在鍍膜過程中掩膜板將基板11覆蓋，只露出需覆涂的區(qū)域，使上電極16按設(shè)計(jì)求覆涂在基板11的指定位置。兩組上電極16與電介質(zhì)14和下電極13重疊部構(gòu)成兩只電容器。兩組上電極16與電阻層15兩端重疊，形成電阻器并構(gòu)成阻容環(huán)路。環(huán)路過上、下電極16、13和孔內(nèi)導(dǎo)電體112與焊盤12形成對(duì)外連接。

上述的覆涂絕緣層17是在基板11上通過絲印方式將玻璃釉印刷在電路表面，燒后形成絕緣膜。絲印絕緣層17時(shí)，絲印的圖形由網(wǎng)板決定，網(wǎng)板是按絕緣層17設(shè)計(jì)要求加工，使絕緣槳料覆涂在基板11指定位置，經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后形成絕緣層17，從而能避免組裝石英晶體諧振子2時(shí)，石英晶體諧振子2的下電極13與電阻器短接。

上述上蓋3為陶瓷上蓋，使用矩陣方式制備的上蓋3，進(jìn)行切割操作時(shí)，利用高功率密度激光束照射母底板300的矩陣切割位置，使陶瓷材料很快被加熱至汽化溫度并蒸發(fā)形成孔洞，隨著光束的移動(dòng)，孔洞連續(xù)形成切縫。激光切割可使材料由上而下完全蒸發(fā)達(dá)至切透效果，亦可通過控制激光功率、參數(shù)由材料表面往里切割指定深度，保持工件的整體性，本實(shí)施采用后者，即局部切割方案。已局部切割的陶瓷母底板300，因陶瓷材料的脆性，在母底板300上施加一定的壓力，母底板300就會(huì)沿切割槽處裂開，分裂成多只單獨(dú)的上蓋3。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。