1.一種基于磁控濺鍍技術(shù)的印制線路板制備方法，其包括以下工序：
(1) 裁切絕緣基材、鉆孔，通過(guò)磁控濺鍍?cè)诮^緣基材上形成線路；
(2) 一次疊層前處理、疊層并進(jìn)行一次層壓 ;
(3) 形成阻焊層 ;
(4) 裝配 PI 補(bǔ)強(qiáng)板、二次層壓 ;
(5) 靶沖、分條、電測(cè)試 ；
(6) 二次疊層前處理、裝配屏蔽膜、三次層壓、撕離型紙 ；
(7) 三次疊層前處理、SET 絲印 ；
(8) 四次疊層前處理、一次成型 ；
(9) 裝配不銹鋼片、四次層壓、二次成型 ；
(10) 成品檢查。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述通過(guò)磁控濺鍍并在絕緣基材上形成線路包括如下步驟：
（1.1）在絕緣基體上覆蓋隔離層，并使需要形成線路的區(qū)域裸露；
（1.2）第一次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，形成金屬層；
（1.3）第二次磁控磁鍍：在氬氣的保護(hù)下向絕緣基體真空磁控磁鍍金屬，加厚金屬層；
（1.4）除去所述隔離層，并對(duì)絕緣基體進(jìn)行電鍍，加厚形成線路的區(qū)域的金屬層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于：所述第一次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度4×10-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為150-200℃；直流磁鍍時(shí)間分別為92秒-221秒，磁鍍功率為50W-60W。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于：所述第二次磁控磁鍍的條件為先將真空室抽真空至本底真空度5×10-4Pa，再通入Ar作為工作氣體，Ar流量為20ml/min，工作氣壓為0 .5Pa；真空室溫度為100-180℃；直流磁鍍時(shí)間分別為1000秒-2000秒，磁鍍功率為50W-70W。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于：所述金屬為銅，所述電鍍是指在電流密度為15 － 20ASF，電鍍時(shí)間為 90 － 100min下對(duì)所述絕緣基體進(jìn)行電鍍；電鍍所用電鍍液其原料按重量計(jì)包括21-35份的焦磷酸銅、2-10份乙二胺四乙酸、1-5份檸檬酸鈉、0.5-1份咪唑啉、0.04-0.09份二甲基甲酰胺以及900-1000份的去離子水。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于：（1.2）后絕緣基體上的金屬層厚度在0.5-1微米之間；（1.3）后絕緣基體上的金屬層厚度在1-5微米之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于：所述隔離層其原料按重量計(jì)包括60-70份聚氯乙烯、0.05-0.17份二氧化硅、0.1-0.5份巴比妥酸、0.3-0.9份3-吡啶磺酸以及1-5份磷酸二氫鉀。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于：所述靶沖步驟中所靶沖的定位孔直徑為 1.8-2.2mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于：還包括在第一次磁控磁鍍或第二次磁控磁鍍時(shí)，絕緣基體施加偏壓電源；該偏壓電源的偏壓為800-1500V，占空比為30-60%。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于：還包括在所述S1之前，對(duì)絕緣基體進(jìn)行活化處理；所述活化處理包括在1.0-1.5pa下，在絕緣基體上施加偏壓電源，該偏壓電源的偏壓為1200-1800V，占空比為20-70%，活化時(shí)間為60-90分鐘。