本發(fā)明涉及一種附載體銅箔、積層體、印刷配線(xiàn)板的制造方法及電子機(jī)器的制造方法。

背景技術(shù)：

印刷配線(xiàn)板通常是經(jīng)過(guò)如下步驟制造，該步驟是在將絕緣基板接著于銅箔而制成覆銅積層板后，通過(guò)蝕刻而在銅箔面形成導(dǎo)體圖案。隨著近年來(lái)電子機(jī)器的小型化、高性能化需求的增大，搭載零件的高密度安裝化或信號(hào)的高頻化不斷發(fā)展，而對(duì)印刷配線(xiàn)板要求導(dǎo)體圖案的微細(xì)化(微間距化)或高頻應(yīng)對(duì)等。

應(yīng)對(duì)于微間距化，目前業(yè)界要求厚度9μm以下、進(jìn)一步厚度為5μm以下的銅箔，但此種極薄銅箔由于機(jī)械強(qiáng)度低，而制造印刷配線(xiàn)板時(shí)容易發(fā)生破損或產(chǎn)生皺褶，所以利用具有厚度的金屬箔作為載體，并于其上隔著剝離層電沉積極薄銅層而成的附載體銅箔問(wèn)世。在將極薄銅層的表面貼合在絕緣基板并熱壓接后，載體經(jīng)由剝離層而被剝離去除。在露出的極薄銅層上利用抗蝕劑形成電路圖案后，利用硫酸-過(guò)氧化氫系蝕刻劑將極薄銅層蝕刻去除，通過(guò)所述方法(MSAP：Modified-Semi-Additive-Process(改良型半加成法))形成微細(xì)電路。

此處，對(duì)于成為與樹(shù)脂的接著面的附載體銅箔的極薄銅層的表面，主要要求極薄銅層與樹(shù)脂基材的剝離強(qiáng)度充足、并且該剝離強(qiáng)度在高溫加熱、濕式處理、焊接、化學(xué)藥品處理等后也充足地保持。作為提高極薄銅層與樹(shù)脂基材之間的剝離強(qiáng)度的方法，通常具代表性的是使大量粗化粒子附著在增大了表面分布(凹凸、粗糙度)的極薄銅層上的方法。

然而，在印刷配線(xiàn)板中，如果尤其在必須形成微細(xì)電路圖案的半導(dǎo)體封裝基板中使用此種分布(凹凸、粗糙度)大的極薄銅層，則電路蝕刻時(shí)會(huì)殘留不需要的銅粒子，產(chǎn)生電路圖案間絕緣不良等問(wèn)題。

因此，在WO2004/005588號(hào)(專(zhuān)利文獻(xiàn)1)中，作為以半導(dǎo)體封裝基板為首的微細(xì)電路用途的附載體銅箔，業(yè)界嘗試使用未對(duì)極薄銅層的表面實(shí)施粗化處理的附載體銅箔。未實(shí)施此種粗化處理的極薄銅層與樹(shù)脂的密合性(剝離強(qiáng)度)有因該低分布(凹凸、粗度、粗糙度)的影響而與一般的印刷配線(xiàn)板用銅箔相比密合性降低的傾向。因此，對(duì)附載體銅箔要求進(jìn)一步的改善。

[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]

[專(zhuān)利文獻(xiàn)]

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：W02004/005588號(hào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

[發(fā)明欲解決的課題]

在附載體銅箔的開(kāi)發(fā)時(shí)，迄今為止重視確保極薄銅層與樹(shù)脂基材的剝離強(qiáng)度。因此關(guān)于能夠良好用于適合印刷配線(xiàn)板的高密度安裝化的微細(xì)電路形成用途的附載體銅箔尚未得到充足研究，仍殘留改善的余地。

因此，本發(fā)明的課題在于提供一種微細(xì)電路形成性良好的附載體銅箔。

[解決課題的技術(shù)手段]

關(guān)于適合微細(xì)電路形成用途的附載體銅箔，雖考慮到提高附載體銅箔的極薄銅層側(cè)表面的平滑性或形成微細(xì)粗化粒子，但本發(fā)明者等人更深層地進(jìn)行以下研究。即，為了進(jìn)一步提高微細(xì)電路形成性，重要的是徹底研究電路形成時(shí)的快速蝕刻(フラッシュエッチング)的時(shí)間縮短，為此，發(fā)現(xiàn)有效的是使“進(jìn)行電路形成的層厚范圍”縮小。關(guān)于該“進(jìn)行電路形成的層厚范圍”，表示由載體及極薄銅層(主體)的起伏產(chǎn)生的主體最大厚度范圍，或在極薄銅層形成有粗化粒子的情況下，表示該主體的起伏與形成在極薄銅層的粗化結(jié)核的徑長(zhǎng)相加后的最大厚度范圍。

為了使所述進(jìn)行電路形成的層厚范圍縮小，本發(fā)明者等人進(jìn)行了誠(chéng)懇地研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)：將附載體銅箔從極薄銅層側(cè)貼合到樹(shù)脂基板后將載體剝離，從樹(shù)脂基板上殘存的層的最大厚度，減去附載體銅箔的不含載體及中間層的部分由重量法測(cè)得的厚度，通過(guò)將相減所獲得的值控制在規(guī)定范圍，可以使進(jìn)行電路形成層厚范圍縮小，微細(xì)電路形成性變得良好。

本發(fā)明是基于所述知識(shí)見(jiàn)解而完成，一形態(tài)是一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層及極薄銅層，且將所述附載體銅箔的不含所述載體及中間層的部分由重量法測(cè)得的厚度設(shè)為D1，通過(guò)在壓力20kgf/cm²、220℃下2小時(shí)的條件下將所述附載體銅箔從極薄銅層側(cè)加熱壓制在雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂基板而貼合后，將所述載體剝離，將所述樹(shù)脂基板上殘存的層的最大厚度設(shè)為D2，此時(shí)，D2－D1為0.30～3.83μm。

本發(fā)明的附載體銅箔在一實(shí)施方式中，所述D2－D1為3.50μm以下。

本發(fā)明的附載體銅箔在另一實(shí)施方式中，所述D2－D1為2.80μm以下。另外，本發(fā)明的附載體銅箔在另一實(shí)施方式中，所述D2－D1為2.58μm以下。

本發(fā)明的附載體銅箔在又一實(shí)施方式中，所述D2－D1為1.20μm以下。

本發(fā)明的附載體銅箔在又一實(shí)施方式中，當(dāng)本發(fā)明的附載體銅箔從載體觀察時(shí)在載體的一面?zhèn)纫佬蚓哂兄虚g層及極薄銅層的情況下，在所述極薄銅層側(cè)及所述載體側(cè)的至少一表面或兩表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)劑處理層所組成的群中的1種以上的層，或者，

當(dāng)本發(fā)明的附載體銅箔從載體觀察時(shí)在載體的兩面?zhèn)纫佬蚓哂兄虚g層及極薄銅層的情況下，在該極薄銅層側(cè)的一表面或兩表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)劑處理層所組成的群中的1種以上的層。

本發(fā)明的附載體銅箔在又一實(shí)施方式中，所述粗化處理層是由下述的材料組成的層，所述材料為選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅所組成的群中的任一單質(zhì)或含有任1種以上所述單質(zhì)的合金。

本發(fā)明的附載體銅箔在又一實(shí)施方式中，在所述極薄銅層上具備樹(shù)脂層。

本發(fā)明的附載體銅箔在又一實(shí)施方式中，在選自由所述粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)劑處理層所組成的群中的1種以上的層上具備樹(shù)脂層。

本發(fā)明在又一形態(tài)中是一種積層體，是使用本發(fā)明的附載體銅箔而制造。

本發(fā)明在又一形態(tài)是一種積層體，其含有本發(fā)明的附載體銅箔與樹(shù)脂，且所述附載體銅箔的端面的一部分或全部被所述樹(shù)脂覆蓋。

本發(fā)明在又一形態(tài)中是一種積層體，其是將本發(fā)明的一個(gè)附載體銅箔從所述載體側(cè)或所述極薄銅層側(cè)，積層在另一個(gè)本發(fā)明的附載體銅箔的所述載體側(cè)或所述極薄銅層側(cè)而成。

本發(fā)明在又一形態(tài)中是一種印刷配線(xiàn)板的制造方法，其使用本發(fā)明的積層體。

本發(fā)明在又一形態(tài)是一種印刷配線(xiàn)板的制造方法，其包括如下步驟：在本發(fā)明的積層體的任一面或兩面進(jìn)行至少1次設(shè)置樹(shù)脂層與電路這2層的步驟；及在進(jìn)行至少1次形成所述樹(shù)脂層及電路這2層之后，將所述極薄銅層或所述載體從構(gòu)成所述積層體的附載體銅箔剝離的步驟。

本發(fā)明在又一形態(tài)中是一種印刷配線(xiàn)板的制造方法，其使用本發(fā)明的附載體銅箔。

本發(fā)明在又一形態(tài)中是一種電子機(jī)器的制造方法，其使用利用本發(fā)明的方法制造的印刷配線(xiàn)板。

本發(fā)明在又一形態(tài)中是一種印刷配線(xiàn)板的制造方法，其包括如下步驟：準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；

將所述附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；及

在將所述附載體銅箔與絕緣基板積層后，經(jīng)過(guò)將所述附載體銅箔的載體剝離的步驟而形成覆銅積層板，其后通過(guò)半加成法、減成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法而形成電路的步驟。

本發(fā)明在又一形態(tài)中是一種印刷配線(xiàn)板的制造方法，其包括如下步驟：在本發(fā)明的附載體銅箔的所述極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面形成電路的步驟；

以掩埋所述電路的方式在所述附載體銅箔的所述極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面形成樹(shù)脂層的步驟；

將所述載體或所述極薄銅層剝離的步驟；及

在將所述載體或所述極薄銅層剝離后去除所述極薄銅層或所述載體，由此，使形成在所述極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面且掩埋在所述樹(shù)脂層的電路露出的步驟。

本發(fā)明在又一形態(tài)中是一種印刷配線(xiàn)板的制造方法，其包括如下步驟：將本發(fā)明的附載體銅箔的所述極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面與樹(shù)脂基板積層的步驟；

在所述附載體銅箔的與樹(shù)脂基板積層的側(cè)為相反側(cè)的極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面進(jìn)行至少1次設(shè)置樹(shù)脂層與電路這2層的步驟；及

在形成所述樹(shù)脂層及電路這2層后，將所述載體或所述極薄銅層從所述附載體銅箔剝離的步驟。

[發(fā)明的效果]

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種微細(xì)電路形成性良好的附載體銅箔。

附圖說(shuō)明

圖1A～C是使用了本發(fā)明的附載體銅箔的印刷配線(xiàn)板的制造方法的具體例的到電路鍍敷、抗蝕劑去除為止的步驟中的配線(xiàn)板剖面的示意圖。

圖2D～F是使用了本發(fā)明的附載體銅箔的印刷配線(xiàn)板的制造方法的具體例的從樹(shù)脂及第2層附載體銅箔積層到激光打孔為止的步驟中的配線(xiàn)板剖面的示意圖。

圖3G～I(xiàn)是使用了本發(fā)明的附載體銅箔的印刷配線(xiàn)板的制造方法的具體例的從填孔形成到第1層的載體剝離為止的步驟中的配線(xiàn)板剖面的示意圖。

圖4J～K是使用了本發(fā)明的附載體銅箔的印刷配線(xiàn)板的制造方法的具體例的從快速蝕刻到凸塊、銅柱形成為止的步驟中的配線(xiàn)板剖面的示意圖。

圖5是表示出實(shí)施例的裙?fàn)畹撞康碾娐返钠拭媸疽鈭D。

圖6是用以求出樹(shù)脂基板上殘存的層的最大厚度D2的SIM圖像的例。

具體實(shí)施方式

＜附載體銅箔＞

本發(fā)明的附載體銅箔依序具備載體、中間層及極薄銅層。附載體銅箔本身的使用方法可以使用公知的使用方法。例如將極薄銅層的表面貼合在紙基材酚樹(shù)脂、紙基材環(huán)氧樹(shù)脂、合成纖維布基材環(huán)氧樹(shù)脂、玻璃布-紙復(fù)合基材環(huán)氧樹(shù)脂、玻璃布-玻璃無(wú)紡布復(fù)合基材環(huán)氧樹(shù)脂及玻璃布基材環(huán)氧樹(shù)脂、聚酯膜、聚酰亞胺膜等絕緣基板并進(jìn)行熱壓接后，將載體剝離，將接著在絕緣基板的極薄銅層蝕刻成目標(biāo)導(dǎo)體圖案，最終可以制造印刷配線(xiàn)板。

另外，附載體銅箔在載體的一面依序具備中間層及極薄銅層，在載體的與極薄銅層側(cè)的面為相反側(cè)的面也可以設(shè)置有下述粗化處理層。另外，附載體銅箔也可以在載體的兩面依序具備中間層及極薄銅層。

＜進(jìn)行電路形成層的厚度最大值＞

為了使微細(xì)電路形成性進(jìn)一步高于以往，重要的是徹底研究電路形成時(shí)的快速蝕刻的時(shí)間縮短，為此，有效的是縮小“進(jìn)行電路形成層的厚度最大值”。關(guān)于該“進(jìn)行電路形成層的厚度最大值”表示由載體及極薄銅層(主體)的起伏產(chǎn)生的主體的最大厚度，或在極薄銅層形成有粗化粒子的情況下，表示該主體的起伏與形成在極薄銅層的粗化結(jié)核的徑長(zhǎng)相加后的最大厚度。

本發(fā)明涉及如下附載體銅箔：將附載體銅箔的不含載體及中間層的部分由重量法測(cè)得的厚度設(shè)為D1(μm)，通過(guò)在壓力20kgf/cm²、220℃下2小時(shí)的條件下將附載體銅箔從極薄銅層側(cè)加熱壓制在雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂基板而貼合后，將載體剝離，將樹(shù)脂基板上殘存的層的最大厚度設(shè)為D2，此時(shí)，D2－D1為0.30～3.83μm。通過(guò)此種構(gòu)成，可以將進(jìn)行電路形成層厚范圍控制得較小，微細(xì)電路形成性變得良好。如果所述D2－D1小于0.30μm，則成為引起如下問(wèn)題的原因：與樹(shù)脂的接著性變差，導(dǎo)致所形成的配線(xiàn)發(fā)生剝離。另外，如果所述D2－D1超過(guò)3.83μm，則厚度范圍變大，因此造成快速蝕刻所需的時(shí)間延長(zhǎng)。此處，如果想要保持電路的配線(xiàn)寬度，則在形成有粗化粒子的情況下該粗化粒子的徑較長(zhǎng)的部分會(huì)以殘?jiān)男问綒埩?，或者電路的裙?fàn)畹撞孔兇?。另外，如果延長(zhǎng)蝕刻時(shí)間直至銅殘?jiān)耆?，則產(chǎn)生如下問(wèn)題：配線(xiàn)寬度會(huì)變細(xì)，無(wú)法獲得所需的線(xiàn)/間隙的配線(xiàn)，導(dǎo)致微細(xì)電路形成性變差。所述D2－D1優(yōu)選設(shè)為0.4μm以上、0.5μm以上、0.6μm以上、0.7μm以上，且設(shè)為3.8μm以下、3.5μm以下、3.0μm以下、2.8μm以下、2.58μm以下、2.5μm以下、1.2μm以下。

此外，關(guān)于所述附載體銅箔的不含載體及中間層的部分由重量法測(cè)得的厚度(D1)，例如在極薄銅層上形成有粗化處理層、耐熱層等表面處理層的情況下，表示極薄銅層及表面處理層的由重量法測(cè)得的合計(jì)厚度。另外，樹(shù)脂基板上殘存的層的最大厚度(D2)表示在將載體剝離后對(duì)樹(shù)脂基板上殘存的層從水平面觀察時(shí)最高點(diǎn)與最低點(diǎn)的差的最大值(最厚部分的該厚度)。另外，該樹(shù)脂基板上殘存的層例如在附載體銅箔的極薄銅層上形成有粗化處理層、耐熱層等表面處理層的情況下，表示由樹(shù)脂基板上殘存的極薄銅層及表面處理層所構(gòu)成的層。

＜載體＞

典型而言，本發(fā)明可以使用的載體是金屬箔或樹(shù)脂膜，例如以銅箔、銅合金箔、鎳箔、鎳合金箔、鐵箔、鐵合金箔、不銹鋼箔、鋁箔、鋁合金箔、絕緣樹(shù)脂膜、聚酰亞胺膜、LCP(液晶聚合物)膜、氟樹(shù)脂膜、聚酰胺膜、PET膜的形態(tài)提供。

典型而言，本發(fā)明可以使用的載體是以壓延銅箔或電解銅箔的形態(tài)提供。一般而言，電解銅箔是使銅從硫酸銅鍍?cè)≈须娊馕龀鲈阝伝虿讳P鋼的轉(zhuǎn)筒上而制造，壓延銅箔是重復(fù)進(jìn)行利用壓延輥的塑性加工及熱處理而制造。作為銅箔的材料，可以使用精銅(JIS H3100合金編號(hào)C1100)或無(wú)氧銅(JIS H3100合金編號(hào)C1020或JIS H3510合金編號(hào)C1011)等高純度的銅，此外，也可以使用例如摻Sn的銅、摻Ag的銅、添加有Cr、Zr或Mg等的銅合金、添加有Ni及Si等的科森(コルソン)系銅合金之類(lèi)的銅合金。此外，在本說(shuō)明書(shū)中單獨(dú)使用用語(yǔ)“銅箔”時(shí)，也包含銅合金箔。

關(guān)于本發(fā)明可以使用的載體的厚度，也沒(méi)有特別限制，只要在發(fā)揮作為載體的作用的基礎(chǔ)上適當(dāng)調(diào)節(jié)為合適的厚度即可，例如可以設(shè)為5μm以上。但是，如果過(guò)厚則生產(chǎn)成本變高，所以通常優(yōu)選設(shè)為35μm以下。因此，載體的厚度典型而言為8～70μm，更典型而言為12～70μm，更典型而言為18～35μm。另外，就降低原料成本的觀點(diǎn)而言，優(yōu)選載體的厚度小。因此，載體的厚度典型而言為5μm以上且35μm以下，優(yōu)選5μm以上且18μm以下，優(yōu)選5μm以上且12μm以下，優(yōu)選5μm以上且11μm以下，優(yōu)選5μm以上且10μm以下。此外，在載體的厚度小的情況下，容易在載體的通箔時(shí)產(chǎn)生彎折皺褶。為了防止產(chǎn)生彎折皺褶，例如有效的是使附載體銅箔制造裝置的搬送輥平滑、或縮短搬送輥與下一個(gè)搬送輥的距離。此外，在印刷配線(xiàn)板的一制造方法的埋入法(內(nèi)嵌法(Enbedded Process))使用附載體銅箔的情況下，載體的剛性必須高。因此，在用于埋入法的情況下，載體的厚度優(yōu)選18μm以上且300μm以下，優(yōu)選25μm以上且150μm以下，優(yōu)選35μm以上且100μm以下，更優(yōu)選35μm以上且70μm以下。

此外，也可以在載體的與設(shè)置極薄銅層側(cè)的表面為相反側(cè)的表面設(shè)置粗化處理層?？梢允褂霉姆椒ㄔO(shè)置該粗化處理層，也可以通過(guò)下述粗化處理來(lái)設(shè)置。在載體的與設(shè)置極薄銅層側(cè)的表面為相反側(cè)的表面設(shè)置粗化處理層具有如下優(yōu)點(diǎn)：在將載體從具有該粗化處理層的表面?zhèn)确e層在樹(shù)脂基板等支撐體時(shí)，載體與樹(shù)脂基板不易發(fā)生剝離。

本發(fā)明的上述附載體銅箔的不含載體及中間層的部分由重量法測(cè)得的厚度、與將附載體銅箔貼合在樹(shù)脂基板后將載體剝離而在樹(shù)脂基板上殘存的層的最大厚度的差：D2－D1可以通過(guò)調(diào)整載體的極薄銅層側(cè)表面形態(tài)來(lái)控制。本發(fā)明的載體可以通過(guò)以下的制作方法A～K中的任一方法來(lái)制作。

·載體的制作方法A

準(zhǔn)備平滑聚酰亞胺膜。作為該平滑聚酰亞胺膜，例如可以使用宇部興產(chǎn)制造的Upilex、DuPont/東麗杜邦制造的Kapton、鐘化(Kaneka)制造的Apical等。另外，作為平滑聚酰亞胺膜，優(yōu)選使用BPDA系或BPDA-PPD系聚酰亞胺膜、PMDA系或PMDA-ODA系聚酰亞胺膜。此處，BPDA是指聯(lián)苯四羧酸二酐，PPD是指對(duì)苯二胺，PMDA是指均苯四甲酸二酐，ODA是指4,4'-二氨基二苯醚。而且，為了對(duì)平滑聚酰亞胺膜去除表面的污染物質(zhì)及進(jìn)行表面改質(zhì)，而實(shí)施等離子體處理。通過(guò)預(yù)先獲取等離子體處理?xiàng)l件與表面形狀的關(guān)系，可以在規(guī)定條件下進(jìn)行等離子體處理而獲得具有所需表面形狀的聚酰亞胺膜。

此處，將等離子體處理前的平滑聚酰亞胺膜的預(yù)定設(shè)置極薄銅層的側(cè)的表面的十點(diǎn)平均粗糙度Rz(JIS B0601 1994)設(shè)為0.5～18nm，將等離子體處理后的十點(diǎn)平均粗糙度Rz(JIS B06011994)設(shè)為2.5～20nm。

例如在等離子體處理的情況下，等離子體功率越高則表面粗糙度Rz變得越大。此外，等離子體處理是以如下方式進(jìn)行。即，將聚酰亞胺膜放置在真空裝置內(nèi)并進(jìn)行真空排氣后，向腔室內(nèi)導(dǎo)入氧氣，從而將腔室壓力調(diào)整為5～12Pa。其后將等離子體處理的功率設(shè)為100～200W，進(jìn)行20～40秒的等離子體處理。

等離子體處理前后的表面粗糙度的測(cè)定可以使用以下的裝置，在下述測(cè)定條件下進(jìn)行。

裝置：島津制作所制造的掃描式探針顯微鏡SPM-9600

條件：動(dòng)態(tài)模式

掃描范圍：1μm×1μm

像素?cái)?shù)：512×512

·載體的制作方法B

準(zhǔn)備鈦制轉(zhuǎn)筒(電解轉(zhuǎn)筒)，作為電解轉(zhuǎn)筒表面控制條件，在磨削砂輪研磨材粒度：#3000、砂輪旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對(duì)該電解轉(zhuǎn)筒的表面進(jìn)行磨削。接著，在電解槽中配置所述電解轉(zhuǎn)筒、及在轉(zhuǎn)筒的周?chē)糁?guī)定的極間距離配置電極。接著，在下述條件下，在電解槽中進(jìn)行電解，一邊使電解轉(zhuǎn)筒旋轉(zhuǎn)一邊使銅析出至該電解轉(zhuǎn)筒的表面。

＜電解液組成＞

銅：80～110g/L

硫酸：70～110g/L

氯：10～100質(zhì)量ppm

＜制造條件＞

電流密度：50～200A/dm²

電解液溫度：40～70℃

電解液線(xiàn)速度：3～5m/sec

電解時(shí)間：0.5～10分鐘

接著，剝下在旋轉(zhuǎn)著的電解轉(zhuǎn)筒的表面所析出的銅，將其作為載體。此外，中間層在電解銅箔上的形成是形成在電解銅箔的轉(zhuǎn)筒面?zhèn)?與析出面?zhèn)葹橄喾磦?cè)的面、光澤面?zhèn)?。

·載體的制作方法C

使用以下的電解液制作電解銅箔。此外，中間層在電解銅箔上的形成是形成在電解銅箔的析出面?zhèn)?與轉(zhuǎn)筒側(cè)為相反側(cè)的面，具有光澤)。

＜電解液組成＞

銅：90～110g/L

硫酸：90～110g/L

氯：50～100ppm

整平劑1(雙(3-磺丙基)二硫醚)：10～30ppm

整平劑2(胺化合物)：10～30ppm

所述胺化合物可以使用以下的化學(xué)式的胺化合物。

此外，本發(fā)明所使用的電解、表面處理或鍍敷等使用的處理液的剩余部分只要沒(méi)有特別記載，則為水。

[化學(xué)式1]

(所述化學(xué)式中，R1及R2是選自由羥基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成的一群中的基)

＜制造條件＞

電流密度：70～100A/dm²

電解液溫度：50～60℃

電解液線(xiàn)速度：3～5m/sec

電解時(shí)間：0.5～10分鐘

·載體的制作方法D

準(zhǔn)備鈦制轉(zhuǎn)筒(電解轉(zhuǎn)筒)，作為電解轉(zhuǎn)筒表面控制條件，在磨削砂輪研磨材粒度：#1000、砂輪旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對(duì)該電解轉(zhuǎn)筒的表面進(jìn)行磨削。接著，在電解槽中配置所述電解轉(zhuǎn)筒、及在轉(zhuǎn)筒的周?chē)糁?guī)定的極間距離配置電極。接著，在下述條件下，在電解槽中進(jìn)行電解，一邊使電解轉(zhuǎn)筒旋轉(zhuǎn)一邊使銅析出至該電解轉(zhuǎn)筒的表面。

＜電解液組成＞

銅：80～110g/L

硫酸：70～110g/L

氯：10～100質(zhì)量ppm

＜制造條件＞

電流密度：50～200A/dm²

電解液溫度：40～70℃

電解液線(xiàn)速度：3～5m/sec

電解時(shí)間：0.5～10分鐘

接著，剝下在旋轉(zhuǎn)著的電解轉(zhuǎn)筒的表面所析出的銅，并對(duì)光澤面?zhèn)壤镁哂兴鲚d體的制作方法C中記載的液體組成的鍍敷液進(jìn)行鍍敷。此外，中間層在電解銅箔上的形成是形成在電解銅箔的光澤面?zhèn)取?/p>

·載體的制作方法E

準(zhǔn)備鈦制轉(zhuǎn)筒(電解轉(zhuǎn)筒)，作為電解轉(zhuǎn)筒表面控制條件，在磨削砂輪研磨材粒度：#1000、砂輪旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對(duì)該電解轉(zhuǎn)筒的表面進(jìn)行磨削。接著，在電解槽中配置所述電解轉(zhuǎn)筒、及在轉(zhuǎn)筒的周?chē)糁?guī)定的極間距離配置電極。接著，在下述條件下，在電解槽中進(jìn)行電解，一邊使電解轉(zhuǎn)筒旋轉(zhuǎn)一邊使銅析出至該電解轉(zhuǎn)筒的表面。

＜電解液組成＞

銅：80～110g/L

硫酸：70～110g/L

氯：10～100質(zhì)量ppm

＜制造條件＞

電流密度：50～200A/dm²

電解液溫度：40～70℃

電解液線(xiàn)速度：3～5m/sec

電解時(shí)間：0.5～10分鐘

接著，剝下在旋轉(zhuǎn)著的電解轉(zhuǎn)筒的表面所析出的銅，并對(duì)光澤面?zhèn)壤眠^(guò)氧化氫/硫酸系蝕刻液進(jìn)行表面處理，將經(jīng)表面處理的銅作為載體。作為該表面處理，例如可以在以下的條件下進(jìn)行噴霧蝕刻處理。

(噴霧蝕刻處理?xiàng)l件)

·蝕刻形式：噴霧蝕刻

·噴霧嘴：實(shí)心錐型

·噴霧壓力：0.10MPa

·蝕刻液溫度：30℃

·蝕刻液組成：

添加劑：將三菱瓦斯化學(xué)制造的CPB-38(過(guò)氧化氫35.0w/w％(40w/v％)、硫酸3.0w/w％(3.5w/v％))稀釋了4倍后，添加規(guī)定量的硫酸，在組成：過(guò)氧化氫10w/v％、硫酸2w/v％下使用。

此外，中間層在電解銅箔上的形成是形成在電解銅箔的光澤面?zhèn)取?/p>

·載體的制作方法F

制造在JIS-H3100標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)氧銅中添加有1200wtppmSn的組成的銅錠，在800～900℃下進(jìn)行熱軋后，利用300～700℃的連續(xù)退火線(xiàn)重復(fù)進(jìn)行1次退火及冷軋，從而獲得1～2mm厚的壓延板。利用600～800℃的連續(xù)退火線(xiàn)對(duì)該壓延板進(jìn)行退火使其再結(jié)晶，將壓下率設(shè)為95～99.7％直至厚度成為7～50μm而進(jìn)行最終冷軋，從而制作壓延銅箔，將其作為載體。

此處，將最終冷軋的最終道次與在最終冷軋的最終道次之前的1個(gè)道次的兩者油膜當(dāng)量均調(diào)整為23000。油膜當(dāng)量是以下述式表示。

(油膜當(dāng)量)＝{(壓延油粘度、40℃的運(yùn)動(dòng)粘度；cSt)×(壓延速度；m/分鐘)}/{(材料的屈服應(yīng)力；kg/mm²)×(輥嚙入角；rad)}

·載體的制作方法G

準(zhǔn)備鈦制轉(zhuǎn)筒(電解轉(zhuǎn)筒)，作為電解轉(zhuǎn)筒表面控制條件，在磨削砂輪研磨材粒度：#1500、砂輪旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對(duì)該電解轉(zhuǎn)筒的表面進(jìn)行磨削。接著，在電解槽中配置所述電解轉(zhuǎn)筒、及在轉(zhuǎn)筒的周?chē)糁?guī)定的極間距離配置電極。接著，在下述條件下，在電解槽中進(jìn)行電解，一邊使電解轉(zhuǎn)筒旋轉(zhuǎn)一邊使銅析出至該電解轉(zhuǎn)筒的表面。

＜電解液組成＞

銅：80～110g/L

硫酸：70～110g/L

氯：10～100質(zhì)量ppm

＜制造條件＞

電流密度：50～200A/dm²

電解液溫度：40～70℃

電解液線(xiàn)速度：3～5m/sec

電解時(shí)間：0.5～10分鐘

接著，剝下在旋轉(zhuǎn)著的電解轉(zhuǎn)筒的表面所析出的銅，將其作為載體。此外，中間層在電解銅箔上的形成是形成在電解銅箔的光澤面?zhèn)取?/p>

·載體的制作方法H

準(zhǔn)備鈦制轉(zhuǎn)筒(電解轉(zhuǎn)筒)，作為電解轉(zhuǎn)筒表面控制條件，在磨削砂輪研磨材粒度：#1000、砂輪旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對(duì)該電解轉(zhuǎn)筒的表面進(jìn)行磨削。接著，在電解槽中配置所述電解轉(zhuǎn)筒、及在轉(zhuǎn)筒的周?chē)糁?guī)定的極間距離配置電極。接著，在下述條件下，在電解槽中進(jìn)行電解，一邊使電解轉(zhuǎn)筒旋轉(zhuǎn)一邊使銅析出至該電解轉(zhuǎn)筒的表面。

＜電解液組成＞

銅：80～110g/L

硫酸：70～110g/L

氯：10～100質(zhì)量ppm

＜制造條件＞

電流密度：50～200A/dm²

電解液溫度：40～70℃

電解液線(xiàn)速度：3～5m/sec

電解時(shí)間：0.5～10分鐘

接著，剝下在旋轉(zhuǎn)著的電解轉(zhuǎn)筒的表面所析出的銅，將其作為載體。此外，中間層在電解銅箔上的形成是形成在電解銅箔的光澤面?zhèn)取?/p>

·載體的制作方法I

準(zhǔn)備鈦制轉(zhuǎn)筒(電解轉(zhuǎn)筒)，作為電解轉(zhuǎn)筒表面控制條件，在磨削砂輪研磨材粒度：F500、砂輪旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對(duì)該電解轉(zhuǎn)筒的表面進(jìn)行磨削。接著，在電解槽中配置所述電解轉(zhuǎn)筒、及在轉(zhuǎn)筒的周?chē)糁?guī)定的極間距離配置電極。接著，在下述條件下，在電解槽中進(jìn)行電解，一邊使電解轉(zhuǎn)筒旋轉(zhuǎn)一邊使銅析出至該電解轉(zhuǎn)筒的表面。

＜電解液組成＞

銅：80～110g/L

硫酸：70～110g/L

氯：10～100質(zhì)量ppm

＜制造條件＞

電流密度：50～200A/dm²

電解液溫度：40～70℃

電解液線(xiàn)速度：3～5m/sec

電解時(shí)間：0.5～10分鐘

接著，剝下在旋轉(zhuǎn)著的電解轉(zhuǎn)筒的表面所析出的銅，將其作為載體。此外，中間層在電解銅箔上的形成是形成在電解銅箔的光澤面?zhèn)取?/p>

·載體的制作方法J

準(zhǔn)備鈦制轉(zhuǎn)筒(電解轉(zhuǎn)筒)，作為電解轉(zhuǎn)筒表面控制條件，在磨削砂輪研磨材粒度：F320、砂輪旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對(duì)該電解轉(zhuǎn)筒的表面進(jìn)行磨削。接著，在電解槽中配置所述電解轉(zhuǎn)筒、及在轉(zhuǎn)筒的周?chē)糁?guī)定的極間距離配置電極。接著，在下述條件下，在電解槽中進(jìn)行電解，一邊使電解轉(zhuǎn)筒旋轉(zhuǎn)一邊使銅析出至該電解轉(zhuǎn)筒的表面。

＜電解液組成＞

銅：80～110g/L

硫酸：70～110g/L

氯：10～100質(zhì)量ppm

＜制造條件＞

電流密度：50～200A/dm²

電解液溫度：40～70℃

電解液線(xiàn)速度：3～5m/sec

電解時(shí)間：0.5～10分鐘

接著，剝下在旋轉(zhuǎn)著的電解轉(zhuǎn)筒的表面所析出的銅，將其作為載體。此外，中間層在電解銅箔上的形成是形成在電解銅箔的光澤面?zhèn)取?/p>

·載體的制作方法K

使用以下的電解液制作電解銅箔。此外，中間層在電解銅箔上的形成是形成在電解銅箔的無(wú)光澤面?zhèn)?析出面?zhèn)?，與轉(zhuǎn)筒側(cè)為相反側(cè)的面)。

＜電解液組成＞

銅：70～130g/L

硫酸：70～130g/L

氯：30～100ppm

動(dòng)物膠：0.05～3ppm

＜制造條件＞

電流密度：70～100A/dm²

電解液溫度：50～60℃

電解液線(xiàn)速度：3～5m/sec

電解時(shí)間：0.5～10分鐘

＜中間層＞

在載體的單面或兩面上設(shè)置中間層。在載體與中間層之間也可以設(shè)置其他層。本發(fā)明所使用的中間層只要為如下構(gòu)成，則沒(méi)有特別限定，即，在將附載體銅箔積層在絕緣基板的積層步驟前，極薄銅層不易從載體剝離，但另一方面，在對(duì)絕緣基板的積層步驟后，極薄銅層能夠從載體剝離。例如，本發(fā)明的附載體銅箔的中間層可以包含選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、這些的合金、這些的水合物、這些的氧化物、有機(jī)物所組成的群中的一種或兩種以上。另外，中間層也可以為多層。

另外，例如中間層可以通過(guò)如下方式構(gòu)成：從載體側(cè)，形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構(gòu)成的元素群中的一種元素所組成的單一金屬層、或由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構(gòu)成的元素群中的一種或兩種以上的元素所組成的合金層，或形成有機(jī)物層并于其上形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構(gòu)成的元素群中的一種或兩種以上的元素的水合物或氧化物所組成的層、或由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構(gòu)成的元素群中的一種元素所組成的單一金屬層、或由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構(gòu)成的元素群中的一種或兩種以上的元素所組成的合金層、或者有機(jī)物層。

在將中間層僅設(shè)置在單面的情況下，優(yōu)選在載體的相反面設(shè)置鍍Ni層等防銹層。此外，在通過(guò)鉻酸鹽處理或鉻酸鋅處理或鍍敷處理設(shè)置中間層的情況下，認(rèn)為存在鉻或鋅等所附著的金屬的一部分成為水合物或氧化物的情況。

另外，例如中間層可以在載體上依序積層鎳、鎳-磷合金或鎳-鈷合金、及鉻而構(gòu)成。由于鎳與銅的接著力高于鉻與銅的接著力，所以在剝離極薄銅層時(shí)，在極薄銅層與鉻的界面會(huì)發(fā)生剝離。另外，期待中間層的鎳發(fā)揮防止銅成分從載體向極薄銅層擴(kuò)散的阻隔效果。中間層的鎳附著量?jī)?yōu)選100μg/dm²以上且40000μg/dm²以下，更優(yōu)選100μg/dm²以上且4000μg/dm²以下，更優(yōu)選100μg/dm²以上且2500μg/dm²以下，更優(yōu)選100μg/dm²以上且小于1000μg/dm²，中間層的鉻附著量?jī)?yōu)選5μg/dm²以上且100μg/dm²以下。在將中間層僅設(shè)置在單面的情況下，優(yōu)選在載體的相反面設(shè)置鍍Ni層等防銹層。

另外，中間層所含有的有機(jī)物優(yōu)選為選自由含氮有機(jī)化合物、含硫有機(jī)化合物及羧酸所組成的群中一種以上的有機(jī)物。作為具體的含氮有機(jī)化合物，優(yōu)選使用作為具有取代基的三唑化合物的1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑、N',N'-雙(苯并三唑基甲基)脲、1H-1,2,4-三唑及3-氨基-1H-1,2,4-三唑等。

作為含硫有機(jī)化合物，優(yōu)選使用巰基苯并噻唑、2-巰基苯并噻唑鈉、三聚硫氰酸及2-苯并咪唑硫醇等。

作為羧酸，特別優(yōu)選使用一元羧酸，其中，優(yōu)選使用油酸、亞油酸及次亞油酸(リノレイン酸)等。

＜極薄銅層＞

在中間層上設(shè)置極薄銅層。也可以在中間層與極薄銅層之間設(shè)置其他層。極薄銅層可以通過(guò)利用硫酸銅、焦磷酸銅、氨基磺酸銅、氰化銅等電解浴的電鍍而形成，就能夠使用通常的電解銅箔且以高電流密度形成銅箔的方面而言，優(yōu)選硫酸銅浴。另外，在用以形成極薄銅層的電解浴中，優(yōu)選使用具有提高極薄銅層的表面平滑性或增加光澤的效果的添加劑及/或光澤劑。作為具有提高該極薄銅層的表面平滑性或增加光澤的效果的添加劑及/或光澤劑，可以使用公知的添加劑及/或光澤劑。極薄銅層的厚度沒(méi)有特別限制，一般而言比載體薄，例如為12μm以下。典型而言為0.01～12μm，更典型而言為0.1～10μm，更典型而言為0.2～9μm，更典型而言為0.3～8μm，更典型而言為0.5～7μm，更典型而言為1～5μm，進(jìn)一步典型而言為1.5～5μm，進(jìn)一步典型而言為2～5μm。此外，也可以在載體的兩面設(shè)置極薄銅層。

可以使用本發(fā)明的附載體銅箔制作積層體(覆銅積層板等)。作為該積層體，例如可以為依序積層有“極薄銅層/中間層/載體/樹(shù)脂或預(yù)浸料”的構(gòu)成，可以為依序積層有“載體/中間層/極薄銅層/樹(shù)脂或預(yù)浸料”的構(gòu)成，可以為依序積層有“極薄銅層/中間層/載體/樹(shù)脂或預(yù)浸料/載體/中間層/極薄銅層”的構(gòu)成，可以為依序積層有“載體/中間層/極薄銅層/樹(shù)脂或預(yù)浸料/極薄銅層/中間層/載體”的構(gòu)成。所述樹(shù)脂或預(yù)浸料可以為下述樹(shù)脂層，也可以包含下述樹(shù)脂層所使用的樹(shù)脂、樹(shù)脂硬化劑、化合物、硬化促進(jìn)劑、電介質(zhì)、反應(yīng)催化劑、交聯(lián)劑、聚合物、預(yù)浸料、骨架材料等。此外，附載體銅箔在俯視時(shí)也可以小于樹(shù)脂或預(yù)浸料。

＜粗化處理及其他表面處理＞

在極薄銅層的表面或載體的表面的任一面或兩面，例如也可以通過(guò)實(shí)施粗化處理而設(shè)置粗化處理層以使絕緣基板的密合性良好。粗化處理例如可以通過(guò)由銅或銅合金形成粗化粒子而進(jìn)行。粗化處理可以是微細(xì)的處理。粗化處理層也可以是由下述的材料組成的層等，所述材料為選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅所組成的群中的任一單質(zhì)或含有任1種以上所述單質(zhì)的合金。另外，在由銅或銅合金形成粗化粒子后，也可以進(jìn)一步進(jìn)行由鎳、鈷、銅、鋅的單質(zhì)或合金等設(shè)置二次粒子或三次粒子的粗化處理。其后，可以由鎳、鈷、銅、鋅的單質(zhì)或合金等形成耐熱層或防銹層，也可以進(jìn)一步對(duì)其表面實(shí)施鉻酸鹽處理、硅烷偶聯(lián)劑處理等處理?；蛘咭部梢圆贿M(jìn)行粗化處理，而由鎳、鈷、銅、鋅的單質(zhì)或合金等形成耐熱層或防銹層，進(jìn)一步對(duì)其表面實(shí)施鉻酸鹽處理、硅烷偶聯(lián)劑處理等處理。即，可以在粗化處理層的表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)劑處理層所組成的群中的1種以上的層，也可以在極薄銅層的表面或載體的表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)劑處理層所組成的群中的1種以上的層。此外，上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、硅烷偶聯(lián)劑處理層也可以分別形成為多層(例如2層以上、3層以上等)。

本發(fā)明的粗化處理可以根據(jù)以下的a～g中的任一條件來(lái)進(jìn)行。

·粗化條件a

液體組成

Cu：10～20g/L

Co：1～10g/L

Ni：1～10g/L

pH值：1～4

液溫：50～60℃

電流密度Dk：30～40A/dm²

時(shí)間：0.2～1秒

將粗化處理層的由重量法測(cè)得的厚度調(diào)整為0.05μm±0.02μm的范圍。

此外，粗化處理的由重量法測(cè)得的厚度是以如下方式算出。

粗化處理的由重量法測(cè)得的厚度(μm)＝((粗化處理后的樣品重量(g))－(粗化處理前的樣品重量(g))/(銅的密度8.94(g/cm³)×(樣品的具有粗化處理的平面的面積)(cm²))×10000(μm/cm)

·粗化條件b

液體組成

Cu：10～20g/L

Co：1～10g/L

Ni：1～10g/L

pH值：1～4

液溫：50～60℃

電流密度Dk：20～30A/dm²

時(shí)間：1～3秒

將粗化處理層的由重量法測(cè)得的厚度調(diào)整為0.15μm±0.04μm的范圍。

·粗化條件c

液體組成

Cu：10～20g/L

Co：1～10g/L

Ni：1～10g/L

pH值：1～4

液溫：40～50℃

電流密度Dk：20～30A/dm²

時(shí)間：5～8秒

將粗化處理層的由重量法測(cè)得的厚度調(diào)整為0.25μm±0.05μm的范圍。

·粗化條件d

依序進(jìn)行粗化處理1→粗化處理2。

(1)粗化處理1

液體組成：Cu：10～20g/L、H₂SO₄：50～100g/L

液溫：25～50℃

電流密度：0.5～54A/dm²

庫(kù)侖量：2～67As/dm²

(2)粗化處理2

液體組成：Cu：10～20g/L、Ni：5～15g/L、Co：5～15g/L

pH值：2～3

液溫：30～50℃

電流密度：20～46A/dm²

庫(kù)侖量：31～45As/dm²

將粗化處理1、粗化處理2的粗化處理層的由重量法測(cè)得的合計(jì)厚度調(diào)整為0.35μm±0.05μm的范圍。

·粗化條件e

依序進(jìn)行粗化處理1→粗化處理2。

(1)粗化處理1

(液體組成1)

Cu：15～35g/L

H₂SO₄：10～150g/L

W：10～50mg/L

十二烷基硫酸鈉：10～50mg/L

As：50～200mg/L

(電鍍條件1)

溫度：30～70℃

電流密度：30～115A/dm²

粗化庫(kù)侖量：20～450As/dm²

鍍敷時(shí)間：0.5～15秒

(2)粗化處理2

(液體組成2)

Cu：20～80g/L

H₂SO₄：50～200g/L

(電鍍條件2)

溫度：30～70℃

電流密度：3～48A/dm²

粗化庫(kù)侖量：20～250As/dm²

鍍敷時(shí)間：1～50秒

將粗化處理1、粗化處理2的粗化處理層的由重量法測(cè)得的合計(jì)厚度調(diào)整為0.40μm±0.05μm的范圍。

·粗化條件f

依序進(jìn)行粗化處理1→粗化處理2。

(1)粗化處理1

(液體組成1)

Cu：15～35g/L

H₂SO₄：10～150g/L

W：1～50mg/L

十二烷基硫酸鈉：1～50mg/L

As：1～200mg/L

(電鍍條件1)

溫度：30～70℃

電流密度：20～105A/dm²

粗化庫(kù)侖量：50～500As/dm²

鍍敷時(shí)間：0.5～20秒

(2)粗化處理2

(液體組成2)

Cu：20～80g/L

H₂SO₄：50～200g/L

(電鍍條件2)

溫度：30～70℃

電流密度：3～48A/dm²

粗化庫(kù)侖量：50～300As/dm²

鍍敷時(shí)間：1～60秒

將粗化處理1、粗化處理2的粗化處理層的由重量法測(cè)得的合計(jì)厚度調(diào)整為0.50μm±0.05μm的范圍。

·粗化條件g

依序進(jìn)行粗化處理1→粗化處理2。

(1)粗化處理1

(液體組成1)

Cu：10～40g/L

H₂SO₄：10～150g/L

(電鍍條件1)

溫度：30～70℃

電流密度：24～112A/dm²

粗化庫(kù)侖量：70～600As/dm²

鍍敷時(shí)間：5～30秒

(2)粗化處理2

(液體組成2)

Cu：30～90g/L

H₂SO₄：50～200g/L

(電鍍條件2)

溫度：30～70℃

電流密度：4～49A/dm²

粗化庫(kù)侖量：70～400As/dm²

鍍敷時(shí)間：5～65秒

將粗化處理1、粗化處理2的粗化處理層的由重量法測(cè)得的合計(jì)厚度調(diào)整為0.60μm±0.05μm的范圍。

作為耐熱層、防銹層，可以使用公知的耐熱層、防銹層。例如耐熱層及/或防銹層可以是包含選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的群中的1種以上元素的層，也可以是由所述元素組成的金屬層或合金層。另外，耐熱層及/或防銹層可以包含所述元素的氧化物、氮化物、硅化物。另外，耐熱層及/或防銹層可以是含有鎳-鋅合金的層。另外，耐熱層及/或防銹層也可以是鎳-鋅合金層。所述鎳-鋅合金層也可以除不可避免的雜質(zhì)以外，含有鎳50wt％～99wt％、鋅50wt％～1wt％。所述鎳-鋅合金層的鋅及鎳的合計(jì)附著量為5～1000mg/m²，優(yōu)選10～500mg/m²，優(yōu)選20～100mg/m²。另外，所述含有鎳-鋅合金的層或所述鎳-鋅合金層的鎳附著量與鋅附著量的比(＝鎳附著量/鋅附著量)優(yōu)選1.5～10。另外，所述含有鎳-鋅合金的層或所述鎳-鋅合金層的鎳附著量?jī)?yōu)選0.5mg/m²～500mg/m²，更優(yōu)選1mg/m²～50mg/m²。在耐熱層及/或防銹層是含有鎳-鋅合金的層的情況下，銅箔與樹(shù)脂基板的密合性提高。

例如耐熱層及/或防銹層可以是依序積層有附著量為1mg/m²～100mg/m²、優(yōu)選5mg/m²～50mg/m²的鎳或鎳合金層、及附著量為1mg/m²～80mg/m²、優(yōu)選5mg/m²～40mg/m²的錫層的層，所述鎳合金層也可以由鎳-鉬、鎳-鋅、鎳-鉬-鈷、鎳-錫合金中的任一種所構(gòu)成。另外，所述耐熱層及/或防銹層優(yōu)選[鎳或鎳合金中的鎳附著量]/[錫附著量]＝0.25～10，更優(yōu)選0.33～3。如果使用該耐熱層及/或防銹層，則在將附載體銅箔加工成印刷配線(xiàn)板之后的電路剝離強(qiáng)度、該剝離強(qiáng)度的耐化學(xué)藥品性劣化率等變得良好。

所謂鉻酸鹽處理層是指通過(guò)利用包含鉻酸酐、鉻酸、二鉻酸、鉻酸鹽或二鉻酸鹽的液體進(jìn)行處理而形成的層。鉻酸鹽處理層也可以含有鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦等元素(可以是金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任意形態(tài))。作為鉻酸鹽處理層的具體例，可以列舉經(jīng)鉻酸酐或二鉻酸鉀水溶液處理過(guò)的鉻酸鹽處理層、或經(jīng)含有鉻酸酐或二鉻酸鉀及鋅的處理液處理過(guò)的鉻酸鹽處理層等。

所述硅烷偶聯(lián)劑處理層可以使用公知的硅烷偶聯(lián)劑而形成，也可以使用環(huán)氧系硅烷、氨基系硅烷、甲基丙烯酰氧基系硅烷、巰基系硅烷、乙烯基系硅烷、咪唑系硅烷、三嗪系硅烷等硅烷偶聯(lián)劑等而形成。此外，此種硅烷偶聯(lián)劑也可以混合2種以上使用。其中，優(yōu)選為使用氨基系硅烷偶聯(lián)劑或環(huán)氧系硅烷偶聯(lián)劑所形成的處理層。

硅烷偶聯(lián)劑處理層理想為在以硅原子換算計(jì)為0.05mg/m²～200mg/m²、優(yōu)選0.15mg/m²～20mg/m²、優(yōu)選0.3mg/m²～2.0mg/m²的范圍設(shè)置。在所述范圍的情況下，能夠使基材與表面處理銅箔的密合性進(jìn)一步提高。

另外，可以對(duì)極薄銅層、粗化處理層、耐熱層、防銹層、硅烷偶聯(lián)劑處理層或鉻酸鹽處理層的表面進(jìn)行國(guó)際公開(kāi)編號(hào)WO2008/053878、日本專(zhuān)利特開(kāi)2008-111169號(hào)、日本專(zhuān)利第5024930號(hào)、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)WO2006/028207、日本專(zhuān)利第4828427號(hào)、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)WO2006/134868、日本專(zhuān)利第5046927號(hào)、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)WO2007/105635、日本專(zhuān)利第5180815號(hào)、日本專(zhuān)利特開(kāi)2013-19056號(hào)中記載的表面處理。

另外，具備載體、積層在載體上的中間層、及積層在中間層上的極薄銅層的附載體銅箔可以在所述極薄銅層上具備粗化處理層，在所述粗化處理層上也可以具備一層以上的選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶聯(lián)劑處理層所組成的群中的層。

另外，在所述極薄銅層上可以具備粗化處理層，在所述粗化處理層上可以具備耐熱層、防銹層，在所述耐熱層、防銹層上可以具備鉻酸鹽處理層，在所述鉻酸鹽處理層上也可以具備硅烷偶聯(lián)劑處理層。

另外，所述附載體銅箔也可以在所述極薄銅層上、或所述粗化處理層上、或所述耐熱層、防銹層、或鉻酸鹽處理層、或者硅烷偶聯(lián)劑處理層上具備樹(shù)脂層。所述樹(shù)脂層可以是絕緣樹(shù)脂層。

所述樹(shù)脂層可以是接著劑，也可以是接著用半硬化狀態(tài)(B階段)的絕緣樹(shù)脂層。所謂半硬化狀態(tài)(B階段狀態(tài))，包含如下?tīng)顟B(tài)：即使用手指觸摸其表面也沒(méi)有粘附感，可以將該絕緣樹(shù)脂層重疊來(lái)進(jìn)行保管，進(jìn)而當(dāng)受到加熱處理時(shí)會(huì)產(chǎn)生硬化反應(yīng)的狀態(tài)。

另外，所述樹(shù)脂層可以含有熱硬化性樹(shù)脂，也可以是熱塑性樹(shù)脂。另外，所述樹(shù)脂層也可以含有熱塑性樹(shù)脂。其種類(lèi)沒(méi)有特別限定，例如作為優(yōu)選的樹(shù)脂，可以列舉含有選自環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、多官能性氰酸酯化合物、馬來(lái)酰亞胺化合物、聚乙烯醇縮醛樹(shù)脂、氨酯樹(shù)脂、聚醚砜(ポリエーテルサルホン)、聚醚砜(ポリエーテルスルホ)樹(shù)脂、芳香族聚酰胺樹(shù)脂、聚酰胺酰亞胺樹(shù)脂、橡膠改質(zhì)環(huán)氧樹(shù)脂、苯氧基樹(shù)脂、羧基改質(zhì)丙烯腈-丁二烯樹(shù)脂、聚苯醚、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂、熱硬化性聚苯醚樹(shù)脂、氰酸酯系樹(shù)脂、多元羧酸的酐、具有能夠交聯(lián)的官能基的線(xiàn)狀聚合物、聚苯醚樹(shù)脂、2,2-雙(4-氰酸酯基苯基)丙烷、含磷苯酚化合物、環(huán)烷酸錳(ナフテン酸マンガン)、2,2-雙(4-縮水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系樹(shù)脂、硅氧烷改質(zhì)聚酰胺酰亞胺樹(shù)脂、氰基酯樹(shù)脂、膦腈系樹(shù)脂、橡膠改質(zhì)聚酰胺酰亞胺樹(shù)脂、異戊二烯、氫化型聚丁二烯、聚乙烯醇縮丁醛、苯氧基、高分子環(huán)氧基、芳香族聚酰胺、氟樹(shù)脂、雙酚、嵌段共聚聚酰亞胺樹(shù)脂及氰基酯樹(shù)脂的群中的一種以上等的樹(shù)脂。

另外，所述環(huán)氧樹(shù)脂只要是在分子內(nèi)具有2個(gè)以上的環(huán)氧基且可以用于電氣-電子材料用途的環(huán)氧樹(shù)脂，則可以無(wú)特別問(wèn)題地使用。另外，所述環(huán)氧樹(shù)脂優(yōu)選為使用在分子內(nèi)具有2個(gè)以上縮水甘油基的化合物進(jìn)行環(huán)氧化而得的環(huán)氧樹(shù)脂。另外，所述環(huán)氧樹(shù)脂可以將選自雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚F型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚S型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚AD型環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂、甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂、脂環(huán)式環(huán)氧樹(shù)脂、溴化(臭素化)環(huán)氧樹(shù)脂、苯酚酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂、萘型環(huán)氧樹(shù)脂、溴化雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂、鄰甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂、橡膠改質(zhì)雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂、縮水甘油胺型環(huán)氧樹(shù)脂、異氰尿酸三縮水甘油酯、N,N-二縮水甘油基苯胺等縮水甘油胺化合物、四氫鄰苯二甲酸二縮水甘油酯等縮水甘油酯化合物、含磷環(huán)氧樹(shù)脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹(shù)脂、聯(lián)苯酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂、三羥基苯基甲烷型環(huán)氧樹(shù)脂、四苯基乙烷型環(huán)氧樹(shù)脂的群中的1種或2種以上混合使用，或者可以使用所述環(huán)氧樹(shù)脂的氫化物或鹵化物。

作為所述含磷環(huán)氧樹(shù)脂，可以使用公知的含有磷的環(huán)氧樹(shù)脂。另外，所述含磷環(huán)氧樹(shù)脂例如優(yōu)選作為來(lái)自分子內(nèi)具備2個(gè)以上環(huán)氧基的9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物的衍生物獲得的環(huán)氧樹(shù)脂。

所述樹(shù)脂層也可以含有公知的樹(shù)脂、樹(shù)脂硬化劑、化合物、硬化促進(jìn)劑、電介質(zhì)(可以使用含有無(wú)機(jī)化合物及/或有機(jī)化合物的電介質(zhì)、含有金屬氧化物的電介質(zhì)等任意電介質(zhì))、反應(yīng)催化劑、交聯(lián)劑、聚合物、預(yù)浸料、骨架材料、所述樹(shù)脂、所述化合物等。另外，所述樹(shù)脂層也可以使用例如國(guó)際公開(kāi)編號(hào)WO2008/004399號(hào)、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)WO2008/053878、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)WO2009/084533、日本專(zhuān)利特開(kāi)平11-5828號(hào)、日本專(zhuān)利特開(kāi)平11-140281號(hào)、日本專(zhuān)利第3184485號(hào)、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)WO97/02728、日本專(zhuān)利第3676375號(hào)、日本專(zhuān)利特開(kāi)2000-43188號(hào)、日本專(zhuān)利第3612594號(hào)、日本專(zhuān)利特開(kāi)2002-179772號(hào)、日本專(zhuān)利特開(kāi)2002-359444號(hào)、日本專(zhuān)利特開(kāi)2003-304068號(hào)、日本專(zhuān)利第3992225、日本專(zhuān)利特開(kāi)2003-249739號(hào)、日本專(zhuān)利第4136509號(hào)、日本專(zhuān)利特開(kāi)2004-82687號(hào)、日本專(zhuān)利第4025177號(hào)、日本專(zhuān)利特開(kāi)2004-349654號(hào)、日本專(zhuān)利第4286060號(hào)、日本專(zhuān)利特開(kāi)2005-262506號(hào)、日本專(zhuān)利第4570070號(hào)、日本專(zhuān)利特開(kāi)2005-53218號(hào)、日本專(zhuān)利第3949676號(hào)、日本專(zhuān)利第4178415號(hào)、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)WO2004/005588、日本專(zhuān)利特開(kāi)2006-257153號(hào)、日本專(zhuān)利特開(kāi)2007-326923號(hào)、日本專(zhuān)利特開(kāi)2008-111169號(hào)、日本專(zhuān)利第5024930號(hào)、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)WO2006/028207、日本專(zhuān)利第4828427號(hào)、日本專(zhuān)利特開(kāi)2009-67029號(hào)、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)WO2006/134868、日本專(zhuān)利第5046927號(hào)、日本專(zhuān)利特開(kāi)2009-173017號(hào)、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)WO2007/105635、日本專(zhuān)利第5180815號(hào)、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)WO2008/114858、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)WO2009/008471、日本專(zhuān)利特開(kāi)2011-14727號(hào)、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)WO2009/001850、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)WO2009/145179、國(guó)際公開(kāi)編號(hào)WO2011/068157、日本專(zhuān)利特開(kāi)2013-19056號(hào)中記載的物質(zhì)(樹(shù)脂、樹(shù)脂硬化劑、化合物、硬化促進(jìn)劑、電介質(zhì)、反應(yīng)催化劑、交聯(lián)劑、聚合物、預(yù)浸料、骨架材料等)及/或樹(shù)脂層的形成方法、形成裝置而形成。

(樹(shù)脂層含有電介質(zhì)(電介質(zhì)填料)的情況)

所述樹(shù)脂層也可以含有電介質(zhì)(電介質(zhì)填料)。

在所述任一樹(shù)脂層或樹(shù)脂組成物含有電介質(zhì)(電介質(zhì)填料)的情況下，可以用于形成電容器層的用途，而使電容器電路的電容增大。該電介質(zhì)(電介質(zhì)填料)是使用BaTiO₃、SrTiO₃、Pb(Zr-Ti)O₃(通稱(chēng)為PZT)、PbLaTiO₃-PbLaZrO(通稱(chēng)為PLZT)、SrBi₂Ta₂O₉(通稱(chēng)為SBT)等具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的復(fù)合氧化物的電介質(zhì)粉。

將所述的樹(shù)脂層中所含的樹(shù)脂及/或樹(shù)脂組成物及/或化合物溶解于例如甲基乙基酮(MEK)、甲苯等溶劑中而制成樹(shù)脂液，并將其通過(guò)例如輥式涂布法等涂布在所述極薄銅層上、或所述耐熱層、防銹層、或所述鉻酸鹽皮膜層、或者所述硅烷偶聯(lián)劑層上，接著根據(jù)需要進(jìn)行加熱干燥而去除溶劑，成為B階段狀態(tài)。干燥例如只要使用熱風(fēng)干燥爐即可，干燥溫度為100～250℃、優(yōu)選為130～200℃即可。

具備所述樹(shù)脂層的附載體銅箔(附有樹(shù)脂的附載體銅箔)可以如下形態(tài)使用：將該樹(shù)脂層重疊于基材后對(duì)整體進(jìn)行熱壓接而使該樹(shù)脂層熱硬化，接著將載體剝離而使極薄銅層露出(當(dāng)然露出的是該極薄銅層的中間層側(cè)的表面)，并在該極薄銅層上形成規(guī)定的配線(xiàn)圖案。

如果使用該附有樹(shù)脂的附載體銅箔，則能夠減少在制造多層印刷配線(xiàn)基板時(shí)的預(yù)浸料材料的使用片數(shù)。并且，即使將樹(shù)脂層的厚度設(shè)為如能夠確保層間絕緣般的厚度、或完全不使用預(yù)浸料材料，也可以制造覆銅積層板。另外，此時(shí)也可以在基材的表面底漆涂布絕緣樹(shù)脂而進(jìn)一步改善表面的平滑性。

此外，在不使用預(yù)浸料材料的情況下，具有如下優(yōu)點(diǎn)：節(jié)約預(yù)浸料材料的材料成本，另外，積層步驟也變得簡(jiǎn)單，因此經(jīng)濟(jì)上有利，并且對(duì)應(yīng)于預(yù)浸料材料的厚度而制造的多層印刷配線(xiàn)基板的厚度變薄，可以制造1層的厚度為100μm以下的極薄的多層印刷配線(xiàn)基板。

該樹(shù)脂層的厚度優(yōu)選0.1～80μm。如果樹(shù)脂層的厚度比0.1μm薄，則有接著力降低，在不介隔預(yù)浸料材料的情況下將該附有樹(shù)脂的附載體銅箔積層在具備內(nèi)層材的基材時(shí)，難以確保與內(nèi)層材的電路之間的層間絕緣的情況。

另一方面，如果使樹(shù)脂層的厚度比80μm厚，則難以通過(guò)1次涂布步驟便形成目標(biāo)厚度的樹(shù)脂層，耗費(fèi)多余的材料費(fèi)與工時(shí)，因此經(jīng)濟(jì)上變得不利。此外存在如下情況：所形成的樹(shù)脂層由于其柔性較差，所以操作時(shí)容易產(chǎn)生裂紋等，另外，在內(nèi)層材的熱壓接時(shí)發(fā)生樹(shù)脂過(guò)度流動(dòng)，而難以順利地積層。

此外，作為該附有樹(shù)脂的附載體銅箔的另一制品形態(tài)，能夠在所述極薄銅層上、或所述耐熱層、防銹層、或所述鉻酸鹽處理層、或者所述硅烷偶聯(lián)劑處理層上由樹(shù)脂層被覆而制成半硬化狀態(tài)后，接著將載體剝離，而以不存在載體的樹(shù)脂付銅箔的形式制造。

此外，通過(guò)在印刷配線(xiàn)板搭載電子零件類(lèi)，而完成印刷電路板。在本發(fā)明中，“印刷配線(xiàn)板”也包含如此搭載有電子零件類(lèi)的印刷配線(xiàn)板、印刷電路板及印刷基板。

另外，可以使用該印刷配線(xiàn)板制作電子機(jī)器，可以使用該搭載有電子零件類(lèi)的印刷電路板制作電子機(jī)器，也可以使用該搭載有電子零件類(lèi)的印刷基板制作電子機(jī)器。以下，示出幾個(gè)使用了本發(fā)明的附載體銅箔的印刷配線(xiàn)板的制造步驟的例子。

在本發(fā)明的印刷配線(xiàn)板的制造方法的一實(shí)施方式中，包括如下步驟：準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將所述附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；及以使極薄銅層側(cè)與絕緣基板相對(duì)向的方式將所述附載體銅箔與絕緣基板積層后，經(jīng)過(guò)將所述附載體銅箔的載體剝離的步驟而形成覆銅積層板，其后通過(guò)半加成法、改良型半加成法、部分加成法及減成法中的任一方法而形成電路的步驟。絕緣基板可以設(shè)為內(nèi)置內(nèi)層電路的絕緣基板。

在本發(fā)明中，所謂半加成法是指在絕緣基板或銅箔籽晶層上進(jìn)行薄的無(wú)電鍍敷，形成圖案后，使用電鍍及蝕刻形成導(dǎo)體圖案的方法。

因此，在使用半加成法的本發(fā)明的印刷配線(xiàn)板的制造方法的一實(shí)施方式中，包括如下步驟：準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；

將所述附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；

將所述附載體銅箔與絕緣基板積層后，將所述附載體銅箔的載體剝離的步驟；

通過(guò)使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將剝離所述載體而露出的極薄銅層全部去除的步驟；

通過(guò)蝕刻等而去除所述極薄銅層，在由此露出的所述樹(shù)脂上設(shè)置通孔或/及盲孔的步驟；

對(duì)包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行去污處理的步驟；

對(duì)包含所述樹(shù)脂及所述通孔或/及盲孔的區(qū)域設(shè)置無(wú)電鍍層的步驟；

在所述無(wú)電鍍層上設(shè)置鍍敷阻劑的步驟；

對(duì)所述鍍敷阻劑進(jìn)行曝光，其后將電路形成區(qū)域的鍍敷阻劑去除的步驟；

在所述鍍敷阻劑已被去除的所述電路形成區(qū)域設(shè)置電鍍層的步驟；

去除所述鍍敷阻劑的步驟；

將位于所述電路形成區(qū)域以外的區(qū)域的無(wú)電鍍層通過(guò)快速蝕刻等去除的步驟。

在使用半加成法的本發(fā)明的印刷配線(xiàn)板的制造方法的另一實(shí)施方式中，包括如下步驟：準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；

將所述附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；

將所述附載體銅箔與絕緣基板積層后，將所述附載體銅箔的載體剝離的步驟；

在剝離所述載體而露出的極薄銅層與所述絕緣樹(shù)脂基板上設(shè)置通孔或/及盲孔的步驟；

對(duì)包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行去污處理的步驟；

通過(guò)使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將剝離所述載體而露出的極薄銅層全部去除的步驟；

通過(guò)蝕刻等而去除所述極薄銅層，對(duì)包含由此露出的所述樹(shù)脂及所述通孔或/及盲孔的區(qū)域設(shè)置無(wú)電鍍層的步驟；

在所述無(wú)電鍍層上設(shè)置鍍敷阻劑的步驟；

對(duì)所述鍍敷阻劑進(jìn)行曝光，其后將電路形成區(qū)域的鍍敷阻劑去除的步驟；

在所述鍍敷阻劑已被去除的所述電路形成區(qū)域設(shè)置電鍍層的步驟；

去除所述鍍敷阻劑的步驟；及

將位于所述電路形成區(qū)域以外的區(qū)域的無(wú)電鍍層通過(guò)快速蝕刻等去除的步驟。

在使用半加成法的本發(fā)明的印刷配線(xiàn)板的制造方法的另一實(shí)施方式中，包括如下步驟：準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；

將所述附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；

將所述附載體銅箔與絕緣基板積層后，將所述附載體銅箔的載體剝離的步驟；

在剝離所述載體而露出的極薄銅層與所述絕緣樹(shù)脂基板上設(shè)置通孔或/及盲孔的步驟；

通過(guò)使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將剝離所述載體而露出的極薄銅層全部去除的步驟；

對(duì)包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行去污處理的步驟；

通過(guò)蝕刻等而去除所述極薄銅層，對(duì)包含由此露出的所述樹(shù)脂及所述通孔或/及盲孔的區(qū)域設(shè)置無(wú)電鍍層的步驟；

在所述無(wú)電鍍層上設(shè)置鍍敷阻劑的步驟；

對(duì)所述鍍敷阻劑進(jìn)行曝光，其后將電路形成區(qū)域的鍍敷阻劑去除的步驟；

在所述鍍敷阻劑已被去除的所述電路形成區(qū)域設(shè)置電鍍層的步驟；

去除所述鍍敷阻劑的步驟；及

將位于所述電路形成區(qū)域以外的區(qū)域的無(wú)電鍍層通過(guò)快速蝕刻等去除的步驟。

在使用半加成法的本發(fā)明的印刷配線(xiàn)板的制造方法的另一實(shí)施方式中，包括如下步驟：準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；

將所述附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；

將所述附載體銅箔與絕緣基板積層后，將所述附載體銅箔的載體剝離的步驟；

通過(guò)使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將剝離所述載體而露出的極薄銅層全部去除的步驟；

通過(guò)蝕刻等而去除所述極薄銅層，對(duì)由此露出的所述樹(shù)脂的表面設(shè)置無(wú)電鍍層的步驟；

在所述無(wú)電鍍層上設(shè)置鍍敷阻劑的步驟；

對(duì)所述鍍敷阻劑進(jìn)行曝光，其后將電路形成區(qū)域的鍍敷阻劑去除的步驟；

在所述鍍敷阻劑已被去除的所述電路形成區(qū)域設(shè)置電鍍層的步驟；

去除所述鍍敷阻劑的步驟；及

將位于所述電路形成區(qū)域以外的區(qū)域的無(wú)電鍍層及極薄銅層通過(guò)快速蝕刻等去除的步驟。

在本發(fā)明中，所謂改良型半加成法是指如下方法：在絕緣層上積層金屬箔，通過(guò)鍍敷阻劑保護(hù)非電路形成部，通過(guò)電鍍進(jìn)行電路形成部的銅層加厚后，去除阻劑，并通過(guò)(快速)蝕刻去除所述電路形成部以外的金屬箔，由此在絕緣層上形成電路。

因此，在使用改良型半加成法的本發(fā)明的印刷配線(xiàn)板的制造方法的一實(shí)施方式中，包括如下步驟：準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；

將所述附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；

將所述附載體銅箔與絕緣基板積層后，將所述附載體銅箔的載體剝離的步驟；

在剝離所述載體而露出的極薄銅層與絕緣基板上設(shè)置通孔或/及盲孔的步驟；

對(duì)包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行去污處理的步驟；

對(duì)包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域設(shè)置無(wú)電鍍層的步驟；

在剝離所述載體而露出的極薄銅層表面設(shè)置鍍敷阻劑的步驟；

在設(shè)置所述鍍敷阻劑后，通過(guò)電鍍形成電路的步驟；

去除所述鍍敷阻劑的步驟；及

將通過(guò)去除所述鍍敷阻劑而露出的極薄銅層通過(guò)快速蝕刻而去除的步驟。

在使用改良型半加成法的本發(fā)明的印刷配線(xiàn)板的制造方法的另一實(shí)施方式中，包括如下步驟：準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；

將所述附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；

將所述附載體銅箔與絕緣基板積層后，將所述附載體銅箔的載體剝離的步驟；

在剝離所述載體而露出的極薄銅層上設(shè)置鍍敷阻劑的步驟；

對(duì)所述鍍敷阻劑進(jìn)行曝光，其后將電路形成區(qū)域的鍍敷阻劑去除的步驟；

在所述鍍敷阻劑已被去除的所述電路形成區(qū)域設(shè)置電鍍層的步驟；

去除所述鍍敷阻劑的步驟；及

將位于所述電路形成區(qū)域以外的區(qū)域的無(wú)電鍍層及極薄銅層通過(guò)快速蝕刻等去除的步驟。

在本發(fā)明中，所謂部分加成法，是指如下方法：對(duì)設(shè)置導(dǎo)體層而成的基板、根據(jù)需要貫穿通孔或?qū)子每锥傻幕迳腺x予催化核，進(jìn)行蝕刻而形成導(dǎo)體電路，根據(jù)需要設(shè)置阻焊劑或鍍敷阻劑后，通過(guò)無(wú)電鍍敷處理對(duì)所述導(dǎo)體電路上、通孔或?qū)椎冗M(jìn)行加厚，由此制造印刷配線(xiàn)板。

因此，在使用部分加成法的本發(fā)明的印刷配線(xiàn)板的制造方法的一實(shí)施方式中，包括如下步驟：準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；

將所述附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；

將所述附載體銅箔與絕緣基板積層后，將所述附載體銅箔的載體剝離的步驟；

在剝離所述載體而露出的極薄銅層與絕緣基板上設(shè)置通孔或/及盲孔的步驟；

對(duì)包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行去污處理的步驟；

對(duì)包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域賦予催化核的步驟；

在剝離所述載體而露出的極薄銅層表面設(shè)置抗蝕阻劑的步驟；

對(duì)所述抗蝕阻劑進(jìn)行曝光，而形成電路圖案的步驟；

通過(guò)使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將所述極薄銅層及所述催化核去除，而形成電路的步驟；

去除所述抗蝕阻劑的步驟；

通過(guò)使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將所述極薄銅層及所述催化核去除，對(duì)所露出的所述絕緣基板表面設(shè)置阻焊劑或鍍敷阻劑的步驟；及

在未設(shè)置所述阻焊劑或鍍敷阻劑的區(qū)域設(shè)置無(wú)電鍍層的步驟。

在本發(fā)明中，所謂減成法，是指通過(guò)蝕刻等將覆銅積層板上的銅箔的無(wú)用部分選擇性地去除而形成導(dǎo)體圖案的方法。

因此，在使用減成法的在本發(fā)明的印刷配線(xiàn)板的制造方法的一實(shí)施方式中，包括如下步驟：準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；

將所述附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；

將所述附載體銅箔與絕緣基板積層后，將所述附載體銅箔的載體剝離的步驟；

在剝離所述載體而露出的極薄銅層與絕緣基板上設(shè)置通孔或/及盲孔的步驟；

對(duì)包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行去污處理的步驟；

對(duì)包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域設(shè)置無(wú)電鍍層的步驟；

在所述無(wú)電鍍層的表面設(shè)置電鍍層的步驟；

在所述電鍍層或/及所述極薄銅層的表面設(shè)置抗蝕阻劑的步驟；

對(duì)所述抗蝕阻劑進(jìn)行曝光，而形成電路圖案的步驟；

通過(guò)使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將所述極薄銅層及所述無(wú)電鍍層及所述電鍍層去除，而形成電路的步驟；及

將所述抗蝕阻劑去除的步驟。

在使用減成法的本發(fā)明的印刷配線(xiàn)板的制造方法的另一實(shí)施方式中，包括如下步驟：準(zhǔn)備本發(fā)明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；

將所述附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；

將所述附載體銅箔與絕緣基板積層后，將所述附載體銅箔的載體剝離的步驟；

在剝離所述載體而露出的極薄銅層與絕緣基板上設(shè)置通孔或/及盲孔的步驟；

對(duì)包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域進(jìn)行去污處理的步驟；

對(duì)包含所述通孔或/及盲孔的區(qū)域設(shè)置無(wú)電鍍層的步驟；

在所述無(wú)電鍍層的表面形成掩模的步驟；

在未形成掩模的所述無(wú)電鍍層的表面設(shè)置電鍍層的步驟；

在所述電鍍層或/及所述極薄銅層的表面設(shè)置抗蝕阻劑的步驟；

對(duì)所述抗蝕阻劑進(jìn)行曝光，而形成電路圖案的步驟；

通過(guò)使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將所述極薄銅層及所述無(wú)電鍍層去除，而形成電路的步驟；及

去除所述抗蝕阻劑的步驟。

設(shè)置通孔或/及盲孔的步驟、及其后的去污步驟也可以不進(jìn)行。

此處，使用附圖，對(duì)使用了本發(fā)明的附載體銅箔的印刷配線(xiàn)板的制造方法的具體例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。此外，此處以具有形成有粗化處理層的極薄銅層的附載體銅箔為例進(jìn)行說(shuō)明，但并不限定于此，也可以使用具有未形成粗化處理層的極薄銅層的附載體銅箔，同樣地進(jìn)行下述印刷配線(xiàn)板的制造方法。

首先，如圖1-A所示，準(zhǔn)備具有表面形成有粗化處理層的極薄銅層的附載體銅箔(第1層)。

接著，如圖1-B所示，在極薄銅層的粗化處理層上涂布抗蝕劑，并進(jìn)行曝光、顯影，而將抗蝕劑蝕刻成規(guī)定的形狀。

接著，如圖1-C所示，形成電路用鍍敷后將抗蝕劑去除，由此形成規(guī)定形狀的電路鍍敷。

接著，如圖2-D所示，以覆蓋電路鍍敷的方式(以掩埋電路鍍敷的方式)在極薄銅層上設(shè)置埋入樹(shù)脂而積層樹(shù)脂層，然后從極薄銅層側(cè)接著另一個(gè)附載體銅箔(第2層)。

接著，如圖2-E所示，將載體從第2層的附載體銅箔剝離。

接著，如圖2-F所示，對(duì)樹(shù)脂層的規(guī)定位置進(jìn)行激光打孔，使電路鍍敷露出而形成盲孔。

接著，如圖3-G所示，在盲孔埋入銅而形成填孔。

接著，如圖3-H所示，在填孔上以所述圖1-B及圖1-C的方式形成電路鍍敷。

接著，如圖3-I所示，將載體從第1層的附載體銅箔剝離。

接著，如圖4-J所示，通過(guò)快速蝕刻將兩表面的極薄銅層去除，而使樹(shù)脂層內(nèi)的電路鍍敷的表面露出。

接著，如圖4-K所示，在樹(shù)脂層內(nèi)的電路鍍敷上形成凸塊，在該焊料上形成銅柱。以此方式制作使用了本發(fā)明的附載體銅箔的印刷配線(xiàn)板。

此外，在上述印刷配線(xiàn)板的制造方法中，也可以將“極薄銅層”替換成載體，將“載體”替換成極薄銅層，在附載體銅箔的載體側(cè)的表面形成電路，并利用樹(shù)脂埋入電路，從而制造印刷配線(xiàn)板。

所述另一個(gè)附載體銅箔(第2層)可以使用本發(fā)明的附載體銅箔，也可以使用以往的附載體銅箔，此外也可以使用通常的銅箔。另外，在圖3-H所示的第2層的電路上進(jìn)一步形成1層或多層的電路，這些電路的形成也可以通過(guò)半加成法、減成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法來(lái)進(jìn)行。

根據(jù)如上述的印刷配線(xiàn)板的制造方法，成為電路鍍敷埋入樹(shù)脂層中的構(gòu)成，因此，例如圖4-J所示的通過(guò)快速蝕刻去除極薄銅層時(shí)，電路鍍敷被樹(shù)脂層保護(hù)，而其形狀得以保持，由此，容易形成微細(xì)電路。另外，由于電路鍍敷被樹(shù)脂層保護(hù)，所以耐遷移性提高，良好地抑制電路的配線(xiàn)導(dǎo)通。因此，容易形成微細(xì)電路。另外，如圖4-J及圖4-K所示般通過(guò)快速蝕刻來(lái)去除極薄銅層時(shí)，電路鍍敷的露出面成為凹進(jìn)樹(shù)脂層的形狀，所以在該電路鍍敷上容易形成凸塊、進(jìn)而容易在凸塊上形成銅柱，制造效率提高。

此外，埋入樹(shù)脂(レジン)可以使用公知的樹(shù)脂、預(yù)浸料。例如可以使用BT(雙馬來(lái)酰亞胺三嗪)樹(shù)脂或含浸有BT樹(shù)脂的玻璃布即預(yù)浸料、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司制造的ABF膜或ABF。另外，所述埋入樹(shù)脂(resin)可以使用本說(shuō)明書(shū)中記載的樹(shù)脂層及/或樹(shù)脂及/或預(yù)浸料及/或膜。

另外，所述第一層所使用的附載體銅箔也可以在該附載體銅箔的表面具有基板或樹(shù)脂層。通過(guò)具有該基板或樹(shù)脂層，第一層所使用的附載體銅箔得到支撐，不易產(chǎn)生皺褶，因此具有生產(chǎn)性提高的優(yōu)點(diǎn)。此外，所述基板或樹(shù)脂層只要具有支撐所述第一層所使用的附載體銅箔的效果，則可以使用所有的基板或樹(shù)脂層。例如作為所述基板或樹(shù)脂層，可以使用本申請(qǐng)說(shuō)明書(shū)中記載的載體、預(yù)浸料、樹(shù)脂層或公知的載體、預(yù)浸料、樹(shù)脂層、金屬板、金屬箔、無(wú)機(jī)化合物的板、無(wú)機(jī)化合物的箔、有機(jī)化合物的板、有機(jī)化合物的箔、樹(shù)脂基板。

另外，本發(fā)明的印刷配線(xiàn)板的制造方法也可以是包括如下步驟的印刷配線(xiàn)板的制造方法(無(wú)芯法)：將本發(fā)明的附載體銅箔的所述極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面與樹(shù)脂基板積層的步驟；在與積層有所述樹(shù)脂基板的“極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面”為相反側(cè)的附載體銅箔的表面進(jìn)行至少1次設(shè)置樹(shù)脂層與電路這2層的步驟；及在形成所述樹(shù)脂層及電路這2層后，將所述載體或所述極薄銅層從所述附載體銅箔剝離的步驟。此外，樹(shù)脂層及電路這2層可以樹(shù)脂層、電路的順序設(shè)置，也可以電路、樹(shù)脂層的順序設(shè)置。關(guān)于該無(wú)芯法，作為具體例，首先，將本發(fā)明的附載體銅箔的極薄銅層側(cè)表面或載體側(cè)表面與樹(shù)脂基板積層而制造積層體(也稱(chēng)作覆銅積層板、覆銅積層體)。其后，在與樹(shù)脂基板積層的“極薄銅層側(cè)表面或所述載體側(cè)表面”為相反側(cè)的附載體銅箔的表面形成樹(shù)脂層。也可以在載體側(cè)表面或極薄銅層側(cè)表面所形成的樹(shù)脂層上，從載體側(cè)或極薄銅層側(cè)進(jìn)而積層另一個(gè)附載體銅箔。在該情況下，也可以將如下積層體使用在上述印刷配線(xiàn)板的制造方法(無(wú)芯法)中，所述積層體具有以樹(shù)脂基板為中心，在該樹(shù)脂基板的兩表面?zhèn)纫暂d體/中間層/極薄銅層的順序或以極薄銅層/中間層/載體的順序積層有附載體銅箔的構(gòu)成；或具有依序積層有“載體/中間層/極薄銅層/樹(shù)脂基板/極薄銅層/中間層/載體”的構(gòu)成；或具有依序積層有“載體/中間層/極薄銅層/樹(shù)脂基板/載體/中間層/極薄銅層”的構(gòu)成；或者具有依序積層有“極薄銅層/中間層/載體/樹(shù)脂基板/載體/中間層/極薄銅層”的構(gòu)成。也可以在兩端的極薄銅層或載體露出的表面設(shè)置另一樹(shù)脂層且進(jìn)而設(shè)置銅層或金屬層后，對(duì)該銅層或金屬層進(jìn)行加工，由此形成電路。此外也可以在該電路上以埋入該電路的方式設(shè)置另一樹(shù)脂層。另外，此種電路及樹(shù)脂層的形成可以進(jìn)行1次以上(增層法)。而且，關(guān)于以此種方式形成的積層體(以下也稱(chēng)為積層體B)，可以將各附載體銅箔的極薄銅層或載體從載體或極薄銅層剝離而制作無(wú)芯基板。此外，所述無(wú)芯基板的制作時(shí)，也可以使用2個(gè)附載體銅箔，制作下述具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層的構(gòu)成的積層體、或具有載體/中間層/極薄銅層/極薄銅層/中間層/載體的構(gòu)成的積層體、或具有載體/中間層/極薄銅層/載體/中間層/極薄銅層的構(gòu)成的積層體，并將該積層體用于中心?？梢栽谶@些積層體(以下也稱(chēng)為積層體A)的兩側(cè)的極薄銅層或載體的表面，進(jìn)行1次以上設(shè)置樹(shù)脂層及電路這2層，將樹(shù)脂層及電路這2層設(shè)置1次以上后，在將各附載體銅箔的極薄銅層或載體從載體或極薄銅層剝離，從而制作無(wú)芯基板。所述積層體也可以在極薄銅層的表面、載體的表面、載體與載體之間、極薄銅層與極薄銅層之間、極薄銅層與載體之間具有其他層。其他層也可以是樹(shù)脂層或樹(shù)脂基板。此外，在本說(shuō)明書(shū)中，關(guān)于“極薄銅層的表面”、“極薄銅層側(cè)表面”、“極薄銅層表面”、“載體的表面”、“載體側(cè)表面”、“載體表面”、“積層體的表面”、“積層體表面”，在極薄銅層、載體、積層體在極薄銅層表面、載體表面、積層體表面具有其他層的情況下，是指包含該其他層的表面(最表面)的概念。另外，積層體優(yōu)選具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層的構(gòu)成。其原因在于：當(dāng)使用該積層體制作無(wú)芯基板時(shí)，由于在無(wú)芯基板側(cè)配置極薄銅層，所以使用改良型半加成法容易在無(wú)芯基板上形成電路。另一原因在于：由于極薄銅層的厚度薄，所以容易去除該極薄銅層，在極薄銅層的去除后使用半加成法，容易在無(wú)芯基板上形成電路。

此外，在本說(shuō)明書(shū)中，“積層體A”或“積層體B”與沒(méi)有特別記載的“積層體”表示至少包含積層體A及積層體B的積層體。

此外，在上述無(wú)芯基板的制造方法中，通過(guò)將附載體銅箔或積層體(積層體A)的端面的一部分或全部由樹(shù)脂覆蓋，而在利用增層法制造印刷配線(xiàn)板時(shí)，可以防止化學(xué)藥液滲入到中間層或構(gòu)成積層體的一個(gè)附載體銅箔與另一個(gè)附載體銅箔之間，可以防止因化學(xué)藥液的滲入導(dǎo)致的極薄銅層與載體的分離或附載體銅箔的腐蝕，從而可以提高產(chǎn)率。作為此處使用的“覆蓋附載體銅箔的端面的一部分或全部的樹(shù)脂”或“覆蓋積層體的端面的一部分或全部的樹(shù)脂”，可以使用能夠用于樹(shù)脂層的樹(shù)脂。另外，在上述無(wú)芯基板的制造方法中，也可以在附載體銅箔或積層體中將俯視時(shí)附載體銅箔或積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分、或一個(gè)附載體銅箔與另一個(gè)附載體銅箔的積層部分)的外周的至少一部分由樹(shù)脂或預(yù)浸料覆蓋。另外，利用上述無(wú)芯基板的制造方法所形成的積層體(積層體A)也可以構(gòu)成為使一對(duì)附載體銅箔能夠相互分離地進(jìn)行接觸。另外，也可以在該附載體銅箔中，俯視時(shí)附載體銅箔或積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分、或一個(gè)附載體銅箔與另一個(gè)附載體銅箔的積層部分)的整個(gè)外周均由樹(shù)脂或預(yù)浸料覆蓋而成。另外，優(yōu)選制成具有如下構(gòu)成的積層體：當(dāng)俯視時(shí)，樹(shù)脂或預(yù)浸料優(yōu)選大于附載體銅箔或積層體或積層體的積層部分，將該樹(shù)脂或預(yù)浸料積層在附載體銅箔或積層體的兩面，由樹(shù)脂或預(yù)浸料將附載體銅箔或積層體折封(包裹)。通過(guò)設(shè)為此種構(gòu)成，在俯視附載體銅箔或積層體時(shí)，附載體銅箔或積層體的積層部分被樹(shù)脂或預(yù)浸料覆蓋，可以防止其他部件從該部分的側(cè)方向、即相對(duì)于積層方向來(lái)自側(cè)面的方向發(fā)生碰撞，結(jié)果可以減少操作中的載體與極薄銅層或附載體銅箔彼此的剝離。另外，通過(guò)以不使附載體銅箔或積層體的積層部分的外周露出的方式利用樹(shù)脂或預(yù)浸料進(jìn)行覆蓋，可以防止如上所述的在化學(xué)藥液處理步驟中化學(xué)藥液滲入至該積層部分的界面，可以防止附載體銅箔的腐蝕或侵蝕。此外，從積層體的一對(duì)附載體銅箔分離一個(gè)附載體銅箔時(shí)、或?qū)⒏捷d體銅箔的載體與銅箔(極薄銅層)分離時(shí)，當(dāng)被樹(shù)脂或預(yù)浸料覆蓋的附載體銅箔或積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分、或一個(gè)附載體銅箔與另一個(gè)附載體銅箔的積層部分)經(jīng)樹(shù)脂或預(yù)浸料等牢固密合時(shí)，存在必須通過(guò)切斷等將該積層部分等去除的情況。

也可以將本發(fā)明的附載體銅箔從載體側(cè)或極薄銅層側(cè)積層在另一本發(fā)明的附載體銅箔的載體側(cè)或極薄銅層側(cè)而構(gòu)成積層體。另外，也可以是將所述一個(gè)附載體銅箔的所述載體側(cè)表面或所述極薄銅層側(cè)表面與所述另一個(gè)附載體銅箔的所述載體側(cè)表面或所述極薄銅層側(cè)表面根據(jù)需要經(jīng)由接著劑直接積層而獲得的積層體。另外，也可以將所述一個(gè)附載體銅箔的載體或極薄銅層與所述另一個(gè)附載體銅箔的載體或極薄銅層接合。此處，在載體或極薄銅層具有表面處理層的情況下，該“接合”也包含隔著該表面處理層而相互接合的形態(tài)。另外，該積層體的端面的一部分或全部也可以被樹(shù)脂覆蓋。

載體彼此、極薄銅層彼此、載體與極薄銅層、附載體銅箔彼此的積層除了單純地重疊以外，例如可以通過(guò)以下方法進(jìn)行。

(a)冶金的接合方法：熔接(電弧焊接、TIG(鎢-惰性氣體)焊接、MIG(金屬-惰性氣體)焊接、電阻焊接、縫焊接、點(diǎn)焊接)、壓接(超音波焊接、摩擦攪拌焊接)、釬焊；

(b)機(jī)械接合方法：嵌縫(かしめ)、利用鉚釘(リベット)的接合(利用自沖鉚接機(jī)的接合、利用鉚釘?shù)慕雍?、縫合機(jī)；

(c)物理接合方法：接著劑、(兩面)粘附帶

通過(guò)使用所述接合方法將一載體的一部分或全部與另一載體的一部分或全部或者極薄銅層的一部分或全部進(jìn)行接合，可以制造將一載體與另一載體或極薄銅層積層且使載體彼此或載體與極薄銅層可分離地接觸而構(gòu)成的積層體。在將一載體與另一載體或極薄銅層較弱地接合而積層一載體與另一載體或極薄銅層的情況下，即使不去除一載體與另一載體或極薄銅層的接合部，也能夠?qū)⒁惠d體與另一載體或極薄銅層分離。另外，在將一載體與另一載體或極薄銅層較強(qiáng)地接合的情況下，通過(guò)利用切斷或化學(xué)研磨(蝕刻等)、機(jī)械研磨等將一載體與另一載體接合的部位去除，從而可以將一載體與另一載體或極薄銅層分離。

另外，可以通過(guò)實(shí)施以下步驟而制作印刷配線(xiàn)板：在如此構(gòu)成的積層體進(jìn)行至少1次設(shè)置樹(shù)脂層與電路這2層的步驟；及在進(jìn)行至少1次形成所述樹(shù)脂層及電路這2層后，將所述極薄銅層或載體從所述積層體的附載體銅箔剝離的步驟。此外，也可以在該積層體的一表面或兩表面設(shè)置樹(shù)脂層與電路這2層。

所述積層體所使用的樹(shù)脂基板、樹(shù)脂層、樹(shù)脂、預(yù)浸料可以是本說(shuō)明書(shū)中記載的樹(shù)脂層，也可以包含本說(shuō)明書(shū)中記載的樹(shù)脂層所使用的樹(shù)脂、樹(shù)脂硬化劑、化合物、硬化促進(jìn)劑、電介質(zhì)、反應(yīng)催化劑、交聯(lián)劑、聚合物、預(yù)浸料、骨架材料等。此外，附載體銅箔可以在俯視時(shí)小于樹(shù)脂或預(yù)浸料。

[實(shí)施例]

以下，通過(guò)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明并不受這些實(shí)施例任何限定。

(1)載體的制作

首先，以如下方式制作載體。

·載體的制作方法A(實(shí)施例1～3、比較例1、5)

作為平滑聚酰亞胺膜，使用厚度25μm的宇部興產(chǎn)制造的Upilex SGA(BPDA-PPD系聚酰亞胺膜)，將其作為載體。然后，以如下方式對(duì)平滑聚酰亞胺膜的預(yù)定設(shè)置極薄銅層的側(cè)的表面進(jìn)行等離子體處理。將平滑聚酰亞胺膜放置在真空裝置內(nèi)并進(jìn)行真空排氣后，向腔室內(nèi)導(dǎo)入氧氣，而將腔室壓力調(diào)整為5～12Pa。其后，將等離子體處理的功率設(shè)為100～200W，進(jìn)行20～40秒的等離子體處理。

此外，等離子體處理前的平滑聚酰亞胺膜的預(yù)定設(shè)置極薄銅層的側(cè)的表面的十點(diǎn)平均粗糙度Rz(JIS B0601 1994)為0.5～18nm，等離子體處理后的十點(diǎn)平均粗糙度Rz(JIS B0601 1994)為2.5～20nm。

所述等離子體處理前后的平滑聚酰亞胺膜的預(yù)定設(shè)置極薄銅層的側(cè)的表面的十點(diǎn)平均粗糙度Rz的測(cè)定是使用了以下裝置，在下述測(cè)定條件下進(jìn)行。

裝置：島津制作所制造的掃描式探針顯微鏡SPM-9600

條件：動(dòng)態(tài)模式

掃描范圍：1μm×1μm

像素?cái)?shù)：512×512

·載體的制作方法B(實(shí)施例4、實(shí)施例11)

準(zhǔn)備鈦制轉(zhuǎn)筒(電解轉(zhuǎn)筒)，作為電解轉(zhuǎn)筒表面控制條件，在磨削砂輪研磨材粒度：#3000、砂輪旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對(duì)該電解轉(zhuǎn)筒的表面進(jìn)行磨削。接著，在電解槽中配置所述電解轉(zhuǎn)筒、及在轉(zhuǎn)筒的周?chē)糁?guī)定的極間距離配置電極。接著，在下述條件下，在電解槽中進(jìn)行電解，一邊使電解轉(zhuǎn)筒旋轉(zhuǎn)一邊使銅析出至該電解轉(zhuǎn)筒的表面。

＜電解液組成＞

銅：80～110g/L

硫酸：70～110g/L

氯：10～100質(zhì)量ppm

＜制造條件＞

電流密度：50～200A/dm²

電解液溫度：40～70℃

電解液線(xiàn)速度：3～5m/sec

電解時(shí)間：0.5～10分鐘

接著，剝下在旋轉(zhuǎn)著的電解轉(zhuǎn)筒的表面所析出的銅，將其作為載體。此外，中間層在電解銅箔上的形成是形成在電解銅箔的光澤面?zhèn)取?/p>

·載體的制作方法C(實(shí)施例5～7)

使用以下的電解液制作厚度18μm的電解銅箔。此外，中間層在電解銅箔上的形成是形成在電解銅箔的光澤面?zhèn)取?/p>

＜電解液組成＞

銅：90～110g/L

硫酸：90～110g/L

氯：50～100ppm

整平劑1(雙(3-磺丙基)二硫醚)：10～30ppm

整平劑2(胺化合物)：10～30ppm

所述的胺化合物使用的是以下的化學(xué)式的胺化合物。

[化學(xué)式2]

(所述化學(xué)式中，R1及R2是選自由羥基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成的一群中的基)

＜制造條件＞

電流密度：70～100A/dm²

電解液溫度：50～60℃

電解液線(xiàn)速度：3～5m/sec

電解時(shí)間：0.5～10分鐘

·載體的制作方法D(實(shí)施例8)

準(zhǔn)備鈦制轉(zhuǎn)筒(電解轉(zhuǎn)筒)，作為電解轉(zhuǎn)筒表面控制條件，在磨削砂輪研磨材粒度：#1000、砂輪旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對(duì)該電解轉(zhuǎn)筒的表面進(jìn)行磨削。接著，在電解槽中配置所述電解轉(zhuǎn)筒、及在轉(zhuǎn)筒的周?chē)糁?guī)定的極間距離配置電極。接著，在下述條件下，在電解槽中進(jìn)行電解，一邊使電解轉(zhuǎn)筒旋轉(zhuǎn)一邊使銅析出至該電解轉(zhuǎn)筒的表面。

＜電解液組成＞

銅：80～110g/L

硫酸：70～110g/L

氯：10～100質(zhì)量ppm

＜制造條件＞

電流密度：50～200A/dm²

電解液溫度：40～70℃

電解液線(xiàn)速度：3～5m/sec

電解時(shí)間：0.5～10分鐘

接著，剝下在旋轉(zhuǎn)著的電解轉(zhuǎn)筒的表面所析出的銅，對(duì)光澤面?zhèn)壤镁哂兴鲚d體的制作方法C中記載的液體組成的鍍敷液對(duì)光澤面?zhèn)儒兎?μm。此外，中間層在電解銅箔上的形成是形成在電解銅箔的光澤面?zhèn)取?/p>

·載體的制作方法E(實(shí)施例9)

準(zhǔn)備鈦制轉(zhuǎn)筒(電解轉(zhuǎn)筒)，作為電解轉(zhuǎn)筒表面控制條件，在磨削砂輪研磨材粒度：#1000、砂輪旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對(duì)該電解轉(zhuǎn)筒的表面進(jìn)行磨削。接著，在電解槽中配置所述電解轉(zhuǎn)筒、及在轉(zhuǎn)筒的周?chē)糁?guī)定的極間距離配置電極。接著，在下述條件下，在電解槽中進(jìn)行電解，一邊使電解轉(zhuǎn)筒旋轉(zhuǎn)一邊使銅析出至該電解轉(zhuǎn)筒的表面。

＜電解液組成＞

銅：80～110g/L

硫酸：70～110g/L

氯：10～100質(zhì)量ppm

＜制造條件＞

電流密度：50～200A/dm²

電解液溫度：40～70℃

電解液線(xiàn)速度：3～5m/sec

電解時(shí)間：0.5～10分鐘

接著，剝下在旋轉(zhuǎn)著的電解轉(zhuǎn)筒的表面所析出的銅，并對(duì)光澤面?zhèn)壤眠^(guò)氧化氫/硫酸系蝕刻液進(jìn)行表面處理，將經(jīng)表面處理的銅作為載體。作為該表面處理，例如可以在以下的條件下進(jìn)行噴霧蝕刻處理。

(噴霧蝕刻處理?xiàng)l件)

·蝕刻形式：噴霧蝕刻

·噴霧嘴：實(shí)心錐型

·噴霧壓力：0.10MPa

·蝕刻液溫度：30℃

·蝕刻液組成：

添加劑：將三菱瓦斯化學(xué)制造的CPB-38(過(guò)氧化氫35.0w/w％(40w/v％)、硫酸3.0w/w％(3.5w/v％))稀釋了4倍后，添加規(guī)定量的硫酸，在組成：過(guò)氧化氫10w/v％、硫酸2w/v％下使用。

此外，中間層在電解銅箔上的形成是形成在電解銅箔的光澤面?zhèn)取?/p>

·載體的制作方法F(實(shí)施例10)

制造在JIS-H3100標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)氧銅中添加有1200wtppm的Sn的組成的銅錠，在800～900℃下進(jìn)行熱軋后，利用300～700℃的連續(xù)退火線(xiàn)重復(fù)進(jìn)行1次退火及冷軋，從而獲得了1～2mm厚的壓延板。利用600～800℃的連續(xù)退火線(xiàn)對(duì)該壓延板進(jìn)行退火使其再結(jié)晶，將壓下率設(shè)為95～99.7％直至厚度成為7～50μm而進(jìn)行最終冷軋，從而制作了壓延銅箔，將其作為載體。

此處，將最終冷軋的最終道次與在最終冷軋的最終道次之前的1個(gè)道次的兩者油膜當(dāng)量均調(diào)整為23000。油膜當(dāng)量是以下述式表示。

(油膜當(dāng)量)＝{(壓延油粘度、40℃的運(yùn)動(dòng)粘度；cSt)×(壓延速度；m/分鐘)}/{(材料的屈服應(yīng)力；kg/mm²)×(輥嚙入角；rad)}

·載體的制作方法G(實(shí)施例12)

準(zhǔn)備鈦制轉(zhuǎn)筒(電解轉(zhuǎn)筒)，作為電解轉(zhuǎn)筒表面控制條件，在磨削砂輪研磨材粒度：#1500、砂輪旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對(duì)該電解轉(zhuǎn)筒的表面進(jìn)行磨削。接著，在電解槽中配置所述電解轉(zhuǎn)筒、及在轉(zhuǎn)筒的周?chē)糁?guī)定的極間距離配置電極。接著，在下述條件下，在電解槽中進(jìn)行電解，一邊使電解轉(zhuǎn)筒旋轉(zhuǎn)一邊使銅析出至該電解轉(zhuǎn)筒的表面。

＜電解液組成＞

銅：80～110g/L

硫酸：70～110g/L

氯：10～100質(zhì)量ppm

＜制造條件＞

電流密度：50～200A/dm²

電解液溫度：40～70℃

電解液線(xiàn)速度：3～5m/sec

電解時(shí)間：0.5～10分鐘

接著，剝下在旋轉(zhuǎn)著的電解轉(zhuǎn)筒的表面所析出的銅，將其作為載體。此外，中間層在電解銅箔上的形成是形成在電解銅箔的光澤面?zhèn)取?/p>

·載體的制作方法H(實(shí)施例13～24)

準(zhǔn)備鈦制轉(zhuǎn)筒(電解轉(zhuǎn)筒)，作為電解轉(zhuǎn)筒表面控制條件，在磨削砂輪研磨材粒度：#1000、砂輪旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對(duì)該電解轉(zhuǎn)筒的表面進(jìn)行磨削。接著，在電解槽中配置所述電解轉(zhuǎn)筒、及在轉(zhuǎn)筒的周?chē)糁?guī)定的極間距離配置電極。接著，在下述條件下，在電解槽中進(jìn)行電解，一邊使電解轉(zhuǎn)筒旋轉(zhuǎn)一邊使銅析出至該電解轉(zhuǎn)筒的表面。

＜電解液組成＞

銅：80～110g/L

硫酸：70～110g/L

氯：10～100質(zhì)量ppm

＜制造條件＞

電流密度：50～200A/dm²

電解液溫度：40～70℃

電解液線(xiàn)速度：3～5m/sec

電解時(shí)間：0.5～10分鐘

接著，剝下在旋轉(zhuǎn)著的電解轉(zhuǎn)筒的表面所析出的銅，將其作為載體。此外，中間層在電解銅箔上的形成是形成在電解銅箔的光澤面?zhèn)取?/p>

·載體的制作方法I(比較例2)

準(zhǔn)備鈦制轉(zhuǎn)筒(電解轉(zhuǎn)筒)，作為電解轉(zhuǎn)筒表面控制條件，在磨削砂輪研磨材粒度：F500、砂輪旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對(duì)該電解轉(zhuǎn)筒的表面進(jìn)行磨削。接著，在電解槽中配置所述電解轉(zhuǎn)筒、及在轉(zhuǎn)筒的周?chē)糁?guī)定的極間距離配置電極。接著，在下述條件下，在電解槽中進(jìn)行電解，一邊使電解轉(zhuǎn)筒旋轉(zhuǎn)一邊使銅析出至該電解轉(zhuǎn)筒的表面。

＜電解液組成＞

銅：80～110g/L

硫酸：70～110g/L

氯：10～100質(zhì)量ppm

＜制造條件＞

電流密度：50～200A/dm²

電解液溫度：40～70℃

電解液線(xiàn)速度：3～5m/sec

電解時(shí)間：0.5～10分鐘

接著，剝下在旋轉(zhuǎn)著的電解轉(zhuǎn)筒的表面所析出的銅，將其作為載體。此外，中間層在電解銅箔上的形成是形成在電解銅箔的光澤面?zhèn)取?/p>

·載體的制作方法J(比較例3)

準(zhǔn)備鈦制轉(zhuǎn)筒(電解轉(zhuǎn)筒)，作為電解轉(zhuǎn)筒表面控制條件，在磨削砂輪研磨材粒度：F320、砂輪旋轉(zhuǎn)速度：500rpm下對(duì)該電解轉(zhuǎn)筒的表面進(jìn)行磨削。接著，在電解槽中配置所述電解轉(zhuǎn)筒、及在轉(zhuǎn)筒的周?chē)糁?guī)定的極間距離配置電極。接著，在下述條件下，在電解槽中進(jìn)行電解，一邊使電解轉(zhuǎn)筒旋轉(zhuǎn)一邊使銅析出至該電解轉(zhuǎn)筒的表面。

＜電解液組成＞

銅：80～110g/L

硫酸：70～110g/L

氯：10～100質(zhì)量ppm

＜制造條件＞

電流密度：50～200A/dm²

電解液溫度：40～70℃

電解液線(xiàn)速度：3～5m/sec

電解時(shí)間：0.5～10分鐘

接著，剝下在旋轉(zhuǎn)著的電解轉(zhuǎn)筒的表面所析出的銅，將其作為載體。此外，中間層在電解銅箔上的形成是形成在電解銅箔的光澤面?zhèn)取?/p>

·載體的制作方法K(比較例4)

使用以下的電解液制作電解銅箔。此外，中間層在電解銅箔上的形成是形成在電解銅箔的無(wú)光澤面?zhèn)?析出面?zhèn)?，與轉(zhuǎn)筒側(cè)為相反側(cè)的面)。

＜電解液組成＞

銅：70～130g/L

硫酸：70～130g/L

氯：30～100ppm

動(dòng)物膠：0.05～3ppm

＜制造條件＞

電流密度：70～100A/dm²

電解液溫度：50～60℃

電解液線(xiàn)速度：3～5m/sec

電解時(shí)間：0.5～10分鐘

(2)中間層的形成

然后，針對(duì)于實(shí)施例1～3、比較例1及5，在形成厚度50nm的濺鍍鎳膜后，利用輥對(duì)輥型連續(xù)鍍敷線(xiàn)進(jìn)行電鍍，由此，通過(guò)在以下的條件下進(jìn)行電解鉻酸鹽處理而在濺鍍鎳膜上附著了11μg/dm²附著量的Cr層。

·電解鉻酸鹽處理

液體組成：重鉻酸鉀1～10g/L、鋅0～5g/L

pH值：3～4

液溫：50～60℃

電流密度：0.1～2.6A/dm²

庫(kù)侖量：0.5～30As/dm²

針對(duì)于實(shí)施例4，在形成厚度3μm的超光澤鍍鎳(奧野制藥股份有限公司制造，添加劑：SUPER NEOLIGHT)后，利用輥對(duì)輥型連續(xù)鍍敷線(xiàn)進(jìn)行電鍍，由此，通過(guò)在以下的條件下進(jìn)行電解鉻酸鹽處理而在鍍鎳膜上附著了11μg/dm²附著量的Cr層。

·電解鉻酸鹽處理

液體組成：重鉻酸鉀1～10g/L、鋅0～5g/L

pH值：3～4

液溫：50～60℃

電流密度：0.1～2.6A/dm²

庫(kù)侖量：0.5～30As/dm²

針對(duì)于實(shí)施例5～14、17～24、比較例2～4，在以下的條件下形成了中間層。

通過(guò)在以下的條件下利用輥對(duì)輥型連續(xù)鍍敷線(xiàn)進(jìn)行電鍍，而形成了4000μg/dm²附著量的Ni層。

·Ni層

硫酸鎳：250～300g/L

氯化鎳：35～45g/L

乙酸鎳：10～20g/L

檸檬酸三鈉：15～30g/L

光澤劑：糖精、丁炔二醇等

十二烷基硫酸鈉：30～100ppm

pH值：4～6

浴溫：50～70℃

電流密度：3～15A/dm²

在水洗及酸洗后，接著在輥對(duì)輥型連續(xù)鍍敷線(xiàn)上，在以下的條件下進(jìn)行電解鉻酸鹽處理，由此在Ni層上附著了11μg/dm²附著量的Cr層。

·電解鉻酸鹽處理

液體組成：重鉻酸鉀1～10g/L、鋅0～5g/L

pH值：3～4

液溫：50～60℃

電流密度：0.1～2.6A/dm²

庫(kù)侖量：0.5～30As/dm²

另外，針對(duì)于實(shí)施例15，在以下的條件下形成了中間層。

通過(guò)在以下的條件下利用輥對(duì)輥型連續(xù)鍍敷線(xiàn)進(jìn)行電鍍，而形成了3000μg/dm²附著量的Ni-Mo層。

·Ni-Mo層(鎳鉬合金鍍敷)

液體組成：硫酸鎳六水合物：50g/dm³、鉬酸鈉二水合物：60g/dm³、檸檬酸鈉：90g/dm³

液溫：30℃

電流密度：1～4A/dm²

通電時(shí)間：3～25秒

另外，針對(duì)于實(shí)施例16，在以下的條件下形成了中間層。

·Ni層

以與實(shí)施例1相同的條件形成了Ni層。

·有機(jī)物層(有機(jī)物層形成處理)

接著，對(duì)形成的Ni層表面進(jìn)行水洗及酸洗后，接著在下述條件下對(duì)Ni層表面霧狀噴淋包含濃度1～30g/L的羧基苯并三唑(CBTA)且液溫40℃、pH值為5的水溶液20～120秒，由此形成了有機(jī)物層。

(3)極薄銅層的形成

在中間層的形成后，通過(guò)在以下的條件下進(jìn)行電鍍，而在中間層上形成了厚度1、2、3、5μm的極薄銅層，設(shè)為附載體銅箔。

·極薄銅層

銅濃度：30～120g/L

H₂SO₄濃度：20～120g/L

氯：50～100ppm

整平劑1(雙(3-磺丙基)二硫醚)：10～30ppm

整平劑2(胺化合物)：10～30ppm

胺化合物使用的是以下的化學(xué)式的胺化合物。

[化學(xué)式3]

(所述化學(xué)式中，R1及R2是選自由羥基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成的一群中的基)

電解液溫度：20～80℃

電流密度：10～100A/dm²

(4)表面處理層的形成

接著，進(jìn)而在極薄銅層上如表1所示般在以下的任一條件下設(shè)置了粗化處理層。

·粗化條件a

液體組成

Cu：10～20g/L

Co：1～10g/L

Ni：1～10g/L

pH值：1～4

液溫：50～60℃

電流密度Dk：30～40A/dm²

時(shí)間：0.2～1秒

將粗化處理層的由重量法測(cè)得的厚度調(diào)整為0.05μm±0.02μm的范圍。

此外，粗化處理的由重量法測(cè)得的厚度是以如下方式算出。

粗化處理的由重量法測(cè)得的厚度(μm)＝((粗化處理后的樣品重量(g))－(粗化處理前的樣品重量(g))/(銅的密度8.94(g/cm³)×(樣品的具有粗化處理的平面的面積)(cm²))×10000(μm/cm)

·粗化條件b

液體組成

Cu：10～20g/L

Co：1～10g/L

Ni：1～10g/L

pH值：1～4

液溫：50～60℃

電流密度Dk：20～30A/dm²

時(shí)間：1～3秒

將粗化處理層的由重量法測(cè)得的厚度調(diào)整為0.15μm±0.04μm的范圍。

·粗化條件c

液體組成

Cu：10～20g/L

Co：1～10g/L

Ni：1～10g/L

pH值：1～4

液溫：40～50℃

電流密度Dk：20～30A/dm²

時(shí)間：5～8秒

將粗化處理層的由重量法測(cè)得的厚度調(diào)整為0.25μm±0.05μm的范圍。

·粗化條件d

依序進(jìn)行粗化處理1→粗化處理2。

(1)粗化處理1

液體組成：Cu：10～20g/L、H₂SO₄：50～100g/L

液溫：25～50℃

電流密度：0.5～54A/dm²

庫(kù)侖量：2～67As/dm²

(2)粗化處理2

液體組成：Cu：10～20g/L、Ni：5～15g/L、Co：5～15g/L

pH值：2～3

液溫：30～50℃

電流密度：20～46A/dm²

庫(kù)侖量：31～45As/dm²

將粗化處理1、粗化處理2的粗化處理層的由重量法測(cè)得的合計(jì)厚度調(diào)整為0.35μm±0.05μm的范圍。

·粗化條件e

依序進(jìn)行粗化處理1→粗化處理2。

(1)粗化處理1

(液體組成1)

Cu：15～35g/L

H₂SO₄：10～150g/L

W：10～50mg/L

十二烷基硫酸鈉：10～50mg/L

As：50～200mg/L

(電鍍條件1)

溫度：30～70℃

電流密度：30～115A/dm²

粗化庫(kù)侖量：20～450As/dm²

鍍敷時(shí)間：0.5～15秒

(2)粗化處理2

(液體組成2)

Cu：20～80g/L

H₂SO₄：50～200g/L

(電鍍條件2)

溫度：30～70℃

電流密度：3～48A/dm²

粗化庫(kù)侖量：20～250As/dm²

鍍敷時(shí)間：1～50秒

將粗化處理1、粗化處理2的粗化處理層的由重量法測(cè)得的合計(jì)厚度調(diào)整為0.40μm±0.05μm的范圍。

·粗化條件f

依序進(jìn)行粗化處理1→粗化處理2。

(1)粗化處理1

(液體組成1)

Cu：15～35g/L

H₂SO₄：10～150g/L

W：1～50mg/L

十二烷基硫酸鈉：1～50mg/L

As：1～200mg/L

(電鍍條件1)

溫度：30～70℃

電流密度：20～105A/dm²

粗化庫(kù)侖量：50～500As/dm²

鍍敷時(shí)間：0.5～20秒

(2)粗化處理2

(液體組成2)

Cu：20～80g/L

H₂SO₄：50～200g/L

(電鍍條件2)

溫度：30～70℃

電流密度：3～48A/dm²

粗化庫(kù)侖量：50～300As/dm²

鍍敷時(shí)間：1～60秒

將粗化處理1、粗化處理2的粗化處理層的由重量法測(cè)得的合計(jì)厚度調(diào)整為0.50μm±0.05μm的范圍。

·粗化條件g

依序進(jìn)行粗化處理1→粗化處理2。

(1)粗化處理1

(液體組成1)

Cu：10～40g/L

H₂SO₄：10～150g/L

(電鍍條件1)

溫度：30～70℃

電流密度：24～112A/dm²

粗化庫(kù)侖量：70～600As/dm²

鍍敷時(shí)間：5～30秒

(2)粗化處理2

(液體組成2)

Cu：30～90g/L

H₂SO₄：50～200g/L

(電鍍條件2)

溫度：30～70℃

電流密度：4～49A/dm²

粗化庫(kù)侖量：70～400As/dm²

鍍敷時(shí)間：5～65秒

將粗化處理1、粗化處理2的粗化處理層的由重量法測(cè)得的合計(jì)厚度調(diào)整為0.60μm±0.05μm的范圍。

·粗化條件h

液體組成

Cu：10～20g/L

Co：5～20g/L

Ni：5～20g/L

pH值：1～4

液溫：50～60℃

電流密度Dk：30～40A/dm²

時(shí)間：0.05～0.2秒

將粗化處理層的由重量法測(cè)得的厚度調(diào)整為0.02μm±0.02μm的范圍。

此外，粗化處理的由重量法測(cè)得的厚度是以如下方式算出。

粗化處理的由重量法測(cè)得的厚度(μm)＝((粗化處理后的樣品重量(g))－(粗化處理前的樣品重量(g))/(銅的密度8.94(g/cm³)×(樣品的具有粗化處理的平面的面積)(cm²))×10000(μm/cm)

針對(duì)于實(shí)施例2、4、6、10、13、20，在以下的條件下在粗化處理層上設(shè)置了耐熱處理層、鉻酸鹽層、硅烷偶聯(lián)劑處理層。

·耐熱處理

Zn：0～20g/L

Ni：0～5g/L

pH值：3.5

溫度：40℃

電流密度Dk：0～1.7A/dm²

時(shí)間：1秒

Zn附著量：5～250μg/dm²

Ni附著量：5～300μg/dm²

·鉻酸鹽處理

K₂Cr₂O₇

(Na₂Cr₂O₇或CrO₃)：2～10g/L

NaOH或KOH：10～50g/L

ZnO或ZnSO₄7H₂O：0.05～10g/L

pH值：7～13

浴溫：20～80℃

電流密度：0.05～5A/dm²

時(shí)間：5～30秒

Cr附著量：10～150μg/dm²

·硅烷偶聯(lián)劑處理

乙烯基三乙氧基硅烷水溶液

(乙烯基三乙氧基硅烷濃度：0.1～1.4wt％)

pH值：4～5

時(shí)間：5～30秒

針對(duì)以所述方式獲得的實(shí)施例1～24、比較例1～5的附載體銅箔，利用以下的方法實(shí)施了各評(píng)價(jià)。

＜極薄銅層的厚度＞

極薄銅層的厚度是根據(jù)以下的重量法測(cè)出。

對(duì)在極薄銅層設(shè)置表面處理層前的附載體銅箔測(cè)定附載體銅箔的重量后，將極薄銅層剝離，測(cè)定載體的重量，將前者與后者的差定義為極薄銅層的重量。

·樣品的大小：10cm見(jiàn)方薄片(經(jīng)壓制機(jī)沖壓的10cm見(jiàn)方薄片)

·樣品的采集：任意3處部位

·根據(jù)以下式，算出了各樣品基于重量法的極薄銅層的厚度。

基于重量法的極薄銅層的厚度(μm)＝{(10cm見(jiàn)方薄片的附載體銅箔的重量(g/100cm²))－(將極薄銅層從所述10cm見(jiàn)方薄片的附載體銅箔剝離后的載體重量(g/100cm²))}/銅的密度(8.96g/cm³)×0.01(100cm²/cm²)×10000μm/cm

此外，樣品的重量測(cè)定使用的是能夠測(cè)定到小數(shù)點(diǎn)后4位的精密天平。而且，將所獲得的重量的測(cè)定值直接用于所述計(jì)算。

·將3處部位的基于重量法獲得的極薄銅層的厚度算術(shù)平均值設(shè)為基于重量法獲得的極薄銅層的厚度。

另外，精密天平使用的是AS ONE股份有限公司的IBA-200，壓制機(jī)使用的是noguchi-press股份有限公司制造的HAP-12。

結(jié)果實(shí)施例1～24、比較例1～5均確認(rèn)到極薄銅層的厚度為1～5μm。

＜附載體銅箔的不含載體及中間層的部分由重量法測(cè)得的厚度(D1)＞

使用與所述“＜極薄銅層的厚度＞”相同的基于重量法的厚度的測(cè)定方法，對(duì)在極薄銅層上設(shè)置表面處理層后的附載體銅箔求出附載體銅箔的不含載體及中間層的部分由重量法測(cè)得的厚度(D1)。

·具體而言，通過(guò)以下的式，算出了各樣品的由重量法測(cè)得的厚度(D1)。

附載體銅箔的不含載體及中間層的部分由重量法測(cè)得的厚度(μm)＝{(10cm見(jiàn)方薄片的設(shè)置表面處理層后的附載體銅箔的重量(g/100cm))－(將設(shè)置有表面處理層的極薄銅層從所述10cm見(jiàn)方薄片的附載體銅箔剝離后的載體的重量(g/100cm²))}/銅的密度(8.96g/cm³)×0.01(100cm²/cm²)×10000μm/cm

此外，在附載體銅箔不具有表面處理層的情況下，由重量法測(cè)得的厚度(D1)成為與所述極薄銅層的厚度相同的值。另外，“將設(shè)置有表面處理層的極薄銅層從所述10cm見(jiàn)方薄片的附載體銅箔剝離后的載體的重量(g/100cm²)”包含在將設(shè)置有表面處理層的極薄銅層從附載體銅箔剝離后的載體上殘存的中間層的重量。

＜樹(shù)脂基板上殘存的層的最大厚度(D2)－由重量法測(cè)得的厚度(D1)＞

在壓力20kgf/cm²、220℃下2小時(shí)的條件下，將各實(shí)施例、比較例的附載體銅箔(對(duì)極薄銅層實(shí)施了表面處理的附載體銅箔是該表面處理后的附載體銅箔)從極薄銅層側(cè)加熱壓接在預(yù)浸料(雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂基板)上而積層后，將載體從附載體銅箔剝離，使用聚焦離子束觀察SIM(Scanning Ion Microscope，掃描離子顯微鏡)圖像，由此測(cè)定出預(yù)浸料上殘存的層的最大厚度(D2)。圖6中表示該SIM圖像的例子。如圖6的SIM圖像所示般，D2表示針對(duì)于將所述載體剝離后殘存在預(yù)浸料上的層，在與板厚方向平行且與TD方向(載體的寬度方向)平行的剖面中，從水平面(水平線(xiàn))觀察時(shí)的最高點(diǎn)的高度與最低點(diǎn)的高度的差的最大值(最厚部分的該厚度)。此處，水平面(水平線(xiàn))設(shè)為與SIM下的照片或顯示出SIM圖像的顯示器的下側(cè)框平行的方向(平行線(xiàn))。并且，起初以樣品長(zhǎng)度100μm落在與照片或顯示器的下側(cè)框平行的方向內(nèi)的倍率進(jìn)行觀察，以使照片或顯示器的下側(cè)框與該樣品平行的方式調(diào)整放置有樣品的載臺(tái)位置。其后，利用目測(cè)，對(duì)認(rèn)為預(yù)浸料上殘存的層的最大厚度(D2s)大的部位進(jìn)行放大觀察。然后，如圖6般，針對(duì)SIM圖像而言，進(jìn)行放大觀察的視野設(shè)為包含橫向(與板厚方向垂直的方向且與TD方向平行的方向)上長(zhǎng)度8μm且在設(shè)置有極薄銅層、進(jìn)而設(shè)置有表面處理層的情況下包含表面處理層的范圍。然后，針對(duì)該視野，如圖6般對(duì)載體剝離后殘存在預(yù)浸料上的層的最大厚度(D2s)進(jìn)行測(cè)定。并且，對(duì)10個(gè)視野進(jìn)行相同的測(cè)定，將10個(gè)視野中的D2s的最大值設(shè)為通過(guò)在壓力20kgf/cm²、220℃下2小時(shí)的條件下將附載體銅箔從極薄銅層側(cè)加熱壓制在雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂基板而貼合后將載體剝離，樹(shù)脂基板上殘存的層的最大厚度D2。然后，算出樹(shù)脂基板上殘存的層的最大厚度(D2)－由重量法測(cè)得的厚度(D1)。

＜電路形成性：形成M-SAP電路后的電路的裙?fàn)畹撞康脑u(píng)價(jià)＞

將附載體銅箔(對(duì)極薄銅層實(shí)施過(guò)表面處理的附載體銅箔是該表面處理后的附載體銅箔)從極薄銅層側(cè)貼合在雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂基板后，剝離載體。然后，當(dāng)極薄銅層的厚度為5μm、3μm及2μm的情況下，對(duì)露出的極薄銅層表面進(jìn)行半蝕刻直至厚度成為1μm，另外，厚度為1μm的極薄銅層時(shí)，保持原樣而不進(jìn)行半蝕刻，以成為L(zhǎng)/S＝12μm/12μm的方式分別形成寬度15μm的圖案鍍銅層，其后進(jìn)行蝕刻，而形成了M-SAP電路。

將此時(shí)的蝕刻條件示于以下。而且，對(duì)該電路的100個(gè)線(xiàn)長(zhǎng)1mm的部位(即，線(xiàn)長(zhǎng)1mm的電路100條)進(jìn)行俯視觀察，測(cè)定裙?fàn)畹撞康拈L(zhǎng)度。關(guān)于由該測(cè)定而獲得的電路的裙?fàn)畹撞康淖畲箝L(zhǎng)度，基于以下的基準(zhǔn)對(duì)電路形成性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。圖5中表示顯示出該裙?fàn)畹撞康碾娐返母┮曈^察照片。如圖5所示，裙?fàn)畹撞渴禽^薄地產(chǎn)生在電路底部的蝕刻殘留。

(蝕刻條件)

·蝕刻形式：噴霧蝕刻

·噴霧嘴：實(shí)心錐型

·噴霧壓力：0.10MPa

·蝕刻液溫度：30℃

·蝕刻液組成：

H₂O₂：18g/L

H₂SO₄：92g/L

Cu：8g/L

添加劑：JCU股份有限公司制造的FE-830IIW3C適量

(電路形成性的評(píng)價(jià)基準(zhǔn))

配線(xiàn)間短路多發(fā)或斷路多發(fā)等電路形成不良狀態(tài)：××

裙?fàn)畹撞康淖畲箝L(zhǎng)度雖為5μm以上，但尚未產(chǎn)生配線(xiàn)間短路：×

裙?fàn)畹撞康淖畲箝L(zhǎng)度為2μm以上且小于5μm：〇

裙?fàn)畹撞康淖畲箝L(zhǎng)度為0.5μm以上且小于2μm：〇〇

裙?fàn)畹撞康淖畲箝L(zhǎng)度小于0.5μm：〇〇〇

＜銅箔樹(shù)脂的密合性的評(píng)價(jià)＞

針對(duì)于在所述“電路形成性：形成M-SAP電路后的電路的裙?fàn)畹撞康脑u(píng)價(jià)”中所形成的M-SAP電路，對(duì)所述“線(xiàn)長(zhǎng)1mm的電路100條”進(jìn)行觀察時(shí)，將即使僅觀察到1條該電路的剝離或隆起的情況設(shè)為×，將完全未觀察到該電路的剝離或隆起的情況評(píng)價(jià)為〇。

將試驗(yàn)條件及試驗(yàn)結(jié)果示于表1。

[表1]